專利名稱：靜電處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，且特別涉及一種靜電處理方法。

背景技術(shù)：
近年來半導體組件被廣泛的應用于工業(yè)、商業(yè)、住家、通訊、交通與電力等領(lǐng) 域。在未來的數(shù)十年內(nèi)，電子組件將朝向高電壓、大電流功率、及低切換模塊等方向發(fā) 展，并且朝向集成電路化。然而，在此領(lǐng)域一直為人所遺忘的靜電放電破壞問題卻依然 存在，而且集成電路非常容易受到靜電而損傷，尤其隨著工藝技術(shù)的進步，一些用來增 加電路運作速度的技術(shù)，比如信道變短、柵極氧化層變薄、金屬硅化物的使用，和用來 減輕熱載流子效應的技術(shù)，反而使得集成電路的靜電放電耐受能力大幅下降。在已有技術(shù)中，通常利用背對背連接式二極管或二極管連接式的裝置來作為靜 電放電保護組件，在經(jīng)典放電保護組件的設(shè)計上，背對背連接式或二極管連接式的二極 管的采用數(shù)量是決定于所需的噪聲隔離度(Noiselmmunity)和電源的電壓差距，因為要提 升噪聲隔離度，就得采用更多的二極管；而如果電源間的電壓差距太大，也就需要更多 的二極管來保護電路。但是在不同的電源供應間使用大量的二極管來防止噪聲干擾，會 使得靜電放電的保護效率降低。此案外，因為電源間的相依特性，使得利用背對背連接 式二極管或二極管連接式的裝置來作為靜電放電保護組件時，當二極管的數(shù)量越多，在 靜電放電保護組件上產(chǎn)生的電壓降(Voltage Drop)就會越大，又會形成另外的設(shè)計問題。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中防靜電設(shè)計過于復雜的問題，本發(fā)明提供了一種簡單實用 的處理方法。本發(fā)明提供了一種靜電處理方法，包括以下三種方式的一種、任意兩種或者三 種在靜電敏感部件和被保護部件之間串聯(lián)電阻、并聯(lián)電容或者并聯(lián)電感。可選的，所述被保護部件為中央處理器?？蛇x的，所述中央處理器和所述靜電敏感部件之間通過信號線相連。由于采用了上述技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明通 過在電路中加入電阻、電容或電感等低成本器件來濾除靜電對中央處理器的沖擊，避免 損壞硬件，不但設(shè)計簡單，容易實現(xiàn)，而且也大大的降低了工藝的成本。


圖1為本發(fā)明一種靜電處理方法的第一實施例示意圖；圖2為本發(fā)明一種靜電處理方法的第二實施例示意圖；圖3為本發(fā)明一種靜電處理方法的第三實施例示意圖；圖4為本發(fā)明一種靜電處理方法的第四實施例示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。本發(fā)明提供了一種靜電處理方法，包括以下三種方式的一種、任意兩種或者三種在靜電敏感部件和被保護部件之間串聯(lián)電阻、并聯(lián)電容或者并聯(lián)電感。所述被保護 部件為中央處理器或系統(tǒng)重置裝置。首先，請參考圖1，圖1為本發(fā)明一種靜電處理方法的第一實施例示意圖，從圖 1中可以看到，中央處理器100和靜電敏感部件200之間，用信號線400相連。在中央處 理器100和靜電敏感部件200之間，并聯(lián)一電容300，具體方法為電容300的一端連接信 號線400，另一端接地。當帶靜電的物件接觸靜電敏感部件200時，靜電便會順著靜電敏 感部件200通過信號線400被轉(zhuǎn)移到電容300上。一般情況下，靜電的頻率成分很多，但是一定包含了較高頻率的成分，對于低 速信號線，可以增加并聯(lián)小電容(例如IOpf-IOOpf)來濾除高頻成分，失去高頻成分的靜 電信號往往對于系統(tǒng)不會產(chǎn)生較大影響。另外，由于系統(tǒng)重置裝置對靜電比較敏感，稍有靜電干擾就容易導致系統(tǒng)復 位，可以采用相同的方法，在系統(tǒng)重置裝置上并聯(lián)一電容，這樣就可以避免靜電對系統(tǒng) 重置裝置的信號的干擾，從而提高抗干擾能力。同理，并聯(lián)電感也是一樣，請參考圖2，圖2為本發(fā)明一種靜電處理方法的第二 實施例示意圖，從圖2中可以看到，電感600的一端連接信號線400，另一端接地。對于 高速信號線，不能采取并聯(lián)電容的方法，這樣會破壞原本的信號完整性，但是，正是因 為高速信號的高頻域成分超過了靜電的頻率，可以用電感濾除電感的自振頻率附近和自 振頻率以下的靜電。請參考圖3，圖3為本發(fā)明一種靜電處理方法的第三實施例示意圖。對于一些 對于輸出阻抗要求不高的信號，在中央處理器100和靜電敏感部件200之間相連的信號線 400上串聯(lián)電阻500，可以一定程度的分散靜電能量，從而降低靜電對中央處理器100的 沖擊。最后，請參考圖4，圖4為本發(fā)明一種靜電處理方法的第四實施例示意圖，圖4 中，同時串聯(lián)電阻500、并聯(lián)電容300和電感600，可以根據(jù)實際情況采用，具體的連接 方法可以參考本發(fā)明的第一至第三實施例。此外，可以同時串聯(lián)電阻500和并聯(lián)電容300，或者串聯(lián)電阻500和并聯(lián)電感 600，或者并聯(lián)電容300和電感600，可根據(jù)實際情況采用。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護 范圍應當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種靜電處理方法，其特征在于包括以下三種方式的一種、任意兩種或者三種在靜電敏感部件和被保護部件之間串聯(lián)電阻、并聯(lián)電容或者并聯(lián)電感。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種靜電處理方法，其特征在于所述被保護部件為中央 處理器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種靜電處理方法，其特征在于所述中央處理器和所述 靜電敏感部件之間通過信號線相連。
全文摘要
本發(fā)明提供一種靜電處理方法，其特征在于包括以下三種方式的一種、任意兩種或者三種在靜電敏感部件和被保護部件之間串聯(lián)電阻、并聯(lián)電容或者并聯(lián)電感。本發(fā)明通過電阻、電容或電感等低成本器件來濾除靜電對被保護部件的沖擊，避免了硬件損壞。
文檔編號H02H9/00GK102025134SQ20091019557
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月11日
發(fā)明者黃穎 申請人:希姆通信息技術(shù)(上海)有限公司