專利名稱：一種沖擊電壓發(fā)生器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及沖擊電壓發(fā)生器，特別是一種適用于戶內(nèi)的沖擊電壓發(fā)生器。
背景技術(shù)：
電力系統(tǒng)中的電氣設(shè)備在運行過程中受外界環(huán)境的影響，可能會遭受雷電電壓 或操作過電壓的作用。這些過電壓均屬于沖擊電壓，都有可能對電氣設(shè)備帶來危害。 因此，在電氣設(shè)備投入使用之前,都要先經(jīng)過沖擊電壓試驗來檢驗其在雷電壓和操 作過電壓作用下的絕緣特性或保護性能。沖擊電壓發(fā)生器就是被用于產(chǎn)生在試驗中 模擬過電壓的全波或截波。
沖擊電壓發(fā)生器主要用于對試驗電力設(shè)備進行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電 壓截波、操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗，以此來檢驗設(shè)備的絕緣性能。 一般沖擊 電壓發(fā)生器的本體電容遠大于被試品的電容，只需波頭、波尾電阻就可調(diào)得所需波 形。但如采用傳統(tǒng)的沖擊電壓發(fā)生器結(jié)構(gòu)，則裝置整體級數(shù)多而導致高度過高，不 便于移動， 一般的戶內(nèi)環(huán)境難以滿足其要求。 發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題，本實用新型的目的是提供一種H型塔式結(jié)構(gòu)、設(shè)備級數(shù)少并且 方便移動的適用于戶內(nèi)的沖擊電壓發(fā)生器。
為實現(xiàn)上述目的，本實用新型釆取以下技術(shù)方案 一種沖擊電壓發(fā)生器，其第 一級包括一體式充電高壓變壓器、兩充電保護電阻、兩主電容器、 一放電球、 一波 前電阻和一半峰值電阻，其特征在于所述沖擊電壓發(fā)生器的一級由四只法蘭構(gòu)成 的剛體支架平行外掛兩只電容器組成雙邊對稱式H型四柱方形； 一體式充電變壓器 安裝在所述電壓發(fā)生器的底座上；充電保護電阻同高壓整流硅堆串聯(lián)；兩主電容對 稱的安裝在主支架兩側(cè)，放電球兩端分別接在兩主電容上，置于兩主電容和兩充電 保護電阻之間的絕緣大筒內(nèi)；脈沖電壓放大器一端接地，另一端通過電容和分壓電 阻接入放電球中；波前電阻和半峰值電阻在支架內(nèi)串聯(lián)后接地，兩主電容分別接在 半峰值電阻的兩端；所述沖擊電壓發(fā)生器的各級逐級并聯(lián)疊接，組合成塔式結(jié)構(gòu)。
所述放電球在整個設(shè)備中的位置盡量靠近波前電阻和半峰值電阻。
所述沖擊電壓發(fā)生器在頂端裝有電場均壓用屏蔽罩。
所述沖擊電壓發(fā)生器底部裝有氣墊。
所述一體式充電高壓變壓器內(nèi)含兩高壓整流硅堆以及兩自動接地開關(guān)，且自動接地開關(guān)與高壓整流硅堆并聯(lián)。
本實用新型由于采取以上技術(shù)方案，其具有以下優(yōu)點1、本實用新型由于采 用H型結(jié)構(gòu)雙邊對稱式充電方式，提高了每級充電電壓，減少設(shè)備級數(shù)，從而大 大降低了設(shè)備高度使之可以適用于戶內(nèi)環(huán)境。2、本實用新型由于減少了設(shè)備級數(shù)， 加快了充電速度，使充電均勻性提高；同時也由于減少了放電球的數(shù)量，使得設(shè)備 同步性相應提高。3、本實用新型由于安裝了氣墊移動系統(tǒng)，使設(shè)備便于移動，為 用戶帶來極大便利。4、本實用新型由于采用可拆裝的組合塔式結(jié)構(gòu)，使得整體結(jié) 構(gòu)穩(wěn)定，便于器件的安裝和維護。

圖1是本實用新型第一級電氣原理圖 圖2是本實用新型的多級本體電氣原理圖具體實施方式
下面結(jié)合實施例，對本實用新型的原理和結(jié)構(gòu)進行描述。
如圖1所示，本實用新型的適用于戶內(nèi)的沖擊電壓發(fā)生器第一級由一體式充電 高壓變壓器T (內(nèi)含兩高壓整流硅堆D、兩自動接地開關(guān)S!和S2，且自動接地開 關(guān)Si、 S2并聯(lián)高壓整流硅堆D)、 一脈沖電壓放大器Tr、兩充電保護電阻R山和 Rd2、 一直流電阻分壓器Rm、、兩主電容器Q和C2、 一放電球Sp、 一波前電阻 Rf、兩半峰值電阻Rt、 一放電間隙Pf等部分組成。設(shè)備自底而上，帶有整流裝置 的一體式充電變壓器T安裝在底座上，充電保護電阻R山和Rd2分別串聯(lián)內(nèi)部高壓 整流硅堆D;主電容器Q和C2對稱的安裝在主支架兩側(cè)，主電容器d、 C2通過 半峰值電阻Rt輸出高壓；半峰值電阻Rt與放電間隙Pf串聯(lián)后與另一半峰值電阻 Rt并聯(lián)；主電容器Q與充電保護電阻Rdi中點接放電球Sp—端，主電容器Q與 充電保護電阻Rd2中點接放電球Sp另一端；放電球Sp置于主電容器d和C2、充 電保護電阻Rdi和Rd2之間的絕緣大筒內(nèi)，在整個設(shè)備中的位置盡量靠近波前電阻 Rf和半峰值電阻Rt，如此可使放電回路的電感大大減少；脈沖電壓放大器Tr一端 接地，另一端通過電容和分壓電阻接入放電球Sp中；波前電阻Rf和半峰值電阻 Rt在支架內(nèi)串聯(lián)后Rf接地，且主電容器Ci和C2分別接半峰值電阻Rt的兩端；兩 直流電阻分壓器Rm分別同充電保護電阻R山和Rd2并聯(lián)；經(jīng)Rm分壓后的電壓信 號+U和-U輸出至控制臺。
如圖2所示，本實用新型所提供的適用于戶內(nèi)的沖擊電壓發(fā)生器采用多級的H 型塔式結(jié)構(gòu)。其中每級由四只法蘭構(gòu)成的剛體支架平行外掛兩只電容器，構(gòu)成雙邊 對稱式H型四柱方形，之后各級逐級疊接并聯(lián)，組合成一體式的塔式結(jié)構(gòu)。
4本實用新型的工作原理是: 一體式充電高壓變壓器T通過內(nèi)部高壓整流硅堆D 輸出電壓，經(jīng)過兩端的保護電阻R山和Rd2后同時對主容器d和C2進行正負對稱 的充電。放電球Sp用于消耗輸入電容器的多余能量。各級電容器逐級并聯(lián)疊加， 先是并聯(lián)充電，之后串聯(lián)放電，形成脈沖高電壓輸出。通過各級的波前電阻Rf和 半峰值電阻Rt對波頭和波尾的調(diào)整來達到各種波形要求。本實用新型采用雙邊對 稱的每級300KV的充電方式，在國內(nèi)戶內(nèi)沖擊是首次應用。由于該設(shè)備提高了級 充電電壓，使得設(shè)備級數(shù)減少為20級，這對整套設(shè)備整體性能的優(yōu)化起到關(guān)鍵性 作用。
本實用新型還在頂端裝有電場均壓用屏蔽罩，設(shè)備底部裝有6只氣墊，以便于 對其進行移動。
權(quán)利要求1、一種沖擊電壓發(fā)生器，其第一級包括一體式充電高壓變壓器、兩充電保護電阻、兩主電容器、一放電球、一波前電阻和一半峰值電阻，其特征在于所述沖擊電壓發(fā)生器的一級由四只法蘭構(gòu)成的剛體支架平行外掛兩只電容器組成雙邊對稱式H型四柱方形；一體式充電變壓器安裝在所述電壓發(fā)生器的底座上；充電保護電阻同高壓整流硅堆串聯(lián)；兩主電容對稱的安裝在主支架兩側(cè)，放電球兩端分別接在兩主電容上，置于兩主電容和兩充電保護電阻之間的絕緣大筒內(nèi)；脈沖電壓放大器一端接地，另一端通過電容和分壓電阻接入放電球中；波前電阻和半峰值電阻在支架內(nèi)串聯(lián)后接地，兩主電容分別接在半峰值電阻的兩端；所述沖擊電壓發(fā)生器的各級逐級并聯(lián)疊接，組合成塔式結(jié)構(gòu)。
2、 權(quán)利要求1所述的一種沖擊電壓發(fā)生器，其特征在于所述放電球在整個 設(shè)備中的位置盡量靠近波前電阻和半峰值電阻。
3、 如權(quán)利要求1所述的一種沖擊電壓發(fā)生器，其特征在于所述沖擊電壓發(fā) 生器在頂端裝有電場均壓用屏蔽罩。
4、 如權(quán)利要求2所述的一種沖擊電壓發(fā)生器，其特征在于所述沖擊電壓發(fā) 生器在頂端裝有電場均壓用屏蔽罩。
5、 如權(quán)利要求1或2或3或4所述的一種沖擊電壓發(fā)生器，其特征在于所 述沖擊電壓發(fā)生器底部裝有氣墊。
6、 如權(quán)利要求1或2或3或4所述的一種沖擊電壓發(fā)生器，其特征在于所述一體式充電高壓變壓器內(nèi)含兩高壓整流硅堆以及兩自動接地開關(guān)，且自動接地開 關(guān)與高壓整流硅堆并聯(lián)。
7、 如權(quán)利要求5所述的一種沖擊電壓發(fā)生器，其特征在于所述一體式充電高壓變壓器內(nèi)含兩高壓整流硅堆以及兩自動接地開關(guān)，且自動接地開關(guān)與高壓整流 硅堆并聯(lián)。
專利摘要本實用新型涉及一種沖擊電壓發(fā)生器，其第一級包括一體式充電高壓變壓器、兩高壓整流硅堆、兩充電保護電阻、兩主電容器、一放電球、一波前電阻和一半峰值電阻，其特征在于所述沖擊電壓發(fā)生器的一級由四只法蘭構(gòu)成的剛體支架平行外掛兩只電容器構(gòu)成雙邊對稱式H型四柱方形；一體式充電變壓器安裝在所述電壓發(fā)生器的底座上；充電保護電阻同高壓整流硅堆串聯(lián)；兩主電容對稱的安裝在主支架兩側(cè)，放電球兩端分別接在兩主電容上，且置于兩主電容和兩充電保護電阻之間的絕緣大筒內(nèi)；脈沖電壓放大器一端接地，另一端通過電容和分壓電阻接入放電球中；波前電阻和半峰值電阻在支架內(nèi)串聯(lián)后接地，兩主電容分別接在半峰值電阻的兩端；所述沖擊電壓發(fā)生器的各級逐級并聯(lián)疊接，組合成塔式結(jié)構(gòu)。
文檔編號H02M9/00GK201238269SQ20082007927
公開日2009年5月13日 申請日期2008年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月10日
發(fā)明者劉有為, 夏宗魏, 麟 孫, 宋娥眉, 廖蔚明, 博 李, 李慶峰, 禹 殷, 艷 毛 申請人:中國電力科學研究院;北京華天機電研究所有限公司