專利名稱：靜電保護(hù)裝置、靜電保護(hù)系統(tǒng)和可視性檢驗(yàn)測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及靜電保護(hù)裝置、應(yīng)用靜電保護(hù)裝置的靜電保護(hù)系統(tǒng)和可視性檢驗(yàn)測(cè)試 方法。
背景技術(shù)：
在液晶顯示面板的生產(chǎn)制程中，由于某些外在因素，例如連續(xù)的制程操作以及搬 運(yùn)或者環(huán)境變化等，通常會(huì)在面板中產(chǎn)生靜電荷的積累。由于玻璃本身是絕緣物質(zhì)，因此除 非有適當(dāng)?shù)姆烹娡ǖ溃駝t靜電荷會(huì)一直停留在基板表面。當(dāng)靜電荷積累到一定數(shù)量之后， 將會(huì)產(chǎn)生放電(ESDJlectrostaticDischarge)。靜電放電發(fā)生時(shí)的時(shí)間很短，大量的電荷 在很短的時(shí)間內(nèi)發(fā)生轉(zhuǎn)移將產(chǎn)生極高的電流，從而將導(dǎo)致薄膜場(chǎng)效應(yīng)管(TFT)基板上的電 路或者基板本身遭到破壞。為了避免出現(xiàn)靜電放電現(xiàn)象，通常通過設(shè)置靜電保護(hù)裝置釋放 靜電電荷，保護(hù)液晶顯示面板。參考圖1，在圖示的短路保護(hù)系統(tǒng)中，導(dǎo)線02用于將顯示區(qū)域10內(nèi)的各像素單元 與用于控制顯示的集成電路芯片相連接并向所述各像素單元傳輸信號(hào)；其中，所述信號(hào)可 為奇偶行的行掃描信號(hào)，也可以是單列紅(R)/綠(G)/藍(lán)(B)三原色像素的數(shù)據(jù)信號(hào)或其 并列。短路環(huán)15為顯示區(qū)域10外圍的金屬環(huán)，各條導(dǎo)線02穿過短路環(huán)15時(shí)，分別通過靜 電保護(hù)裝置06與短路環(huán)15相連，使得各導(dǎo)線02之間具有相等的電勢(shì)。另一方面，靜電保護(hù) 裝置06還被設(shè)置于測(cè)試總線03以及公共電極12之間，以避免顯示器外殼上積聚靜電荷。此外，在液晶顯示面板的生產(chǎn)制程中，另一項(xiàng)重要的檢測(cè)環(huán)節(jié)為可視性檢驗(yàn)，該檢 測(cè)環(huán)節(jié)用于在已在基板間注入液晶分子而尚未加入集成電路芯片的情況下，檢測(cè)所有像素 單元是否良好以及相關(guān)線路是否能夠正常工作。具體來說，在可視性檢驗(yàn)中，先將各像素單 元所引出的導(dǎo)線連接至總線，然后施加電壓，通過檢測(cè)各像素單元是否點(diǎn)亮進(jìn)而判斷各像 素單元及其連線的工作能力。此外，當(dāng)檢測(cè)完畢后，需要通過激光燒斷步驟將布線區(qū)中的連 線燒斷，使各像素單元相互獨(dú)立，以避免相互干擾。參考圖2，導(dǎo)線02通過引腳01與測(cè)試總線03相連接。在可視性檢驗(yàn)測(cè)試過程中， 將延伸出來的導(dǎo)線02通過規(guī)則布線區(qū)域04與測(cè)試總線03連接起來，以及將測(cè)試總線03 與測(cè)試板05相連接。通過向測(cè)試板05施加測(cè)試電壓，檢驗(yàn)顯示區(qū)域內(nèi)所有行掃描線和列 信號(hào)線是否可以正常工作。當(dāng)可視性檢驗(yàn)測(cè)試完成后，通過激光將規(guī)則布線區(qū)域04內(nèi)的導(dǎo) 線02燒斷，使各個(gè)像素單元彼此獨(dú)立，不再通過導(dǎo)線02互聯(lián)。由此可發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有的液晶顯示屏中，一方面，用于靜電保護(hù)的ESD模塊06廣泛存 在于顯示區(qū)域與顯示器外殼之間，縱橫擺放，占用面積較多，浪費(fèi)了屏寬，且降低了生產(chǎn)集 成度；另一方面，在可視性檢驗(yàn)過程中，先將導(dǎo)線延伸后互聯(lián)，以及在測(cè)試之后采用激光燒 斷步驟將互聯(lián)的導(dǎo)線斷開，增加了工藝復(fù)雜度，造成產(chǎn)率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種靜電保護(hù)裝置，除了提供靜電保護(hù)之外，還可提供可視性檢驗(yàn)中的連通和截?cái)?。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種靜電保護(hù)裝置，包括第一場(chǎng)效應(yīng)管和第二場(chǎng) 效應(yīng)管，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與其漏極、以及所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所 述靜電保護(hù)裝置的輸入端；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與其漏極、以及所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的 源極相連接，作為所述靜電保護(hù)裝置的輸出端?？蛇x的，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二場(chǎng)效應(yīng)管具有相同的開啟電壓?？蛇x的，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管具有相同的半導(dǎo)體參數(shù)?？蛇x的，所述開啟電壓大于等于所述場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓。可選的，所述開啟電壓等于所述場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓?？蛇x的，所述閾值電壓為IOV至30V中任一電壓值。可選的，所述閾值電壓為15V?？蛇x的，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管或所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比為18 6至6 6。可選的，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管或所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比為16 6。本發(fā)明還提供了一種靜電保護(hù)裝置，包括多個(gè)串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)，其中，首個(gè) 場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸入端作為所述靜電保護(hù)裝置的輸入端，每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸入端與其前一 個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸出端相連接，末個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸出端作為所述靜電保護(hù)裝置的輸出 端；每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)包括第一場(chǎng)效應(yīng)管和第二場(chǎng)效應(yīng)管，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與其漏 極、以及所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所述場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸入端，所述第二場(chǎng)效應(yīng) 管的柵極與其漏極、以及所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所述場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸出端?？蛇x的，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二場(chǎng)效應(yīng)管具有相同的開啟電壓?？蛇x的，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管具有相同的半導(dǎo)體參數(shù)?？蛇x的，所述開啟電壓大于等于所述場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓。
可選的，所述開啟電壓等于所述場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓。可選的，所述閾值電壓為IOV至30V中任一電壓值。可選的，所述閾值電壓為15V?？蛇x的，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管或所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比為18 6至6 6?？蛇x的，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管或所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比為16 6。本發(fā)明還提供了一種顯示裝置靜電保護(hù)系統(tǒng)，包括導(dǎo)線，測(cè)試總線，靜電保護(hù)裝 置，其中，所述導(dǎo)線連接用于顯示的的各像素單元以及所述測(cè)試總線；所述靜電保護(hù)裝置的 一端與所述導(dǎo)線相連接，另一端連接所述測(cè)試總線，起到靜電保護(hù)作用，并且通過向所述靜 電保護(hù)裝置施加合適的電壓，使其打開或閉合，實(shí)現(xiàn)各導(dǎo)線之間的斷開或連接。本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用上述靜電保護(hù)系統(tǒng)的可視性檢驗(yàn)測(cè)試，包括施加第一 測(cè)試電壓，使所述靜電保護(hù)裝置打開，從而使各導(dǎo)線通過所述靜電保護(hù)裝置進(jìn)行互連；通過 互連的各導(dǎo)線，對(duì)所述顯示單元內(nèi)的各像素單元進(jìn)行可視性檢驗(yàn)測(cè)試?？蛇x的，所述第一測(cè)試電壓大于所述靜電保護(hù)裝置的開啟電壓?？蛇x的，所述第一測(cè)試電壓與所述靜電保護(hù)裝置開啟電壓的差值，與所述顯示單 元的正常工作電壓相等。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的靜電保護(hù)裝置不僅可進(jìn)行有效的靜電保護(hù)，還可 通過控制所述靜電保護(hù)裝置上的電壓，實(shí)現(xiàn)其導(dǎo)通和截?cái)唷?br> 另一方面，本發(fā)明將所述靜電保護(hù)裝置應(yīng)用于可視性檢驗(yàn)測(cè)試，減少了傳統(tǒng)可視 性檢驗(yàn)中的激光燒斷工藝步驟，降低了工藝的復(fù)雜度。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)顯示裝置中靜電保護(hù)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)顯示裝置中可視性檢驗(yàn)測(cè)試的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明靜電保護(hù)裝置實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是場(chǎng)效應(yīng)管源漏極電流Ids的對(duì)數(shù)與柵源極電壓Vgs的關(guān)系示意圖；圖5是本發(fā)明靜電保護(hù)裝置另一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明靜電保護(hù)系統(tǒng)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明應(yīng)用所述靜電保護(hù)系統(tǒng)的可視性檢驗(yàn)測(cè)試方法實(shí)施方式的流程示 意圖；圖8是本發(fā)明可視性檢驗(yàn)測(cè)試方法實(shí)施例所應(yīng)用的靜電保護(hù)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施方式提供了一種靜電保護(hù)裝置，將靜電保護(hù)與可視性檢驗(yàn)測(cè)試相結(jié) 合，不僅能夠有效地進(jìn)行靜電保護(hù)，還可通過控制所述靜電保護(hù)裝置上的電壓使其導(dǎo)通和 截?cái)鄰亩鴮?shí)施可視性檢驗(yàn)測(cè)試，減少了傳統(tǒng)可視性檢驗(yàn)中的激光燒斷工藝步驟。此外，本發(fā) 明實(shí)施方式還提供了一種應(yīng)用所述靜電保護(hù)裝置的顯示裝置靜電保護(hù)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了各部件 的安全性短接，且縮短了所述顯示裝置的屏寬。參考圖3，本發(fā)明實(shí)施方式提供了一種靜電保護(hù)裝置，至少包括第一場(chǎng)效應(yīng)管 310和第二場(chǎng)效應(yīng)管320，其中，第一場(chǎng)效應(yīng)管310的柵極311與其漏極312、以及第二場(chǎng)效 應(yīng)管320的源極323相連接，作為所述靜電保護(hù)裝置的輸入端；第二場(chǎng)效應(yīng)管320的柵極 321與其漏極322、以及第一場(chǎng)效應(yīng)管310的源極313相連接，作為所述靜電保護(hù)裝置的輸出端。在所述靜電保護(hù)裝置的每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管中，其源漏極之間的電流Ids與其柵源極之 間的電壓Vgs之間存在一定的關(guān)系。以第一場(chǎng)效應(yīng)管310為例，參考圖4，源漏極之間的電 流Ids的對(duì)數(shù)與柵源極之間的電壓Vgs之間的關(guān)系如圖所示。當(dāng)柵源電壓Vgs達(dá)到開啟電壓 Vesd時(shí)，第一場(chǎng)效應(yīng)管310的溝道導(dǎo)通，源漏電流Ids明顯增大，即第一場(chǎng)效應(yīng)管310導(dǎo)通。當(dāng)靜電電荷聚集并對(duì)所述靜電保護(hù)裝置產(chǎn)生較高的靜電電壓時(shí)，具體來說，當(dāng)靜 電電壓使得第一場(chǎng)效應(yīng)管310的源極313和漏極312之間的電壓達(dá)到第一場(chǎng)效應(yīng)管310的 開啟電壓Vesd時(shí)，第一場(chǎng)效應(yīng)管310導(dǎo)通，同樣的，此時(shí)，第二場(chǎng)效應(yīng)管320導(dǎo)通。因此，所 述靜電保護(hù)裝置的輸入端和輸出端之間存在電流通路。所述靜電電荷通過所述電流通路進(jìn) 行釋放，直到所述靜電保護(hù)裝置輸入、輸出兩端的電壓獲得平衡。而當(dāng)靜電電壓未達(dá)到第一場(chǎng)效應(yīng)管310的開啟電壓Vesd時(shí)，不足以使第一場(chǎng)效應(yīng) 管310導(dǎo)通，因此，第一場(chǎng)效應(yīng)管310處于截止?fàn)顟B(tài)，同樣的，第二場(chǎng)效應(yīng)管320也處于截止 狀態(tài)。在這種情況下，所述靜電保護(hù)裝置的輸入端和輸出端之間的電流通路截止，即所述靜 電保護(hù)裝置的輸入端和輸出端之間呈斷路狀態(tài)。第一場(chǎng)效應(yīng)管310和第二場(chǎng)效應(yīng)管320可具有相同的開啟電壓Vesd，且所述場(chǎng)效應(yīng)管的開啟電壓Vesd大于等于其閾值電壓Vth。在一種具體實(shí)施例中，可使每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的所 述開啟電壓Vesd為其閾值電壓Vth，并且通過使每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管具有相同的閾值電壓Vth，從而 使每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的開啟電壓Vesd相同。例如，可將每個(gè)所述場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓設(shè)置在IOV 至30V的范圍內(nèi)一具體電壓值。在一種具體實(shí)施例中，所述場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓可設(shè)置為 15V。此外，可通過材料摻雜或采用不同的工藝手段，對(duì)所述場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓Vth進(jìn)行調(diào) 節(jié)，從而調(diào)節(jié)其開啟電壓Vesd。在一種具體實(shí)施方式
中，第一場(chǎng)效應(yīng)管310與第二場(chǎng)效應(yīng)管320可具有相同的半 導(dǎo)體參數(shù)，如寬長(zhǎng)比、摻雜濃度等，此時(shí)，第一場(chǎng)效應(yīng)管310與第二場(chǎng)效應(yīng)管320的閾值電壓 Vth相同。由于當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管處于線形區(qū)以及飽和區(qū)時(shí)，其源漏電流Ids與其溝道的寬長(zhǎng)比成 正比。因此，通過控制場(chǎng)效應(yīng)管溝道的寬長(zhǎng)比，可調(diào)節(jié)所述場(chǎng)效應(yīng)管的開啟電壓Vesd。例如， 可將每個(gè)所述場(chǎng)效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比設(shè)置為18 6至6 6中的一個(gè)具體的比值。在一種具 體實(shí)施例中，可將每個(gè)所述場(chǎng)效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比設(shè)置為16 6。上述各種實(shí)施方式中，第一場(chǎng)效應(yīng)管310與第二場(chǎng)效應(yīng)管320組成了一個(gè)場(chǎng)效應(yīng) 管對(duì)。在本發(fā)明靜電保護(hù)裝置的其它實(shí)施方式中，還可包括多個(gè)串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)；其 中，每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)包括所述第一場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二場(chǎng)效應(yīng)管，且在每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)中， 所述第一場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二場(chǎng)效應(yīng)管按照上述實(shí)施方式進(jìn)行連接，即所述第一場(chǎng)效應(yīng)管 的柵極與其漏極、以及所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所述場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸入端，所 述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與其漏極、以及所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所述場(chǎng)效應(yīng) 管對(duì)的輸出端。各個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)之間串聯(lián)連接，首個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端作為所述靜電保護(hù) 裝置的輸入端，每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸入端與其前一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸出端相連接，末個(gè)場(chǎng) 效應(yīng)管對(duì)的輸出端作為所述靜電保護(hù)裝置的輸出端。在一種具體實(shí)施例中，參考圖5，所述靜電保護(hù)裝置包括兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)，其中，第 一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)包括場(chǎng)效應(yīng)管410和場(chǎng)效應(yīng)管420，第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)包括場(chǎng)效應(yīng)管430和 場(chǎng)效應(yīng)管440。場(chǎng)效應(yīng)管410的柵極411與其漏極412、以及場(chǎng)效應(yīng)管420的源極423相連 接；場(chǎng)效應(yīng)管430的柵極431與其漏極432、以及場(chǎng)效應(yīng)管440的源極443相連接；場(chǎng)效應(yīng) 管420的柵極421及其漏極422、場(chǎng)效應(yīng)管410的源極423、場(chǎng)效應(yīng)管440的柵極441及其 漏極442以及場(chǎng)效應(yīng)管430的源極433相連接。此外，場(chǎng)效應(yīng)管410、場(chǎng)效應(yīng)管420、場(chǎng)效應(yīng) 管430和場(chǎng)效應(yīng)管440具有相同的開啟電壓Vesd。由于所述兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)串聯(lián)連接，因此只有當(dāng)施加在所述靜電保護(hù)裝置輸入端 和輸出端之間的靜電電壓達(dá)到所述開啟電壓Vesd的兩倍時(shí)，才能使場(chǎng)效應(yīng)管410、場(chǎng)效應(yīng)管 420、場(chǎng)效應(yīng)管430和場(chǎng)效應(yīng)管440都處于導(dǎo)通狀態(tài)，使所述靜電保護(hù)裝置的輸入、輸出端之 間存在釋放靜電電荷的電流通路，起到靜電保護(hù)的作用。類似的，在其它的實(shí)施方式中，通過采用多于兩個(gè)的場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)進(jìn)行串聯(lián)，以提供 所述靜電保護(hù)裝置的開啟電壓，即使所述靜電保護(hù)裝置能承受更高的靜電電壓。例如，將η 個(gè)具有相同開啟電壓Vesd的場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)串聯(lián)，可獲得開啟電壓為n*Vesd的靜電保護(hù)裝置。上述靜電保護(hù)裝置的各實(shí)施方式可應(yīng)用于電子器件的多個(gè)位置，例如對(duì)于液晶顯 示器來說，所述靜電保護(hù)裝置可安裝于測(cè)試總線與液晶顯示器外殼之間，其一端與所述測(cè) 試總線相連接，另一端連接所述液晶顯示器的外殼，釋放所積聚的靜電荷。本發(fā)明實(shí)施方式還提供了一種應(yīng)用所述靜電保護(hù)裝置的靜電保護(hù)系統(tǒng)，所述靜電保護(hù)系統(tǒng)應(yīng)用于顯示裝置中，參考圖6，至少包括導(dǎo)線520，測(cè)試總線530，靜電保護(hù)裝置 550。其中，導(dǎo)線520連接用于顯示的各像素單元以及測(cè)試總線530 ；靜電保護(hù)裝置550的 一端與導(dǎo)線520相連接，另一端連接測(cè)試總線530，起到靜電保護(hù)作用，并且通過向靜電保 護(hù)裝置550施加合適的電壓，使其打開或閉合，實(shí)現(xiàn)各導(dǎo)線520之間的斷開或連接。一并參考圖1，所述靜電保護(hù)系統(tǒng)取代了現(xiàn)有技術(shù)中用于實(shí)現(xiàn)各導(dǎo)線與各像素單 元周圍的短路環(huán)之間連接的多個(gè)縱橫設(shè)置的ESD保護(hù)電路，從而有效地縮小了框體510之 間的屏寬。所述靜電保護(hù)裝置以及所述靜電保護(hù)系統(tǒng)可應(yīng)用于可視性檢驗(yàn)測(cè)試。參考圖7，對(duì) 包含所述靜電保護(hù)系統(tǒng)的顯示裝置進(jìn)行可視性檢驗(yàn)測(cè)試的過程中，首先，步驟Si，施加第一 測(cè)試電壓，使所述顯示裝置的顯示單元和測(cè)試總線之間的靜電保護(hù)裝置打開，從而使各導(dǎo) 線通過所述靜電保護(hù)裝置進(jìn)行互連；其次，步驟S2，通過互連的各導(dǎo)線，對(duì)所述顯示單元內(nèi) 的各像素單元進(jìn)行可視性檢驗(yàn)測(cè)試。其中，所述第一測(cè)試電壓大于所述靜電保護(hù)裝置的開 啟電壓，所述第一測(cè)試電壓與所述靜電保護(hù)裝置開啟電壓的差值為進(jìn)行可視性檢驗(yàn)測(cè)試的 檢驗(yàn)測(cè)試電壓。在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，參考圖8，所述液晶顯示器包括所述靜電保護(hù)系統(tǒng)，每 條由顯示單元810引出的導(dǎo)線820通過靜電保護(hù)裝置830，連接至測(cè)試總線840。當(dāng)所述液晶顯示器進(jìn)行可視性檢驗(yàn)時(shí)，在測(cè)試板850上施加一足以使所述靜電保 護(hù)裝置830開啟的測(cè)試電壓Vtest，其中，測(cè)試電壓Vtest大于所述靜電保護(hù)裝置830的開啟電 壓Vesd。此時(shí)，通過所述靜電保護(hù)裝置830與測(cè)試總線840相連接的所有導(dǎo)線820都短接在 一起。所述測(cè)試電壓與所述開啟電壓的差值，即檢驗(yàn)測(cè)試電壓V。pl = Vtest-Vesd,施加在顯示 單元810上，用于執(zhí)行檢驗(yàn)測(cè)試。當(dāng)所述液晶顯示器進(jìn)行正常顯示時(shí)，正常工作電壓V。p2施加到顯示單元810上，并 且通過設(shè)置合適的靜電保護(hù)裝置830的開啟電壓，使所述正常工作電壓V。p2遠(yuǎn)小于所述靜 電保護(hù)裝置830的開啟電壓Vesd。也就是說，此時(shí)，正常工作電壓V。p2不會(huì)使所述靜電保護(hù) 裝置830打開，因此連接各像素單元的導(dǎo)線820不會(huì)發(fā)生互聯(lián)，所述液晶顯示器的各像素單 元彼此獨(dú)立且可以正常顯示。在具體實(shí)施例中，所述檢驗(yàn)測(cè)試電壓Vopl可與所述正常工作 電壓V。p2相等。在一個(gè)具體實(shí)施例中，所述靜電保護(hù)裝置的開啟電壓Vesd為30V，通常IC芯片所輸 出的正常工作電壓為15V。當(dāng)進(jìn)行可視性檢驗(yàn)時(shí)，在測(cè)試板上施加45V電壓，使得有15V的 檢驗(yàn)測(cè)試電壓施加于顯示單元，以供檢測(cè)。而在正常顯示時(shí)，IC芯片所提供的驅(qū)動(dòng)電壓15V 無法使所述靜電保護(hù)裝置打開，所有的導(dǎo)線彼此獨(dú)立，IC芯片可進(jìn)行正常驅(qū)動(dòng)。相較于現(xiàn)有靜電保護(hù)裝置，本發(fā)明各實(shí)施方式提供了一種靜電保護(hù)裝置，以簡(jiǎn)單 的結(jié)構(gòu)有效地起到靜電保護(hù)的作用。并且，本發(fā)明實(shí)施方式還提供了一種應(yīng)用所述靜電保 護(hù)裝置的顯示裝置靜電保護(hù)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了各部件的安全性短接，縮短了所述顯示裝置的屏 寬。此外，將所述靜電保護(hù)系統(tǒng)應(yīng)用于可視性檢驗(yàn)測(cè)試，通過控制所述靜電保護(hù)裝置上的電 壓，實(shí)現(xiàn)其導(dǎo)通和截?cái)啵瑥亩鴾p少了傳統(tǒng)可視性檢驗(yàn)中的激光燒斷工藝步驟，降低了工藝的 復(fù)雜度。雖然本發(fā)明已通過較佳實(shí)施例說明如上，但這些較佳實(shí)施例并非用以限定本發(fā) 明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對(duì)該較佳實(shí)施例做出各種改正和補(bǔ)充，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種靜電保護(hù)裝置，其特征在于，包括第一場(chǎng)效應(yīng)管和第二場(chǎng)效應(yīng)管，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與其漏極、以及所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所述靜電保護(hù)裝置的輸入端；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與其漏極、以及所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所述靜電保護(hù)裝置的輸出端。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二場(chǎng) 效應(yīng)管具有相同的開啟電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管與所述第二場(chǎng) 效應(yīng)管具有相同的半導(dǎo)體參數(shù)。
4.如權(quán)利要求2所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述開啟電壓大于等于所述場(chǎng)效 應(yīng)管的閾值電壓。
5.如權(quán)利要求4所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述開啟電壓等于所述場(chǎng)效應(yīng)管 的閾值電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述閾值電壓為IOV至30V中任一 電壓值。
7.如權(quán)利要求6所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述閾值電壓為15V。
8.如權(quán)利要求1所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管或所述第二場(chǎng) 效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比為18 6至6 6。
9.如權(quán)利要求8所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管或所述第二場(chǎng) 效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比為16 6。
10.一種靜電保護(hù)裝置，其特征在于，包括多個(gè)串聯(lián)連接的場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)，其中，首個(gè)場(chǎng)效 應(yīng)管對(duì)的輸入端作為所述靜電保護(hù)裝置的輸入端，每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸入端與其前一個(gè)場(chǎng) 效應(yīng)管對(duì)的輸出端相連接，末個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸出端作為所述靜電保護(hù)裝置的輸出端；每 個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)包括第一場(chǎng)效應(yīng)管和第二場(chǎng)效應(yīng)管，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與其漏極、以 及所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所述場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸入端，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的 柵極與其漏極、以及所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所述場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)的輸出端。
11.如權(quán)利要求10所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管和所述第二 場(chǎng)效應(yīng)管具有相同的開啟電壓。
12.如權(quán)利要求11所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管與所述第二 場(chǎng)效應(yīng)管具有相同的半導(dǎo)體參數(shù)。
13.如權(quán)利要求11所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述開啟電壓大于等于所述場(chǎng) 效應(yīng)管的閾值電壓。
14.如權(quán)利要求13所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述開啟電壓等于所述場(chǎng)效應(yīng) 管的閾值電壓。
15.如權(quán)利要求14所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述閾值電壓為IOV至30V中任一電壓值。
16.如權(quán)利要求15所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述閾值電壓為15V。
17.如權(quán)利要求10所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管或所述第二 場(chǎng)效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比為18 6至6 6。
18.如權(quán)利要求17所述的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管或所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的寬長(zhǎng)比為16 6。
19.一種應(yīng)用如權(quán)利要求1至18中任一項(xiàng)所述的靜電保護(hù)裝置的靜電保護(hù)系統(tǒng)，還包 括導(dǎo)線，測(cè)試總線，其特征在于，所述導(dǎo)線連接用于顯示的各像素單元以及所述測(cè)試總線；所述靜電保護(hù)裝置的一端與所述導(dǎo)線相連接，另一端連接所述測(cè)試總線，通過向所述 靜電保護(hù)裝置施加電壓，控制所述靜電保護(hù)裝置中所述場(chǎng)效應(yīng)管的打開或閉合，連接或斷 開各導(dǎo)線與測(cè)試總線。
20.一種應(yīng)用如權(quán)利要求19所述靜電保護(hù)系統(tǒng)的可視性檢驗(yàn)測(cè)試方法，其特征在于， 包括以下步驟施加第一測(cè)試電壓，使所述靜電保護(hù)裝置打開，從而通過所述靜電保護(hù)裝置連接各導(dǎo) 線與所述測(cè)試總線；通過所述測(cè)試總線施加測(cè)試信號(hào)到各導(dǎo)線，對(duì)所述顯示單元內(nèi)的各像素單元進(jìn)行可視 性檢驗(yàn)測(cè)試。
21.如權(quán)利要求20所述的可視性檢驗(yàn)測(cè)試，其特征在于，所述第一測(cè)試電壓大于所述 靜電保護(hù)裝置的開啟電壓。
22.如權(quán)利要求20所述的可視性檢驗(yàn)測(cè)試，其特征在于，所述第一測(cè)試電壓與所述靜 電保護(hù)裝置開啟電壓的差值，與所述顯示單元的正常工作電壓相等。
全文摘要
一種靜電保護(hù)裝置、應(yīng)用該靜電保護(hù)裝置的靜電保護(hù)系統(tǒng)以及應(yīng)用該靜電保護(hù)系統(tǒng)的可視性檢驗(yàn)測(cè)試方法，其中，所述靜電保護(hù)裝置包括第一場(chǎng)效應(yīng)管和第二場(chǎng)效應(yīng)管，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與其漏極、以及所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所述靜電保護(hù)裝置的輸入端；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與其漏極、以及所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極相連接，作為所述靜電保護(hù)裝置的輸出端。本發(fā)明將靜電保護(hù)與可視性檢驗(yàn)測(cè)試相結(jié)合，不僅能有效地實(shí)施靜電保護(hù)，還可通過控制所述靜電保護(hù)裝置上的電壓使其導(dǎo)通和截?cái)鄰亩鴮?shí)施可視性檢驗(yàn)測(cè)試，降低了工藝復(fù)雜度。
文檔編號(hào)H02H9/02GK101902038SQ20091005221
公開日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2009年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月25日
發(fā)明者羅熙曦, 荊常營(yíng), 蔣順, 馬駿 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司