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一種mos管驅(qū)動(dòng)電路的制作方法

文檔序號(hào):7326460閱讀:286來源:國(guó)知局
專利名稱:一種mos管驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)
目前,在許多電器設(shè)備的電源電路中,會(huì)使用到M0S(metal oxid semiconductor, 金屬一氧化物一半導(dǎo)體)場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路。一般在MOS管的柵極施加一個(gè)可調(diào)節(jié)的驅(qū)動(dòng)信號(hào),通過調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比來控制MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間,從而輸出可調(diào)節(jié)、 可控制的的電壓。但傳統(tǒng)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路中,MOS管驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)上升邊沿上升時(shí)間長(zhǎng)且有較高的過沖,使得被驅(qū)動(dòng)的MOS管功耗增大、發(fā)熱嚴(yán)重,使MOS管壽命縮短,甚至損壞。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型公開了一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路,可有效的縮短驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升沿,降低上升的過沖,從而降低MOS管的功耗,減少M(fèi)OS管的發(fā)熱量。為了達(dá)到上述發(fā)明目的,本實(shí)用新型提供了一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路,包括MOS管、產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)以控制所述MOS管的變壓器,所述驅(qū)動(dòng)電路還包括整流濾波電路和MOS管驅(qū)動(dòng)模塊,其中,所述變壓器的第一輸出端通過整流濾波電路、MOS管驅(qū)動(dòng)模塊與MOS管依次相連,所述變壓器的第二輸出端通過所述MOS管驅(qū)動(dòng)模塊與所述MOS管相連。所述整流濾波電路由二極管與電容串聯(lián)組成。所述MOS管驅(qū)動(dòng)模塊包括推拉式電路,該推拉式電路是由兩個(gè)三極管推挽相連組成。所述兩個(gè)三極管分別為NPN型三極管和PNP型三極管。所述整流濾波電路中的二極管與變壓器的第一輸出端相連,電容的兩端分別與所述推拉式電路中的兩個(gè)三極管的集電極相連。所述MOS管驅(qū)動(dòng)模塊還包括第一電阻、第二電阻和第三電阻,其中,所述變壓器的第二輸出端通過第一電阻分別與所述推拉式電路中兩個(gè)三極管的基極相連,所述兩個(gè)三極管的發(fā)射極通過第二電阻與所述MOS管的柵極相連,所述第三電阻跨接在MOS管的柵極與接地端之間構(gòu)成放電通路。本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果如下本實(shí)用新型公開的MOS管驅(qū)動(dòng)電路,采用了變壓器次級(jí)整流濾波結(jié)合推拉式電路的方式來驅(qū)動(dòng)MOS管的導(dǎo)通,其中,采用整流濾波的方式可將驅(qū)動(dòng)信號(hào)上升沿過沖所產(chǎn)生的尖峰能量吸收轉(zhuǎn)化為直流電壓來驅(qū)動(dòng)MOS管;另外,采用推拉式電路可加速M(fèi)OS管的導(dǎo)通。采用以上技術(shù),縮短了驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間,減小了上升的過沖,從而降低MOS管的功耗,減少M(fèi)OS管的發(fā)熱量。

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理框架圖;圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理圖;[0013]圖3是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。參見圖1,是本實(shí)用新型實(shí)施例的MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理框架圖,如圖所示,MOS管驅(qū)動(dòng)電路,包括產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)以控制所述MOS管的變壓器11、整流濾波電路12、M0S管驅(qū)動(dòng)模塊13、M0S管14,所述變壓器11的第一輸出端通過整流濾波電路12、M0S管驅(qū)動(dòng)模塊13與 MOS管14依次相連,所述變壓器11的第二輸出端通過MOS管驅(qū)動(dòng)模塊13與MOS管14相連。變壓器11的第一輸出端輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過整流濾波電路12產(chǎn)成直流電壓通過 MOS管驅(qū)動(dòng)模塊13來驅(qū)動(dòng)MOS管;變壓器11的第二輸出端輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)可控制MOS管驅(qū)動(dòng)模塊13來加速M(fèi)OS的導(dǎo)通。其中整流濾波電路12由二極管與電容串聯(lián)組成,MOS管驅(qū)動(dòng)模塊13包括推拉式電路,該推拉式電路是由兩個(gè)三極管推挽相連組成。本實(shí)施例公開的MOS管驅(qū)動(dòng)電路,采用整流濾波的方式可將驅(qū)動(dòng)信號(hào)上升沿過沖所產(chǎn)生的尖峰能量吸收轉(zhuǎn)化為直流電壓來驅(qū)動(dòng)MOS管;另外,采用MOS管驅(qū)動(dòng)模塊13來加速M(fèi)OS管的導(dǎo)通。采用以上技術(shù),縮短了驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間,減小了上升的過沖,從而降低MOS管的功耗,減少M(fèi)OS管的發(fā)熱量。需要說明的是,本實(shí)施例的MOS管驅(qū)動(dòng)電路中整流濾波電路12、MOS管驅(qū)動(dòng)模塊 13,MOS管14的數(shù)量均可為一個(gè)或多個(gè),詳細(xì)將在下文的實(shí)施例中進(jìn)行一一介紹。參見圖2,是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理圖,如圖所示,MOS管驅(qū)動(dòng)電路包括變壓器T1、二極管D1、電容Cl、三個(gè)電阻Rl、R2、R3,兩個(gè)三極管Ql、Q2、以及MOS 管Q3。請(qǐng)同時(shí)結(jié)合圖1,二極管Dl和電容Cl串聯(lián)組成了圖1中的整流濾波電路12 ;電阻 RU R2、R3和兩個(gè)三極管Ql、Q2組成了圖1中的MOS管驅(qū)動(dòng)模塊13,其中,兩個(gè)三極管Q1、 Q2推挽相連組成推拉式電路,可加速M(fèi)OS管Q3的導(dǎo)通,圖2中三極管Ql為NPN型三極管, Q2為PNP型三極管。具體地,變壓器Tl的次級(jí)繞阻即第一輸出端與二極管Dl相連,電容Cl的正負(fù)極分別與推拉式電路中的兩個(gè)三極管Q1、Q2的集電極相連,所述兩個(gè)三極管Q1、Q2的發(fā)射極通過電阻R2與所述MOS管Q3的柵極相連。變壓器Tl的次級(jí)繞阻即第二輸出端通過電阻 Rl分別與三極管Ql、Q2的基極相連,所述兩個(gè)三極管Ql、Q2的發(fā)射極通過電阻R2與所述 MOS管Q3的柵極相連,電阻R3跨接在MOS管Q3的柵極與接地端之間構(gòu)成放電通路。該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理如下當(dāng)變壓器Tl的初級(jí)繞阻電壓為上正下負(fù)時(shí),其次級(jí)繞阻感應(yīng)電壓也為上正下負(fù), 輸出的電壓一方面通過二極管Dl給電容Cl沖電,在電容Cl上得到直流電壓;另一方面通過電阻Rl給推拉式電路中三極管Ql、Q2提供一個(gè)高電平,使三極管Ql導(dǎo)通,三極管Q2截止,電容Cl上的直流電壓通過三極管Q1、電阻R2開通MOS管Q3。[0024]反之易然,當(dāng)變壓器Tl產(chǎn)生上負(fù)下正的感應(yīng)電壓時(shí),同上述的分析方法,不再贅述。本實(shí)施例,通過整流濾波電路中的電容Cl可將驅(qū)動(dòng)信號(hào)上升沿過沖所產(chǎn)生的尖峰能量吸收轉(zhuǎn)化為直流電壓來驅(qū)動(dòng)MOS管Q3,通過推拉式電路,可加速M(fèi)OS管Q3的導(dǎo)通。 相比傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路,本實(shí)施例縮短了驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間,減小了上升的過沖,從而降低 MOS管Q3的功耗,減少M(fèi)OS管Q3的發(fā)熱量。參見圖3,是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理圖,如圖所示,變壓器 T2的初、次級(jí)繞組L1、L2、L3構(gòu)成信號(hào)的隔離傳遞模塊;電阻R1、R2、R3及三極管Q3、Q4組成MOS管Ql的驅(qū)動(dòng)模塊;R4、R5、R6及三極管Q5、Q6組成MOS管Q2的驅(qū)動(dòng)模塊;二極管Dl 和電容C2、二極管D2和電容C3分別組成整流濾波電路;MOS管Ql、Q2,電容Cl、變壓器Tl 組成能量傳遞模塊。以上涉及變壓器T2與Ql的驅(qū)動(dòng)模塊、二極管Dl和電容C2組成的整流濾波電路、 MOS管Ql等之間的連接關(guān)系;變壓器T2與Q2的驅(qū)動(dòng)模塊、二極管D2和電容C3組成的整流濾波電路、MOS管Q2等之間的連接關(guān)系請(qǐng)參考圖2所示的實(shí)施例中的描述,此處不再詳述。其工作原理如下當(dāng)變壓器T2的初級(jí)繞阻Ll電壓為上正下負(fù)時(shí),第一次級(jí)繞阻L2感應(yīng)電壓也為上正下負(fù),輸出的電壓一方面通過二極管Dl給電容C2沖電,在電容C2上得到直流電壓,另一方面通過電阻Rl給推拉式電路中的三極管Q3、Q4提供一個(gè)高電平,使三極管Q3導(dǎo)通,Q4 截止,電容上的電壓通過三極管Q3、電阻R3開通MOS管Ql。與此同時(shí),第二次級(jí)繞阻L3上感應(yīng)的電壓為上負(fù)下正,負(fù)的電壓通過電阻R4導(dǎo)通三極管Q6,MOS管Q2的GS被三極管Q6、電阻R5短路,MOS管Q2截止。因?yàn)镸OS管Ql導(dǎo)通,Q2的截止,VPFC電壓通過MOS管Q1、變壓器Tl的初級(jí)給電容Cl充電形成脈沖電流,變壓器Tl的次級(jí)繞阻因此得到了感應(yīng)電流,能量傳遞出去了,MOS 管Q2截止。反之易然,當(dāng)變壓器T2產(chǎn)生上負(fù)下正的感應(yīng)電壓時(shí),同上述的分析方法,不再贅述。本實(shí)施例,通過整流濾波電路中的電容可將驅(qū)動(dòng)信號(hào)上升沿過沖所產(chǎn)生的尖峰能量吸收轉(zhuǎn)化為直流電壓來驅(qū)動(dòng)MOS管,通過推拉式電路,可加速M(fèi)OS管的導(dǎo)通。相比傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路,本實(shí)施例縮短了驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間,減小了上升的過沖,從而降低MOS管的功耗,減少M(fèi)OS管的發(fā)熱量。需要說明的是,本實(shí)施例以及本實(shí)用新型的其他實(shí)施例所涉及到的MOS管驅(qū)動(dòng)電路,除包括實(shí)施例中所涉及的電子元件之外,還包括本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的其他元件,為了突出本實(shí)用新型的發(fā)明思想,因此,在本實(shí)用新型的實(shí)施例中只對(duì)涉及本實(shí)用新型的發(fā)明思想的元件進(jìn)行描述,對(duì)MOS管中所公知的其他元件不加贅述。以上所揭露的僅為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例而已,當(dāng)然不能以此來限定本實(shí)用新型之權(quán)利范圍,因此依本實(shí)用新型權(quán)利要求所作的等同變化,仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。
權(quán)利要求1.一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路,包括MOS管、產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)以控制所述MOS管的變壓器,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)電路還包括整流濾波電路和MOS管驅(qū)動(dòng)模塊,其中,所述變壓器的第一輸出端通過整流濾波電路、MOS管驅(qū)動(dòng)模塊與MOS管依次相連,所述變壓器的第二輸出端通過所述MOS管驅(qū)動(dòng)模塊與所述MOS管相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述整流濾波電路由二極管與電容串聯(lián)組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOS管驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述MOS管驅(qū)動(dòng)模塊包括推拉式電路,該推拉式電路是由兩個(gè)三極管推挽相連組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS管驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述整流濾波電路中的二極管與變壓器的第一輸出端相連,電容的兩端分別與所述推拉式電路中的兩個(gè)三極管的集電極相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOS管驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述MOS管驅(qū)動(dòng)模塊還包括第一電阻、第二電阻和第三電阻,其中,所述變壓器的第二輸出端通過第一電阻分別與所述推拉式電路中兩個(gè)三極管的基極相連,所述兩個(gè)三極管的發(fā)射極通過第二電阻與所述MOS管的柵極相連,所述第三電阻跨接在MOS管的柵極與接地端之間構(gòu)成放電通路。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS管驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述兩個(gè)三極管分別為NPN型三極管和PNP型三極管。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種MOS管驅(qū)動(dòng)電路,包括MOS管、產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)以控制所述MOS管的變壓器,所述驅(qū)動(dòng)電路還包括整流濾波電路和MOS管驅(qū)動(dòng)模塊,其中,所述變壓器的第一輸出端通過整流濾波電路、MOS管驅(qū)動(dòng)模塊與MOS管依次相連,所述變壓器的第二輸出端通過所述MOS管驅(qū)動(dòng)模塊與所述MOS管相連。本實(shí)用新型采用了變壓器次級(jí)整流濾波結(jié)合MOS管驅(qū)動(dòng)模塊中推拉式電路的方式來驅(qū)動(dòng)MOS的導(dǎo)通,縮短了驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間,減小了上升的過沖,從而降低MOS管的功耗,減少M(fèi)OS管的發(fā)熱量。
文檔編號(hào)H02M1/08GK201937456SQ201020670618
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月20日
發(fā)明者伍小林, 尹朝飛, 張保鑫 申請(qǐng)人:惠州三華工業(yè)有限公司
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