負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置及使用該負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置包含：內(nèi)部電路(DRV)，接收電源電壓(HV)(或LV)的供給而動(dòng)作；輸出電路(PD1及PD2)，接收電源電壓(HV)(或LV)的供給而驅(qū)動(dòng)負(fù)載；異常檢測(cè)電路(12)，監(jiān)視電源電壓(HV)及(LV)并生成異常檢測(cè)信號(hào)(S1)；及電源開關(guān)(P0)，根據(jù)異常檢測(cè)信號(hào)(S1)將往內(nèi)部電路(DRV)的電源電壓供給線導(dǎo)通／切斷。
【專利說明】負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置及使用該負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置及使用該負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]一直以來，電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC及開關(guān)調(diào)節(jié)器IC等負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置被廣泛且普遍地使用。
[0003]另外，作為與所述內(nèi)容相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)的一例，可以舉出專利文獻(xiàn)I。
[0004]【背景技術(shù)】文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開2008-263733號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007][發(fā)明所要解決的問題]
[0008]一般來說，形成負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的輸出電路的元件(尤其是功率晶體管等輸出元件)是根據(jù)以負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的規(guī)格所規(guī)定的電特性(電源電壓的絕對(duì)最大額定值等)來進(jìn)行其耐壓設(shè)計(jì)。因此，在實(shí)施了超過額定的過電壓破壞試驗(yàn)的情況下，有負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中產(chǎn)生發(fā)煙或破壞的顧慮。
`[0009]作為解決所述問題的方法，可以采取的最簡單的措施是提高元件的耐壓。但是，形成電路的元件中也存在其他問題:為了提高輸出元件的耐壓(尤其是柵極、源極間耐壓)，必須使輸出元件的尺寸大型化，而導(dǎo)致芯片面積增大。尤其是，在必須將大電流供給到負(fù)載的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，使用大型輸出元件以降低輸出元件的接通電阻，輸出元件占芯片整體的面積比率非常大。因此，如果僅以破壞試驗(yàn)對(duì)策為目的，而使輸出元件的尺寸進(jìn)一步大型化，則芯片面積變大，結(jié)果導(dǎo)致成本上升，所以，不能說是現(xiàn)實(shí)的解決策略。
[0010]而且，作為解決所述問題的方法，也考慮使搭載負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的裝置側(cè)具有過電壓保護(hù)功能。但是，為了實(shí)現(xiàn)裝置側(cè)的過電壓保護(hù)功能，負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的外部需要另外的零件，因此，存在導(dǎo)致裝置整體的成本提高的其他問題。
[0011]本發(fā)明的目的在于，鑒于由本申請(qǐng)的
【發(fā)明者】等人所發(fā)現(xiàn)的所述問題，提供一種無須不必要地提高元件的耐壓也可以承受破壞試驗(yàn)的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置、及使用該負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的電子設(shè)備。
[0012][解決問題的技術(shù)手段]
[0013]為達(dá)成所述目的，本發(fā)明的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)為如下構(gòu)成(第I構(gòu)成)，即，包含:內(nèi)部電路，接收電源電壓的供給而動(dòng)作；輸出電路，接收所述電源電壓的供給而驅(qū)動(dòng)負(fù)載?’異常檢測(cè)電路，監(jiān)視所述電源電壓并生成異常檢測(cè)信號(hào)；及電源開關(guān)，根據(jù)所述異常檢測(cè)信號(hào)將往所述內(nèi)部電路的電源電壓供給線導(dǎo)通/切斷。
[0014]另外，包含所述第I構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第2構(gòu)成)，即，所述內(nèi)部電路包含將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到所述輸出電路的驅(qū)動(dòng)電路。[0015]而且，包含所述第2構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第3構(gòu)成)，S卩，包含連接在所述內(nèi)部電路的電源電壓輸入端與接地端之間的下拉電阻。
[0016]而且，包含所述第3構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第4構(gòu)成)，即，所述輸出電路包含連接在電源端與輸出端之間的P型的上側(cè)晶體管。
[0017]而且，包含所述第4構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第5構(gòu)成)，S卩，包含根據(jù)所述異常檢測(cè)信號(hào)將所述上側(cè)晶體管的柵極與所述電源端之間導(dǎo)通/切斷的第I上側(cè)開關(guān)。
[0018]而且，包含所述第5構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第6構(gòu)成)，S卩，包含根據(jù)所述異常檢測(cè)信號(hào)將所述上側(cè)晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)電路之間導(dǎo)通/切斷的第2上側(cè)開關(guān)。
[0019]而且，包含所述第4至第6中任一構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第7構(gòu)成)，即，所述輸出電路包含連接在所述接地端與所述輸出端之間的N型的下側(cè)晶體管。
[0020]而且，包含所述第7構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第8構(gòu)成)，S卩，包含根據(jù)所述異常檢測(cè)信號(hào)將所述下側(cè)晶體管的柵極與所述接地端之間導(dǎo)通/切斷的第I下側(cè)開關(guān)。
[0021]而且，包含所述第8構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第9構(gòu)成)，S卩，包含根據(jù)所述異常檢測(cè)信號(hào)將所述下側(cè)晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)電路之間導(dǎo)通/切斷的第2下側(cè)開關(guān)。
[0022]而且，包含所述第I至第9中任一構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第10構(gòu)成)，即，作為所述內(nèi)部電路，包含接收第I電源電壓而動(dòng)作的第I內(nèi)部電路、及接收比所述第I電源電壓低的第2電源電壓而動(dòng)作的第2內(nèi)部電路；且作為所述輸出電路，包含接收所述第I電源電壓而驅(qū)動(dòng)第I負(fù)載的第I輸出電路、及接收所述第2電源電壓而驅(qū)動(dòng)第2負(fù)載的第2輸出電路。
[0023]而且，包含所述第10構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第11構(gòu)成)，即，所述異常檢測(cè)電路包含:第I過電壓檢測(cè)部，監(jiān)視所述第I電源電壓并生成第I過電壓檢測(cè)信號(hào)；第2過電壓檢測(cè)部，監(jiān)視所述第2電源電壓并生成第2過電壓檢測(cè)信號(hào)；及異常檢測(cè)信號(hào)生成部，基于所述第I過電壓檢測(cè)信號(hào)與所述第2過電壓檢測(cè)信號(hào)而生成所述異常檢測(cè)信號(hào)。
[0024]而且，包含所述第11構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第12構(gòu)成)，即，所述第I過電壓檢測(cè)部包含第I比較器，所述第I比較器將所述第I電源電壓與第I過電壓檢測(cè)電壓相比較，而生成所述第I過電壓檢測(cè)信號(hào)，且所述第2過電壓檢測(cè)部包含第2比較器，所述第2比較器將所述第2電源電壓與第2過電壓檢測(cè)電壓相比較，而生成所述第2過電壓檢測(cè)信號(hào)。
[0025]而且，包含所述第11或第12構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第13構(gòu)成)，即，包含調(diào)整所述第I過電壓檢測(cè)信號(hào)的信號(hào)電平并供給到所述異常檢測(cè)信號(hào)生成部的第I電平位移器。
[0026]而且，包含所述第13構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第14構(gòu)成)，S卩，所述第I電平位移器包含:晶體管，漏極連接于所述第I電源電壓的施加端，且柵極連接于所述第I過電壓檢測(cè)信號(hào)的施加端；電流源，連接在所述晶體管的源極與接地端之間；及反相器，輸入端連接于所述晶體管的源極，輸出端連接于所述異常檢測(cè)信號(hào)生成部，第I電源端連接于所述第2電源電壓的施加端，第2電源端連接于接地端。
[0027]而且，包含所述第11至第14中任一構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第15構(gòu)成)，即，所述異常檢測(cè)電路還包含監(jiān)視所述第I電源電壓并生成減電壓檢測(cè)信號(hào)的減電壓檢測(cè)部，且所述異常檢測(cè)信號(hào)生成部基于所述第I過電壓檢測(cè)信號(hào)、所述第2過電壓檢測(cè)信號(hào)、及所述減電壓檢測(cè)信號(hào)而生成所述異常檢測(cè)信號(hào)。
[0028]而且，包含所述第15構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第16構(gòu)成)，即，所述減電壓檢測(cè)部包含將所述第I電源電壓與減電壓檢測(cè)電壓相比較而生成所述減電壓檢測(cè)信號(hào)的第3比較器。
[0029]而且，包含所述第I至第16中任一構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第17構(gòu)成)，即，包含調(diào)整所述異常檢測(cè)信號(hào)的信號(hào)電平的第2電平位移器。
[0030]而且，包含所述第17構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第18構(gòu)成)，即，所述第2電平位移器將所述異常檢測(cè)信號(hào)的信號(hào)電平從在所述第2電源電壓與接地電壓之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)調(diào)整為如下兩種狀態(tài):在所述第I電源電壓與比所述第I電源電壓低特定值的第I修正電源電壓之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)、或在所述第2電源電壓與比所述第2電源電壓低特定值的第2修正電源電壓之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)。
[0031]而且，包含所述第18構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第19構(gòu)成)，即，包含修正電源電壓生成部，所述修正電源電壓生成部根據(jù)所述第I電源電壓或所述第2電源電壓，生成所述第I修正電源電壓或所述第2修正電源電壓，并供給到所述第2電平位移器。
[0032]而且，包含所`述第19構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置中，宜為如下構(gòu)成(第20構(gòu)成)，即，所述修正電源電壓生成部包含--第I晶體管，源極連接于所述第I修正電源電壓或所述第2修正電源電壓的施加端，漏極連接于接地端；第2晶體管，發(fā)射極連接于所述第I晶體管的柵極；齊納二極管，陽極連接于所述第2晶體管的基極及集電極，陰極連接于所述第I電源電壓或所述第2電源電壓的施加端；第I電阻，連接在所述第I晶體管的源極與所述第I電源電壓或所述第2電源電壓的施加端之間；及第2電阻，連接在所述第2晶體管的發(fā)射極與接地端之間。
[0033]而且，本發(fā)明的電子設(shè)備設(shè)為如下構(gòu)成(第21構(gòu)成)，即，包括包含所述第I至第20中任一構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置、及由所述負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。
[0034]而且，包含所述第21構(gòu)成的所述電子設(shè)備宜為如下構(gòu)成(第22構(gòu)成)，即，所述電子設(shè)備是搭載于計(jì)算機(jī)而進(jìn)行光盤的播放或記錄/播放的光盤播放裝置，且所述負(fù)載為主軸電動(dòng)機(jī)、傳動(dòng)電動(dòng)機(jī)、加載電動(dòng)機(jī)、聚焦致動(dòng)器、尋軌致動(dòng)器及傾斜致動(dòng)器中的至少一個(gè)。
[0035][發(fā)明的效果]
[0036]根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種無須不必要地提高元件的耐壓也可以承受破壞試驗(yàn)的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置、及使用該負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的電子設(shè)備。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0037]圖1是表示本發(fā)明的光盤播放裝置的一構(gòu)成例的框圖。
[0038]圖2是表示負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11與異常檢測(cè)電路12的一構(gòu)成例的電路圖。[0039]圖3是表不負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11的一變形例的電路圖。
[0040]圖4是表示開關(guān)調(diào)節(jié)器IC的一構(gòu)成例的電路圖。
[0041]圖5是表示第I過電壓檢測(cè)部121的一構(gòu)成例的電路圖。
[0042]圖6是表示減電壓檢測(cè)部122的一構(gòu)成例的電路圖。
[0043]圖7是表示第2過電壓檢測(cè)部123的一構(gòu)成例的電路圖。
[0044]圖8是表示電平位移器124a的一構(gòu)成例的電路圖。
[0045]圖9是表示修正電源電壓生成部CVG的一構(gòu)成例的電路圖。
[0046]圖10是表示異常保護(hù)動(dòng)作的一例的時(shí)序圖。
[0047]圖11是搭載著光盤播放裝置的臺(tái)式個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048]<光盤播放裝置>
[0049]以下，以對(duì)搭載于光盤播放裝置的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC應(yīng)用本發(fā)明的情況為例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0050]圖1是表示本發(fā)明的光盤播放裝置的一構(gòu)成例的框圖。光盤播放裝置I搭載于例如個(gè)人計(jì)算機(jī)而進(jìn)行光盤(BD、DVD、CD等)的播放或記錄/播放。光盤播放裝置I包含電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC10、多個(gè)負(fù)載20及微型計(jì)算機(jī)30。
[0051]電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器IClO是根據(jù)來自微型計(jì)算機(jī)30的指示而進(jìn)行多個(gè)負(fù)載20 (主軸電動(dòng)機(jī)21、傳動(dòng)電動(dòng)機(jī)22、加載電動(dòng)機(jī)23、聚焦致動(dòng)器24、尋軌致動(dòng)器25、及傾斜致動(dòng)器26)的驅(qū)動(dòng)控制的多信道的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置。電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器IClO中，作為多信道的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11，包含主軸電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路111、傳動(dòng)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路112、加載電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路113、聚焦致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路114、尋軌致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路115、及傾斜致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路116。而且，電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器IClO包含異常檢測(cè)電路12，所述異常檢測(cè)電路12分別監(jiān)視從IC外部供給的第I電源電壓HV (12V系統(tǒng))與第2電源電壓LV (5V系統(tǒng))，并生成異常檢測(cè)信號(hào)SI ο
[0052]主軸電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路111是通過接收第I電源電壓HV的供給并進(jìn)行主軸電動(dòng)機(jī)21的驅(qū)動(dòng)控制，而使載置光盤的轉(zhuǎn)臺(tái)(未圖示)以固定的線速度或固定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。另外，作為主軸電動(dòng)機(jī)21,可以使用有刷DC(Direct Current,直流)電動(dòng)機(jī)或三相無刷電動(dòng)機(jī)等。
[0053]傳動(dòng)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路112是通過接收第I電源電壓HV的供給并進(jìn)行傳動(dòng)電動(dòng)機(jī)22的驅(qū)動(dòng)控制，而使光學(xué)讀取頭(未圖示)沿光盤的半徑方向滑行移動(dòng)。另外，作為傳動(dòng)電動(dòng)機(jī)22，可以使用有刷DC電動(dòng)機(jī)或二相無刷步進(jìn)電動(dòng)機(jī)等。
[0054]加載電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路113是通過接收第I電源電壓HV的供給來進(jìn)行加載電動(dòng)機(jī)23的驅(qū)動(dòng)控制，而使載置光盤的加載托盤(未圖示)滑行移動(dòng)。另外，作為加載電動(dòng)機(jī)23，可以使用有刷DC電動(dòng)機(jī)等。
[0055]聚焦致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路114是通過接收第2電源電壓LV的供給并進(jìn)行聚焦致動(dòng)器24的驅(qū)動(dòng)控制，而驅(qū)動(dòng)光學(xué)讀取頭的物鏡，進(jìn)行形成在光盤上的光束點(diǎn)的聚焦控制。
[0056]尋軌致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路115是通過接收第2電源電壓LV的供給并進(jìn)行尋軌致動(dòng)器25的驅(qū)動(dòng)控制，而驅(qū)動(dòng)光學(xué)讀取頭的物鏡，進(jìn)行形成在光盤上的光束點(diǎn)的尋軌控制。[0057]傾斜致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路116是通過接收第2電源電壓LV的供給并進(jìn)行傾斜致動(dòng)器26的驅(qū)動(dòng)控制，而驅(qū)動(dòng)光學(xué)讀取頭的物鏡，修正因光盤翹曲而產(chǎn)生的信號(hào)強(qiáng)度的不均。
[0058]圖2是表示負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11與異常檢測(cè)電路12的一構(gòu)成例的電路圖。另外，關(guān)于本圖中所描繪的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11，將主軸電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路111、傳動(dòng)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路112、加載電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路113、聚焦致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路114、尋軌致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路115、及傾斜致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路116中的任一個(gè)理解為描繪出某一相的輸出段附近的電路即可。
[0059]異常檢測(cè)電路12包含第I過電壓檢測(cè)部121、減電壓檢測(cè)部122、第2過電壓檢測(cè)部123、及異常檢測(cè)信號(hào)生成部124。
[0060]第I過電壓檢測(cè)部121監(jiān)視第I電源電壓HV是否超過過電壓檢測(cè)電壓Vthl (例如Vthl = 18V)，并生成第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA。第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA是在第I電源電壓HV比過電壓檢測(cè)電壓Vthl低時(shí)，成為正常時(shí)的邏輯電平(低電平(GND))，而在第I電源電壓HV比過電壓檢測(cè)電壓Vthl高時(shí)，成為異常時(shí)的邏輯電平(高電平(HV))。
[0061]圖5是表示第I過電壓檢測(cè)部121的一構(gòu)成例的電路圖。第I過電壓檢測(cè)部121包含比較器121a，該比較器121a將對(duì)非反相輸入端⑴施加的第I電源電壓HV與對(duì)反相輸入端㈠施加的過電壓檢測(cè)電壓Vthl相比較，而生成第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA。比較器121a的第I電源端(高電位端)連接于第I電源電壓HV的施加端。比較器121a的第2電源端(低電位端)連接于接地電壓GND的施加端。
[0062]減電壓檢測(cè)部122監(jiān)視第I電源電壓HV是否低于減電壓檢測(cè)電壓Vth2(例如Vth2=6V)，并生成減電壓檢測(cè)信號(hào)SB。減電壓檢測(cè)信號(hào)SB是在第I電源電壓HV比減電壓檢測(cè)電壓Vth2高時(shí)，成為正常時(shí)的邏輯電平(低電平(GND))，而在第I電源電壓HV比減電壓檢測(cè)電壓Vth2低時(shí)，成為異常時(shí)的邏輯電平(高電平(HV))。
[0063]圖6是表示減電壓檢測(cè)部122的一構(gòu)成例的電路圖。減電壓檢測(cè)部122包含比較器122a,該比較器122a將對(duì)反相輸入端(-)施加的第I電源電壓HV與對(duì)非反相輸入端(+)施加的減電壓檢測(cè)電壓Vth2相比較，而生成減電壓檢測(cè)信號(hào)SB。比較器122a的第I電源端(高電位端)連接于第I電源電壓HV的施加端。比較器122a的第2電源端(低電位端)連接于接地電壓GND的施加端。
[0064]第2過電壓檢測(cè)部123監(jiān)視第2電源電壓LV是否超過過電壓檢測(cè)電壓Vth3 (例如Vth3 = 8.5V)，并生成第2過電壓檢測(cè)信號(hào)SC。第2過電壓檢測(cè)信號(hào)SC是在第2電源電壓LV比過電壓檢測(cè)電壓Vth3低時(shí)，成為正常時(shí)的邏輯電平(低電平(GND))，而在第2電源電壓LV比過電壓檢測(cè)電壓Vth3高時(shí)，成為異常時(shí)的邏輯電平(高電平(LV))。
[0065]圖7是表示第2過電壓檢測(cè)部123的一構(gòu)成例的電路圖。第2過電壓檢測(cè)部123包含比較器123a，該比較器123a將對(duì)非反相輸入端⑴施加的第2電源電壓LV與對(duì)反相輸入端㈠施加的過電壓檢測(cè)電壓Vth3相比較，而生成第2過電壓檢測(cè)信號(hào)SC。比較器123a的第I電源端(高電位端)連接于第2電源電壓LV的施加端。比較器123a的第2電源端(低電位端)連接于接地電壓GND的施加端。
[0066]異常檢測(cè)信號(hào)生成部124監(jiān)視第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA、減電壓檢測(cè)信號(hào)SB、及第2過電壓檢測(cè)信號(hào)SC，并生成異常檢測(cè)信號(hào)SI。異常檢測(cè)信號(hào)生成部124包含電平位移器124a和或運(yùn)算器124b。
[0067]電平位移器124a是將在第I電源電壓HV與接地電壓GND之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA電平位移，生成在第2電源電壓LV與接地電壓GND之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA'。只要是包含電平位移器124a的構(gòu)成，則無須將或運(yùn)算器124b不必要地高耐壓化。
[0068]圖8是表示電平位移器124a的一構(gòu)成例的電路圖。本構(gòu)成例的電平位移器124a包含N信道型MOS (Metal Oxide Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體)場(chǎng)效應(yīng)晶體管al、電流源a2、及反相器a3。晶體管al的漏極連接于第I電源電壓HV的施加端。晶體管al的源極經(jīng)由電流源a2而連接于接地電壓GND的施加端。晶體管al的柵極連接于第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA的施加端。反相器a3的輸入端連接于晶體管al的源極。反相器a3的輸出端連接于第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA'的施加端。反相器a3的第I電源端(高電位端)連接于第2電源電壓LV的施加端。反相器a3的第2電源端(低電位端)連接于接地電壓GND的施加端。
[0069]或運(yùn)算器124b通過進(jìn)行第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA'、減電壓檢測(cè)信號(hào)SB、及第2過電壓檢測(cè)信號(hào)SC的或運(yùn)算，生成異常檢測(cè)信號(hào)SI。只要第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA'、減電壓檢測(cè)信號(hào)SB、及第2過電壓檢測(cè)信號(hào)SC中的任一個(gè)為高電平，異常檢測(cè)信號(hào)SI就成為高電平(LV)，如果第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA'、減電壓檢測(cè)信號(hào)SB、及第2過電壓檢測(cè)信號(hào)SC全部為低電平，則異常檢測(cè)信號(hào)SI成為低電平(GND)。
[0070]負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11 包含 P 信道型 DMOS (Diffused Metal Oxide Semiconductor,擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)場(chǎng)效應(yīng)晶體管ro1、N信道型DMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管NDl、P信道型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管PO及P1、N信道型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管N1、電阻R1、前置驅(qū)動(dòng)器DRV、緩沖器BUF、反相器INV、及修正電源電壓生成部CVG。
[0071]晶體管PDl的源極連接于第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)的施加端。晶體管roi的漏極連接于輸出信號(hào)out的輸出端。晶體管roi的柵極連接于前置驅(qū)動(dòng)器drv。晶體管NDl的源極連接于接地電壓GND的施加端。晶體管NDl的漏極連接于輸出信號(hào)OUT的輸出端。晶體管NDl的柵極連接于前置驅(qū)動(dòng)器DRV。
[0072]晶體管PO的源極連接于第I電源電壓HV (或第2電源電壓LV)的施加端。晶體管PO的漏極連接于前置驅(qū)動(dòng)器DRV的電源電壓輸入端。晶體管PO的柵極連接于緩沖器BUF的輸出端。緩沖器BUF的輸入端連接于異常檢測(cè)信號(hào)SI的施加端。電阻Rl的第I端連接于前置驅(qū)動(dòng)器DRV的電源電壓輸入端。電阻Rl的第2端連接于接地電壓GND的施加端。
[0073]晶體管Pl的源極連接于第I電源電壓HV (或第2電源電壓LV)的施加端。晶體管Pi的漏極連接于晶體管roi的柵極。晶體管PI的柵極連接于反相器INV的輸出端。反相器INV的輸入端連接于異常檢測(cè)信號(hào)SI的施加端。晶體管NI的源極連接于接地電壓GND的施加端。晶體管NI的漏極連接于晶體管NDl的柵極。晶體管NI的柵極連接于異常檢測(cè)信號(hào)SI的施加端。
[0074]在包含所述構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11中，晶體管PDl及NDl相當(dāng)于接收第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)的供給而驅(qū)動(dòng)負(fù)載的推挽輸出電路。尤其是，晶體管PDl相當(dāng)于連接在第I電源電壓HV (或第2電源電壓LV)的施加端與輸出信號(hào)OUT的輸出端之間的上側(cè)晶體管。而且，晶體管NDl相當(dāng)于連接在接地電壓GND的施加端與輸出信號(hào)OUT的輸出端之間的下側(cè)晶體管。
[0075]前置驅(qū)動(dòng)器DRV是接收第I電源電壓HV (或第2電源電壓LV)的供給而動(dòng)作的內(nèi)部電路中的一個(gè)，且相當(dāng)于根據(jù)來自微型計(jì)算機(jī)30的指示而生成所述推挽輸出電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)(晶體管PDl及NDl的柵極信號(hào))的驅(qū)動(dòng)電路。
[0076]晶體管PO相當(dāng)于根據(jù)異常檢測(cè)信號(hào)SI將往內(nèi)部電路(前置驅(qū)動(dòng)器DRV等)的電源電壓供給線導(dǎo)通/切斷的電源開關(guān)。在異常檢測(cè)信號(hào)Si為低電平(正常時(shí)的邏輯電平)時(shí)接通晶體管PO，將往內(nèi)部電路的電源電壓供給線導(dǎo)通。另一方面，在異常檢測(cè)信號(hào)SI為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)時(shí)斷開晶體管PO，將往內(nèi)部電路的電源電壓供給線切斷。
[0077]晶體管Pl相當(dāng)于根據(jù)異常檢測(cè)信號(hào)SI將晶體管roi的柵極與第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)的施加端之間導(dǎo)通/切斷的第I上側(cè)開關(guān)。在異常檢測(cè)信號(hào)SI為低電平(正常時(shí)的邏輯電平)時(shí)斷開晶體管P1，將晶體管PDl的柵極與第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)的施加端之間切斷。另一方面，在異常檢測(cè)信號(hào)SI為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)時(shí)接通晶體管P1，將晶體管PDl的柵極與第I電源電壓HV (或第2電源電壓LV)的施加端之間導(dǎo)通。
[0078]晶體管NI相當(dāng)于根據(jù)異常檢測(cè)信號(hào)SI將晶體管NDl的柵極與接地電壓GND的施加端之間導(dǎo)通/切斷的第I下側(cè)開關(guān)。在異常檢測(cè)信號(hào)Si為低電平(正常時(shí)的邏輯電平)時(shí)斷開晶體管NI，將晶體管NDl的柵極與接地電壓GND的施加端之間切斷。另一方面，在異常檢測(cè)信號(hào)SI為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)時(shí)接通晶體管NI，將晶體管NDl的柵極與接地電壓GND的施加端之間導(dǎo)通。
[0079]電阻Rl相當(dāng)于連接在內(nèi)部電路的電源電壓輸入端與接地電壓GND的施加端之間的下拉電阻。
[0080]緩沖器BUF將在第2電源電壓LV與接地電壓GND之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的異常檢測(cè)信號(hào)SI電平位移，生成在第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)與第I修正電源電壓HV'(或第2修正電源電壓LV')之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的柵極信號(hào)G0，并將該柵極信號(hào)GO供給到晶體管PO的柵極。第I修正電源電壓HV'(或第2修正電源電壓LV')設(shè)定為比第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)低特定值α (例如a = 5V)的電壓值即可。只要是包含帶有電平位移功能的緩沖器BUF的構(gòu)成，就無須將晶體管PO不必要地高耐壓化。
[0081]反相器INV通過將在第2電源電壓LV與接地電壓GND之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的異常檢測(cè)信號(hào)SI電平位移，并進(jìn)而使其邏輯反相，來生成在第I電源電壓HV (或第2電源電壓LV)與第I修正電源電壓HV'(或第2修正電源電壓LV')之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的柵極信號(hào)G1，并將該柵極信號(hào)Gl供給到晶體管Pl的柵極。只要是包含帶有電平位移功能的反相器INV的構(gòu)成，就無須將晶體管Pl不必要地高耐壓化。
[0082]圖9是表示修正電源電壓生成部CVG的一構(gòu)成例的電路圖。本構(gòu)成例的修正電源電壓生成部CVG包含P信道型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管bl、npn型雙極晶體管b2、齊納二極管b3、及電阻b4與b5。晶體管bl的源極一方面連接于第I修正電源電壓HV'(或第2修正電源電壓LV')的施加端，一方面也經(jīng)由電阻b4連接于第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)的施加端。晶體管bl的漏極連接于接地電壓GND的施加端。晶體管bl的柵極一方面連接于晶體管b2的發(fā)射極，一方面也經(jīng)由電阻b5連接于接地電壓GND的施加端。晶體管b2的集電極及基極均連接于齊納二極管b3的陽極。齊納二極管b3的陰極連接于第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)的施加端。根據(jù)本構(gòu)成例的修正電源電壓生成部CVG，可以生成比第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)低特定值α的第I修正電源電壓HV'(或第2修正電源電壓LVi )。
[0083]在包含所述構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11中，在異常檢測(cè)信號(hào)SI成為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)時(shí)斷開晶體管PO，將往包含前置驅(qū)動(dòng)器DRV的內(nèi)部電路的電源電壓供給線切斷。因此，即使在第I電源電壓HV或第2電源電壓LV產(chǎn)生異常(過電壓或減電壓)的情況下，也可以防止內(nèi)部電路的破壞。
[0084]另外，斷開晶體管PO而將往內(nèi)部電路的電源電壓供給線切斷時(shí)，內(nèi)部電路的電源電壓輸入端經(jīng)由電阻Rl被下拉到接地電壓GND的施加端。因此，內(nèi)部電路的電源電壓輸入端不會(huì)成為不定電壓，所以，不會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部電路的異常動(dòng)作。
[0085]另一方面，在包含所述構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11中，為了避免因開關(guān)的接通電阻成分而產(chǎn)生的功率效率的降低，沒有在往推挽輸出電路的電源電壓供給線中設(shè)置用于將其導(dǎo)通/切斷的開關(guān)。
[0086]取而代之的是，在包含所述構(gòu)成的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11中，作為用來保護(hù)晶體管roi及NDl的機(jī)構(gòu)，設(shè)置著晶體管Pl及NI。在異常檢測(cè)信號(hào)SI成為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)時(shí)，接通晶體管Pl及NI，使晶體管PDl及NDl的柵極、源極間短路。因此，成為在晶體管roi及NDI的柵極、源極間沒有施加任何電壓的狀態(tài)，所以，無須不必要地提高晶體管roi及NDl的柵極、源極間耐壓，即可保護(hù)晶體管PDl及ND1。當(dāng)然，毫無疑問需要將晶體管TOl及NDl的源極、漏極耐壓設(shè)計(jì)成在第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)異常時(shí)也可以承受的值。另外，因在異常檢測(cè)信號(hào)SI成為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)時(shí)，晶體管PDl及NDl均完全斷開，所以，輸出信號(hào)OUT的輸出端成為浮動(dòng)狀態(tài)(高阻抗?fàn)顟B(tài))。圖10是表示所述記載中所說明的異常保護(hù)動(dòng)作的一例的時(shí)序圖，從上往下依序描繪著第I電源電壓HV、異常檢測(cè)信號(hào)S1、晶體管Pl及NI的柵極電壓、晶體管PDl及NDl的柵極電壓、及輸出信號(hào) OUT。
[0087]而且，圖2中雖然沒有明示，但在第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)的施加端與接地電壓GND的施加端之間，一般地連接著靜電保護(hù)二極管。因基于異常檢測(cè)信號(hào)SI的保護(hù)動(dòng)作沒有涵蓋該靜電保護(hù)二極管，所以，需要使元件自身具有充分的耐壓。
[0088]圖3是表示負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11的一變形例的電路圖。如圖3所示，負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路11也可以設(shè)為將模擬開關(guān)SWl及SW2連接到晶體管PDl及NDl的各柵極的構(gòu)成。
[0089]模擬開關(guān)SWl相當(dāng)于根據(jù)異常檢測(cè)信號(hào)SI將晶體管PDl的柵極與前置驅(qū)動(dòng)器DRV之間導(dǎo)通/切斷的第2上側(cè)開關(guān)。在異常檢測(cè)信號(hào)SI為低電平(正常時(shí)的邏輯電平)時(shí)接通模擬開關(guān)SW1，將晶體管roi的柵極與前置驅(qū)動(dòng)器DRV之間導(dǎo)通。另一方面，在異常檢測(cè)信號(hào)Si為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)時(shí)斷開模擬開關(guān)SW1，將晶體管roi的柵極與前置驅(qū)動(dòng)器DRV之間切斷。只要是包含模擬開關(guān)SWl的構(gòu)成，則在異常檢測(cè)信號(hào)SI成為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)時(shí)，可以更確實(shí)地將晶體管PDl的柵極固定在第I電源電壓HV(或第2電源電壓LV)。
[0090]模擬開關(guān)SW2相當(dāng)于根據(jù)異常檢測(cè)信號(hào)SI將晶體管NDl的柵極與前置驅(qū)動(dòng)器DRV之間導(dǎo)通/切斷的第2下側(cè)開關(guān)。在異常檢測(cè)信號(hào)SI為低電平(正常時(shí)的邏輯電平)時(shí)接通模擬開關(guān)SW2，將晶體管NDl的柵極與前置驅(qū)動(dòng)器DRV之間導(dǎo)通。另一方面，在異常檢測(cè)信號(hào)SI為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)時(shí)斷開模擬開關(guān)SW2，將晶體管NDl的柵極與前置驅(qū)動(dòng)器DRV之間切斷。只要是包含模擬開關(guān)SW2的構(gòu)成，則在異常檢測(cè)信號(hào)SI成為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)時(shí)，可以更確實(shí)地將晶體管NDl的柵極固定在接地電壓GND。
[0091]如所述記載中說明般，如果是采用圖2或圖3的構(gòu)成的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC10，則作為過電壓破壞試驗(yàn)或相反地連接2個(gè)系統(tǒng)的電源電壓的破壞試驗(yàn)(所謂的逆插試驗(yàn))的對(duì)策，無須不必要地提高晶體管PDl及NDl的耐壓或在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器IClO上連接另外的外置零件，因此，可以對(duì)芯片面積的縮小或裝置成本的降低有所貢獻(xiàn)。
[0092]例如，在實(shí)施有意地使第I電源電壓HV或第2電源電壓LV為過電壓狀態(tài)的過電壓破壞試驗(yàn)的情況下，在第I電源電壓HV或第2電源電壓LV成為過電壓狀態(tài)的期間，第I過電壓檢測(cè)信號(hào)SA或第2過電壓檢測(cè)信號(hào)SC成為高電平，進(jìn)而，異常檢測(cè)信號(hào)SI成為高電平(異常時(shí)的邏輯電平)，且所述的異常保護(hù)動(dòng)作(參照?qǐng)D10)起作用，因此，可以避免IC的發(fā)煙或破壞。
[0093]像這樣，根據(jù)所述保護(hù)技術(shù)，首先，關(guān)于小信號(hào)系統(tǒng)的元件，可以通過將電源線的開關(guān)斷開來保護(hù)免遭破壞，而關(guān)于無法完全防止的輸出元件，則可以通過導(dǎo)入用于斷開柵極的開關(guān)來保護(hù)免遭破壞。即，可以說作為用來實(shí)現(xiàn)所述保護(hù)技術(shù)的電路要素，用于輸出元件破壞對(duì)策的柵極斷開開關(guān)與用于切斷電源線的開關(guān)雙方均重要。另外，不進(jìn)行連接于輸出元件的電源線的切斷的原因是為了避免因開關(guān)的插入而導(dǎo)致輸出元件的接通電阻在外觀上增大。
[0094]而且，在實(shí)施相反地連接第I電源電壓HV與第2電源電壓LV的破壞試驗(yàn)(所謂的逆插試驗(yàn))的情況下，因減電壓檢測(cè)信號(hào)SB或第2過電壓檢測(cè)信號(hào)SC成為高電平，且所述保護(hù)動(dòng)作起作用，所以，可以避免IC的發(fā)煙或破壞。
[0095]<臺(tái)式個(gè)人計(jì)算機(jī)>
[0096]圖11是搭載著光盤播放裝置I的臺(tái)式個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀圖。本構(gòu)成例的臺(tái)式個(gè)人計(jì)算機(jī)X包含主體外殼Χ?ο、液晶顯示器X20、鍵盤X30及鼠標(biāo)X40。
`[0097]主體外殼XlO收納中央運(yùn)算處理裝置XI1、內(nèi)存X12、光學(xué)驅(qū)動(dòng)器X13及硬盤驅(qū)動(dòng)器X14等。
[0098]中央運(yùn)算處理裝置Xll是通過執(zhí)行存儲(chǔ)在硬盤驅(qū)動(dòng)器X14的操作系統(tǒng)或各種應(yīng)用程序，總括地控制臺(tái)式個(gè)人計(jì)算機(jī)X的動(dòng)作。
[0099]內(nèi)存X12是用作中央運(yùn)算處理裝置Xll的作業(yè)區(qū)域(例如，在執(zhí)行程序時(shí)存儲(chǔ)任務(wù)數(shù)據(jù)的區(qū)域)。
[0100]光學(xué)驅(qū)動(dòng)器X13進(jìn)行光盤的讀取/寫入。作為光盤，可以舉出⑶[compact disc,光盤]、DVD [digital versatile disc,數(shù)字多功能光盤]、及 BD [Blu-ray disc,藍(lán)光光盤]等。另外，作為光學(xué)驅(qū)動(dòng)器X13，可以較佳地使用所述的光盤播放裝置I。
[0101]硬盤驅(qū)動(dòng)器X14是使用密封在機(jī)箱內(nèi)的磁盤而將程序或數(shù)據(jù)非揮發(fā)性地存儲(chǔ)的大容量輔助存儲(chǔ)裝置中的一個(gè)。
[0102]液晶顯示器X20根據(jù)來自中央運(yùn)算處理裝置Xll的指示而輸出影像。
[0103]鍵盤X30及鼠標(biāo)X40是受理用戶的操作的人性化接口裝置中的一個(gè)。
[0104]〈其他變形例〉
[0105]另外，在所述實(shí)施方式中，雖然以將本發(fā)明應(yīng)用在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器IClO的構(gòu)成為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的應(yīng)用對(duì)象并不限定于此，可以廣泛地應(yīng)用在圖4的開關(guān)調(diào)節(jié)器IC等負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置全體。[0106]圖4是表示可以成為本發(fā)明的應(yīng)用對(duì)象的開關(guān)調(diào)節(jié)器IC的一構(gòu)成例的電路圖。本構(gòu)成例的開關(guān)調(diào)節(jié)器IC40是包含P信道型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管41、整流用二極管42、開關(guān)控制部43、過電壓保護(hù)部44及電源開關(guān)45的半導(dǎo)體集成電路裝置，且在其外部，作為形成輸出段的分立元件，而連接著線圈L11、電容器C11、及電阻Rll與R12。另外，在本構(gòu)成例中，雖然輸出段為降壓型，但輸出段的構(gòu)成并不限定于此，也可以是升壓型或升降壓型。
[0107]在本構(gòu)成例的開關(guān)調(diào)節(jié)器IC40中，晶體管41相當(dāng)于圖2的晶體管Η)1，整流用二極管42相當(dāng)于圖2的晶體管ND1。另外，關(guān)于整流用二極管42，也可以將此替換為同步整流用晶體管。而且，開關(guān)控制部43相當(dāng)于圖2的驅(qū)動(dòng)器DRV(內(nèi)部電路)，過電壓檢測(cè)部44相當(dāng)于圖2的異常檢測(cè)電路12。此外，電源開關(guān)45相當(dāng)于圖2的晶體管PO。另外，圖4中雖然沒有明示，但例如也可以在晶體管41的柵極、源極間設(shè)置相當(dāng)于圖2的晶體管Pl的元件。
[0108]而且，在所述實(shí)施方式中，雖然以將2個(gè)系統(tǒng)的電源電壓(HV及LV)輸入電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器ICio的構(gòu)成為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的構(gòu)成并不限定于此，即使在輸入的電源電壓增加到3個(gè)系統(tǒng)以上的情況下，通過在每個(gè)電源系統(tǒng)中設(shè)置過電壓檢測(cè)部或減電壓檢測(cè)部，并在每個(gè)負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中準(zhǔn)備用來使異常檢測(cè)信號(hào)的信號(hào)電平合適的電平位移器，也可以靈活應(yīng)對(duì)。
[0109]像這樣，本發(fā)明的構(gòu)成是除了所述實(shí)施方式以外，可以在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)施加各種變更。即，應(yīng)該認(rèn)為所述實(shí)施方式在所有方面為例示，并不具有限制性，且本發(fā)明的技術(shù)范圍不是所述實(shí)施方式的說明，而應(yīng)該理解為由權(quán)利要求范圍所揭示，包含屬于與權(quán)利要求范圍均等的意思及范圍內(nèi)的所有變更。
[0110][工業(yè)上的可利用性]
[0111]本發(fā)明可以用于提高負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置的可靠性。
`[0112][符號(hào)的說明]
[0113]I光盤播放裝置
[0114]10負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置(電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC)
[0115]11負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路
[0116]111主軸電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路
[0117]112傳動(dòng)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路
[0118]113加載電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路
[0119]114聚焦致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路
[0120]115尋軌致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路
[0121]116傾斜致動(dòng)器驅(qū)動(dòng)器電路
[0122]12異常檢測(cè)電路
[0123]121第I過電壓檢測(cè)部
[0124]121a比較器
[0125]122減電壓檢測(cè)部
[0126]122a比較器
[0127]123第2過電壓檢測(cè)部
[0128]123a比較器[0129]124異常檢測(cè)信號(hào)生成部
[0130]124a電平位移器
[0131]alN信道型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0132]a2電流源
[0133]a3反相器
[0134]124b或運(yùn)算器
[0135]20負(fù)載(電動(dòng)機(jī)/致動(dòng)器)
[0136]21主軸電動(dòng)機(jī)
[0137]22傳動(dòng)電動(dòng)機(jī)
[0138]23加載電動(dòng)機(jī)
[0139]24聚焦致動(dòng)器
[0140]25尋軌致動(dòng)器
[0141]26傾斜致動(dòng)器
[0142]30微型計(jì)算機(jī)
[0143]40開關(guān)調(diào)節(jié)器IC
[0144]41P信道型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0145]42整流用二極管
[0146]43開關(guān)控制部(內(nèi)部電路)
[0147]44過電壓保護(hù)部(異常檢測(cè)電路)
[0148]45電源開關(guān)
[0149]PDlP信道型DMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0150]NDlN信道型DMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0151]PO、PlP信道型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0152]NIN信道型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0153]Rl電阻
[0154]DRV前置驅(qū)動(dòng)器
[0155]BUF緩沖器(帶有電平位移功能)
[0156]INV反相器(帶有電平位移功能)
[0157]CVG修正電源電壓生成部
[0158]blP信道型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
[0159]b2npn型雙極晶體管
[0160]b3齊納二極管
[0161]b4、b5電阻
[0162]SW1、SW2 模擬開關(guān)
[0163]Lll線圈
[0164]Cll電容器
[0165]R1UR12電阻
[0166]X臺(tái)式個(gè)人計(jì)算機(jī)
[0167]XlO主體外殼[0168]Xll中央運(yùn)算處理裝置
[0169]X12內(nèi)存
[0170]X13光學(xué)驅(qū)動(dòng)器
[0171]X14硬盤驅(qū)動(dòng)器
[0172]X20液晶顯示器
[0173]X30鍵盤
[0174]X40鼠標(biāo)`
【權(quán)利要求】
1.一種負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于包含: 內(nèi)部電路，接收電源電壓的供給而動(dòng)作； 輸出電路，接收所述電源電壓的供給而驅(qū)動(dòng)負(fù)載； 異常檢測(cè)電路，監(jiān)視所述電源電壓并生成異常檢測(cè)信號(hào) '及 電源開關(guān)，根據(jù)所述異常檢測(cè)信號(hào)將往所述內(nèi)部電路的電源電壓供給線導(dǎo)通/切斷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 所述內(nèi)部電路包含將驅(qū)動(dòng)信號(hào)供給到所述輸出電路的驅(qū)動(dòng)電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 包含連接在所述內(nèi)部電路的電源電壓輸入端與接地端之間的下拉電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 所述輸出電路包含連接在電源端與輸出端之間的P型的上側(cè)晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 包含根據(jù)所述異常檢測(cè)信號(hào)將所述上側(cè)晶體管的柵極與所述電源端之間導(dǎo)通/切斷的第I上側(cè)開關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 包含根據(jù)所述異常檢測(cè)信號(hào)將所述上側(cè)晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)電路之間導(dǎo)通/切斷的第2上側(cè)開關(guān)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 所述輸出電路包含連接在所述接地端與所述輸出端之間的N型的下側(cè)晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 包含根據(jù)所述異常檢測(cè)信號(hào)將所述下側(cè)晶體管的柵極與所述接地端之間導(dǎo)通/切斷的第I下側(cè)開關(guān)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 包含根據(jù)所述異常檢測(cè)信號(hào)將所述下側(cè)晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)電路之間導(dǎo)通/切斷的第2下側(cè)開關(guān)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 作為所述內(nèi)部電路，包含接收第I電源電壓而動(dòng)作的第I內(nèi)部電路、及接收比所述第I電源電壓低的第2電源電壓而動(dòng)作的第2內(nèi)部電路； 作為所述輸出電路，包含接收所述第I電源電壓而驅(qū)動(dòng)第I負(fù)載的第I輸出電路、及接收所述第2電源電壓而驅(qū)動(dòng)第2負(fù)載的第2輸出電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 所述異常檢測(cè)電路包含: 第I過電壓檢測(cè)部，監(jiān)視所述第I電源電壓并生成第I過電壓檢測(cè)信號(hào)； 第2過電壓檢測(cè)部，監(jiān)視所述第2電源電壓并生成第2過電壓檢測(cè)信號(hào)；及異常檢測(cè)信號(hào)生成部，基于所述第I過電壓檢測(cè)信號(hào)與所述第2過電壓檢測(cè)信號(hào)而生成所述異常檢測(cè)信號(hào)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 所述第I過電壓檢測(cè)部包含第I比較器，所述第I比較器將所述第I電源電壓與第I過電壓檢測(cè)電壓相比較，而生成所述第I過電壓檢測(cè)信號(hào)；所述第2過電壓檢測(cè)部包含第2比較器，所述第2比較器將所述第2電源電壓與第2過電壓檢測(cè)電壓相比較，而生成所述第2過電壓檢測(cè)信號(hào)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 包含調(diào)整所述第I過電壓檢測(cè)信號(hào)的信號(hào)電平并供給到所述異常檢測(cè)信號(hào)生成部的第I電平位移器。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 所述第I電平位移器包含: 晶體管，漏極連接于所述第I電源電壓的施加端，柵極連接于所述第I過電壓檢測(cè)信號(hào)的施加端； 電流源，連接在所述晶體管的源極與接地端之間 '及 反相器，輸入端連接于所述晶體管的源極，輸出端連接于所述異常檢測(cè)信號(hào)生成部，第I電源端連接于所述第2電源電壓的施加端，第2電源端連接于接地端。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至14中任一項(xiàng)所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 所述異常檢測(cè)電路還包含監(jiān)視所述第I電源電壓并生成減電壓檢測(cè)信號(hào)的減電壓檢測(cè)部； 所述異常檢測(cè)信號(hào)生成部基 于所述第I過電壓檢測(cè)信號(hào)、所述第2過電壓檢測(cè)信號(hào)、及所述減電壓檢測(cè)信號(hào)而生成所述異常檢測(cè)信號(hào)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 所述減電壓檢測(cè)部包含第3比較器，所述第3比較器將所述第I電源電壓與減電壓檢測(cè)電壓相比較，而生成所述減電壓檢測(cè)信號(hào)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 包含調(diào)整所述異常檢測(cè)信號(hào)的信號(hào)電平的第2電平位移器。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 所述第2電平位移器將所述異常檢測(cè)信號(hào)的信號(hào)電平從在所述第2電源電壓與接地電壓之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)調(diào)整為如下兩種狀態(tài)，即，在所述第I電源電壓與比所述第I電源電壓低特定值的第I修正電源電壓之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)，或在所述第2電源電壓與比所述第2電源電壓低特定值的第2修正電源電壓之間被脈沖驅(qū)動(dòng)的狀態(tài)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 包含修正電源電壓生成部，所述修正電源電壓生成部從所述第I電源電壓或所述第2電源電壓生成所述第I修正電源電壓或所述第2修正電源電壓，并供給到所述第2電平位移器。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置，其特征在于: 所述修正電源電壓生成部包含: 第I晶體管，源極連接于所述第I修正電源電壓或所述第2修正電源電壓的施加端，漏極連接于接地端； 第2晶體管，發(fā)射極連接于所述第I晶體管的柵極； 齊納二極管，陽極連接于所述第2晶體管的基極及集電極，陰極連接于所述第I電源電壓或所述第2電源電壓的施加端； 第I電阻，連接在所述第I晶體管的源極與所述第I電源電壓或所述第2電源電壓的施加端之間?’及 第2電阻，連接在所述第2晶體管的發(fā)射極與接地端之間。
21.—種電子設(shè)備,其特征在于: 包含根據(jù)權(quán)利要求1至20中任一項(xiàng)所述的負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置、及由所述負(fù)載驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電子設(shè)備，其特征在于: 所述電子設(shè)備是搭載于計(jì)算機(jī)而進(jìn)行光盤的播放或記錄/播放的光盤播放裝置，且所述負(fù)載為主軸電動(dòng)機(jī)、傳動(dòng)電動(dòng)機(jī)、加載電動(dòng)機(jī)、聚焦致動(dòng)器、尋軌致動(dòng)器、及傾斜致動(dòng)器中的至少一個(gè)。`
【文檔編號(hào)】H02M1/08GK103563227SQ201280026175
【公開日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2012年5月25日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月27日
【發(fā)明者】角脇一誠, 前田記寬 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司