專利名稱：一種晶體振蕩器驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種簡(jiǎn)單穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
在晶體振蕩器信號(hào)輸出的電路設(shè)計(jì)中，往往會(huì)遇到提高電路驅(qū)動(dòng)能力以及電壓匹配的問題。用三極管提高電路驅(qū)動(dòng)能力以及電壓匹配是設(shè)計(jì)人員經(jīng)常會(huì)想到的。而因?yàn)槿龢O管的壓降相對(duì)來(lái)說(shuō)比較大，當(dāng)用一個(gè)三極管驅(qū)動(dòng)能力不夠時(shí)，會(huì)再加一個(gè)三極管，使驅(qū)動(dòng)能力再增加，或者通過(guò)提高輸入端的電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。目前因?yàn)槠胀ㄈ?jí)管的壓降比較大(都會(huì)有0. 7v的壓降)，使得電源電壓損失過(guò)大，無(wú)法達(dá)到高電平所需電壓值，電路能耗大，電路應(yīng)用范圍受限制，滿足不了各種客戶對(duì)電路的不同需求，一般客戶通過(guò)提高輸入端的電壓來(lái)彌補(bǔ)三極管的壓降。顯然這樣會(huì)使得電路復(fù)雜度提高。而電路復(fù)雜度的增加不僅使得電路成本增加，更會(huì)降低電路的可靠性，電壓的增加使一些器件工作在臨界狀態(tài)容易損壞，減少了器件的使用壽命。在電路集成度越來(lái)越高的今天，這點(diǎn)尤為突出。特別是在晶振電路的設(shè)計(jì)上，因?yàn)樵摼д竦木€路板設(shè)計(jì)空間比較小，并且要求成本以及功耗越低越好。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)此問題，本實(shí)用新型采用低壓驅(qū)動(dòng)的CMOS器件來(lái)做驅(qū)動(dòng)電路，滿足不同的電路多樣性需求，減少電路的能耗，使得電路的驅(qū)動(dòng)電壓提聞，從而提聞電路的能效，減少電路的復(fù)雜設(shè)計(jì)。一種晶體振蕩器驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)輸入端通過(guò)一個(gè)耦合電阻連接低壓驅(qū)動(dòng)的CMOS管的柵極，所述CMOS管的源極接直流電源，所述CMOS管的漏極接驅(qū)動(dòng)電壓輸出端，其漏極還通過(guò)一個(gè)電阻接地。所述CMOS管的柵極還并聯(lián)一個(gè)保護(hù)電阻接地。所述信號(hào)輸入端連接MCU芯片控制輸出腳，所述驅(qū)動(dòng)電壓輸出端連接晶體振蕩器。本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可減少電路的能耗，使得電路的驅(qū)動(dòng)電壓提高，從而提聞電路的能效。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶體振蕩器驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種晶體振蕩器驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)輸入端通過(guò)一個(gè)IK歐姆的耦合電阻Rl連接低壓驅(qū)動(dòng)的CMOS管Ql的柵極，所述CMOS管的源極接直流電源3V，所述CMOS管的漏極接驅(qū)動(dòng)電壓輸出端，其漏極還通過(guò)一個(gè)電阻RL接地。所述CMOS管的柵極還并聯(lián)一個(gè)IOk歐姆的保護(hù)電阻接地。[0010]所述信號(hào)輸入端連接MCU芯片控制IO輸出腳，所述驅(qū)動(dòng)電壓輸出端Vout連接晶體振蕩器。本實(shí)用新型采用一個(gè)低壓驅(qū)動(dòng)的CMOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)(例如芯片mi3004)，能減少電路的復(fù)雜度。以mi3004為例，當(dāng)驅(qū)動(dòng)腳的電壓為2. 5v時(shí)，CMOS管的阻值為0. 054歐姆，當(dāng)驅(qū)動(dòng)腳的電壓為4. 5v時(shí)，CMOS管的阻值為0. 035歐姆，該CMOS管的的電阻小到可以忽略，輸出電壓近似輸入電壓，假設(shè)要求的負(fù)載為50歐的負(fù)載，輸入電壓是3. 0V，可以如下計(jì)算輸出電壓Vout= 3. 0/ (0. 054+50) *50=2. 996V近似3. 0V,可見該電路低壓驅(qū)動(dòng)的CMOS部分帶來(lái)的壓降很少，還能滿足不同電壓的器件之間的電壓轉(zhuǎn)換，比如一個(gè)要求是3. 3V的輸入信號(hào)，計(jì)算它的最低輸入電壓，3. 3*0. 7=2. 31V,可見一個(gè)MOS管就能輕松實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換，另外低壓驅(qū)動(dòng)的CMOS管的的驅(qū)動(dòng)能力也比三極管強(qiáng)。用LVCMOSs管代替?zhèn)鹘y(tǒng)三極管的使得驅(qū)動(dòng)電路部分的器件減少，降低了電路復(fù)雜度，而且器件都工作在的額定電壓下，增加了電路的可靠性。該電路不單單用晶體振蕩器電路，還能應(yīng)用到其它電路上。
權(quán)利要求1.一種晶體振蕩器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括信號(hào)輸入端通過(guò)一個(gè)耦合電阻連接低壓驅(qū)動(dòng)的CMOS管的柵極，所述CMOS管的源極接直流電源，所述CMOS管的漏極接驅(qū)動(dòng)電壓輸出端，其漏極還通過(guò)一個(gè)電阻接地。
2.如權(quán)利要求1所述晶體振蕩器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述CMOS管的柵極還并聯(lián)一個(gè)保護(hù)電阻接地。
3.如權(quán)利要求1所述晶體振蕩器驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述信號(hào)輸入端連接MCU芯片控制輸出腳，所述驅(qū)動(dòng)電壓輸出端連接晶體振蕩器。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種晶體振蕩器驅(qū)動(dòng)電路，包括信號(hào)輸入端通過(guò)一個(gè)耦合電阻連接低壓驅(qū)動(dòng)的CMOS管的柵極，所述CMOS管的源極接直流電源，所述CMOS管的漏極接驅(qū)動(dòng)電壓輸出端，其漏極還通過(guò)一個(gè)電阻接地,所述CMOS管的柵極還并聯(lián)一個(gè)保護(hù)電阻接地。本實(shí)用新型采用低壓驅(qū)動(dòng)的CMOS器件來(lái)做驅(qū)動(dòng)電路，滿足不同的電路多樣性需求，減少電路的能耗，使得電路的驅(qū)動(dòng)電壓提高，從而提高電路的能效，減少電路的復(fù)雜設(shè)計(jì)。
文檔編號(hào)H02M3/155GK202856621SQ20122052233
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月12日
發(fā)明者唐道勇 申請(qǐng)人:廣東中晶電子有限公司