專利名稱：靜電放電保護電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明關于輸入輸出接口的靜電放電保護電路，尤其指可以改善寄生雙極型晶體管的漏電現(xiàn)象的靜電放電保護電路。
背景技術：
在電路系統(tǒng)中，晶片與晶片之間的溝通通過輸出輸入接口來達成的。該輸出輸入 接口在晶片與晶片之間所傳遞的信號通常都是具有固定的形式的。也就是說，該信號的電 壓和頻率通常都是設定在一合適的范圍之內。然而，當信號在晶片與晶片之間的傳輸線上 傳輸?shù)倪^程中，由于阻抗匹配、傳輸線間的耦合以及噪聲干擾等問題，就會造成傳輸信號 的波形產生過沖(overshoot)、下沖(undershoot)或抖動(jitter)的現(xiàn)象。上述現(xiàn)象均 有可能造成該輸出輸入接口發(fā)生漏電的狀況，進而使得屬于該輸出輸入接口的晶片上的阱 (well)或襯底(substrate)的電位偏移。請同時參考圖1以及圖2。圖1所示是一習知以金屬氧化物半導體場效應晶體 管(Metal-oxide semiconductor field effect transistor, M0SFET)作為靜電保護兀 件10的高壓過程剖面圖。該高壓過程包含有P型襯底(P-substrate) 12、第一 N型阱 (N-well) 14、第二 N型阱16以及P型阱18。圖2所示是圖1的靜電保護元件10的等效保 護電路20的示意圖。靜電保護元件10用來保護連接于信號墊(pad) 22上的內部電路(未 顯示)。等效保護電路20包含有P型場效應晶體管Ml、N型場效應晶體管M2、P型寄生雙極 型結型晶體管(Parasitic Bipolar Junction Transistor)M3以及N型寄生雙極型結型晶 體管M4。從圖1可以得知，P型場效應晶體管Ml建構在第二 N型阱16上，N型場效應晶體 管M2建構在P型阱18上。另一方面，在該高壓過程中，P型襯底12、第一 N型阱14、第二 N 型阱16以及P型摻雜(doping)區(qū)162的迭接會產生P型寄生雙極型結型晶體管M3，而第 一 N型阱14、P型阱18以及N型摻雜區(qū)182的迭接會產生N型寄生雙極型結型晶體管M4。 P型襯底12經(jīng)由P型摻雜(doping)區(qū)122電性連接于第一電位VSS2，P型寄生雙極型結 型晶體管M3的發(fā)射極經(jīng)由P型摻雜區(qū)162 (也即P型場效應晶體管Ml的漏極(drain)端) 耦接于信號墊22，P型寄生雙極型結型晶體管M3的基極經(jīng)由N型摻雜區(qū)164 (也即P型場 效應晶體管Ml的基極(Bulk)端)電性連接于第二電位VCC1，而P型寄生雙極型結型晶體 管M3的集電極經(jīng)由P型摻雜區(qū)122電性連接于第一電位VSS2。另一方面，N型寄生雙極型 結型晶體管M4的發(fā)射極經(jīng)由N型摻雜區(qū)182 (也即N型場效應晶體管M2的漏極端)耦接 于信號墊22，N型寄生雙極型結型晶體管M4的基極經(jīng)由P型摻雜區(qū)184 (也即N型場效應 晶體管M2的基極端)電性連接于第三電位VSS1，而N型寄生雙極型結型晶體管M4的集電 極端經(jīng)由N型摻雜區(qū)142電性連接于第二電位VCCl。當信號墊22接收到輸入信號Sin時，若輸入信號Sin的過衡部分24超過第二電位 VCCl且過衡部分24與第二電位VCCl之間的電位差大于結型二極管的閾值電壓(Threshold voltage) Vth時，P型寄生雙極型結型晶體管M3就會被導通。當P型寄生雙極型結型晶體 管M3被導通后，由過沖部分24所造成的電流就會從P型寄生雙極型結型晶體管M3的發(fā)射極端流向集電極端。如此一來P型襯底12的第一電位VSS2就有可能被抬升，而使得第一電位VSS2失去其準確性。反之，若輸入信號Sin的下衡部分26低于第三電位VSSl且下衡 部分26與第三電位VSSl之間的電位差大于結型二極管的閾值電壓Vth時，N型寄生雙極 型結型晶體管M4就會被導通。當N型寄生雙極型結型晶體管M4被導通后，由下沖部分26 所造成的電流就會從N型寄生雙極型結型晶體管M4的集電極端流向發(fā)射極端。如此一來 第一 N型阱14的第二電位VCCl就有可能被下壓，而使得第二電位VCCl失去其準確性。同樣的，當該高壓過程被利用來實現(xiàn)以二極管作為靜電保護的元件時，其也會產 生兩個寄生的雙極型結型晶體管，如圖3所示。圖3所示是習知以二極管(DIODE)作為靜 電保護元件30的高壓過程剖面圖。相同于圖1，該高壓過程包含有P型襯底32、第一 N型 阱34、第二 N型阱36以及P型阱38。圖4所示是圖3的靜電保護元件30的等效保護電路 40的示意圖。靜電保護元件30用來保護連接于信號墊42上的內部電路(未顯示)。等效 保護電路40包含有第一二極管D1、第二二極管D2、P型寄生雙極型結型晶體管M5以及N 型寄生雙極型結型晶體管M6。從圖3可以得知，第一二極管Dl建構在第二 N型阱36上， 第二二極管D2建構在P型阱38上。同理，P型襯底32、第一 N型阱34、第二 N型阱36及P 型摻雜區(qū)362的迭接會產生P型寄生雙極型結型晶體管M5，而第一 N型阱34、P型阱38及 N型摻雜區(qū)382的迭接會產生N型寄生雙極型結型晶體管M6。P型襯底32經(jīng)由P型摻雜 區(qū)322電性連接于第一電位VSS2，P型寄生雙極型結型晶體管M5的發(fā)射極經(jīng)由P型摻雜區(qū) 362 (也即第一二極管Dl的陽極端)耦接于信號墊42，P型寄生雙極型結型晶體管M5的基 極經(jīng)由N型摻雜區(qū)364(也即第一二極管Dl的陰極端)電性連接于第二電位VCC1，而P型 寄生雙極型結型晶體管M5的集電極經(jīng)由P型摻雜區(qū)322電性連接于第一電位VSS2。另一 方面，N型寄生雙極型結型晶體管M6的發(fā)射極經(jīng)由N型摻雜區(qū)382 (也即第二二極管D2的 陰極端)耦接于信號墊42，N型寄生雙極型結型晶體管M5的基極經(jīng)由P型摻雜區(qū)384 (也 即第二二極管D2的陽極端)電性連接于第三電位VSS1，而N型寄生雙極型結型晶體管M6 的集電極端經(jīng)由N型摻雜區(qū)342電性連接于第二電位VCCl。當信號墊42接收到輸入信號Sin時，若輸入信號Sin的過衡部分44超過第二電 位VCCl且過衡部分44與第二電位VCCl之間的電位差大于結型二極管的閾值電壓Vth時， P型寄生雙極型結型晶體管M5就會被導通。當P型寄生雙極型結型晶體管M5被導通后， 由過沖部分44所造成的電流就會從P型寄生雙極型結型晶體管M5的發(fā)射極端流向集電極 端。如此一來P型襯底32的第一電位VSS2就有可能被抬升，而使得第一電位VSS2失去其 準確性。反之，若輸入信號Sin的下衡部分46低于第三電位VSSl且下衡部分46與第三電 位VSSl之間的電位差大于結型二極管的閾值電壓Vth時，N型寄生雙極型結型晶體管M6就 會被導通。當N型寄生雙極型結型晶體管M6被導通后，由下沖部分46所造成的電流就會 從N型寄生雙極型結型晶體管M6的集電極端流向發(fā)射極端。如此一來第一 N型阱34的第 二電位VCCl就有可能被下壓，而使得第二電位VCCl失去其準確性。因此，要如何減少輸出輸入接口上的靜電保護元件的漏電已成為高壓過程領域所 急需解決的問題。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的一個目的在于提供可以改善寄生雙極型晶體管的漏電現(xiàn)象的靜電放電保護電路。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，其提供一種靜電放電保護電路，該靜電放電保護電路包 含有靜電保護元件、雙極型結型晶體管以及箝制電路。該靜電保護元件耦接于第一參考電 位端與該信號墊之間，用來保護耦接于信號墊上的電路。該雙極型結型晶體管具有發(fā)射極 端耦接于該信號墊，集電極端耦接于第二參考電位端，以及基極端耦接于該第一參考電位 端，其中該雙極型結型晶體管是該靜電保護元件的寄生雙極型結型晶體管。該箝制電路耦 接于該雙極型結型晶體管，用以依據(jù)該信號墊所接收到的信號來箝制該雙極型結型晶體管 的導通程度。


圖1是一習知以金屬氧化物半導體場效應晶體管作為靜電保護元件的高壓過程 剖面圖。圖2是圖1的該靜電保護元件的等效保護電路的示意圖。圖3是一習知以二極管作為靜電保護元件的高壓過程剖面圖。圖4是圖3的該靜電保護元件的等效保護電路的示意圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明靜電放電保護電路的一個實施例示意圖。圖6是依據(jù)本發(fā)明靜電放電保護電路的另一實施例示意圖。圖7是依據(jù)本發(fā)明靜電放電保護電路的另一實施例示意圖。主要元件符號說明10、30靜電保護元件12、32P 型襯底14、34 第一 N 型阱16、36 第二 N 型阱18、38P 型阱20、40等效保護電路22、42、512、614、714 信號墊24、44、514、616、716 過沖部分26、46、5比、618、718 下沖部分122、162、184、322、362、384P 型摻雜區(qū)142,164,182,342,364,382N 型摻雜區(qū)500、600、700靜電放電保護電路502、602、702第一靜電保護元件504、604、704第一雙極型結型晶體管506箝制電路508、608、708第二靜電保護元件510、610、710第二雙極型結型晶體管606、7。6第一箝制電路612、712第二箝制電路
具體實施例方式在說明書及后續(xù)的權利要求當中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。所屬領域中 具有通常知識者應可理解，硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書 及后續(xù)的權利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差異 來作為區(qū)分的準則。在通篇說明書及后續(xù)的請求項當中所提及的“包含”為一開放式的用 語，故應解釋成“包含但不限定于”。此外，“耦接” 一詞在此包含任何直接及間接的電氣連 接手段，因此，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表該第一裝置可直接電氣連接于 該第二裝置，或者通過其他裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。
請參考圖5。圖5所示是依據(jù)本發(fā)明靜電放電保護電路500的一個實施例示意圖。 靜電放電保護電路500包含有第一靜電保護元件502、第一雙極型結型晶體管(Parasitic Bipolar Junction Transistor) 504、箝制電路506、第二靜電保護元件508以及第二雙極型 結型晶體管510。第一靜電保護元件502耦接于第一參考電位端nl與端點n2之間，用來保 護耦接于信號墊512上的電路(未顯示)。第一雙極型結型晶體管504具有發(fā)射極端耦接 于端點π2，基極端耦接于該第一參考電位端π2，以及集電極端耦接于第二參考電位端η3。 箝制電路506包含有第一端點電性連接于端點π2以及第二端點電性連接于信號墊512，以 依據(jù)信號墊512接收到信號Si來箝制第一雙極型結型晶體管504的導通程度。第二靜電 保護元件508耦接于第三參考電位端η4與信號墊512之間，用來保護耦接于信號墊512上 的電路。第二雙極型結型晶體管510具有發(fā)射極端耦接于信號墊512，基極端耦接于第二參 考電位端n3，以及集電極端耦接于第一參考電位端nl。請注意，在本實施例中，第一靜電保護元件502是以一高壓過程制作的P型場效 應晶體管，其柵極端、源極端以及基極端耦接于第一參考電位端nl，而其漏極端耦接于端點 n2 ；第二靜電保護元件508是以該高壓過程制作的N型場效應晶體管，其柵極端、源極端以 及基極端耦接于第三參考電位端n4，而其漏極端耦接于信號墊512。因此，第一雙極型結型 晶體管504是以該高壓過程制作該P型場效應晶體管時所形成的寄生雙極型結型晶體管， 而第二雙極型結型晶體管510是以該高壓過程制作該N型場效應晶體管時所形成的寄生雙 極型結型晶體管。另一方面，當靜電放電保護電路500處于正常操作模式時，第一參考電位 端nl電性連接于第一參考電位Vccl，第二參考電位端n3電性連接于第二參考電位Vss2， 而第三參考電位端n4電性連接于第三參考電位Vssl。在本實施例中，靜電放電保護電路 500可以用圖2所示的習知高壓過程來實施。在本實施例中，箝制電路506以電阻元件來實施，然其并不作為本發(fā)明的限制所 在。因此，當信號墊512接收到具有過沖現(xiàn)象(也即過沖部分514)和下沖現(xiàn)象(也即下沖 部分516)的信號Si時，且過沖部分514的電位比第一參考電位Vccl來得高時，耦接于第 一靜電保護元件502與信號墊512之間的箝制電路506就會在第一靜電保護元件502與信 號墊512之間提供一電壓降。如此一來，第一雙極型結型晶體管504的發(fā)射極端(也即端 點n2)和基極端(也即端點nl)之間的電位差就會因為該電壓降而減小，進而減小第一雙 極型結型晶體管504的導通程度，或甚至不導通第一雙極型結型晶體管504。由此可以得 知，箝制電路506會減少或完全阻止從信號墊512流至第二參考電位端π3的電流，進而提 高第二參考電位Vss2的準確度。請注意，本發(fā)明并不限定箝制電路506耦接于第一靜電保護元件502與信號墊512之間。在本發(fā)明的另一實施例中，箝制電路506耦接于第二靜電保護元件508與信號墊512 之間，以于下沖部分516的電位比第三參考電位Vssl來得低時減小第二雙極型結型晶體管 510的導通程度，或甚至不導通第二雙極型結型晶體管510，進而提高第一參考電位Vccl的 準確度。另一方面，本實施例也不限定以P型場效應晶體管和N型場效應晶體管來分別實 施第一靜電保護元件502以及第二靜電保護元件508。在本發(fā)明的另一實施例中，第一靜電 保護元件502以及第二靜電保護元件508均是以二極管(Diode)來實施，如圖4所示，而熟 悉此項技術者在閱讀完圖5所揭露的技術特征后，應可輕易了解其操作特征，故在此不另 贅述。請參考圖6。圖6所示是依據(jù)本發(fā)明靜電放電保護電路600的另一實施例示意圖。 靜電放電保護電路600包含有第一靜電保護元件602、第一雙極型結型晶體管604、第一箝 制電路606、第二靜電保護元件608、第二雙極型結型晶體管610以及第二箝制電路612。第 一靜電保護元件602耦接于第一參考電位端nl’與端點η2’之間，用來保護耦接于信號墊 614上的電路(未顯示)。第一雙極型結型晶體管604具有發(fā)射極端耦接于端點n2’，基極 端耦接于端點η3’，以及集電極端耦接于第二參考電位端π4’。第一箝制電路606包含有第 一端點電性連接于端點η3’以及第二端點電性連接于第一參考電位端nl’，以依據(jù)信號墊 614接收到的信號Si’來箝制第一雙極型結型晶體管604的導通程度。第二靜電保護元件 608耦接于第三參考電位端η5’與端點η2’之間，用來保護耦接于信號墊614上的電路。第 二雙極型結型晶體管610具有發(fā)射極端耦接于端點n2’，基極端耦接于端點n6’，以及集電 極端耦接于端點η3’。第二箝制電路612包含有第一端點電性連接于端點η6’以及第二端 點電性連接于第三參考電位端η5’，以依據(jù)信號墊614接收到的信號Si’來箝制第二雙極型 結型晶體管610的導通程度。請注意，在本實施例中，第一靜電保護元件602是以高壓過程制作的P型場效應晶 體管，其柵極端以及源極端耦接于第一參考電位端nl’，其基極端耦接于端點π3’，而其漏 極端耦接于端點η2’ ；第二靜電保護元件608是以該高壓過程制作的N型場效應晶體管，其 柵極端以及源極端耦接于第三參考電位端η5’，其基極端耦接于端點η6’，而其漏極端耦接 于端點π2’。因此，第一雙極型結型晶體管604是以該高壓過程制作該P型場效應晶體管 時所形成的寄生雙極型結型晶體管，而第二雙極型結型晶體管610是以該高壓過程制作該 N型場效應晶體管時所形成的寄生雙極型結型晶體管。另一方面，當靜電放電保護電路600 處于正常操作模式時，第一參考電位端nl’電性連接于第一參考電位Vccl’，第二參考電位 端n4’電性連接于第二參考電位Vss2’，而第三參考電位端n5’電性連接于第三參考電位 Vssl’。在本實施例中，靜電放電保護電路600可以用圖2所示的習知高壓過程來實施。在本實施例中，第一箝制電路606和第二箝制電路612均是以電阻元件來實施，然 其并不作為本發(fā)明的限制所在。因此，當信號墊614接收到具有過沖現(xiàn)象(也即過沖部分 616)和下沖現(xiàn)象(也即下沖部分618)的信號Si’時，且過沖部分616的電位比第一參考電 位Vccl’來得高時，耦接于第一參考電位端nl’與端點n3’之間的箝制電路606就會在第一 參考電位端nl’與端點π3’之間提供一電壓降。如此一來，第一雙極型結型晶體管604的發(fā) 射極端(也即端點π2’ )和基極端(也即端點π3’ )之間的電位差就會因為該電壓降而減 小，進而減小第一雙極型結型晶體管604的基極電流，或甚至將第一雙極型結型晶體管604 的基極電流減少為零。因此，箝制電路606會減少或完全阻止從信號墊614流至第二參考電位端n4’的電流，進而提高第二參考電位Vss2’的準確度。另一方面，當信號Si’的下沖部分618的電位比第三參考電位Vssl’來得低時，耦 接于第三參考電位端n5’與端點n6’之間的箝制電路612就會在第三參考電位端η5’與端 點π6’之間提供一電壓降。如此一來，第二雙極型結型晶體管610的發(fā)射極端(也即端點 η2')和基極端(也即端點π6’ )之間的電位差就會因為該電壓降而減小，進而減小第二雙 極型結型晶體管610的基極電流，或甚至將第二雙極型結型晶體管610的基極電流減少為 零。因此，箝制電路610會減少或完全阻止從第一參考電位端ηΓ流至信號墊614的電流， 進而提高第一參考電位Vcc2’的準確度。同樣地，本實施例也不限定以P型場效應晶體管和N型場效應晶體管來分別實施 第一靜電保護元件602以及第二靜電保護元件608。在本發(fā)明的另一實施例中，第一靜電保 護元件602以及第二靜電保護元件608均是以二極管(Diode)來實施，如圖4所示，而熟悉 此項技術者在閱讀完圖6所揭露的技術特征后，應可輕易了解其操作特征，故在此不另贅 述。請參考圖7。圖7所示是依據(jù)本發(fā)明靜電放電保護電路700的另一實施例示意圖。 靜電放電保護電路700包含有第一靜電保護元件702、第一雙極型結型晶體管704、第一箝 制電路706、第二靜電保護元件708、第二雙極型結型晶體管710以及第二箝制電路712。第 一靜電保護元件702耦接于第一參考電位端nl”與端點n2”之間，用來保護耦接于信號墊 714上的電路(未顯示)。第一雙極型結型晶體管704具有發(fā)射極端耦接于端點π2”，基極 端耦接于第一參考電位端nl”，以及集電極端耦接于第二參考電位端n3”。第一箝制電路 706包含有第一端點電性連接于端點π2”以及第二端點電性連接于第一參考電位端nl”，以 依據(jù)信號墊714接收到的信號Si”來箝制第一雙極型結型晶體管704的導通程度。第二靜 電保護元件708耦接于第三參考電位端n4”與端點η2”之間，用來保護耦接于信號墊714 上的電路。第二雙極型結型晶體管710具有發(fā)射極端耦接于端點π2”，基極端耦接于第三 參考電位端η4”，以及集電極端耦接于第一參考電位端nl”。第二箝制電路712包含有第一 端點電性連接于端點n2”以及第二端點電性連接于第三參考電位端n4”，以依據(jù)信號墊714 接收到的信號Si”來箝制第二雙極型結型晶體管710的導通程度。請注意，在本實施例中，第一靜電保護元件702是以高壓過程制作的P型場效應 晶體管，其柵極端、基極端以及源極端耦接于第一參考電位端nl”，而其漏極端耦接于端點 n2”;第二靜電保護元件708是以該高壓過程制作的N型場效應晶體管，其柵極端、基極端以 及源極端耦接于第三參考電位端η4”，而其漏極端耦接于端點n2’。因此，第一雙極型結型 晶體管704是以該高壓過程制作該P型場效應晶體管時所形成的寄生雙極型結型晶體管， 而第二雙極型結型晶體管710是以該高壓過程制作該N型場效應晶體管時所形成的寄生雙 極型結型晶體管。另一方面，當靜電放電保護電路700處于正常操作模式時，第一參考電 位端nl”電性連接于第一參考電位Vccl”，第二參考電位端n3”電性連接于第二參考電位 Vss2”，而第三參考電位端n4”電性連接于第三參考電位Vssl”。在本實施例中，靜電放電保 護電路700可以用圖2所示的習知高壓過程來實施。在本實施例中，第一箝制電路706和第二箝制電路712以肖特基二極管(Schottky diode)DlD2”來實施，其中肖特基二極管D1”的陽極電性連接于端點π2”，而陰極電性連 接于第一參考電位端nl”，肖特基二極管D2”的陽極電性連接于第三參考電位端π4”，而陰極電性連接于端點n2”。因此，當信號墊714接收到具有過沖現(xiàn)象(也即過沖部分716)和下 沖現(xiàn)象(也即下沖部分718)的信號Si”時，且過沖部分716的電位比第一參考電位Vccl” 來得高時，耦接于第一參考電位端nl”與端點n2”之間的肖特基二極管D1”會先導通，而在 第一參考電位端nl”與端點π2”之間提供一電壓降，而該電壓降小于結型二極管的閾值電 壓(Threshold voltage) Vth0如此一來，第一雙極型結型晶體管704的發(fā)射極端(也即端 點n2”)和基極端(也即第一參考電位端nl”)之間的電位差就會小于閾值電壓Vth而無 法導通。因此，箝制電路706會減少或完全阻止從信號墊714流至第二參考電位端π3”的 電流，進而提高第二參考電位Vss2”的準確度。另一方面，當信號Si”的下沖部分718的電位比第三參考電位Vss l”來得低時，耦 接于第三參考電位端n4”與端點π2”之間的肖特基二極管D2”會先導通，而在第三參考電 位端n4”與端點π2”之間提供一電壓降，而該電壓降小于結型二極管的閾值電壓Vth。如此 一來，第二雙極型結型晶體管710的發(fā)射極端(也即端點n2”)和基極端(也即第三參考電 位端η4”)之間的電位差就會小于閾值電壓Vth而無法導通。因此，箝制電路712會減少或 完全阻止從第一參考電位端nl”流至信號墊714的電流，進而提高第一參考電位Vccl”的 準確度。同樣地，本實施例也不限定以P型場效應晶體管和N型場效應晶體管來分別實施 第一靜電保護元件702以及第二靜電保護元件708。在本發(fā)明的另一實施例中，第一靜電保 護元件702以及第二靜電保護元件708均是以二極管(Diode)來實施，如圖4所示，而熟悉 此項技術者在閱讀完圖7所揭露的技術特征后，應可輕易了解其操作特征，故在此不另贅 述。請注意，雖然上述實施例靜電放電保護電路500、600、700均是以高壓過程來敘 述，然而高壓過程并不作為本發(fā)明的限制所在，利用高壓過程僅是為了方便說明而已。此 夕卜，本發(fā)明的靜電保護電路并不限定為場效應晶體管或二極管，任何靜電保護元件的結構 足以形成寄生雙極型均為本發(fā)明的范疇所在。換句話說，本發(fā)明所揭露的技術特征是適用 于任何半導體過程所制作的靜電放電保護電路。綜上所述，利用本發(fā)明所揭露的箝制電路可以有效地減少或消除靜電放電保護電 路內所寄生的雙極型結型晶體管的漏電電流，進而改善連接于該靜電放電保護電路上的參 考電壓的準確度。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權利要求所做的均等變化與修 飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權利要求
一種靜電放電保護電路，包含有靜電保護元件，耦接于第一參考電位端與該信號墊之間，用來保護耦接于信號墊上的電路；雙極型結型晶體管，具有發(fā)射極端耦接于該信號墊，集電極端耦接于第二參考電位端，以及基極端耦接于該第一參考電位端，其中該雙極型結型晶體管是該靜電保護元件的寄生雙極型結型晶體管；以及箝制電路，耦接于該雙極型結型晶體管，用以依據(jù)該信號墊所接收到的信號來箝制該雙極型結型晶體管的導通程度。
2.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，該箝制電路電性連接于該雙極型結型晶體 管的該發(fā)射極端與該信號墊之間。
3.如權利要求2所述的靜電放電保護電路，其中該箝制電路包含有電阻元件。
4.如權利要求2所述的靜電放電保護電路，其中當該信號墊接收到該信號時，該箝制 電路會依據(jù)該信號來產生一電壓降，以減少流經(jīng)該雙極型結型晶體管的該發(fā)射極端的電 流。
5.如權利要求4所述的靜電放電保護電路，其中該信號并非是靜電放電信號。
6.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其中該箝制電路電性連接于該雙極型結型 晶體管的該基極端與該第一參考電位端之間。
7.如權利要求6所述的靜電放電保護電路，其中該箝制電路包含有電阻元件。
8.如權利要求6所述的靜電放電保護電路，其中當該信號墊接收到該信號時，該箝制 電路會依據(jù)該信號來產生一電壓降，以減少流經(jīng)該雙極型結型晶體管的該基極端的電流。
9.如權利要求8所述的靜電放電保護電路，其中該信號并非是靜電放電信號。
10.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其中該箝制電路電性連接于該雙極型結 型晶體管的該基極端與該發(fā)射極端之間。
11.如權利要求10所述的靜電放電保護電路，其中該箝制電路包含有肖特基二極管， 該肖特基二極管的正極電性連接于該雙極型結型晶體管的該發(fā)射極，以及該肖特基二極管 的負極電性連接于該雙極型結型晶體管的該基極。
12.如權利要求10所述的靜電放電保護電路，其中當該信號墊接收到該信號時，該箝 制電路會依據(jù)該信號來產生一電壓降，以阻止導通該雙極型結型晶體管。
13.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其中該靜電保護元件是場效應晶體管。
14.如權利要求1所述的靜電放電保護電路，其中該靜電保護元件是二極管。
全文摘要
一種靜電放電保護電路，包含有靜電保護元件耦接于第一參考電位端與該信號墊之間，用來保護耦接于信號墊上的電路；雙極型結型晶體管具有發(fā)射極端耦接于該信號墊，集電極端耦接于第二參考電位端，以及基極端耦接于該第一參考電位端，其中該雙極型結型晶體管是該靜電保護元件的寄生雙極型結型晶體管；以及箝制電路耦接于該雙極型結型晶體管，用以依據(jù)該信號墊所接收到的信號來箝制該雙極型結型晶體管的導通程度。
文檔編號H02H9/00GK101820169SQ20091000678
公開日2010年9月1日 申請日期2009年2月27日 優(yōu)先權日2009年2月27日
發(fā)明者余錦旗, 呂育倫, 謝長志, 陳筱玲 申請人:奕力科技股份有限公司