專利名稱：放電過流保護恢復驅(qū)動電路、電池保護電路及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電池保護電路，尤其涉及電池保護電路中的放電過流保 護恢復驅(qū)動電路。
背景技術(shù)：
由于鋰離子電池沒有記憶效應(yīng)，當前逐漸在越來越多的電子系統(tǒng)中 替代傳統(tǒng)的鎳氳電池，成為便攜電子設(shè)備中主要電源。但是鋰電池存 在許多安全性問題。因此，在鋰電池系統(tǒng)中都存在復雜的保護電路， 以確保在各種意外情況下防止發(fā)生不安全情形導致電池損壞。
圖1示出了現(xiàn)有的一種鋰電池保護電路系統(tǒng)。如圖1所示，在電
池的外部負極V—與內(nèi)部負極VSS之間設(shè)置有充電開關(guān)MC及放電開關(guān) MD，通過控制充電開關(guān)MC的開啟或關(guān)斷可以實現(xiàn)電池的允許充電或 禁止充電功能。相應(yīng)的，通過控制放電開關(guān)MD的開啟或關(guān)斷可以實 現(xiàn)電池的允許放電或禁止放電功能。虛線框內(nèi)的電路為電池保護電路， 所述電池保護電^各包括有過充電4企測電^各、過方文電4全測電^各、充電過 流檢測電路、放電過流檢測電路及控制電路。所述控制電路根據(jù)各檢 測電路的檢測結(jié)果輸出控制信號來確定充電開關(guān)MC的開啟/關(guān)斷和放 電開關(guān)MD的開啟/關(guān)斷。
當發(fā)生放電過流時，放電過流檢測電路會在檢測到VM端的電壓 (即放電電流電壓)高于放電過流電壓閣值r孤(一般為150mV)且持續(xù) 超過預(yù)定時間2，后，生成過電過流信號EDI給控制電路。所述控制電 路將Dout置低以關(guān)斷放電開關(guān)MD,這樣就實現(xiàn)了禁止對電池放電， 也就是說進入了放電過流保護狀態(tài)。 一般而言，VM的電壓與V—的電 壓基本相等(本專利申請都是基于這一情況進行說明的)，在兩節(jié)點 間存在一個較小的電阻Rm, Rm的阻值一般為1 2.2Kohm,所述電阻
在放電電流保護狀態(tài)下，為了使電池能在負載變輕時恢復正常放 電，在保護電路中還會引入恢復驅(qū)動電路。因為當進入放電過流保護
狀態(tài)時，放電開關(guān)MD會被關(guān)斷，從而V一節(jié)點的電壓會被負載拉到更 高電位，更接近VCC的電壓，相應(yīng)的，VM節(jié)點的電壓也同樣會很高。 如果沒有額外的恢復驅(qū)動電路，在此狀態(tài)下即使負載變得很輕時，放 電過流檢測電路依然會繼續(xù)判斷當前處于放電過流狀態(tài)，使整個系統(tǒng) 死鎖在放電過流狀態(tài)，無法恢復。所述恢復驅(qū)動電路的工作原理在于 在進入放電過流狀態(tài)后，其會試圖利用VSS拉低VM,即連通VM端和 VSS端。如果此時負載依然較大，則VM會依然大于放電過流電壓閾值 「孤，而一旦負載變小，所述VM會被VSS拉低直至VM小于放電過流 電壓閾值「孤，這樣電池系統(tǒng)就可以重新進入正?！肺碾姞顟B(tài)。
圖2示出了現(xiàn)有的一種放電過流保護恢復驅(qū)動電路。如圖2所示， 所述恢復驅(qū)動電路包括NOMS晶體管MN1及電阻R1，所述晶體管MN1 的柵極接收所述放電過流信號EDI，所述晶體管MN1的漏極通過電阻 Rl與VM相連，所述晶體管MN1的源極與VSS相連。在放電過流信號 EDI有效時，即系統(tǒng)進入放電過流狀態(tài)時，所述晶體管MN1開啟從而 連通VM至VSS的通路。此時，如果外部負載變小，VM就會被VSS拉 低，從而使電池系統(tǒng)重新進入正常放電狀態(tài)。
但是，晶體管MN1為普通的NMOS晶體管，在其襯底端和漏極端 存在一個寄生的二極管。當VM的電位相對VSS的電位為負電壓時(比 如在給電池充電時，VM的電位就會低于VSS的電位)，此寄生的二極 管會正向?qū)?，從而產(chǎn)生從VSS端經(jīng)由電阻Rl、晶體管MN1至VM端 的漏電流。這種漏電還可能會把晶體管MN1的襯底電位抬高，從而容 易觸發(fā)寄生三極管，導致嚴重后果。而且，在給電池充電時，可能由 于充電過壓或充電過流而需要禁止對電池充電，然而此時恢復驅(qū)動電 路上的漏電流會依然從VSS流向VM，這就意味著，所述漏電流依然在 給電池充電，從而使禁止充電功能失效。此外，此漏電還會影響充電 過流保護閾值偏離設(shè)計值。
在現(xiàn)有技術(shù)中一般是通過增大電阻Rl的方式減少漏電，但漏電卻 始終存在。這種漏電仍可能會導致前述的各種問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種電池保護電路中的放電過流保護 恢復驅(qū)動電路，其可以實現(xiàn)放電過流保護狀態(tài)在過放電解除后自動恢 復的功能，同時也能有效的切斷充電漏電。
本發(fā)明的目的之二在于提供一種具有放電過流保護恢復驅(qū)動電路 的電池保護電路，其可以實現(xiàn)放電過流保護狀態(tài)在過放電解除后自動 恢復的功能，同時也能有效的切斷充電漏電。
本發(fā)明的目的之三在于提供一種電池保護電路系統(tǒng)，其可以實現(xiàn)放 電過流保護狀態(tài)在過放電解除后自動恢復的功能，同時也能有效的切 斷充電漏電。
為了達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一方面，本發(fā)明提供了一種電池 保護電路中的放電過流保護恢復驅(qū)動電路，其具有第 一 連接端及第二
連接端，所述恢復驅(qū)動電路包括隔離NMOS晶體管及第一電阻，所述 隔離NMOS晶體管的漏極經(jīng)由所述第一電阻與所述第一連接端相連， 所述隔離NMOS晶體管的源極與所述第二連接端相連，所述隔離NMOS 晶體管的柵極用于接收放電過流信號。所述隔離NMOS晶體管的柵極 在接收到放電過流信號時，所述隔離NMOS晶體管的漏極與源極接通， 進而將所述第一連接端與所述第二連接端接通。在所述隔離NMOS晶 體管的襯底與源極之間形成有二級管，所述二極管的負極與所述隔離 NMOS晶體管的源極相連，所述二極管的正極與所述隔離NMOS晶體 管的襯底相連。
進一步的，在所述隔離NMOS晶體管的漏極與所述第一電阻之間 還串聯(lián)有開關(guān)單元，所述開關(guān)單元具有與所述隔離NMOS晶體管的漏 極相連的一連接端及與所述電阻相連的另一連接端，所述開關(guān)單元還 具有控制端，所述開關(guān)單元的控制端與電池的充電開關(guān)的控制端相連，
更進一步的，所述開關(guān)單元由N個隔離NMOS晶體管串聯(lián)形成， 所述隔離NMOS晶體管的柵極相互連接形成所述開關(guān)單元的控制端， 所述N大于等于1小于等于4。
進一步的，所述第一連接端經(jīng)由第二電阻與電池外部負極相連，所 述第二連接端與電池內(nèi)部負極相連。
更進一步的，在第一連接端相對于第二連接端為負電壓時，所述二 極管反向偏置，阻礙漏電流的發(fā)生。
根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，本發(fā)明提供了 一種電池保護電路，其包括 放電過流檢測電路、如前面所述恢復驅(qū)動電路、充電器過壓檢測電路、
電池的充電開關(guān)的控制電路。所述充電器過壓測電^各在4全測到充電 器過壓時生成充電器過壓信號。所述放電過流檢測電路在檢測到放電 過流時生成放電過流信號。所述控制電路在接收到放電過流信號后生 成預(yù)關(guān)斷信號。電池的充電開關(guān)的控制端在收到所述預(yù)關(guān)斷信號和所 述充電器過壓信號中任何一個時，所述充電開關(guān)關(guān)斷以禁止對電池充 電。
進一步的，在所述恢復驅(qū)動電路中的隔離NMOS晶體管的漏極與 所述電阻之間還串聯(lián)有開關(guān)單元，所述開關(guān)單元具有與所述隔離NMOS 晶體管的漏極相連的一連接端及與所述電阻相連的另一連接端，所述 開關(guān)單元具有控制端，所述開關(guān)單元的控制端與電池的充電開關(guān)的控 制端相連，使所述開關(guān)單元與所述充電開關(guān)的開啟與關(guān)閉同步。
更進一步的，所述開關(guān)單元由N個隔離NMOS晶體管串聯(lián)形成， 所述隔離NMOS晶體管的柵極相互串聯(lián)形成所述開關(guān)單元的控制端， 所述N大于等于1小于等于4。
進一步的，所述第一連接端經(jīng)由第二電阻與電池外部負極相連，所 述第二連接端與電池內(nèi)部負極相連。
更進一步的，在第一連接端相對于第二連接端為負電壓時，所述二 極管反向偏置，阻礙漏電流的發(fā)生。
進一步的，所述預(yù)關(guān)斷信號和所述充電器過壓信號經(jīng)由一邏輯與門 連接至所述充電開關(guān)的控制端。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，本發(fā)明提供了一種電池保護電路系統(tǒng)，其 包括電池、充電開關(guān)及如前面所述的所述電池保護電^各。所述充電 開關(guān)連4妻于所述電池的內(nèi)部負^f及與外部負才及之間。所述恢復驅(qū)動電^各 的第 一連接端經(jīng)由第二電阻與所述電池外部負極相連，所述恢復驅(qū)動 電路的第二連接端與電池內(nèi)部負極相連。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明的技術(shù)方案的恢復驅(qū)動電路中采用隔離
NMOS的晶體管MN1，在其襯底與源極之間會具有二級管Dl，在VM 相對VSS為負電壓時，由于晶體管MN1的襯底與VSS之間具有二級管 Dl,所述二級管Dl會反向偏置，阻礙漏電流的發(fā)生。


下面將參照附圖對本發(fā)明的具體實施方案進行更詳細的說明，附圖
中
圖1為現(xiàn)有的一種電池保護電路系統(tǒng)的電路圖； 圖2為現(xiàn)有的一種放電過流保護恢復驅(qū)動電路的電路圖； 圖3為本發(fā)明電池保護電路系統(tǒng)的一個實施方式的電路圖； 圖4為圖3中的充電器過壓檢測電路的一個實施方式的電路圖； 圖5為圖3中的放電過流保護恢復驅(qū)動電路的一個實施方式的電 路圖6為圖4中的晶體管MN1及二極管Dl的第一實施方式的結(jié)構(gòu)
圖7為圖4中的晶體管MN1及二極管Dl的第二實施方式的結(jié)構(gòu)
圖8為圖4中的晶體管MN1及二極管Dl的第三實施方式的結(jié)構(gòu)
圖9為圖4中的晶體管MN1及二極管Dl的第四實施方式的結(jié)構(gòu)
圖IO為圖4中的晶體管MN1及二極管Dl的第五實施方式的結(jié)構(gòu) 圖；和
圖11為圖4中的晶體管MN1及二極管Dl的第六實施方式的結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式
請參閱圖3，其示出了本發(fā)明電池保護電路系統(tǒng)的一種實施方式。與圖 2所示的現(xiàn)有的電池保護電路系統(tǒng)相比，圖3所示的電池保護電路系統(tǒng)增加 了充電器過壓檢測電路及一個邏輯與門And2,同時也改進了放電過流保護 恢復驅(qū)動電路。
所述充電器過壓檢測電路用于檢測VM端的電壓，在將VM端的電壓與
預(yù)定參考電壓Vref比較后輸出充電器過壓檢測結(jié)果OVCHG,充電器過壓檢 測結(jié)果包括充電器過壓和充電器未過壓。所述邏輯與門And2將控制電路輸 出的控制信號Co_pre與充電器過壓檢測結(jié)果OVCHG做邏輯與后用作充電 開關(guān)MC的開關(guān)控制信號Cout。在本實施例中，由于充電開關(guān)MC在開關(guān) 控制信號為低時為關(guān)，因此控制信號Co一pre和充電器過壓檢測結(jié)果OVCHG 中有任何一個為低(充電器過壓檢測結(jié)果為低電平代表充電過壓信號)， 邏輯與門And2就輸出低作為開關(guān)控制信號Cout以關(guān)斷充電開關(guān)MC。在其 他實施例中，邏輯與門也可以用其他邏輯門來取代，不過過壓^f全測結(jié)果 OVCHAG和控制信號Co—pre的邏輯也要相應(yīng)修改?？傊@里邏輯門的作用 在于在控制信號Co—pre和充電器過壓檢測結(jié)果OVCHG中任何一個為關(guān) 信號時，邏輯門的輸出Cout就會關(guān)閉充電開關(guān)MC,以達到禁止充電的效 果。
充電器過壓檢測電路及邏輯與門的加入使得本發(fā)明中的電池保護系統(tǒng) 又多了一項保護方式，即在充電器的充電電壓過高時，能夠及時的切斷充 電通路，從而達到保護電池的效果。需要解釋一下， 一般來說充電電壓過 高意味著電池外部負極V—(也可以說VM節(jié)點)與電池內(nèi)部負極VSS之間 的壓差超過正常水平，此時充電會給電池造成破壞。另外，雖然在充電器 過壓時給電池充電可能會造成充電過流從而由控制電路的控制信號關(guān)斷充 電開關(guān)MC,然而這需要一定的時間，而這段時間可能給電池造成很大的損 壞。因此，可以說增加這一項充電器過壓保護功能是十分必要的。
圖4示出了本發(fā)明中的充電器過壓檢測電路的一種實施方式。如圖4 所示，所述充電器過壓檢測電路包括一比較器，所述比較器的正相輸入端 接VM、反向輸入端接預(yù)定參考電壓Vref,在VM端的電壓小于Vref時，其 輸出充電器過壓信號作為充電器過壓檢測結(jié)果OVCHG;在VM端的電壓大 于等于Vref時，其輸出充電器未過壓信號作為充電器過壓檢測結(jié)果OVCHG。 所述預(yù)定參考電壓Vref根據(jù)應(yīng)用可以設(shè)為-6 -8V。
本發(fā)明中改進的放電過流保護恢復電路可以有效的切斷充電漏電，同 時可以實現(xiàn)在放電過流保護狀態(tài)下拉低VM端，進而實現(xiàn)過放電保護狀態(tài)在 放電過流解除后自動恢復的功能。
圖5示出了本發(fā)明中的放電過流保護恢復驅(qū)動電路的一種實施方式。
與圖2所示的恢復驅(qū)動電路相比，本發(fā)明中改進的恢復驅(qū)動電路中增加了
開關(guān)單元50，同時也改進了晶體管MN1。具體請參閱圖5所示，本發(fā)明的 恢復驅(qū)動電路包括開關(guān)單元50、晶體管MN1及電阻R1。所述開關(guān)單元50 的一個連接端經(jīng)由電阻Rl與VM連接，所述開關(guān)單元50的另一個連接端 與晶體管MN1的漏極相連，所述開關(guān)單元50的控制端與充電開關(guān)的柵極 即Cout端相連，所述晶體管MN1的柵極(Gate)接收放電過流信號EDI, 所述晶體管MN1的源極(Source)與VSS端相連。所述晶體管MNl為帶 襯底阻隔的隔離INJMOS晶體管，在其襯底(bulk)與源極之間會存在寄生 或?qū)ｉT設(shè)計的二級管Dl，這樣所述襯底通過二級管Dl連接至VSS端。
在本實施例中，所述開關(guān)單元50由三個隔離NMOS晶體管MN2、MN3、 MN4串聯(lián)而成，所述三個晶體管的柵極相連形成所述開關(guān)單元50的控制端。 Rl的值由具體應(yīng)用條件決定， 一般可以為10K 200Kohm。
在給電池放電時，如果進入放電過流狀態(tài)，放電過流信號EDI為邏輯 高，充電開關(guān)MC的柵極電壓Cout也為高電平，晶體管MN1、 MN2、 MN3、 MN4都導通，具有把VM拉低的功能，即放電過流保護自動恢復功能。在 給電池放電時，如果不進入放電過流狀態(tài)，放電過流信號EDI為邏輯低， 充電開關(guān)MC的柵極電壓Cout為高電平，晶體管MN2、 MN3、 MN4都導通， 而晶體管MN1不導通，從而保持正常的放電狀態(tài)。
在給電池充電時，VM相對VSS為負電壓。在正常的充電狀態(tài)下，放電 過流信號EDI為邏輯低，充電開關(guān)MC的柵極電壓Cout為高電平，晶體管 MN2、 MN3、 MN4都導通，而晶體管MN1不導通。此時由于晶體管MN1 的襯底與VSS之間具有二級管Dl，所述二級管Dl會反向偏置，阻礙漏電 流的發(fā)生。在給電池充電時，可能由于充電過壓或充電過流而需要禁止對 電池充電，在本發(fā)明中，所述晶體管MN2、 MN3、 MN4會隨著充電開關(guān)MC 一起關(guān)閉，從而可以進一步阻礙漏電流的發(fā)生。
當發(fā)生充電器過壓的情況時，即當VM為非常低的負電壓時，充電器過 壓電路輸出OVCHG會變成低電平，通過與門And2，使Cout變低，實現(xiàn)禁 止充電。此時，晶體管MN2、 MN3、 MN4都被關(guān)斷。此時，晶體管MN1 也處于關(guān)斷狀態(tài)，這樣，VM與VSS之間的壓差就可以由四個晶體管 MN1-MN4來分擔，這樣可以防止這些晶體管被擊穿。在單節(jié)鋰電池保護電
路中，可以使用擊穿電壓大于9V的低壓隔離NMOS，那么它們可以承受36V
的電壓。
可以看出，所述開關(guān)單元50具有兩個顯著的作用。第一是在發(fā)生充電 器過壓的情況下，給晶體管MN1分壓以防止其被擊穿；第二是在需要禁止 充電時，進一步關(guān)斷VM與VSS之間經(jīng)由晶體管MN1的通路，防止漏電的 產(chǎn)生。因此，關(guān)于所述開關(guān)單元50由幾個晶體管組成，可以由所設(shè)計電路 的防擊穿能力所決定。如果不需要很高的防擊穿能力，那所述開關(guān)單元50 完全可以由一個晶體管組成。當然，在另一方面，晶體管的數(shù)目增加也有 助于進一步阻礙漏電流的生成。
需說明的是，Cout為Vcc與VM之間的邏輯電平，即當Cout等于Vcc
的電壓時，表示高電平；當Cout等于VM的電壓時，表示低電平。
需要說明的一點是充電器過壓保護功能的加入可以不以恢復驅(qū)動電 路的改進為前提，相應(yīng)的，恢復驅(qū)動電路的改進也可以不以充電器過壓保 護功能的加入為前提。
在本發(fā)明的改進的恢復驅(qū)動電路中的MN1、 MN2、 MN3、 MN4都采用 阻隔NMOS。下面就介紹一下晶體管MN1及二極管Dl的幾種實施方式。
圖6為晶體管MN1及二極管Dl的第一實施方式的結(jié)構(gòu)圖，drain是漏 極，EDI連接的是柵極，VSS接的是源極，bulk為隔離襯底連接端，連接 至VSS ， Pwell被稱之為P阱，為隔離襯底，P-sub為公共襯底，Nwell被 稱之為N阱，所述N阱將公共襯底與隔離襯底隔離開來，所述N阱接電源 Vcc以防止N阱與公共襯底或隔離襯底發(fā)生正向偏置。Bulk與P阱之間形 成的PN結(jié)就是圖5中的二極管Dl。
圖7為晶體管MN1及二極管Dl的第一實施方式的結(jié)構(gòu)圖，drain是漏 極，EDI連接的是柵極，VSS接的是源極，bulk為隔離襯底連接端，連接至 VSS, Pwell被稱之為P阱，為隔離襯底，P-sub為公共襯底，Nwell被稱之 為N阱，NBL ( N Buried Layer)為N型埋層， 一般為重4參雜。所述N阱及 NBL將公共襯底與隔離襯底隔離開來，所述N阱接電源Vcc以防止N阱與 公共襯底或隔離襯底發(fā)生正向偏置。Bulk與P阱之間形成的PN結(jié)就是圖5 中的二極管Dl。
圖8為晶體管MN1及二極管Dl的第三實施方式的結(jié)構(gòu)圖。與圖6所 示的第一實施方式不同的是所述襯底連接端為P雜區(qū)，并且這個襯底連 接端并不連接至VSS，而是懸空。這樣同樣可以達到二級管Dl的效果。
圖9為晶體管MN1及二極管Dl的第四實施方式的結(jié)構(gòu)圖。與圖7所 示的第二實施方式不同的是所述襯底連接端為P雜區(qū)，并且這個襯底連 接端并不連接至VSS，而是懸空。這樣同樣可以達到二級管Dl的效杲。
圖IO為晶體管MN1及二極管Dl的第五實施方式的結(jié)構(gòu)圖。與圖8所 示的第三實施方式不同的是所述襯底連接端(bulk)連接至二級管的陽極， 所述二極管的負極接VSS。
圖11為晶體管MN1及二極管Dl的第六實施方式的結(jié)構(gòu)圖。與圖9所 示的第四實施方式不同的是所述襯底連接端(bulk)連接至二級管的陽極， 所述二極管的負極接VSS。
本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán) 利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種電池保護電路中的放電過流保護恢復驅(qū)動電路，其具有第一連接端及第二連接端，其特征在于，所述恢復驅(qū)動電路包括隔離NMOS晶體管及第一電阻，所述隔離NMOS晶體管的漏極經(jīng)由所述第一電阻與所述第一連接端相連，所述隔離NMOS晶體管的源極與所述第二連接端相連，所述隔離NMOS晶體管的柵極用于接收放電過流信號，所述隔離NMOS晶體管的柵極在接收到放電過流信號時，所述隔離NMOS晶體管的漏極與源極接通，進而將所述第一連接端與所述第二連接端接通，在所述隔離NMOS晶體管的襯底與源極之間形成有二級管，所述二極管的負極與所述隔離NMOS晶體管的源極相連，所述二極管的正極與所述隔離NMOS晶體管的襯底相連。
2、 如權(quán)利要求1所述的恢復驅(qū)動電路，其特征在于在所述隔離NMOS 晶體管的漏極與所述第一電阻之間還串聯(lián)有開關(guān)單元，所述開關(guān)單元具有 與所述隔離NMOS晶體管的漏極相連的一連接端及與所述電阻相連的另一 連接端，所述開關(guān)單元還具有控制端，所述開關(guān)單元的控制端與電池的充
3、 如權(quán)利要求2所述的恢復驅(qū)動電路，其特征在于所述開關(guān)單元由 N個隔離NMOS晶體管串聯(lián)形成，所述隔離NMOS晶體管的柵極相互連接 形成所述開關(guān)單元的控制端，所述N大于等于1小于等于4。
4、 如權(quán)利要求1所述的恢復驅(qū)動電路，其特征在于所述第一連接端 經(jīng)由第二電阻與電池外部負極相連，所述第二連接端與電池內(nèi)部負極相連。
5、 如權(quán)利要求4所述的恢復驅(qū)動電路，其特征在于在第一連接端相 對于第二連接端為負電壓時，所述二極管反向偏置，阻礙漏電流的發(fā)生。
6、 一種電池保護電路，其特征在于，其包括放電過流檢測電路、如權(quán)利要求1所述的恢復驅(qū)動電路、充電器過壓 檢測電路、電池的充電開關(guān)的控制電路，所述充電器過壓檢測電路在檢測到充電器過壓時生成充電器過壓信 號；所述放電過流檢測電路在檢測到放電過流時生成放電過流信號；所述控制電路在接收到放電過流信號后生成預(yù)關(guān)斷信號；電池的充電開關(guān)的控制端在收到所述預(yù)關(guān)斷信號和所述充電器過壓信 號中任何一個時，所述充電開關(guān)關(guān)斷以禁止對電池充電。
7、 如權(quán)利要求6所述的電池保護電路，其特征在于在所述恢復驅(qū)動 電路中的隔離NMOS晶體管的漏極與所述電阻之間還串聯(lián)有開關(guān)單元，所 述開關(guān)單元具有與所述隔離NMOS晶體管的漏極相連的一連接端及與所述 電阻相連的另一連接端，所述開關(guān)單元具有控制端，所述開關(guān)單元的控制 端與電池的充電開關(guān)的控制端相連，使所述開關(guān)單元與所述充電開關(guān)的開 啟與關(guān)閉同步。
8、 如權(quán)利要求7所述的電池保護電路，其特征在于所述開關(guān)單元由 N個隔離NMOS晶體管串聯(lián)形成，所述隔離NMOS晶體管的柵極相互串聯(lián) 形成所述開關(guān)單元的控制端，所述N大于等于1小于等于4。
9、 如權(quán)利要求6所述的電池保護電路，其特征在于所述第一連接端 經(jīng)由第二電阻與電池外部負極相連，所述第二連接端與電池內(nèi)部負極相連。
10、 如權(quán)利要求9所述的電池保護電路，其特征在于在第一連接端 相對于第二連接端為負電壓時，所述二極管反向偏置，阻礙漏電流的發(fā)生。
11、 如權(quán)利要求6所述的電池保護電路，其特征在于所述預(yù)關(guān)斷信 號和所述充電器過壓信號經(jīng)由一邏輯與門連接至所述充電開關(guān)的控制端。
12、 一種電池保護電路系統(tǒng)，其特征在于，其包括電池、充電開關(guān)及如權(quán)利要求6-8、 ll任一所述電池保護電路，所述充電開關(guān)連接于所述電池的內(nèi)部負極與外部負極之間，所述恢復驅(qū)動電路的第 一連接端經(jīng)由第二電阻與所述電池外部負極相 連，所述恢復驅(qū)動電路的第二連接端與電池內(nèi)部負極相連。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電池保護電路中的放電過流保護恢復驅(qū)動電路，其具有VM連接端及VSS連接端，所述恢復驅(qū)動電路包括隔離NMOS晶體管及第一電阻，所述隔離NMOS晶體管的漏極經(jīng)由所述第一電阻與所述第一連接端相連，所述隔離NMOS晶體管的源極與所述第二連接端相連，所述隔離NMOS晶體管的柵極用于接收放電過流信號，所述隔離NMOS晶體管的柵極在接收到放電過流信號時，所述隔離NMOS晶體管的漏極與源極接通，進而將所述VM連接端與所述VSS接端接通。在所述隔離NMOS晶體管的襯底與源極之間形成有二極管，所述二極管的負極與所述隔離NMOS晶體管的源極相連，所述二極管的正極與所述隔離NMOS晶體管的襯底相連。在VM相對VSS為負電壓時，由于晶體管MN1的襯底與VSS之間具有二極管D1，所述二極管D1會反向偏置，阻礙漏電流的發(fā)生。
文檔編號H02J7/00GK101340084SQ20081011810
公開日2009年1月7日 申請日期2008年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月12日
發(fā)明者航 尹, 楊曉東, 釗 王 申請人:北京中星微電子有限公司