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防止電瓶反接的保護(hù)電路的制作方法

文檔序號:7474054閱讀:1434來源:國知局
專利名稱:防止電瓶反接的保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電子保護(hù)裝置領(lǐng)域,尤其涉及ー種防止電瓶反接的保護(hù)電路。
背景技術(shù)
在對電瓶充電的時(shí)候,經(jīng)常有由于連接不當(dāng)可能會將電瓶電極與充電器輸出端接反,從而導(dǎo)致電瓶或充電器損壞的情況。為了解決上述問題,現(xiàn)有技術(shù)中通常采用繼電器的方式對電瓶進(jìn)行充電,但是在一些大電流的情況下,繼電器的體積及反應(yīng)時(shí)間都會受到限制,不能對電瓶及充電器起到最佳的保護(hù)效果。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于,提供ー種防止電瓶反接的保護(hù)電路,其體積小、反應(yīng)靈敏,可以有效防止電瓶的反接,對電瓶及充電器起到很好的保護(hù)作用。 為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供ー種防止電瓶反接的保護(hù)電路,包括安裝于電路板上的防反接保護(hù)電路,該防反接保護(hù)電路內(nèi)包括一基準(zhǔn)電源、一 MOS管、及數(shù)只三極管,該防反接保護(hù)電路內(nèi)還預(yù)留有控制端ロ,該基準(zhǔn)電源、MOS管、數(shù)只三極管、及控制端ロ之間通過數(shù)個(gè)電阻和電容電性連接。其中,所述電路板上設(shè)有兩電瓶連接ロ,該兩電瓶連接ロ分別通過電阻與防反接保護(hù)電路電性連接。此外,所述電路板上還設(shè)有變壓器輸出端,該變壓器輸出端通過ー電容與MOS管電性連接。選擇性的,所述MOS管可以采用N-MOS管,該N-MOS管連接于地線端。具體的,所述防反接保護(hù)電路內(nèi)包括三只三極管,該三只三極管中包括兩只PNP
型三極管、及一只NPN型三極管。本實(shí)用新型中,所述NPN型三極管一端通過電阻與控制端ロ電性連接。進(jìn)ー步的,所述防反接保護(hù)電路內(nèi)還包括ー只穩(wěn)壓ニ極管,該穩(wěn)壓ニ極管一端通過電阻與一 PNP三極管電性連接。本實(shí)用新型的防止電瓶反接的保護(hù)電路,其采用全電子結(jié)構(gòu),反應(yīng)靈敏且體積較小,可以和其它元件一起安裝在電路板上,其預(yù)留有控制端ロ,可以和程序控制電路相連,當(dāng)檢測到相應(yīng)故障時(shí),可迅速切斷充電回路,防止電瓶反接,對充電裝置和電瓶均起到有效的保護(hù)作用。

圖I為本實(shí)用新型的防止電瓶反接的保護(hù)電路一具體實(shí)施例的電路連接示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖I所示,本實(shí)用新型提供ー種防止電瓶反接的保護(hù)電路,其包括安裝于電路板上的防反接保護(hù)電路10,該防反接保護(hù)電路10內(nèi)包括一基準(zhǔn)電源VCC2、一MOS管Q12、及數(shù)只三極管,該防反接保護(hù)電路10內(nèi)還預(yù)留有控制端ロ JK2,該基準(zhǔn)電源VCC2、M0S管Q12、數(shù)只三極管、及控制端ロ JK2之間通過數(shù)個(gè)電阻和電容電性連接。本實(shí)用新型中,所述電路板上設(shè)有兩電瓶連接ロ B+、B_,該兩電瓶連接ロ B+、B_分別通過電阻與防反接保護(hù)電路10電性連接。此外,所述電路板上還設(shè)有變壓器輸出端V+,該變壓器輸出端V+通過ー電容C44與MOS管Q12電性連接。作為本實(shí)用新型的選擇性實(shí)施例,所述MOS管Q12可以采用N-MOS管。在具體應(yīng)用中,可根據(jù)輸出電流的大小,適當(dāng)選取溝道電阻小的N-MOS管,該N-MOS管連接于地線端,以方便控制。在本實(shí)用新型具體實(shí)施例中,所述防反接保護(hù)電路10內(nèi)包括三只三極管Q4、Q5、及Q6,該三只三極管中包括兩只PNP型三極管Q4、Q5、及一只NPN型三極管Q6。其中,所述NPN型三極管Q6 —端通過電阻R76與控制端ロ JK2電性連接。 進(jìn)ー步的,本實(shí)用新型的防反接保護(hù)電路10內(nèi)還包括一只穩(wěn)壓ニ極管TL431,該穩(wěn)壓ニ極管TL431 —端通過電阻R70與一 PNP三極管Q5電性連接。本實(shí)用新型防止電瓶反接的保護(hù)電路工作時(shí),控制端ロ JK2為低電平,三極管Q6不導(dǎo)通,當(dāng)電瓶正確接上后,穩(wěn)壓ニ極管TL431得電導(dǎo)通,在加有基準(zhǔn)電源VCC2電壓的三極管Q5導(dǎo)通,MOS管Q12的柵極得到接近于基準(zhǔn)電源VCC2的電壓導(dǎo)通,此時(shí)地線連通,整個(gè)輸出回路接通向電瓶充電。當(dāng)電瓶反接時(shí),穩(wěn)壓ニ極管TL431不能導(dǎo)通,三極管Q5截止,三極管Q4因?yàn)殡娖糠唇悠浒l(fā)射極電位高于基板,使其導(dǎo)通,由于三極管Q4集電極隨其導(dǎo)通而升高,使得三極管Q6的基極電位升高,當(dāng)大于0. 7V后三極管Q6飽和導(dǎo)通,將MOS管Q12的柵極拉低到IV以下使其截止,此時(shí)地線斷開,整個(gè)充電回路無電,對電瓶沒有輸出。當(dāng)電瓶重新正確連接后,又恢復(fù)到前述情況,充電回路接通,自動(dòng)恢復(fù)充電。當(dāng)充電器內(nèi)部的檢測電路檢測到有其它故障現(xiàn)象,按照預(yù)先設(shè)定條件不能對電瓶充電時(shí),可以通過控制端ロ JK2輸入高電平,強(qiáng)制三極管Q6導(dǎo)通使MOS管Q12截止,從而切斷充電回路,對電瓶沒有電壓輸出。綜上所述,本實(shí)用新型的防止電瓶反接的保護(hù)電路,其采用全電子結(jié)構(gòu),反應(yīng)靈敏且體積較小,可以和其它元件一起安裝在電路板上,其預(yù)留有控制端ロ,可以和程序控制電路相連,當(dāng)檢測到相應(yīng)故障時(shí),可迅速切斷充電回路,防止電瓶反接,對充電裝置和電瓶均起到有效的保護(hù)作用。以上所述,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,可以根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形,而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.ー種防止電瓶反接的保護(hù)電路,其特征在于,包括安裝于電路板上的防反接保護(hù)電路,該防反接保護(hù)電路內(nèi)包括一基準(zhǔn)電源、一 MOS管、及數(shù)只三極管,該防反接保護(hù)電路內(nèi)還預(yù)留有控制端ロ,該基準(zhǔn)電源、MOS管、數(shù)只三極管、及控制端ロ之間通過數(shù)個(gè)電阻和電容電性連接。
2.如權(quán)利要求I所述的防止電瓶反接的保護(hù)電路,其特征在于,所述電路板上設(shè)有兩電瓶連接ロ,該兩電瓶連接ロ分別通過電阻與防反接保護(hù)電路電性連接。
3.如權(quán)利要求I所述的防止電瓶反接的保護(hù)電路,其特征在于,所述電路板上設(shè)有變壓器輸出端,該變壓器輸出端通過ー電容與MOS管電性連接。
4.如權(quán)利要求I所述的防止電瓶反接的保護(hù)電路,其特征在于,所述MOS管采用N-MOS管,該N-MOS管連接于地線端。
5.如權(quán)利要求I所述的防止電瓶反接的保護(hù)電路,其特征在于,所述防反接保護(hù)電路內(nèi)包括三只三極管,該三只三極管中包括兩只PNP型三極管、及一只NPN型三極管。
6.如權(quán)利要求5所述的防止電瓶反接的保護(hù)電路,其特征在于,所述NPN型三極管一端通過電阻與控制端ロ電性連接。
7.如權(quán)利要求5所述的防止電瓶反接的保護(hù)電路,其特征在于,所述防反接保護(hù)電路內(nèi)還包括ー只穩(wěn)壓ニ極管,該穩(wěn)壓ニ極管一端通過電阻與一 PNP三極管電性連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種防止電瓶反接的保護(hù)電路,其包括安裝于電路板上的防反接保護(hù)電路,該防反接保護(hù)電路內(nèi)包括一基準(zhǔn)電源、一MOS管、及數(shù)只三極管,該防反接保護(hù)電路內(nèi)還預(yù)留有控制端口,該基準(zhǔn)電源、MOS管、數(shù)只三極管、及控制端口之間通過數(shù)個(gè)電阻和電容電性連接。本實(shí)用新型的防止電瓶反接的保護(hù)電路,其體積小、反應(yīng)靈敏,可以有效防止電瓶的反接,對電瓶及充電器起到很好的保護(hù)作用。
文檔編號H02H11/00GK202524070SQ20122009043
公開日2012年11月7日 申請日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者黃夏 申請人:重慶環(huán)亞電子有限公司
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