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一種電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的制作方法

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一種電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于電機(jī)領(lǐng)域,尤其涉及一種電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,包括兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元、兩個(gè)限流電阻單元和兩個(gè)半橋電路,由24V的蓄電池給電機(jī)提供直流電源,兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元主要由驅(qū)動(dòng)芯片構(gòu)成,并分別驅(qū)動(dòng)由NMOS管組成的兩個(gè)半橋電路,來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的控制。本電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路能夠滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)矩變化范圍大的特點(diǎn),既有空載在平整路面行駛的高速度、低轉(zhuǎn)矩的工作狀況,也有滿負(fù)載爬坡的運(yùn)行狀況,同時(shí)還滿足使電機(jī)保持較高的運(yùn)行效率的要求。
【專利說(shuō)明】—種電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于電機(jī)領(lǐng)域,尤其涉及一種電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]如今,用機(jī)器人代替人力去做一些重復(fù)性的高強(qiáng)度的勞動(dòng)操作是現(xiàn)代機(jī)器人研究的一個(gè)重要方向,一般會(huì)選用控制技術(shù)成熟、易于平滑調(diào)速的直流電機(jī)作為搬運(yùn)機(jī)器人的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。這樣,就對(duì)電機(jī)的動(dòng)態(tài)性能提出了較高的要求,特別是對(duì)于一些大功率(比如240W)的電機(jī)來(lái)說(shuō),驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就至關(guān)重要。大功率電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路,應(yīng)該滿足在任意時(shí)刻到達(dá)需要的指定位置并且使舵機(jī)停止在任意角度的要求;另外,電機(jī)驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)矩變化范圍也很大,既有空載在平整路面行駛的高速度、低轉(zhuǎn)矩的工作狀況,也有滿負(fù)載爬坡的運(yùn)行狀況,同時(shí)還要求電機(jī)保持較高的運(yùn)行效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于上述事實(shí),本發(fā)明的目的在于提供一種電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,旨在解決現(xiàn)有大功率電機(jī)需要高精度、高效率的控制電路的技術(shù)問(wèn)題。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:
[0005]一種電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,連接在微控制器的輸出端與電機(jī)之間,包括:
[0006]分別與所述微控制器的輸出端相連并按照所述微控制器的控制輸出電壓給后續(xù)電路的第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元;
[0007]分別與所述第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元相連的第一限流電阻單元和第二限流電阻單元;以及
[0008]分別與所述電機(jī)的輸入端相連并分別控制所述電機(jī)正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的第一半橋電路和第二半橋電路。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,由24V的蓄電池給電機(jī)提供直流電源,兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元分別驅(qū)動(dòng)由NMOS管組成的兩個(gè)半橋電路,來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的控制。本電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路能夠滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)矩變化范圍大的特點(diǎn),既有空載在平整路面行駛的高速度、低轉(zhuǎn)矩的工作狀況,也有滿負(fù)載爬坡的運(yùn)行狀況,同時(shí)還滿足使電機(jī)保持較高的運(yùn)行效率的要求。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)框圖;
[0011]圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的電子元器件示意圖;
[0012]圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的電子元器件示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,由24V的蓄電池給電機(jī)提供直流電源,兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元分別驅(qū)動(dòng)由NMOS管組成的兩個(gè)半橋電路,以實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的控制。
[0015]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)框圖;為了便于說(shuō)明,僅示出了與本實(shí)施例相關(guān)的部分。如圖所示:
[0016]—種連接在微控制器10的輸出端與電機(jī)30之間的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路20,包括:第一驅(qū)動(dòng)單元211、第一限流電阻單元212、第一半橋電路213、第二驅(qū)動(dòng)單元221、第二限流電阻單元222和第二半橋電路223 ;
[0017]第一驅(qū)動(dòng)單元211和第二驅(qū)動(dòng)單元221分別與微控制器10的輸出端相連,按照微控制器10的控制,第一驅(qū)動(dòng)單元211和第二驅(qū)動(dòng)單元221輸出的電壓分別經(jīng)第一限流電阻單元212和第二限流電阻單元222傳輸給后續(xù)的第一半橋電路213和第二半橋電路223,進(jìn)而控制電機(jī)30的正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)。
[0018]圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的電子元器件示意圖;同樣地,為了便于說(shuō)明,僅示出了與本實(shí)施例相關(guān)的部分。如圖所示:
[0019]作為本發(fā)明的一實(shí)施例,第一驅(qū)動(dòng)單元211包括:驅(qū)動(dòng)芯片U1、電容Cl、電容C2、二極管Dl和電阻Rl ;微控制器輸出的PWMl信號(hào)輸入驅(qū)動(dòng)芯片Ul的HIN引腳,微控制器I/O 口輸出的ENl作為使能信號(hào)輸入驅(qū)動(dòng)芯片Ul的LIN引腳,驅(qū)動(dòng)芯片Ul的電源引腳VCC同時(shí)接+24V的直流電源和電容Cl的第一端,電容Cl的第二端與驅(qū)動(dòng)芯片Ul的COM引腳同時(shí)接地,驅(qū)動(dòng)芯片Ul的VB引腳同時(shí)接電阻Rl的第一端和電容C2的第一端,電阻Rl的第二端接二極管Dl的陰極,二極管Dl的陽(yáng)極同樣接+24V的直流電源,電容C2的第二端接驅(qū)動(dòng)芯片Ul的VS引腳,驅(qū)動(dòng)芯片Ul的高邊輸出引腳HO和低邊輸出引腳LO分別接第一限流電阻單元212。
[0020]在本實(shí)施例中,第一限流電阻單元212包括電阻R3和電阻R5 ;驅(qū)動(dòng)芯片Ul的高邊輸出引腳HO接電阻R3,驅(qū)動(dòng)芯片Ul的低邊輸出引腳LO接電阻R5。
[0021]在本實(shí)施例中,第一半橋電路213包括NMOS管Q1、NM0S管Q2和電容C3 ;NM0S管Ql的柵極為第一半橋電路213的第一輸入端、接電阻R3,NMOS管Q2的柵極為第一半橋電路213的第二輸入端、接電阻R5,NM0S管Ql的漏極同時(shí)接+24V直流電源和電容C3的第一端,電容C3的第二端與NMOS管Q2的源極共接后通過(guò)一電阻RO接地,NMOS管Ql的源極與NMOS管Q2的漏極共接后同時(shí)接驅(qū)動(dòng)芯片Ul的VS引腳和電機(jī)Drive30的第一輸入端I。
[0022]在本實(shí)施例中,第二驅(qū)動(dòng)單元221包括:驅(qū)動(dòng)芯片U2、電容C4、電容C5、二極管D2和電阻R2 ;微控制器輸出的PWM2信號(hào)輸入驅(qū)動(dòng)芯片U2的HIN引腳,微控制器I/O 口輸出的EN2作為使能信號(hào)輸入驅(qū)動(dòng)芯片U2的LIN引腳,驅(qū)動(dòng)芯片U2的電源引腳VCC同時(shí)接+24V直流電源和電容C4的第一端,電容C4的第二端與驅(qū)動(dòng)芯片U2的COM引腳同時(shí)接地,驅(qū)動(dòng)芯片U2的VB引腳同時(shí)接電阻R2的第一端和電容C5的第一端,電阻R2的第二端接二極管D2的陰極,二極管D2的陽(yáng)極接+24V直流電源,電容C5的第二端接驅(qū)動(dòng)芯片U2的VS引腳,驅(qū)動(dòng)芯片U2的高邊輸出引腳HO和低邊輸出引腳LO分別接第二限流電阻單元222。
[0023]在本實(shí)施例中,第二限流電阻單元222包括電阻R4和電阻R6 ;驅(qū)動(dòng)芯片U2的高邊輸出引腳HO接電阻R4,驅(qū)動(dòng)芯片U2的低邊輸出引腳LO接電阻R6。[0024]在本實(shí)施例中,第二半橋電路223包括NMOS管Q3、NM0S管Q4和電容C6 ;NM0S管Q3的柵極為第二半橋電路223的第一輸入端、接電阻R4,NMOS管Q4的柵極為第二半橋電路223的第二輸入端、接電阻R6,NMOS管Q3的漏極同時(shí)接+24V直流電源和電容C6的第一端,電容C6的第二端與NMOS管Q4的源極共接后同樣通過(guò)一電阻RO接地,NMOS管Q3的源極與NMOS管Q4的漏極共接后同時(shí)接驅(qū)動(dòng)芯片U2的VS引腳和電機(jī)Drive30的第二輸入端2。
[0025]在本實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,電機(jī)的供電電源是由24V的蓄電池提供,兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元分別通過(guò)限流電阻單元驅(qū)動(dòng)由NMOS管組成的兩個(gè)半橋電路,來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)Drive正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的控制。在具體實(shí)現(xiàn)時(shí),半橋電路中的NMOS管可以選用75N75,75N75是MOSFET功率管,其最高耐壓75V,最高耐流75A。該電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的兩個(gè)半橋電路分別由兩個(gè)75N75構(gòu)成,分別控制電機(jī)的正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)。對(duì)于高端驅(qū)動(dòng)的75N75,導(dǎo)通時(shí)其源極電壓和漏極電壓相同且都等于供電電壓,所以要實(shí)現(xiàn)NMOS管的正常驅(qū)動(dòng),其柵極電壓就要比供電電壓大,這就需要專門的驅(qū)動(dòng)單元。兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元主要包括驅(qū)動(dòng)芯片Ul和U2,這里可以選IR2103。微控制器產(chǎn)生的PWM信號(hào)分別輸入兩個(gè)IR2103芯片的HIN引腳,微控制器I/O口輸出的EN1、EN2作為使能信號(hào)分別輸入兩個(gè)IR2103芯片的LIN引腳。驅(qū)動(dòng)芯片IR2103的輸出端HO和LO就可得到比供電電壓要高的電壓,且高出的電壓值正好是分別充在電容C3和電容C6兩端的電壓,用以驅(qū)動(dòng)NMOS管。同時(shí),驅(qū)動(dòng)芯片IR2103的兩個(gè)輸出H0、L0具有互鎖功能,能夠防止由于整個(gè)電機(jī)控制電路軟件或硬件錯(cuò)誤造成的、電機(jī)上下橋臂直通的短路。
[0026]圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的電子元器件示意圖。參見圖2和圖3,可知,本第二實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路與圖2的區(qū)別僅在于:
[0027]本第二實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,在第一實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的基礎(chǔ)上,還包括了二極管D2、二極管D3、二極管D4、二極管D5、電阻R7、電阻R8、電阻R9和電阻RlO ;
[0028]電阻R7的第一端接驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)芯片Ul的高邊輸出引腳HO,電阻R7的第二端接二極管D2的陰極,二極管D2的陽(yáng)極接NMOS管Ql的柵極;電阻R8的第一端接驅(qū)動(dòng)芯片Ul的低邊輸出引腳L0,電阻R8的第二端接二極管D3的陰極,二極管D3的陽(yáng)極接NMOS管Q2的柵極。電阻R9的第一端接驅(qū)動(dòng)芯片U2的高邊輸出引腳HO,電阻R9的第二端接二極管D4的陰極,二極管D4的陽(yáng)極接NMOS管Q3的柵極;電阻RlO的第一端接驅(qū)動(dòng)芯片U2的低邊輸出引腳L0,電阻RlO的第二端接二極管D5的陰極,二極管D5的陽(yáng)極接NMOS管Q4的柵極。
[0029]本第二實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,在限流電阻單元中電阻的兩端分別并接一個(gè)二極管,該二極管可以提供NMOS管的導(dǎo)通速度。以75N75為例,二極管提高了其的導(dǎo)通速度,并且使得75N75的導(dǎo)通電阻更小,降低了其作為開關(guān)管的功耗損失。同樣的,驅(qū)動(dòng)芯片都選用IR2103時(shí),其兩個(gè)輸出HO、LO具有互鎖功能,能夠防止由于整個(gè)電機(jī)控制電路軟件或硬件錯(cuò)誤造成的、電機(jī)上下橋臂直通的短路。其他元器件的工作原理與圖2所示的第一實(shí)施例一樣,故在此不再贅述。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,由24V的蓄電池給電機(jī)提供直流電源,兩個(gè)驅(qū)動(dòng)單元分別驅(qū)動(dòng)由NMOS管組成的兩個(gè)半橋電路,來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的控制。本電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路能夠滿足電機(jī)驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)矩變化范圍大的特點(diǎn),既有空載在平整路面行駛的高速度、低轉(zhuǎn)矩的工作狀況,也有滿負(fù)載爬坡的運(yùn)行狀況,同時(shí)還滿足使電機(jī)保持較高的運(yùn)行效率的要求。
[0031]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較詳細(xì)的說(shuō)明,對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō),其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改、或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,連接在微控制器的輸出端與電機(jī)之間,其特征在于,所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路包括: 分別與所述微控制器的輸出端相連、并按照所述微控制器的控制輸出電壓給后續(xù)電路的第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元; 分別與所述第一驅(qū)動(dòng)單元和第二驅(qū)動(dòng)單元相連的第一限流電阻單元和第二限流電阻單元;以及 分別與所述電機(jī)的輸入端相連、并分別控制所述電機(jī)正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的第一半橋電路和第二半橋電路。
2.如權(quán)利要求1所述的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第一驅(qū)動(dòng)單元包括:驅(qū)動(dòng)芯片U1、電容Cl、電容C2、二極管Dl和電阻Rl ; 所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的HIN引腳接所述微控制器的第一 PWM輸出端,所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的LIN引腳接所述微控制器的第一使能信號(hào)輸出端,所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的電源引腳VCC同時(shí)接直流電源和所述電容Cl的第一端,所述電容Cl的第二端與所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的COM引腳同時(shí)接地,所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的VB引腳同時(shí)接所述電阻Rl的第一端和所述電容C2的第一端,所述電阻Rl的第二端接所述二極管Dl的陰極,所述二極管Dl的陽(yáng)極接所述直流電源,所述電容C2的第二端接所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的VS引腳,所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的高邊輸出引腳HO和低邊輸出引腳LO分別接所述第一限流電阻單元。
3.如權(quán)利要求2所述的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第二驅(qū)動(dòng)單元包括:驅(qū)動(dòng)芯片U2、電容C4、電容C5、二極管D2和電阻R2 ; 所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的HIN引腳接所述微控制器的第二 PWM輸出端,所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的LIN引腳接所述微控制器的第二使能信號(hào)輸出端,所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的電源引腳VCC同時(shí)接直流電源和所述電容C4的第一端,所述電容C4的第二端與所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的COM引腳同時(shí)接地,所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的VB引腳同時(shí)接所述電阻R2的第一端和所述電容C5的第一端,所述電阻R2的第二端接所述二極管D2的陰極,所述二極管D2的陽(yáng)極接所述直流電源,所述電容C5的第二端接所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的VS引腳,所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的高邊輸出引腳HO和低邊輸出引腳LO分別接所述第二限流電阻單元。
4.如權(quán)利要求3所述的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第一限流電阻單元包括電阻R3和電阻R5 ; 所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的高邊輸出引腳HO通過(guò)所述電阻R3接所述第一半橋電路的第一輸入端,所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的低邊輸出引腳LO通過(guò)所述電阻R5接所述第一半橋電路的第二輸入端。
5.如權(quán)利要求4所述的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第二限流電阻單元包括電阻R4和電阻R6 ; 所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的高邊輸出引腳HO通過(guò)所述電阻R4接所述第二半橋電路的第一輸入端,所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的低邊輸出引腳LO通過(guò)所述電阻R6接所述第二半橋電路的第二輸入端。
6.如權(quán)利要求1-5任 一項(xiàng)所述的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第一半橋電路包括NMOS 管 Q1、NM0S 管 Q2 和電容 C3 ; 所述NMOS管Ql的柵極為所述第一半橋電路的第一輸入端、接所述電阻R3,所述NMOS管Q2的柵極為所述第一半橋電路的第二輸入端、接所述電阻R5,所述NMOS管Ql的漏極同時(shí)接所述直流電源和所述電容C3的第一端,所述電容C3的第二端與所述NMOS管Q2的源極共接后通過(guò)一電阻RO接地,所述NMOS管Ql的源極與所述NMOS管Q2的漏極共接后同時(shí)接所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的VS引腳和所述電機(jī)的第一輸入端。
7.如權(quán)利要求6所述的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第二半橋電路包括NMOS管Q3、NM0S管Q4和電容C6 ; 所述NMOS管Q3的柵極為所述第二半橋電路的第一輸入端、接所述電阻R4,所述NMOS管Q4的柵極為所述第二半橋電路的第二輸入端、接所述電阻R6,所述NMOS管Q3的漏極同時(shí)接所述直流電源和所述電容C6的第一端,所述電容C6的第二端與所述NMOS管Q4的源極共接后通過(guò)一電阻RO接地,所述匪OS管Q3的源極與所述NMOS管Q4的漏極共接后同時(shí)接所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的VS引腳和所述電機(jī)的第二輸入端。
8.如權(quán)利要求7所述的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路還包括二極管D2、二極管D3、電阻R7和電阻R8 ; 所述電阻R7的第一端接所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的高邊輸出引腳HO,所述電阻R7的第二端接所述二極管D2的陰極,所述二極管D2的陽(yáng)極接所述NMOS管Ql的柵極;所述電阻R8的第一端接所述驅(qū)動(dòng)芯片Ul的低邊輸出引腳L0,所述電阻R8的第二端接所述二極管D3的陰極,所述二極管D3的陽(yáng)極接所述NMOS管Q2的柵極。
9.如權(quán)利要求8所述的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路還包括二極管D4、二極管D5、電阻R9和電阻RlO ; 所述電阻R9的第一端 接所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的高邊輸出引腳HO,所述電阻R9的第二端接所述二極管D4的陰極,所述二極管D4的陽(yáng)極接所述NMOS管Q3的柵極;所述電阻RlO的第一端接所述驅(qū)動(dòng)芯片U2的低邊輸出引腳L0,所述電阻RlO的第二端接所述二極管D5的陰極,所述二極管D5的陽(yáng)極接所述NMOS管Q4的柵極。
【文檔編號(hào)】H02P1/22GK103840716SQ201210476750
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月21日
【發(fā)明者】周明杰, 劉金財(cái) 申請(qǐng)人:海洋王(東莞)照明科技有限公司, 海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
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