亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

充放電控制電路以及電池裝置的制作方法

文檔序號(hào):7337226閱讀:137來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:充放電控制電路以及電池裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及檢測(cè)二次電池的電壓和異常的充放電控制電路以及電池裝置,尤其涉及能夠用一個(gè)充放電控制MOSFET進(jìn)行控制的充放電控制電路以及電池裝置。
背景技術(shù)
圖3示出現(xiàn)有的具有充放電控制電路的電池裝置的電路圖。現(xiàn)有的具有充放電控制電路的電池裝置在二次電池101的負(fù)極側(cè),串聯(lián)連接可雙向?qū)ń刂沟脑鰪?qiáng)型N溝道 MOSFET 306。在端子120、121上連接有充電電路或負(fù)載,充放電電流通過(guò)該端子被提供或放出到二次電池101。控制電路102對(duì)二次電池101和增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306的電壓進(jìn)行檢測(cè),并根據(jù)該電壓值控制開(kāi)關(guān)301、304、305的接通、斷開(kāi)。增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306 可在柵極端子的電位為正的閾值電壓以上時(shí),使漏極端子和源極端子之間雙向?qū)?,在柵極端子的電位小于閾值電壓時(shí),漏極端子和源極端子之間成為截止?fàn)顟B(tài)。說(shuō)明充電禁止?fàn)顟B(tài)。在端子120、121之間連接充電器時(shí),增強(qiáng)型N溝道M0SFET306 的漏極端子-源極端子之間的電壓Vds為正值??刂齐娐?02檢測(cè)Vds為正的情況,接通開(kāi)關(guān)301,斷開(kāi)開(kāi)關(guān)305、304。由此,增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306的柵極端子成為比源極端子大二次電池101的電壓量的高電位,增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306成為導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)二次電池101被充電從而電池電壓達(dá)到設(shè)定上限值時(shí),控制電路102斷開(kāi)開(kāi)關(guān) 301,接通開(kāi)關(guān)305、304。于是,增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306的柵極端子成為與源極端子相同的電位,增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306成為截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)果,充電電流被截?cái)?,防止二次電?01 被過(guò)充電。此外,此時(shí),二極管302為反向偏置,防止通過(guò)開(kāi)關(guān)304和開(kāi)關(guān)305流過(guò)電流。當(dāng)截?cái)喑潆婋娏鲿r(shí),內(nèi)部電阻造成的電壓降低得到消除,因此二次電池101的電壓降低。為了防止由于該電壓降低而再次開(kāi)始充電,可以在成為充電禁止后,二次電池101 在被一定程度放電從而電壓變?yōu)樵O(shè)定值以下之前,保持充電禁止?fàn)顟B(tài)。在充電禁止?fàn)顟B(tài)下在端子120、121之間連接負(fù)載時(shí),Vds從正切換為負(fù)。控制電路102只要以在Vds為負(fù)的情況下放電,在為正的情況下截?cái)喑潆婋娏鞯姆绞娇刂崎_(kāi)關(guān)301、304、305即可。在上述說(shuō)明中,在充電停止時(shí)開(kāi)關(guān)304、305均設(shè)為接通。但是,即使開(kāi)關(guān)304斷開(kāi)也同樣能夠停止充電。這是因?yàn)榕c開(kāi)關(guān)304的接通、斷開(kāi)無(wú)關(guān),開(kāi)關(guān)305 —直接通,因此柵極端子成為與源極端子相同的電位,增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306成為截止?fàn)顟B(tài)。此外,由于二極管302,通過(guò)開(kāi)關(guān)304、305而流過(guò)的電流也被截?cái)唷5?,在以上說(shuō)明的充電時(shí)和在后敘述的放電時(shí),開(kāi)關(guān)304、305均斷開(kāi)。因此,只要在充電停止時(shí)開(kāi)關(guān)304、305均接通,如在后說(shuō)明的那樣在放電停止時(shí)開(kāi)關(guān)304、305均接通,則兩個(gè)開(kāi)關(guān)始終同時(shí)接通或斷開(kāi)。因此,能夠使控制電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而不需要獨(dú)立控制開(kāi)關(guān) 304,305ο接著說(shuō)明放電禁止?fàn)顟B(tài)。在端子120、121之間連接負(fù)載時(shí),增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306的漏極端子-源極端子之間的電壓Vds為負(fù)值??刂齐娐?02檢測(cè)Vds為負(fù)的情況,接通開(kāi)關(guān)301,斷開(kāi)開(kāi)關(guān)304、305。由此,增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306的柵極端子成為比漏極端子大二次電池101的電壓量的高電位,增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306成為導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)二次電池101進(jìn)行放電從而電池電壓達(dá)到設(shè)定下限值時(shí),控制電路102斷開(kāi)開(kāi)關(guān)301,接通開(kāi)關(guān)304、305。于是,增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306的柵極端子成為與漏極端子相同的電位,增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306成為截止?fàn)顟B(tài)。結(jié)果,放電電流被截?cái)?,防止二次電?101被過(guò)放電。此外,此時(shí),二極管303為反向偏置,防止通過(guò)開(kāi)關(guān)304和開(kāi)關(guān)305流過(guò)電流。當(dāng)截?cái)喾烹婋娏鲿r(shí),內(nèi)部電阻造成的電壓降低得到消除,因此二次電池101的電壓上升。為了防止由于該電壓上升而再次開(kāi)始放電,可以在成為放電禁止后,二次電池101 在被一定程度充電從而電壓變?yōu)樵O(shè)定值以上之前,保持放電禁止?fàn)顟B(tài)。在放電禁止?fàn)顟B(tài)下在端子120、121之間連接充電電路時(shí),Vds從負(fù)切換為正??刂齐娐?02只要以在Vds為正的情況下充電,在為負(fù)的情況下截?cái)喾烹婋娏鞯姆绞娇刂崎_(kāi)關(guān)301、304、305即可。在上述說(shuō)明中,在放電停止時(shí)開(kāi)關(guān)304、305均設(shè)為接通。但是,即使開(kāi)關(guān)305斷開(kāi)也同樣能夠停止放電。這是因?yàn)榕c開(kāi)關(guān)305的接通、斷開(kāi)無(wú)關(guān),開(kāi)關(guān)304 —直接通,因此柵極端子成為與漏極端子相同的電位,增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306成為截止?fàn)顟B(tài)。此外,由于二極管303,通過(guò)開(kāi)關(guān)305、304而流過(guò)的電流也被截?cái)?。但是,只要在放電停止時(shí)開(kāi)關(guān)304、305均設(shè)為接通,則如在前說(shuō)明的那樣,兩個(gè)開(kāi)關(guān)始終同時(shí)接通或斷開(kāi)。因此,能夠使控制電路102的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而不需要獨(dú)立控制開(kāi)關(guān) 304,305ο在增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306中形成有內(nèi)置的二極管321、322。但是,這些二極管反向串聯(lián)連接而不導(dǎo)通,不會(huì)對(duì)以上說(shuō)明的保護(hù)動(dòng)作產(chǎn)生影響。增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306可以是橫向結(jié)構(gòu),也可以是縱向結(jié)構(gòu)。如果是橫向結(jié)構(gòu), 則容易用一個(gè)IC構(gòu)成增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306和控制電路102。因此,能夠用一個(gè)IC構(gòu)成以往用一個(gè)IC和兩個(gè)開(kāi)關(guān)構(gòu)成的過(guò)充電/過(guò)放電保護(hù)電路,因此能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、低成本化。另一方面,如果是縱向結(jié)構(gòu),則與橫向結(jié)構(gòu)相比能夠?qū)崿F(xiàn)低損失化(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2000-102182號(hào)公報(bào)(圖9)但是,在現(xiàn)有技術(shù)中,存在元件數(shù)多且布局面積大的課題。并且存在如下課題增強(qiáng)型N溝道MOSFET 306的柵極電壓僅下降至源極或漏極電壓+VF (大約0. 6V),在增強(qiáng)型N 溝道MOSFET 306截止時(shí)漏電流大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述課題而研究的,提供一種能夠減小布局面積,充放電控制電路能夠減少截止時(shí)的漏電流的充放電控制電路以及電池裝置。為了解決現(xiàn)有課題,本發(fā)明的具有充放電控制電路的電池裝置具有如下結(jié)構(gòu)。一種充放電控制電路,其通過(guò)一個(gè)雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管來(lái)控制二次電池的充放電,其特征在于,該充放電控制電路具有控制電路,其與所述二次電池的兩端連接,監(jiān)視所述二次電池的電壓;開(kāi)關(guān)電路,其具有第一端子和第二端子,通過(guò)所述控制電路的輸出來(lái)控制所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極;第一 PN結(jié)元件,其與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端子和所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極連接;以及第二 PN結(jié)元件,其與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端子和所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的源極連接。根據(jù)本發(fā)明的具有充放電控制電路的電池裝置,具有如下的效果能夠通過(guò)減少使用的元件縮小布局面積。此外,能夠通過(guò)在二極管中使用肖特基勢(shì)壘二極管而減少漏電流。


圖1是第一實(shí)施方式的具有充放電控制電路的電池裝置的電路圖。圖2是第二實(shí)施方式的具有充放電控制電路的電池裝置的電路圖。圖3是現(xiàn)有的具有充放電控制電路的電池裝置的電路圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明101 二次電池;102 控制電路;151,251 充放電控制電路;152,252 開(kāi)關(guān)電路; 112、113、212、213 肖特基勢(shì)壘二極管;114、214 雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管;131 負(fù)載; 132 充電器;302、303 二極管。
具體實(shí)施例方式參照

用于實(shí)施本發(fā)明的方式。實(shí)施例1圖1是第一實(shí)施方式的具有充放電控制電路151的電池裝置的電路圖。本實(shí)施方式的具有充放電控制電路151的電池裝置具有二次電池101、控制電路 102、雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114、連接有充電器132或負(fù)載131的外部端子120和121、肖特基勢(shì)壘二極管112和113、PMOS晶體管110以及匪OS晶體管111。由PMOS晶體管110、 NMOS晶體管111、端子124(第二端子)和端子125(第一端子)構(gòu)成開(kāi)關(guān)電路152。二次電池101的兩端與正極電源端子122和負(fù)極電源端子123連接??刂齐娐?102與正極電源端子122連接作為正極電源,與端子125連接作為負(fù)極電源,輸出端與PMOS 晶體管110的柵極和NMOS晶體管111的柵極連接。PMOS晶體管110的源極經(jīng)由端子IM 與正極電源端子122和外部端子120連接,漏極與NMOS晶體管111的漏極連接。NMOS晶體管111的源極經(jīng)由端子125與肖特基勢(shì)壘二極管112的陽(yáng)極和肖特基勢(shì)壘二極管113的陽(yáng)極連接,漏極與雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的柵極連接,背柵與肖特基勢(shì)壘二極管112 的陽(yáng)極和肖特基勢(shì)壘二極管113的陽(yáng)極連接。肖特基勢(shì)壘二極管112的陰極與負(fù)極電源端子123連接,肖特基勢(shì)壘二極管113的陰極與外部端子121連接。雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的漏極與負(fù)極電源端子123連接,源極與外部端子121連接,背柵與端子125連接。接著,對(duì)本實(shí)施方式的具有充放電控制電路151的電池裝置的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。在外部端子120、121上連接有充電器132,通過(guò)控制電路102檢測(cè)到二次電池101 為可充放電狀態(tài)時(shí),控制電路102輸出低電平,使PMOS晶體管110導(dǎo)通,使NMOS晶體管111 截止。于是,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的柵電極與正極電源端子122連接從而成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此進(jìn)行充放電??刂齐娐?02的負(fù)極電源與端子125連接,因此能夠輸出負(fù)極電源端子123和外部端子121中較低一方的電壓作為低電平。在外部端子120、121上連接有充電器132,通過(guò)控制電路102檢測(cè)到二次電池變?yōu)槌潆娊範(fàn)顟B(tài)時(shí),控制電路102輸出高電平,使PMOS晶體管110截止,使NMOS晶體管111導(dǎo)通。于是,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的柵電極經(jīng)由肖特基勢(shì)壘二極管113、端子115、 NMOS晶體管111被下拉至外部端子121,從而成為截止?fàn)顟B(tài)。由此,充電電流被截?cái)?,防止二次電?01被過(guò)充電。此外,肖特基勢(shì)壘二極管112為反向偏置,防止電流從負(fù)極電源端子123流向外部端子121。在此,在本發(fā)明中采用VF電壓較小(大約0.3V)的肖特基勢(shì)壘二極管,因此能夠減小雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的柵極-源極間電壓,能夠減少截止漏電流。此外,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的背柵端子也不會(huì)浮動(dòng),因此能夠使充放電控制電路151更穩(wěn)定地動(dòng)作。在外部端子120、121上連接有負(fù)載131,通過(guò)控制電路102檢測(cè)到二次電池變?yōu)榉烹娊範(fàn)顟B(tài)時(shí),控制電路102輸出高電平,使PMOS晶體管110截止,使NMOS晶體管111 導(dǎo)通。于是,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的柵電極經(jīng)由肖特基勢(shì)壘二極管112、端子115、 NMOS晶體管111被下拉至負(fù)極電源端子123,從而成為截止?fàn)顟B(tài)。由此,放電電流被截?cái)啵?防止二次電池101被過(guò)放電。此外,肖特基勢(shì)壘二極管113為反向偏置,防止電流從外部端子121流向負(fù)極電源端子123。在此,在本發(fā)明中采用VF電壓較小(大約0.3V)的肖特基勢(shì)壘二極管,因此能夠減小雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的柵極-源極間電壓,能夠減少截止漏電流。此外,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的背柵端子也不會(huì)浮動(dòng),因此能夠使充放電控制電路151更穩(wěn)定地動(dòng)作。如以上說(shuō)明的那樣,根據(jù)本實(shí)施方式的具有充放電控制電路151的電池裝置,無(wú)論二次電池101變?yōu)槌潆娊範(fàn)顟B(tài)還是放電禁止?fàn)顟B(tài),都能夠減少流過(guò)雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的漏電流。并且,能夠通過(guò)控制雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的背柵,使充放電控制電路151穩(wěn)定地動(dòng)作。另外,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114也可以外裝連接到充放電控制電路151。此外,雖然未圖示,但是即使雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的背柵端子不與端子125連接,也能夠減少流過(guò)雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的漏電流。實(shí)施例2圖2是第二實(shí)施方式的具有充放電控制電路251的電池裝置的電路圖。第二實(shí)施方式的具有充放電控制電路251的電池裝置具有二次電池101、控制電路102、雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214、連接有充電器132或負(fù)載131的外部端子120和121、 肖特基勢(shì)壘二極管212和213、PM0S晶體管210以及NMOS晶體管211。由PMOS晶體管210、 NMOS晶體管211、端子124(第二端子)以及端子125 (第一端子)構(gòu)成開(kāi)關(guān)電路252。二次電池101的兩端與正極電源端子122和負(fù)極電源端子123連接??刂齐娐?02 與端子125連接作為正極電源,與負(fù)極電源端子123連接作為負(fù)極電源,輸出端與PMOS晶體管210的柵極和NMOS晶體管211的柵極連接。PMOS晶體管210的源極和背柵經(jīng)由端子 125與肖特基勢(shì)壘二極管212的陰極和肖特基勢(shì)壘二極管213的陰極連接,漏極與NMOS晶體管211的漏極連接。NMOS晶體管211的源極經(jīng)由端子IM與負(fù)極電源端子123和外部端子121連接,漏極與雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管114的柵極連接。肖特基勢(shì)壘二極管212的陽(yáng)極與正極電源端子122連接,肖特基勢(shì)壘二極管213的陽(yáng)極與外部端子120連接。雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的漏極與正極電源端子122連接,源極與外部端子120連接,背柵與端子125連接。接著,對(duì)第二實(shí)施方式的具有充放電控制電路251的電池裝置的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
在外部端子120、121上連接有充電器132,通過(guò)控制電路102檢測(cè)到二次電池101 為可充放電狀態(tài)時(shí),控制電路102輸出高電平,使PMOS晶體管210截止,使NMOS晶體管211 導(dǎo)通。于是,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的柵電極與負(fù)極電源端子123連接從而成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此進(jìn)行充放電??刂齐娐?02的正極電源與端子125連接,因此能夠輸出正極電源端子122和外部端子120中較高一方的電壓作為高電平。在外部端子120、121上連接有充電器132,通過(guò)控制電路102檢測(cè)到二次電池101 變?yōu)槌潆娊範(fàn)顟B(tài)時(shí),控制電路102輸出低電平,使PMOS晶體管210導(dǎo)通,使NMOS晶體管 211截止。于是,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的柵電極經(jīng)由肖特基勢(shì)壘二極管213、端子 115、PMOS晶體管210被上拉至外部端子120,從而成為截止?fàn)顟B(tài)。由此,充電電流被截?cái)啵?防止二次電池101被過(guò)充電。此外,肖特基勢(shì)壘二極管212為反向偏置,防止電流從外部端子120流向正極電源端子122。在此,在本發(fā)明中采用VF電壓較小(大約0.3V)的肖特基勢(shì)壘二極管,因此能夠減小雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的柵極-源極間電壓,能夠減少截止漏電流。此外,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的背柵端子也不會(huì)浮動(dòng),因此能夠使充放電控制電路251更穩(wěn)定地動(dòng)作。在外部端子120、121上連接有負(fù)載131,通過(guò)控制電路102檢測(cè)到二次電池變?yōu)榉烹娊範(fàn)顟B(tài)時(shí),控制電路102輸出低電平,使PMOS晶體管210導(dǎo)通,使NMOS晶體管211截止。于是,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的柵電極和背柵經(jīng)由肖特基勢(shì)壘二極管212、端子 125、PM0S晶體管210被上拉至正極電源端子122,從而成為截止?fàn)顟B(tài)。由此,放電電流被截?cái)?,防止二次電?01被過(guò)放電。此外,肖特基勢(shì)壘二極管213為反向偏置,防止電流從正極電源端子122流向外部端子120。在此,在本發(fā)明中采用VF電壓較小(大約0.3V)的肖特基勢(shì)壘二極管,因此能夠減小雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的柵極-源極間電壓,能夠減少截止漏電流。此外,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的背柵端子也不會(huì)浮動(dòng),因此能夠使充放電控制電路251更穩(wěn)定地動(dòng)作。如以上說(shuō)明的那樣,根據(jù)第二實(shí)施方式的具有充放電控制電路251的電池裝置, 無(wú)論二次電池101變?yōu)槌潆娊範(fàn)顟B(tài)還是放電禁止?fàn)顟B(tài),都能夠減少流過(guò)雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的漏電流。并且,能夠通過(guò)控制雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的背柵,使充放電控制電路251穩(wěn)定地動(dòng)作。另外,雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214也可以外裝連接到充放電控制電路251。此外,雖然未圖示,但是即使雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的背柵端子不與端子125連接,也能夠減少流過(guò)雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管214的漏電流。
權(quán)利要求
1.一種充放電控制電路,其通過(guò)一個(gè)雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管來(lái)控制二次電池的充放電,其特征在于,該充放電控制電路具有控制電路,其與所述二次電池的兩端連接,監(jiān)視所述二次電池的電壓;開(kāi)關(guān)電路,其具有第一端子和第二端子,通過(guò)所述控制電路的輸出來(lái)控制所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極;第一 PN結(jié)元件,其與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端子和所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極連接;以及第二 PN結(jié)元件,其與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端子和所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的源極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充放電控制電路,其特征在于,所述第一PN結(jié)元件和所述第二 PN結(jié)元件由肖特基勢(shì)壘二極管構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充放電控制電路,其特征在于,所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的背柵與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端子連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意一項(xiàng)所述的充放電控制電路,其特征在于,所述開(kāi)關(guān)電路由如下元件構(gòu)成P溝道MOS晶體管,其柵極與所述控制電路的輸出端連接,漏極與所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接,源極與所述第二端子連接;以及N溝道MOS晶體管,其柵極與所述控制電路的輸出端連接,漏極與所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接,源極與所述第一端子連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的充放電控制電路,其特征在于,所述控制電路的負(fù)極電源端子與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端子連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任意一項(xiàng)所述的充放電控制電路,其特征在于,所述開(kāi)關(guān)電路由如下元件構(gòu)成P溝道MOS晶體管,其柵極與所述控制電路的輸出端連接,漏極與所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接,源極與所述第一端子連接;以及N溝道MOS晶體管,其柵極與所述控制電路的輸出端連接,漏極與所述雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接,源極與所述第二端子連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的充放電控制電路,其特征在于,所述控制電路的正極電源端子與所述開(kāi)關(guān)電路的第一端子連接。
8.一種電池裝置,該電池裝置具有可充放電的二次電池;一個(gè)雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管,其是設(shè)置在所述二次電池的充放電路徑上的充放電控制開(kāi)關(guān);以及權(quán)利要求1所述的充放電控制電路,其監(jiān)視所述二次電池的電壓,對(duì)所述充放電控制開(kāi)關(guān)進(jìn)行開(kāi)閉,由此控制所述二次電池的充放電。
全文摘要
本發(fā)明提供一種充放電控制電路以及電池裝置,在用一個(gè)雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管控制二次電池的充放電的充放電保護(hù)電路中,減小布局面積,減少雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的漏電流,從而穩(wěn)定動(dòng)作。該充放電控制電路具有開(kāi)關(guān)電路,其通過(guò)控制二次電池的充放電的控制電路的輸出來(lái)控制雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極;以及兩個(gè)肖特基勢(shì)壘二極管,它們防止充電電流和放電電流的逆流。并且具有如下結(jié)構(gòu)將第一個(gè)肖特基勢(shì)壘二極管的陰極連接到雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極,將第二個(gè)肖特基勢(shì)壘二極管的陰極連接到雙向?qū)ㄐ蛨?chǎng)效應(yīng)晶體管的源極。
文檔編號(hào)H02J7/00GK102403756SQ20111026352
公開(kāi)日2012年4月4日 申請(qǐng)日期2011年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月8日
發(fā)明者佐野和亮, 前谷文彥, 小池智幸, 櫻井敦司 申請(qǐng)人:精工電子有限公司
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1