專利名稱：一種礦用變頻器的防cpu死機(jī)的控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種控制電路，尤其是ー種礦用變頻器的防CPU死機(jī)的控制電路。
背景技術(shù)：
目前，煤礦變頻器的電壓目前一般采用380V、690V、1140V、3300V、6000V等，而在 這么高的電壓情況下，CPU很容易受到干擾，甚至死機(jī)，將導(dǎo)致CPU不能正確輸出IGBT的控制信號的缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供ー種要求CPU在正常情況下允許正常的IGBT驅(qū)動(dòng)信號輸出，而在CPU死機(jī)情況下能馬上禁止IGBT驅(qū)動(dòng)信號輸出的控制電路。本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種礦用變頻器的防CPU死機(jī)的控制電路，脈沖信號EN-PWM2與CPU的I/O ロ連接，通過電阻R196和電容C153，輸入到比較器LM339的同相輸入端，反向輸入端為參考電壓，輸出信號經(jīng)過濾波再和比較器LM339的同相輸入端連接，反向輸入端仍為參考電壓，比較輸出經(jīng)反向器74HC14反向后輸出脈沖信號EN-PWM3，作為允許或禁止絕緣柵雙極型晶體管IGBT輸出的控制信號，該控制信號與其他信號一起控制絕緣柵雙極型晶體管IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷。優(yōu)選地，當(dāng)CPU正常運(yùn)行時(shí)，所述脈沖信號EN-PWM2為一定頻率的脈沖信號。優(yōu)選地，所述經(jīng)過電阻R196和電容C153輸入到比較器同相輸入端的也為高低電平的脈沖信號。優(yōu)選地，當(dāng)輸入到比較器同相輸入端的脈沖為高電平時(shí)，比反向輸入端的參考電位高，比較器輸出為高，經(jīng)電阻R183、ニ極管D28向電容C183充電。優(yōu)選地，當(dāng)輸入到比較器同相輸入端的脈沖為低電平時(shí)，比較器輸出為低，電容C183經(jīng)電阻R179放電。本實(shí)用新型的有益效果為為此本專利設(shè)計(jì)了即使在CPU死機(jī)情況下也能很好保護(hù)硬件系統(tǒng)的控制電路；另該電路在上電時(shí)，CPU正常工作前的初始情況下，也能確保絕緣柵雙極型晶體管IGBT的觸發(fā)電路處于正確狀態(tài)。該電路實(shí)現(xiàn)簡單，需要的器件少，抗干擾能力強(qiáng)，從允許輸出到禁止輸出的時(shí)間可調(diào)。

圖I是本實(shí)用新型的電路原理圖。其中EN-PWM2 是 IKHZ 以上的脈沖信號；R196, R197, R183, R179, R180, R182 是電阻；C153, C183 是電容；D29 (BAV70)，D28 (BAV70)是ニ極管；U14、U15 是集成塊；LM339 是比較器；74HC14是反相器。
具體實(shí)施方式
下面根據(jù)實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)ー步詳細(xì)說明。如圖I所示，EN-PWM2與CPU的I/O ロ連接，通過電阻R196和電容C153，輸入到比較器LM339的同相輸入端，反向輸入端為參考電壓，輸出信號經(jīng)過濾波再和比較器LM339的同相輸入端連接，反向輸入端仍為參考電壓，比較輸出經(jīng)反向器74HC14反向后輸出(EN-PWM3)，作為允許(EN-PWM3 = O)或禁止(EN-PWM3 = I) IGBT輸出的控制信號，該控制信號將與其他信號一起，控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷。當(dāng)CPU正常運(yùn)行時(shí)，脈沖信號EN-PWM2為一定頻率的脈沖信號，經(jīng)過電阻R196和電容C153，輸入到比較器同相輸入端的也為高低電平的脈沖信號，當(dāng)其為高電平時(shí)，比反向輸入端的參考電位高，比較器輸出為高，經(jīng)電阻R183、ニ極管D28向電容C183充電；當(dāng)輸入 到比較器同相輸入端的脈沖為低電平吋，比較器輸出為低，電容C183經(jīng)電阻R179放電；由于充放電的時(shí)間常數(shù)不一樣，通過合理選擇電阻和脈沖信號EN-PWM2的脈沖信號頻率，就能保證電容C183的電位高于參考電壓，使其第二個(gè)比較器的輸出電壓始終為高電位，經(jīng)反向器后的輸出脈沖信號EN-PWM3為低電位(低-允許絕緣柵雙極型晶體管IGBT的驅(qū)動(dòng)信號輸出)。當(dāng)CPU受到干擾死機(jī)后，脈沖信號EN-PWM2為高或低或高阻，經(jīng)過電阻R196和電容C153后，由于電阻R197接地，輸入到比較器同相輸入端的始終為低電平，比反向輸入端的參考電位低，比較器輸出為低，到比較器同相輸入端的脈沖為低電平時(shí)，比較器輸出為低，電容C183經(jīng)電阻R179放電，經(jīng)過一定時(shí)間，其第二個(gè)比較器的輸出電壓始終為低電位，經(jīng)反向器后的輸出脈沖信號EN-PWM3為高電位(高-禁止絕緣柵雙極型晶體管IGBT的驅(qū)動(dòng)信號輸出)。顯然，本實(shí)用新型的上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本實(shí)用新型所作的舉例，而并非是對本實(shí)用新型的實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其他不同形式的變化和變動(dòng)。這里無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。凡是屬于本實(shí)用新型的技術(shù)方案所引申出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之列。
權(quán)利要求1.一種礦用變頻器的防CPU死機(jī)的控制電路，其特征在于包括脈沖信號(EN-PWM2)、電阻(R196)和電容(C153)，所示脈沖信號(EN-PWM2)與CPU的I/O ロ連接，通過所述電阻(R196)和所述電容(C153)輸入到比較器(LM339)的同相輸入端，輸出信號再經(jīng)過濾波和比較器(LM339)的同相輸入端連接，比較輸出經(jīng)反向器(74HC14)反向后輸出脈沖信號(EN-PWM3)，作為允許或禁止絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)輸出的控制信號，該控制信號與其他信號一起控制絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的導(dǎo)通和關(guān)斷。
2.如權(quán)利要求I所述的控制電路，其特征在于經(jīng)過所述電阻(R196)和電容(C153)輸入到比較器同相輸入端的脈沖信號也為高低電平的脈沖信號。
3.如權(quán)利要求I或2所述的控制電路，其特征在于當(dāng)輸入到比較器同相輸入端的脈沖為高電平時(shí)，經(jīng)電阻(R183)、ニ極管(D28)向電容(C183)充電。
4.如權(quán)利要求I或2所述的控制電路，其特征在于當(dāng)輸入到比較器同相輸入端的脈沖為低電平時(shí)，電容(C183)經(jīng)電阻(R179)放電。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種礦用變頻器的防CPU死機(jī)的控制電路，EN-PWM2與CPU的I/O口連接，通過電阻R196和電容C153，輸入到比較器LM339的同相輸入端，反向輸入端為參考電壓，輸出信號經(jīng)過濾波再和比較器LM339的同相輸入端連接，反向輸入端仍為參考電壓，比較輸出經(jīng)反向器74HC14反向后輸出(EN-PWM3)，作為允許或禁止IGBT輸出的控制信號，該控制信號與其他信號一起控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷。
文檔編號H02M1/32GK202503432SQ20112043006
公開日2012年10月24日 申請日期2011年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月3日
發(fā)明者姜淑忠, 李小海, 潘昊, 趙繼敏 申請人:武漢泰誠電氣有限公司