專利名稱：高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種驅(qū)動(dòng)電路，且特別是一種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器。
背景技術(shù)：
隨著科技的日新月異，電子產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)廣泛地運(yùn)用在人們的 日常生活中，像是電源供應(yīng)器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等等?，F(xiàn)今而言，許多功率轉(zhuǎn)換器采用高壓側(cè)驅(qū) 動(dòng)器來控制耦接到負(fù)載的電壓源。 請(qǐng)參照?qǐng)Dl，其是一種現(xiàn)有的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器的等效電路圖。圖1中，高壓側(cè)晶體管 10耦接低壓側(cè)晶體管20。當(dāng)高壓側(cè)晶體管10截止，且低壓側(cè)晶體管20導(dǎo)通時(shí)，電容30可 進(jìn)行充電。然而，高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高壓應(yīng)用中，由于切換所造成的損耗，造成能源的浪費(fèi)。
基于上述原因，需要一種新的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，適用于高壓應(yīng)用而且不會(huì)造成能 源的浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的要解決的技術(shù)問題是提供一種新的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，其可有效地降低漏 電流，不會(huì)造成能源的浪費(fèi)。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，包含靴帶
電容器、P通道金屬氧化物半導(dǎo)體、N通道金屬氧化物半導(dǎo)體以及非重迭電路。靴帶電容器
具有正端與負(fù)端，其中正端耦接電壓源，負(fù)端耦接高壓側(cè)晶體管的源極及低壓側(cè)晶體管的
漏極。P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的源極耦接靴帶電容器，P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦
接高壓側(cè)晶體管的柵極。N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的
漏極，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的源極耦接高壓側(cè)晶體管的源極。非重迭電路，包含輸入端、
第一輸出端以及第二輸出端。輸入端可接收訊號(hào)。第一輸出端可根據(jù)訊號(hào)，輸出一第一驅(qū)
動(dòng)訊號(hào)至P信道金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極，其中第一輸出端于一第一時(shí)間，輸出第一驅(qū)動(dòng)
訊號(hào)的前緣；且第一輸出端于一第二時(shí)間，輸出第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣。第二輸出端可根據(jù)訊
號(hào)，輸出一第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至N信道金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極，其中第二輸出端于一第三時(shí)
間，輸出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且第二輸出端于一第四時(shí)間，輸出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣。其
中第一時(shí)間與第三時(shí)間相差一第一時(shí)間差第二時(shí)間與第四時(shí)間相差一第二時(shí)間差。 由于P通道金屬氧化物半導(dǎo)體與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體非同時(shí)切換導(dǎo)通/截止
狀態(tài)，使得P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極的間的漏電
流相當(dāng)微小，而不會(huì)造能源的浪費(fèi)。 依照本發(fā)明另一實(shí)施例，一種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，包含靴帶電容器、P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體、N通道金屬氧化物半導(dǎo)體以及非重迭電路。靴帶電容器具有正端與負(fù)端，其中正 端耦接一電壓源，負(fù)端耦接高壓側(cè)晶體管的源極及低壓側(cè)晶體管的漏極。P通道金屬氧化物 半導(dǎo)體的源極耦接靴帶電容器，P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦接高壓側(cè)晶體管的柵極。 N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的源極耦接高壓側(cè)晶體管的一源極。非重迭電路，包含輸入端、重設(shè)端、第一輸出端以 及第二輸出端。輸入端可接收第一脈沖訊號(hào)。重設(shè)端可接收第二脈沖訊號(hào)。第一輸出端可 根據(jù)第一脈沖訊號(hào)與第二脈沖訊號(hào)，輸出一第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至P信道金屬氧化物半導(dǎo)體的柵 極，其中第一輸出端根據(jù)第一脈沖訊號(hào)于一第一時(shí)間，輸出第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且第一輸 出端根據(jù)第二脈沖訊號(hào)于一第二時(shí)間，輸出第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣。第二輸出端可根據(jù)第一 脈沖訊號(hào)與第二脈沖訊號(hào)，輸出一第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至N信道金屬氧化物半導(dǎo)體的柵極，其中
第二輸出端根據(jù)第一脈沖訊號(hào)于一第三時(shí)間，輸出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且第二輸出端根 據(jù)第二脈沖訊號(hào)于一第四時(shí)間，輸出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣。其中第一時(shí)間與第三時(shí)間相差 一第一時(shí)間差第二時(shí)間與第四時(shí)間相差一第二時(shí)間差。 由于P通道金屬氧化物半導(dǎo)體與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體非同時(shí)切換導(dǎo)通/截止 狀態(tài)，使得P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極的間的漏電 流相當(dāng)微小，而不會(huì)造能源的浪費(fèi)。 本發(fā)明的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。本發(fā)明的技術(shù)方
案可達(dá)到相當(dāng)?shù)膭?chuàng)造性及實(shí)用性，并具有產(chǎn)業(yè)上的廣泛利用價(jià)值，其具有省電的優(yōu)點(diǎn)。 綜上所述，本發(fā)明的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，具有省電的特點(diǎn)，并且可將所述高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)
電路運(yùn)用在適合的技術(shù)環(huán)節(jié)。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)
步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果。 以下將以實(shí)施例對(duì)上述的說明以及接下來的實(shí)施方式做詳細(xì)的描述，并對(duì)本發(fā)明 提供更進(jìn)一步的解釋。


圖1是一種現(xiàn)有的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器的等效電路圖2A是依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器的等效電路圖2B是圖2A高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器的時(shí)序圖3是依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種非重迭電路的等效電路圖4A是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的一種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器的等效電路圖
圖4B是圖4A的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路400的時(shí)序圖。
10 :高壓側(cè)晶體管
30 :電容 210 :二極管
230 :P通道金屬氧化物半導(dǎo)體 250 :非重迭電路
252 :第二輸出端 280 :低壓側(cè)晶體管 VB :電壓源 SIN :輸入端
20 :低壓側(cè)晶體管 200 :高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路 220 :靴帶電容器
240 :N通道金屬氧化物半導(dǎo)體
251 :第一輸出端 270 :高壓側(cè)晶體管 400 :高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路 RIN :重設(shè)端
具體實(shí)施例方式
為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，可參照下列的圖示及各種實(shí)施例，圖式中相同的號(hào)碼代表相同或相似的組件。另一方面，眾所周知的組件并未描述于實(shí)施例中，以避 免造成本發(fā)明不必要的限制。 請(qǐng)參照?qǐng)D2A，是依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖2A 中，高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路(high side driver) 200可包含靴帶電容器220、 P通道金屬氧化物半 導(dǎo)體230、 N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240以及非重迭電路(non-overl即circuit) 250。靴 帶電容器220的兩端可分為正端與負(fù)端，其中靴帶電容器220的正端耦接P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體230的源極，靴帶電容器220的負(fù)端耦接高壓側(cè)晶體管270的源極及低壓側(cè)晶體 管280的漏極。P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230具有源極、漏極與柵極，其中P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體230的源極耦接二極管210的陰極，且P信道金屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極耦接 高壓側(cè)晶體管270的柵極。N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240具有源極、漏極與柵極，其中N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極，且N通道金屬 氧化物半導(dǎo)體240的源極耦接高壓側(cè)晶體管270的源極。非重迭電路250包含輸入端SIN、 第一輸出端251與第二輸出端252，其中第一輸出端251耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230 的柵極，第二輸出端252耦接N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的柵極。 另外，高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路200還可選擇性地配置二極管210，其中二極管210具有陽 極與陰極，其中二極管210的陽極耦接電壓源VB。于其它實(shí)施例中，高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路200可 移除二極管210，亦即電壓源VB不透過二極管210耦接至靴帶電容器220。
請(qǐng)同時(shí)參照第2A-2B圖，其中圖2B是圖2A的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路200的時(shí)序圖。以 下將以實(shí)施例來具體說明高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路200于使用上的實(shí)施方式。 于本實(shí)施例中，輸入端SIN可接收一訊號(hào)。第一輸出端251可根據(jù)訊號(hào)，輸出第一 驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至P信道金屬氧化物半導(dǎo)體240的柵極，其中第一輸出端251于第一時(shí)間Tl輸出 第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且第一輸出端251于第二時(shí)間T4輸出第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣。第二輸 出端252可根據(jù)訊號(hào)，輸出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至N信道金屬氧化物半導(dǎo)體230的柵極，其中第二 輸出端252于第三時(shí)間T2輸出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且第二輸出端252于第四時(shí)間T3，輸 出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣。 值得注意的是，第一時(shí)間Tl與第三時(shí)間T4相差第一時(shí)間差A(yù)T1，第二時(shí)間T2與 第四時(shí)間T3相差第二時(shí)間差A(yù)T2。 圖2B中，上述的第一時(shí)間差A(yù)TI例如可為約5ns。在約第一時(shí)間Tl時(shí)，P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230切換至截止?fàn)顟B(tài)。在約第三時(shí)間T2時(shí)，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240 切換至導(dǎo)通狀態(tài)，而高壓側(cè)晶體管270處于截止?fàn)顟B(tài)。值得注意的是，由于P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體230與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240異步切換截止/導(dǎo)通狀態(tài)，使得P通道金屬 氧化物半導(dǎo)體230的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極的間的漏電流II相當(dāng)微 小，而不會(huì)造能源的浪費(fèi)。 圖2B中，上述的第二時(shí)間差A(yù)T2例如可為約5ns。在約第四時(shí)間T3時(shí)，P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230切換至導(dǎo)通狀態(tài)；在約第二時(shí)間T4時(shí)，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240 切換至截止?fàn)顟B(tài)，而高壓側(cè)晶體管270處于導(dǎo)通狀態(tài)。值得注意的是，由于P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體230與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240非同時(shí)切換導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)，使得P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極的間的漏電流12相當(dāng) 微小，而不會(huì)造能源的浪費(fèi)。
另外，若高壓側(cè)晶體管270截止且低壓側(cè)晶體管280導(dǎo)通時(shí)，則電壓源VB對(duì)靴帶 電容器220進(jìn)行充電。 為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，請(qǐng)參照?qǐng)D3，是依照本發(fā)明一實(shí)施例的一種 非重迭電路250的等效電路圖。圖3中，非重迭電路250包含與非門(NAND gate)310、或非 門(麗gate) 320、以及多個(gè)反相器330， 340， 350， 360， 370， 380。值得注意的是，非重迭電路 250是采用「先切后接」(break-before-make)的方式，可產(chǎn)生兩個(gè)時(shí)序不同的方波訊號(hào)，其 中反相器330，340，350，360是用以產(chǎn)生延遲時(shí)間。舉例來說，像是上述的第一時(shí)間差A(yù)TI 與第二時(shí)間差A(yù)T2，藉所述防止P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體 240同時(shí)進(jìn)行切換。 請(qǐng)參照?qǐng)D4A，是依照本發(fā)明另一實(shí)施例的一種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的等效電路圖。圖 4A中，高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路400可包含靴帶電容器220、P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230、N通道金 屬氧化物半導(dǎo)體240以及非重迭電路250。靴帶電容器220的兩端可分為正端與負(fù)端，其中 靴帶電容器220的正端耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230的源極，靴帶電容器220的負(fù)端 耦接高壓側(cè)晶體管270的源極及低壓側(cè)晶體管280的漏極。P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230 具有源極、漏極與柵極，其中P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230的源極耦接二極管210的陰極， 且P信道金屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極耦接高壓側(cè)晶體管270的柵極。N通道金屬氧化物 半導(dǎo)體240具有源極、漏極與柵極，其中N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極耦接P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極，且N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的源極耦接高壓側(cè)晶體管270 的源極。非重迭電路250包含輸入端SIN、重設(shè)端RIN、第一輸出端251與第二輸出端252， 其中第一輸出端251耦接P通道金屬氧化物半導(dǎo)體230的柵極，第二輸出端252耦接N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體240的柵極。 另外，高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路200還可選擇性地配置二極管210，其中二極管210具有陽 極與陰極，其中二極管210的陽極耦接電壓源VB。于其它實(shí)施例中，高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路200可 移除二極管210，亦即電壓源VB不透過二極管210耦接至靴帶電容器220。
請(qǐng)同時(shí)參照第4A-4B圖，其中圖4B是高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路400的時(shí)序圖。以下將以實(shí) 施例來具體說明高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路400于使用上的實(shí)施方式。 于本實(shí)施例中，輸入端SIN可接收第一脈沖訊號(hào)。重設(shè)端RIN可接收第二脈沖訊 號(hào)。第一輸出端251可根據(jù)第一脈沖訊號(hào)與第二脈沖訊號(hào)，輸出第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至P信道金 屬氧化物半導(dǎo)體240的柵極，其中第一輸出端251根據(jù)第一脈沖訊號(hào)于第一時(shí)間Tl輸出第 一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且第一輸出端251根據(jù)第二脈沖訊號(hào)于第二時(shí)間T4輸出第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào) 的后緣。第二輸出端252可根據(jù)第一脈沖訊號(hào)與第二脈沖訊號(hào)，輸出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至N信 道金屬氧化物半導(dǎo)體230的柵極，其中第二輸出端252根據(jù)第一脈沖訊號(hào)，于第三時(shí)間T2 輸出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且第二輸出端252根據(jù)第二脈沖訊號(hào)，于第四時(shí)間T3，輸出第二 驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣。 值得注意的是，第一時(shí)間Tl與第三時(shí)間T4相差第一時(shí)間差A(yù)T1，第二時(shí)間T2與 第四時(shí)間T3相差第二時(shí)間差A(yù)T2。 圖4B中，上述的第一時(shí)間差A(yù)TI例如可為約5ns。在約第一時(shí)間Tl時(shí)，P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230切換至截止?fàn)顟B(tài)。在約第三時(shí)間T2時(shí)，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240 切換至導(dǎo)通狀態(tài)，而高壓側(cè)晶體管270處于截止?fàn)顟B(tài)。值得注意的是，由于P通道金屬氧化
7物半導(dǎo)體230與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240異步切換截止/導(dǎo)通狀態(tài)，使得P通道金屬 氧化物半導(dǎo)體230的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極的間的漏電流II相當(dāng)微 小，而不會(huì)造能源的浪費(fèi)。 圖4B中，上述的第二時(shí)間差A(yù)T2例如可為約5ns。在約第四時(shí)間T3時(shí)，P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230切換至導(dǎo)通狀態(tài)；在約第二時(shí)間T4時(shí)，N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240 切換至截止?fàn)顟B(tài)，而高壓側(cè)晶體管270處于導(dǎo)通狀態(tài)。值得注意的是，由于P通道金屬氧化 物半導(dǎo)體230與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240非同時(shí)切換導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)，使得P通道金 屬氧化物半導(dǎo)體230的漏極與N通道金屬氧化物半導(dǎo)體240的漏極的間的漏電流12相當(dāng) 微小，而不會(huì)造能源的浪費(fèi)。 雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，其并非用以限定本發(fā)明，在不脫離本發(fā)明的精 神和范圍內(nèi)的技術(shù)方案均涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，包含靴帶電容器，具有正端與負(fù)端，其中該正端耦接電壓源，該負(fù)端耦接高壓側(cè)晶體管的源極及低壓側(cè)晶體管的漏極；P通道金屬氧化物半導(dǎo)體，具有源極、漏極與柵極，其中該P(yáng)通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該源極耦接該靴帶電容器，該P(yáng)通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該漏極耦接該高壓側(cè)晶體管的柵極；N通道金屬氧化物半導(dǎo)體，具有源極、漏極與柵極，其中該N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該漏極耦接該P(yáng)通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該漏極，該N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該源極耦接該高壓側(cè)晶體管的源極；以及非重迭電路，包含輸入端，用以接收訊號(hào)；第一輸出端，用以根據(jù)該訊號(hào)，輸出第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至該P(yáng)信道金屬氧化物半導(dǎo)體的該柵極，其中該第一輸出端于第一時(shí)間，輸出該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且該第一輸出端于第二時(shí)間，輸出該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣；以及第二輸出端，用以根據(jù)該訊號(hào)，輸出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至該N信道金屬氧化物半導(dǎo)體的該柵極，其中該第二輸出端于第三時(shí)間，輸出該第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且該第二輸出端于第四時(shí)間，輸出該第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣，其中該第一時(shí)間與該第三時(shí)間相差一第一時(shí)間差，該第二時(shí)間與該第四時(shí)間相差一第二時(shí)間差。
2. 如權(quán)利要求1所述的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，其中該P(yáng)通道金屬氧化物半導(dǎo)體截止且該N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)通，使該高壓側(cè)晶體管截止。
3. 如權(quán)利要求2所述的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，其中當(dāng)該低壓側(cè)晶體管導(dǎo)通時(shí)，該電壓源對(duì)該 靴帶電容器進(jìn)行充電。
4. 如權(quán)利要求1所述的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，其中該P(yáng)通道金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)通且該N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體截止，使該高壓側(cè)晶體管導(dǎo)通。
5. 如權(quán)利要求l所述的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，包含二極管，配置于該電壓源與該靴帶電容器的間，其中該二極管具有陽極與陰極，其中該 陽極耦接該電壓源且該陰極耦接該靴帶電容器。
6. —種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，包含靴帶電容器，具有正端與負(fù)端，其中該正端耦接電壓源，該負(fù)端耦接高壓側(cè)晶體管的源 極及低壓側(cè)晶體管的漏極；P通道金屬氧化物半導(dǎo)體，具有源極、漏極與柵極，其中該P(yáng)通道金屬氧化物半導(dǎo)體的 該源極耦接該靴帶電容器，該P(yáng)通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該漏極耦接該高壓側(cè)晶體管的柵 極；N通道金屬氧化物半導(dǎo)體，具有源極、漏極與柵極，其中該N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的 該漏極耦接該P(yáng)通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該漏極，該N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的該源極耦 接該高壓側(cè)晶體管的源極；以及非重迭電路，包含輸入端，用以接收第一脈沖訊號(hào)；重設(shè)端，用以接收第二脈沖訊號(hào)；第一輸出端，用以根據(jù)該第一脈沖訊號(hào)與該第二脈沖訊號(hào)，輸出第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至該P(yáng) 信道金屬氧化物半導(dǎo)體的該柵極，其中該第一輸出端根據(jù)該第一脈沖訊號(hào)于第一時(shí)間，輸 出該第一驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且該第一輸出端根據(jù)該第二脈沖訊號(hào)于第二時(shí)間，輸出該第一 驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣；以及第二輸出端，用以根據(jù)該第一脈沖訊號(hào)與該第二脈沖訊號(hào)，輸出第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)至該N 信道金屬氧化物半導(dǎo)體的該柵極，其中該第二輸出端根據(jù)該第一脈沖訊號(hào)于第三時(shí)間，輸 出該第二驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的前緣；且該第二輸出端根據(jù)該第二脈沖訊號(hào)于第四時(shí)間，輸出該第二 驅(qū)動(dòng)訊號(hào)的后緣，其中該第一時(shí)間與該第三時(shí)間相差一第一時(shí)間差，該第二時(shí)間與該第四時(shí)間相差一第 二時(shí)間差。
7. 如權(quán)利要求6所述的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，其中該P(yáng)通道金屬氧化物半導(dǎo)體截止且該N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)通，使該高壓側(cè)晶體管截止。
8. 如權(quán)利要求7所述的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，其中當(dāng)該低壓側(cè)晶體管導(dǎo)通時(shí)，該電壓源對(duì)該 靴帶電容器進(jìn)行充電。
9. 如權(quán)利要求6所述的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，其中該P(yáng)通道金屬氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)通且該N通 道金屬氧化物半導(dǎo)體截止，使該高壓側(cè)晶體管導(dǎo)通。
10. 如權(quán)利要求6所述的高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器，包含二極管，配置于該電壓源與該靴帶電容器的間，其中該二極管具有陽極與陰極，其中該 陽極耦接該電壓源且該陰極耦接該靴帶電容器。
全文摘要
一種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，包含靴帶電容器、P通道金屬氧化物半導(dǎo)體、N通道金屬氧化物半導(dǎo)體以及非重迭電路。所述靴帶電容器耦接高壓側(cè)晶體管的源極。所述P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦接所述高壓側(cè)晶體管的柵極。所述N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極耦接所述P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的漏極，所述N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的源極耦接所述高壓側(cè)晶體管的源極。所述非重迭電路的第一輸出端耦接所述P通道金屬氧化物半導(dǎo)體的所述柵極，而第二輸出端耦接所述N通道金屬氧化物半導(dǎo)體的所述柵極。
文檔編號(hào)H02M3/04GK101728948SQ200810166589
公開日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2008年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月15日
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