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電機(jī)保護(hù)電路的制作方法

文檔序號(hào):7471830閱讀:148來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):電機(jī)保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于三相電動(dòng)機(jī)保護(hù)裝置,具體涉及一種電機(jī)保護(hù)電路。
背景技術(shù)
現(xiàn)有對(duì)三相電動(dòng)機(jī)的斷相 保護(hù),主要有兩種方式一是檢測(cè)電流方式,其缺點(diǎn)是由于電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)電流增大,斷相時(shí)其它兩相電流也會(huì)增大,造成與過(guò)流保護(hù)的電流整定值不好配合,使其動(dòng)作可靠J勝差,靈敏度低;二是檢測(cè)電壓方式,其缺點(diǎn)是電動(dòng)機(jī)本身斷相無(wú)法保護(hù)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種動(dòng)作可靠,靈敏度高的電機(jī)保護(hù)電路。本實(shí)用新型是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種電機(jī)保護(hù)電路,主要是由取樣電路組成,其特征是取樣電路的輸入端與電流互感器的二次回路的封Y點(diǎn)和接地點(diǎn)NI相連;輸出端一端接三相電源中性點(diǎn)N,另一端接執(zhí)行電路。其中,所述的取樣電路是電阻R兩端為輸入端,接電流互感器的二次回路封Y點(diǎn)和接地點(diǎn)NI ;電阻R與光耦合器GO內(nèi)的發(fā)光二極管為并聯(lián),光耦合器GO內(nèi)的光敏電阻兩端分別接雙向可控硅T的門(mén)極G和T2極;雙向可控硅T的Tl極、T2極為取樣電路的輸出端,Tl極接三相電源的中性點(diǎn)N,T2極接執(zhí)行電路。本實(shí)用新型由于采用上述技術(shù)方案,檢測(cè)的是電流二次回路的封Y點(diǎn)和接地點(diǎn)NI之間的電流,不需要與其他電流保護(hù)的定值配合,且采用普通元件,因而具有成本低,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,動(dòng)作可靠,靈敏度高的優(yōu)點(diǎn),適合于接觸器或空氣開(kāi)關(guān)作主回路控制的三相電動(dòng)機(jī)的斷相保護(hù)。

以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。圖I是本實(shí)用新型用于接觸器作主控回路的三相電動(dòng)機(jī)斷相保護(hù)電路原理圖,虛線框內(nèi)電路為本實(shí)用新型的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
參考附圖1,電阻R與光耦合器GO內(nèi)的發(fā)光二極管并連,兩端分別與電流互感器LHa, LHb, LHc的封Y點(diǎn)和接地點(diǎn)NI相連;光耦合器GO內(nèi)的光敏電阻兩端分別連接在雙向可控硅T的門(mén)極G和T2極上,雙向可控硅T的Tl極接三相電源的中性點(diǎn)N上,T2極依次通過(guò)繼電器J、熔斷器RDl接三相電源的A相上,繼電器J的常閉接點(diǎn)與接觸器C的常開(kāi)接點(diǎn)Cl串聯(lián)后與電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)按鈕QA并聯(lián)。熔斷器RD1、停止按鈕TA、啟動(dòng)按鈕QA、接觸器C、熔斷器RD2構(gòu)成三相電動(dòng)機(jī)D的回路控制電路。合上刀閘DK,按下啟動(dòng)按鈕QA,接觸器C線圈得電吸合,常開(kāi)接點(diǎn)Cl閉合,使接觸器C自鎖,電動(dòng)機(jī)D正常運(yùn)轉(zhuǎn);當(dāng)斷相時(shí),由于電流二次回路的封Y點(diǎn)和接地點(diǎn)NI之間有電流,該電流使光耦合器GO內(nèi)的發(fā)光二極管發(fā)光,使光耦合器GO內(nèi)的光敏電阻阻值變小,促使雙向可控硅T導(dǎo)通,繼電器J得電吸合, 其常閉接點(diǎn)斷開(kāi),接觸器C失電斷開(kāi),電動(dòng)機(jī)D停止工作,達(dá)到了斷相保護(hù)的目的。
權(quán)利要求1.一種電機(jī)保護(hù)電路,主要是由取樣電路組成,其特征在于取樣電路的輸入端與電流互感器的二次回路的封Y點(diǎn)和接地點(diǎn)(NI)相連;輸出端一端接三線電源中性點(diǎn)(N),另一端接執(zhí)行電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電機(jī)保護(hù)電路,其特征在于取樣電路是電阻R兩端為輸入端,接電流互感器的二次回路的封Y點(diǎn)和接地點(diǎn)(NI),電阻R與光耦合器GO內(nèi)的發(fā)光二極管并聯(lián),光耦合器GO內(nèi)的光敏電阻兩端分別與雙向可控硅T的門(mén)極G和T2極連接,雙向可控硅T的Tl極、T2極為取樣電路的輸出端,Tl極接三相電源的中性點(diǎn)(N)上,T2極接執(zhí)行電路。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種電機(jī)保護(hù)電路,主要由取樣電路組成,其特殊之處是取樣電路的輸入端與電流互感器二次回路的封Y點(diǎn)和接地點(diǎn)N1相連;輸出端一端接電源中性點(diǎn)N上,另一端接執(zhí)行電路。由于檢測(cè)的是電流二次回路的封Y點(diǎn)和接地點(diǎn)N1之間的電流,不需要與其他保護(hù)的定值配合,且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,動(dòng)作可靠,靈敏度高,適合于接觸器或空氣開(kāi)關(guān)作主回路控制的所有三相電動(dòng)機(jī)的斷相保護(hù)。
文檔編號(hào)H02H7/09GK202424136SQ201220032468
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月19日
發(fā)明者劉智強(qiáng), 金樂(lè)樂(lè) 申請(qǐng)人:浙江師范大學(xué)
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