專利名稱：抑制igbt過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電源技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型功率管)作為不間斷電源(UPS)或其他電器設(shè)備的功率部件，是關(guān)系到設(shè)備是否正常運(yùn)行和可靠運(yùn)行的關(guān)鍵功率器件，IGBT的器件性能直接關(guān)系到設(shè)備是否能正常運(yùn)行及其使用壽命。根據(jù)IGBT的工作特性，開(kāi)通時(shí)，最佳的驅(qū)動(dòng)電壓為15V士 10%，15V的驅(qū)動(dòng)電壓使IGBT處于充分飽和狀態(tài)， 通態(tài)壓降也比較低，高于15V的驅(qū)動(dòng)電壓難以實(shí)現(xiàn)IGBT的過(guò)流、短路等保護(hù)，IGBT承受過(guò)電流的時(shí)間大大縮短，影響IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電壓低于15V時(shí)，IGBT的通態(tài)損耗有所增加，但是IGBT承受過(guò)電流或短路電流的時(shí)間有所延長(zhǎng)，且IGBT的關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力也較小。所以為使IGBT工作在最佳狀態(tài)，正常驅(qū)動(dòng)電壓控制在15V士 10%，異常時(shí)可利用IGBT的特性進(jìn)行適當(dāng)保護(hù)。造成IGBT損壞的原因有多種，如過(guò)電流、過(guò)電壓、過(guò)溫度、柵極過(guò)電壓、功率循環(huán)疲勞等多種因素，應(yīng)用實(shí)踐表明，過(guò)電流是IGBT電力電子線路中經(jīng)常發(fā)生的故障，也是損壞IGBT的主要原因之一，所以過(guò)流保護(hù)在IGBT應(yīng)用中應(yīng)優(yōu)先考慮。IGBT對(duì)過(guò)電流或短路的承受時(shí)間一般在IOus以內(nèi)，所以要求IGBT的過(guò)電流保護(hù)響應(yīng)速度必須要快。而目前常用的過(guò)電流保護(hù)一般有如下兩種對(duì)于因負(fù)載過(guò)載等因素引起的過(guò)電流通常采用電流霍爾傳感器偵測(cè)，由控制電路實(shí)行保護(hù)。而對(duì)于因負(fù)載短路或IGBT上下橋臂直通引起的過(guò)電流保護(hù)，如此的保護(hù)方法響應(yīng)時(shí)間是不夠的，在控制電路從檢測(cè)到過(guò)流到發(fā)出信號(hào)，再到信號(hào)的傳輸執(zhí)行，這個(gè)時(shí)間可能會(huì)超出IGBT短路所能承受的時(shí)間，很顯然這種短路保護(hù)采用上述方法已經(jīng)存在弊端。所以類似的保護(hù)業(yè)界通常采用檢測(cè)IGBT飽和壓降的方法進(jìn)行保護(hù)，因IGBT的特性是當(dāng)IGBT過(guò)流時(shí)，其飽和壓降將隨著電流的增大而增大，利用IGBT這一特性可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)檢測(cè)飽和壓降Vce來(lái)實(shí)現(xiàn)IGBT的過(guò)電流保護(hù)。比如目前市場(chǎng)上常見(jiàn)的 M57962AL、HC316J等集成電路都是采用這種檢測(cè)飽和壓降Vce實(shí)現(xiàn)過(guò)電流保護(hù)，如圖1、圖 2所示。但這些電路都是集成IC器件，需要配合外圍電路方能實(shí)現(xiàn)作用，使用靈活性差，電路實(shí)現(xiàn)成本高，保護(hù)過(guò)程復(fù)雜等。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，其可以減少I(mǎi)GBT的關(guān)斷應(yīng)力，延長(zhǎng)IGBT短路承受時(shí)間，延長(zhǎng)保護(hù)電路動(dòng)作時(shí)間，且實(shí)現(xiàn)成本低，靈活性高，電路簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案
一種抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，包括隔離驅(qū)動(dòng)電路、降柵壓鉗位電路、推挽放大電路、報(bào)警輸出電路、以及過(guò)電壓檢測(cè)電路，其中，隔離驅(qū)動(dòng)電路的輸出端、降柵壓鉗位電路的第一輸出端與推挽放大電路的輸入端連接，推挽放大電路的輸出端與IGBT驅(qū)動(dòng)回路連接，過(guò)電壓檢測(cè)電路的輸入端與IGBT驅(qū)動(dòng)回路連接、輸出端與降柵壓鉗位電路的輸入端連接， 降柵壓鉗位電路的第二輸出端與報(bào)警輸出電路的輸入端連接。根據(jù)上述本發(fā)明方案，其可以實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT過(guò)電流的有效抑制，不僅可以減少I(mǎi)GBT 過(guò)電流時(shí)的關(guān)斷應(yīng)力，還可延長(zhǎng)IGBT短路承受時(shí)間，增強(qiáng)IGBT短路電流承受能力，且實(shí)現(xiàn)成本低，靈活性高，電路簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的一種對(duì)IGBT過(guò)電流保護(hù)的電路示意圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的另一種IGBT過(guò)電流保護(hù)的電路示意圖。圖3是本發(fā)明的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合其中的較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。參見(jiàn)圖3所示，是本發(fā)明的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖，其包括有 隔離驅(qū)動(dòng)電路、降柵壓鉗位電路、推挽放大電路、報(bào)警輸出電路、以及過(guò)電壓檢測(cè)電路，其中，隔離驅(qū)動(dòng)電路的輸出端、降柵壓鉗位電路的第一輸出端與推挽放大電路的輸入端連接， 推挽放大電路的輸出端與IGBT驅(qū)動(dòng)回路連接，過(guò)電壓檢測(cè)電路的輸入端與IGBT驅(qū)動(dòng)回路連接、輸出端與降柵壓鉗位電路的輸入端連接，降柵壓鉗位電路的第二輸出端與報(bào)警輸出電路的輸入端連接。如圖4所示，是在一個(gè)具體示例中本發(fā)明的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖4所示中，對(duì)本發(fā)明的隔離驅(qū)動(dòng)電路、降柵壓鉗位電路、推挽放大電路、報(bào)警輸出電路、過(guò)電壓檢測(cè)電路的具體示例分別進(jìn)行了說(shuō)明。圖4所示中，隔離驅(qū)動(dòng)電路主要由 TLP光電耦合器U1、電阻R1、電容Cl和二極管Dl組成，降柵壓鉗位電路由三極管Q1、三極管Q2、二極管02、電阻1 4、1 5、1 6、1 3、1 9、電容C3及微分電容C4組成，推挽放大電路由三極管Q3、Q4組成，圖4中所示的推挽放大電路是目前市場(chǎng)上通用的電路，報(bào)警輸出電路由穩(wěn)壓二極管DZ2、限流電阻R8和光電耦合器U2組成，過(guò)電壓檢測(cè)電路由高壓二極管D3、D4、電阻 R2、電容C2以及穩(wěn)壓二極管DZl等組成。圖4所示的具體實(shí)施方式
中，正電源+VCC接入TLP光電耦合器Ul的8腳、電容Cl、 電阻R5、電容C4、穩(wěn)壓二極管DZ2的負(fù)極以及三極管Q4的集電極，TLP光電耦合器Ul的7 腳、6腳相接后與電阻R1、二極管Dl的負(fù)極連接，并通過(guò)電阻R6與三極管Q2的發(fā)射極、電阻R7、電容C5、三極管Q3的基極、三極管Q4的基極連接，電阻Rl的另一端、二極管Dl的正極與電阻R2、穩(wěn)壓二極管DZl的負(fù)極以及電容C2連接，電阻R2的另一端與高壓二極管D3 的正極連接，高壓二極管D3的負(fù)極與高壓二極管D4的正極連接，高壓二極管D4的負(fù)極與 IGBT的集電極連接，穩(wěn)壓二極管DZl的正極與電阻R3、電容C3以及三極管Ql的基極連接， 三極管Ql的集電極通過(guò)電阻R4與二極管D2的負(fù)極、電阻R5的另一端、電容C4的另一端以及以及電阻R8連接，電阻R8的另一端通過(guò)光電耦合器U2與穩(wěn)壓二極管DZ2的正極連接， 通過(guò)光電耦合器U2輸出故障輸出信號(hào)。二極管D2的正極與三極管Q2的基極連接，三極管Q2的集電極與電阻R9連接，TLP光電耦合器Ul的5腳、電容Cl的另一端、電容C2的另一端、電阻R3的另一端、電容C3的另一端、三極管Ql的發(fā)射極、電阻R9的另一端、電阻R7的另一端、電容C5的另一端以及三極管Q3的集電極接入負(fù)電源-VEE。三極管Q3的發(fā)射極與三極管Q4的發(fā)射極連接后，通過(guò)電阻Rg接入IGBT驅(qū)動(dòng)回路。圖4所示中，Rg、Rge、Cge 等是IGBT驅(qū)動(dòng)的外圍器件，不在本發(fā)明方案之內(nèi)，在此不予贅述。其中，圖4所示中，C3、C5為雜訊濾波電容，以消除噪音，在沒(méi)有必要時(shí)可省略，R3、 R7為輸入信號(hào)為低時(shí)的低電平(鉗位到地)的下拉電阻，以保證輸入信號(hào)為低時(shí)三極管Ql 和Q3不導(dǎo)通，進(jìn)行誤動(dòng)作保護(hù)，無(wú)必要時(shí)也可以省略。正常工作時(shí)，IGBT開(kāi)通，正常開(kāi)通時(shí)IGBT的飽和壓降較低，正驅(qū)動(dòng)電壓通過(guò)R1、 R2施加在過(guò)流檢測(cè)二極管D3、D4的正極而使得D3、D4D導(dǎo)通，+VCC通過(guò)Rl、R2、D3、D4和 IGBT的Vce (即圖中的C點(diǎn)電壓)構(gòu)成分壓回路在R2端分得的B點(diǎn)電壓Ul鉗位在穩(wěn)壓二極管DZl的擊穿電壓以下，三極管Ql處于截止?fàn)顟B(tài)。PWM(Pulse Width Modulation，脈沖寬度調(diào)制)信號(hào)通過(guò)Q4和驅(qū)動(dòng)電阻Rg正常開(kāi)通和關(guān)斷IGBT。電容C2提供一個(gè)IGBT開(kāi)通過(guò)程Vce下降過(guò)程中防止誤動(dòng)作的作用，調(diào)整C2可以調(diào)整電路的響應(yīng)速度和靈敏度。C2不宜過(guò)大或過(guò)小，過(guò)大則會(huì)引起響應(yīng)速度變慢，起不到保護(hù)效果，過(guò)小則會(huì)提高電路動(dòng)作的靈敏度，易發(fā)生誤保護(hù)的可能，所以C2需依據(jù)具體情況合理選擇。當(dāng)IGBT開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生過(guò)流和短路故障時(shí)，IGBT的飽和壓降Vce迅速上升，C點(diǎn)電位迅速上升，設(shè)置好IGBT過(guò)電流時(shí)的Vce值，保證在過(guò)電流發(fā)生時(shí)+VCC通過(guò)R1、R2、D3、 D4和IGBT的Vce構(gòu)成分壓回路在R2端分得的B點(diǎn)電壓超出DZl的穩(wěn)定擊穿電壓時(shí)，B點(diǎn)電壓就會(huì)由Rl給C2充電，B點(diǎn)電位從正常開(kāi)通時(shí)的Ul開(kāi)始上升，當(dāng)升到DZl的額定擊穿電壓時(shí)，DZl擊穿，Ql開(kāi)通，由C4和R4組成的微分電路開(kāi)始動(dòng)作，A點(diǎn)電壓由原+Vcc開(kāi)始下降，當(dāng)電壓下降幅度超過(guò)D2和Q2的Vbe壓降之和時(shí)，Q4的基極電壓即被D2的負(fù)極電壓鉗位，并隨著D2負(fù)極電壓的下降而下降，因Q4采用的是共集電極接法(射極跟隨器)，依據(jù)晶體管的特性，Q4的射極驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)也將跟隨Q4的基極電位下降，從而實(shí)現(xiàn)降低IGBT 驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)抑制過(guò)電流的目的，微分電容C4充電是一個(gè)緩慢的過(guò)程，所以IGBT的柵極電壓也是緩慢下降的，實(shí)現(xiàn)了過(guò)流的軟關(guān)斷，提高IGBT的短路電流承受能力和時(shí)間。改變R5和 R4的比值，可改變柵極電壓下降“幅度”，改變R4C4的值，可以改變柵極電壓下降的“速度”。 實(shí)際使用可依據(jù)需要進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。和微分電容C4并聯(lián)的DZ2、U2、R8為過(guò)流故障輸出信號(hào)，當(dāng)A點(diǎn)電壓降至一定值時(shí)，DZ2擊穿，光耦U2導(dǎo)通，輸出一個(gè)故障信號(hào)給主控電路進(jìn)行封鎖PWM信號(hào)或執(zhí)行驅(qū)動(dòng)保護(hù)，過(guò)電流故障輸出信號(hào)的時(shí)間可設(shè)置不同的DZ2值，來(lái)實(shí)現(xiàn)柵極電壓下降到何值時(shí)輸出故障信號(hào)。當(dāng)在延時(shí)保護(hù)過(guò)程中，過(guò)流信號(hào)消失了，則B點(diǎn)電壓降低，Ql恢復(fù)截止，C4通過(guò)R5放電，A點(diǎn)電壓持續(xù)升高至+VCC，Vge逐漸恢復(fù)，直至Q2恢復(fù)截止，IGBT的Vge恢復(fù)正常的+VCC驅(qū)動(dòng)電壓，電路恢復(fù)正常工作狀態(tài)。當(dāng)PWM信號(hào)變低時(shí)，C2上的電壓通過(guò)Dl迅速放電，保證DZl不擊穿，Ql不導(dǎo)通，直至下一個(gè)PWM高電平到來(lái)時(shí)，C2重復(fù)被充電，執(zhí)行下一個(gè)循環(huán)。在一個(gè)具體的實(shí)現(xiàn)方式中，在正常工作過(guò)程中，令+VCC=15V，-VEE=_5V。當(dāng)Ul的2、3腳有PWM高電平信號(hào)時(shí)，Ul導(dǎo)通，Ul的6腳輸出高電平15V，Q4正常導(dǎo)通。C點(diǎn)電位正常在2V左右，B點(diǎn)電位被鉗位在IOV左右，DZl不導(dǎo)通，Ql截止。電路正常工作。C2提供的延時(shí)時(shí)間為t=ln(15-10)/15=2. 4uSo
正常關(guān)斷過(guò)程為
當(dāng)Ul的2、3腳有PWM低電平信號(hào)時(shí)，Ul截止，Ul的6腳輸出低電平_5V，Q3截止，IGBT 關(guān)斷。C2通過(guò)Dl迅速放電至-VEE+0. 7V左右，DZl不導(dǎo)通，Ql截止。電路正常關(guān)斷保護(hù)關(guān)斷過(guò)程為
當(dāng)Ul的2、3腳有PWM高電平信號(hào)時(shí)，Ul導(dǎo)通，Ul的6腳輸出高電平15V，Q4正常導(dǎo)通。 期間出現(xiàn)短路等引起的過(guò)流時(shí)，C點(diǎn)電位迅速上升，D3、D4截止，C2被充電，由IOV充電至 DZl擊穿電壓13V時(shí)的時(shí)間是 13=15 (1-e-t/T) +10e-t/T T=R1C2 t=l. 5us
Ql導(dǎo)通，C4開(kāi)始充電，A點(diǎn)由20V下降至R4和R5的分壓的5. 7V (這里設(shè)置柵極電壓下降到6. 5V的門(mén)檻點(diǎn)，設(shè)D2、Q2的Ube、Q4的Ube均為0. 7V)時(shí)間約為 5.7=20 (1-e-t/T) T=R4C4 t=l. 4us
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電壓由+15V降至6. 5V的時(shí)間為1. 4us左右(假設(shè)D2、Q2、Q4的壓降均為0. 7V)，同時(shí)U2輸出故障信號(hào)封鎖IGBT驅(qū)動(dòng)。整個(gè)保護(hù)時(shí)間小于10us，IGBT在整個(gè)過(guò)流過(guò)程中不至于損壞，實(shí)現(xiàn)保護(hù)效果。作為其中一種較佳的實(shí)施方式，上述電阻1 1、1 2、1 3、1 4、1 5、1 6、1 7、1 8、1 9的取值可分別為 2. 2K、18K、1K、4. 12Κ、10Κ、30、30Κ、100、3. 3Κ 歐姆(Ω )，上述 Cl、C2、C3、C4、C5 的取值可分別為104、102、102、102、471法拉(F)，穩(wěn)壓二極管DZl、DZ2的額定電壓可分別設(shè)定為13V、10V，高壓二極管D3、D4可選用BYV26E型號(hào)的高壓二極管。上述本發(fā)明的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，是利用IGBT過(guò)流時(shí)飽和壓降Vce升高的特點(diǎn)，利用低成本的分立器件設(shè)計(jì)出的一種新的抑制IGBT過(guò)電流的電路。當(dāng)過(guò)流或短路發(fā)生時(shí)，通過(guò)快速檢測(cè)IGBT的飽和壓降Vce，保護(hù)電路在極短時(shí)間里采取先降柵壓的方法，實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷過(guò)程，不但可以減少I(mǎi)GBT的關(guān)斷應(yīng)力，還可延長(zhǎng)IGBT短路承受時(shí)間，及延長(zhǎng)保護(hù)電路動(dòng)作時(shí)間，增強(qiáng)IGBT短路電流承受能力，防止誤動(dòng)作等。實(shí)現(xiàn)成本低，靈活性高， 電路簡(jiǎn)單、實(shí)用等特點(diǎn)。上述本發(fā)明的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，電路簡(jiǎn)單、實(shí)用、可靠，成本低廉，參數(shù)可依據(jù)需要調(diào)整，并可以直接將虛線框內(nèi)的電路(除D3、D4、Rg、Rge, Cge)統(tǒng)一封裝成電路模塊，適當(dāng)改變外圍的參數(shù)，如D3、D4，即可實(shí)現(xiàn)在任何地方均可應(yīng)用。以上所述的本發(fā)明實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。任何在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括隔離驅(qū)動(dòng)電路、降柵壓鉗位電路、推挽放大電路、報(bào)警輸出電路、以及過(guò)電壓檢測(cè)電路，其中，隔離驅(qū)動(dòng)電路的輸出端、降柵壓鉗位電路的第一輸出端與推挽放大電路的輸入端連接，推挽放大電路的輸出端與IGBT 驅(qū)動(dòng)回路連接，過(guò)電壓檢測(cè)電路的輸入端與IGBT驅(qū)動(dòng)回路連接、輸出端與降柵壓鉗位電路的輸入端連接，降柵壓鉗位電路的第二輸出端與報(bào)警輸出電路的輸入端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述隔離驅(qū)動(dòng)電路包括TLP光電耦合器Ul、電阻Rl、電容Cl以及二極管Dl，電容Cl連接在TLP光電耦合器Ul的8腳與5腳之間，TLP光電耦合器Ul的7腳與6腳相接后與電阻Rl以及二極管 Dl的負(fù)極連接，電阻Rl的另一端與二極管Dl的正極相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述降柵壓鉗位電路包括三極管Q1、三極管Q2、二極管D2、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R9及微分電容C4， 三極管Ql的集電極接電阻R4后與二極管D2的負(fù)極、電阻R5以及電容C4連接，電阻R5、電容C4的另一端接入正電源，三極管Ql的基極與過(guò)電壓檢測(cè)電路連接，三極管Ql的發(fā)射極接負(fù)電源，三極管Q2的集電極接電阻R9后接入負(fù)電源，三極管Q2的基極與二極管D2的正極連接，三極管Q2的發(fā)射極與電阻R6及推挽放大電路連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括連接于三極管Ql的基極與發(fā)射極之間的電阻R3 ；和/或連接于三極管Ql的基極與三極管Ql的發(fā)射極之間的電容C3。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括電阻 R7、電容C5，電阻R7與電容C5并聯(lián)后，一端與三極管Q2的基極連接，一端接入負(fù)電源。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述報(bào)警輸出電路包括依次串聯(lián)的電阻R8、光電耦合器U2、穩(wěn)壓二極管DZ2，穩(wěn)壓二極管DZ2的正極與光電耦合器U2連接，光電耦合器U2的負(fù)極接入正電源。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述過(guò)電壓檢測(cè)電路包括高壓二極管D3、高壓二極管D4、電阻R2、電容C2、穩(wěn)壓二極管DZl，高壓二極管D4 的負(fù)極與IGBT連接、正極與高壓二極管D3的負(fù)極連接，高壓二極管D3的正極通過(guò)電阻R2 與電容C2、穩(wěn)壓二極管DZl的負(fù)極連接，穩(wěn)壓二極管DZl的正極以及電容C2的另一端與降柵壓鉗位電路連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，該抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路包括TLP光電耦合器Ul，光電耦合器U2，電阻Rl、R2、R4、R5、R6、R8、R9，二極管 Dl、D2，高壓二極管 D3、D4，穩(wěn)壓二極管 DZ1、DZ2，三極管 Ql、Q2、Q3、Q4，電容 Cl、C2、C4， TLP光電耦合器Ul的8腳、電容Cl、電阻R5、電容C4、穩(wěn)壓二極管DZ2的負(fù)極以及三極管Q4 的集電極接入正電源，TLP光電耦合器Ul的7腳、6腳相接后與電阻R1、二極管Dl的負(fù)極連接，并通過(guò)電阻R6與三極管Q2的發(fā)射極、三極管Q3的基極、三極管Q4的基極連接，電阻Rl 的另一端、二極管Dl的正極與電阻R2、穩(wěn)壓二極管DZl的負(fù)極以及電容C2連接，電阻R2的另一端與高壓二極管D3的正極連接，高壓二極管D3的負(fù)極與高壓二極管D4的正極連接， 高壓二極管D4的負(fù)極與IGBT的集電極連接，穩(wěn)壓二極管DZl的正極與三極管Ql的基極連接，三極管Ql的集電極通過(guò)電阻R4與二極管D2的負(fù)極、電阻R5的另一端、電容C4的另一2端以及電阻R8連接，電阻R8的另一端通過(guò)光電耦合器U2與穩(wěn)壓二極管DZ2的正極連接， 二極管D2的正極與三極管Q2的基極連接，三極管Q2的集電極與電阻R9連接，TLP光電耦合器Ul的5腳、電容Cl的另一端、電容C2的另一端、三極管Ql的發(fā)射極、電阻R9的另一端、三極管Q3的集電極接入負(fù)電源，三極管Q3的發(fā)射極與三極管Q4的發(fā)射極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的的抑制IGBT的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于還包括電阻R3、電阻 R7、電容C3、電容C5中的任意一個(gè)或者任意組合，電阻R3連接于三極管Ql的基極與發(fā)射極之間，電阻R7連接于三極管Q3的基極與集電極之間，電容C3連接于三極管Ql的基極與發(fā)射極之間，電容C5連接于三極管Q3的基極與集電極之間。
全文摘要
一種抑制IGBT過(guò)電流的驅(qū)動(dòng)電路，包括隔離驅(qū)動(dòng)電路、降柵壓鉗位電路、推挽放大電路、報(bào)警輸出電路、以及過(guò)電壓檢測(cè)電路，其中，隔離驅(qū)動(dòng)電路的輸出端、降柵壓鉗位電路的第一輸出端與推挽放大電路的輸入端連接，推挽放大電路的輸出端與IGBT驅(qū)動(dòng)回路連接，過(guò)電壓檢測(cè)電路的輸入端與IGBT驅(qū)動(dòng)回路連接、輸出端與降柵壓鉗位電路的輸入端連接，降柵壓鉗位電路的第二輸出端與報(bào)警輸出電路的輸入端連接。根據(jù)本發(fā)明方案，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT過(guò)電流的有效抑制，不僅可以減少I(mǎi)GBT過(guò)電流時(shí)的關(guān)斷應(yīng)力，還可延長(zhǎng)IGBT短路承受時(shí)間，增強(qiáng)IGBT短路電流承受能力，且實(shí)現(xiàn)成本低，靈活性高，電路簡(jiǎn)單，實(shí)用性強(qiáng)。
文檔編號(hào)H02H3/08GK102315632SQ20111031079
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月14日
發(fā)明者戴寶鋒 申請(qǐng)人:廣東易事特電源股份有限公司