專利名稱：磁化液體裝置的控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于控制電路，特別是用于磁化液體裝置的控制電路。
背景技術(shù)：
經(jīng)磁化過的液體，由于其分子團較小，滲透力、溶解力、含氧量、導(dǎo)電性等特性均比磁化前的液體高，故已被廣泛應(yīng)用于各種不同領(lǐng)域，以磁化水為例，其具有溶解水垢、增進農(nóng)產(chǎn)品的產(chǎn)量等優(yōu)點。
傳統(tǒng)的使液體磁化的裝置，通常采用永久磁鐵、直流固定磁場、工頻交變磁場或用準諧振的方式產(chǎn)生交變磁場來使液體磁化。
然而，使用永久磁鐵、直流固定磁場、及工頻交變磁場的磁化裝置，其體積較大，并且永久磁鐵的磁場強度是不可變的，對于直流固定磁場和工頻交變磁場其磁場強度雖然可以改變但是其工作頻率卻不可改變。鑒于這些缺陷，出現(xiàn)了用準諧振方式產(chǎn)生交變磁場來使液體磁化的裝置。但這種方式所產(chǎn)生的磁場是交變的即在一個周期內(nèi)產(chǎn)生正、反兩個方向的磁場其磁化效率較低，而且，采用這種方式的裝置其導(dǎo)流元件必須是鐵磁性材質(zhì)的，(否則將會導(dǎo)致加在控制電路中功率輸出管上的反向電壓過高而損壞該功率管。)其控制電路中的功率輸出晶體管必須選用高反壓的。(這將使控制電路的成本較高)在電路正常工作時導(dǎo)流元件上將感應(yīng)出強大的渦流，這將消耗掉大量的電能并且產(chǎn)生相當(dāng)?shù)臒崃繉α鹘?jīng)導(dǎo)流元件中的液體進行加熱，使被磁化的液體溫度上升，這是我們不希望的?？紤]到成本和效率，如何能在不影響磁化效果的前提下，盡量降低該控制電路所消耗的功率、特別是消耗在導(dǎo)流組件(即，本控制電路的負載)上的能量，已成為磁化液體裝置的控制電路的一個重要課題。此外，公知的控制電路組件容易損壞，特別是在磁化頻率高時，易隨著所選用的導(dǎo)流組件的材質(zhì)的變化而引發(fā)過高電壓問題，會縮短磁化液體裝置的壽命，且常須耐壓值較高的晶體管，也間接影響磁化液體所需的成本。因此，需要一種可以解決上述問題的控制電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種磁化液體裝置的控制電路，其中功率輸出電路中的功率晶體管可在導(dǎo)通期間將整流后的直流電源加至電感性負載，以產(chǎn)生脈沖磁場，即將電場能量轉(zhuǎn)換成磁場能量，并儲存在電感性負載中；而在功率晶體管截止期間，可將電感性負載中的磁場能量轉(zhuǎn)換成電場能量并返還給整流濾波電路。因此，裝置中用以導(dǎo)引待磁化的液體穿過脈沖磁場的導(dǎo)流組件上所消耗的能量極小，甚至當(dāng)導(dǎo)流組件的材質(zhì)為非磁性材料時，其所消耗的電路能量可以忽略，故可在不影響磁場能量強度的情形下，有效降低控制電路消耗的功率。
本發(fā)明的另一目的是提供一種磁化液體裝置的控制電路，其即使在導(dǎo)流組件的材質(zhì)改變的情形下，仍可以低電壓操作，即，施加于功率輸出電路的電壓幾乎不隨之變化，故電路中的功率組件不會因為導(dǎo)流組件材質(zhì)變化引發(fā)的過高電壓而損壞，故可以選用耐壓值較低的功率晶體管以降低成本。
本發(fā)明的又一目的是提供一種磁化液體裝置的控制電路，其由驅(qū)動信號直接或間接驅(qū)動功率輸出電路，驅(qū)動信號的頻率、占空比(Duty Cycle)等均可依據(jù)對于磁化液體的不同需求而加以適當(dāng)調(diào)整。
本發(fā)明的再一目的是提供一種磁化液體裝置的控制電路，其所產(chǎn)生的磁場是一個脈沖磁場，在整個工作期間磁場強度的方向均不改變，只是其大小做周期性的改變。這就避免了反向磁場對先前磁場磁化效果的抵消作用，從而提高了磁化效率。本發(fā)明提供的磁化液體裝置的控制電路，包含整流及濾波電路，將輸入的交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源；開關(guān)電路，將該直流電源轉(zhuǎn)換為脈沖電源，并施加至電感性負載上，以產(chǎn)生脈沖磁場將液體磁化，該開關(guān)電路包含功率輸出電路，包含至少一個功率晶體管，各功率晶體管工作在開關(guān)狀態(tài)，在各功率晶體管導(dǎo)通期間，將脈沖電源施加至電感性負載上；驅(qū)動電路，用以控制功率輸出電路中的晶體管的導(dǎo)通與截止；以及傳導(dǎo)電路，在各功率晶體管截止期間，將電感性負載中的磁場能量以電能形式返還至濾波電路中。


附圖1為本發(fā)明采用CPLD芯片產(chǎn)生驅(qū)動脈沖的雙管正激式功率開關(guān)電路方框圖。
附圖2為本發(fā)明驅(qū)動電路自行產(chǎn)生驅(qū)動信號的雙管正激式功率開關(guān)電路方框圖。
附圖3為本發(fā)明另一種驅(qū)動電路自行產(chǎn)生驅(qū)動信號的雙管正激式功率開關(guān)電路方框圖。
附圖4是本發(fā)明采用單管正激式功率開關(guān)輸出的方框圖。
附圖5是附圖1的原理電路圖。
附圖6是附圖2的原理電路圖。
附圖7是附圖3的原理電路圖。
附圖8是附圖4的原理電路圖。
附圖中標號說明；10～能量傳導(dǎo)電路11～過電流/過電壓保護電路12～EMC濾波電路13～整流濾波電路/110V/220V切換開關(guān)14～開關(guān)電源電路15～雙晶體管正激式功率輸出電路16～功率晶體管A驅(qū)動電路(用CPLD芯片產(chǎn)生驅(qū)動信號)17～功率晶體管B驅(qū)動電路(用CPLD芯片產(chǎn)生驅(qū)動信號)18～脈沖信號產(chǎn)生電路26～功率晶體管A驅(qū)動電路(用開關(guān)電源專用芯片產(chǎn)生驅(qū)動信號并直接驅(qū)動)27～功率晶體管B驅(qū)動電路28～輸出功率調(diào)節(jié)電路29～輸出頻率調(diào)節(jié)電路35～雙晶體管正激式功率輸出電路36～功率晶體管A驅(qū)動電路(用時基電路芯片產(chǎn)生驅(qū)動信號并直接驅(qū)動)37～功率晶體管B驅(qū)動電路38～輸出功率調(diào)節(jié)電路39～輸出頻率調(diào)節(jié)電路40～能量傳導(dǎo)電路
45～單晶體管正激式功率輸出電路46～功率晶體管驅(qū)動電路(用時基電路芯片產(chǎn)生驅(qū)動信號并直接驅(qū)動)48～輸出功率調(diào)節(jié)電路49～輸出頻率調(diào)節(jié)電路具體實施方式
現(xiàn)請參閱圖1及5，其分別顯示依本發(fā)明的采用CPLD(可編程邏輯器件)芯片以驅(qū)動雙晶體管正激式逆變器的控制電路的一個實施例的方塊圖及原理電路圖。
圖1中，110V或220V的交流電源輸入至過電流/過電壓保護電路11，經(jīng)由電磁兼容(EMC)濾波電路12，再施加于整流及濾波電路13，將輸入的交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源，該整流及濾波電路13另包含110V/220V切換開關(guān)，使輸入的交流電源可切換為220V或110V。
圖5顯示過電流/過電壓保護電路11可由熔絲(fuse)及電壓敏感元件(ZMR)組成，EMC濾波電路12可由電容器C1及C2以及扼流圈(choke)L1組成，整流及濾波電路13可由橋式整流器(BD)、負溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻器、電容器C3及C4以及電阻器R1及R2組成，110V/220V切換開關(guān)由SW3構(gòu)成，當(dāng)輸入電壓切換為220V時，整流及濾波電路13為全波整流，當(dāng)輸入電壓切換為110V時，整流及濾波電路13為倍壓整流。
圖1中，雙晶體管正激式功率輸出電路15、功率晶體管A驅(qū)動電路16、功率晶體管B驅(qū)動電路17及脈沖信號產(chǎn)生電路18做為開關(guān)電路的正激式逆變器(forward inverter)，將整流及濾波電路13輸出的直流電源轉(zhuǎn)換為脈沖電源，并施加至例如勵磁線圈的電感性負載以產(chǎn)生脈沖磁場，用以磁化液體。
脈沖信號產(chǎn)生電路18主要利用CPLD(可編程邏輯器件)芯片產(chǎn)生脈沖信號，分別傳送至功率晶體管A驅(qū)動電路16及功率晶體管B驅(qū)動電路17，再分別產(chǎn)生驅(qū)動信號以驅(qū)動雙晶體管正激式功率輸出電路15的各晶體管同時切換于導(dǎo)通期間與截止期間之間。在導(dǎo)通期間，將整流后的直流電源施加至勵磁線圈，以產(chǎn)生脈沖磁場，即將電場能量轉(zhuǎn)換成磁場能量并儲存在勵磁線圈中；在截止期間，勵磁線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢則將磁場能量轉(zhuǎn)換成電場能量，經(jīng)由能量傳導(dǎo)電路10返還給整流及濾波電路13。
如圖5所示，雙晶體管正激式功率輸出電路15，主要由場效應(yīng)晶體管(MOSFET)(或絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等類似的)的雙晶體管Q1及Q2構(gòu)成，其在導(dǎo)流組件的材質(zhì)改變的情形下，仍可以低電壓操作，即，施加于功率輸出晶體管的電壓幾乎不隨之變化，故功率晶體管不會因為導(dǎo)流組件材質(zhì)變化引發(fā)的過高電壓而損壞，故可以選用耐壓值較低的功率晶體管以降低成本。
功率晶體管A驅(qū)動電路16主要由分離組件(discretecomponent)的雙極型晶體管Q4至Q7組成，用以驅(qū)動功率輸出電路15的晶體管Q2，功率晶體管B驅(qū)動電路17主要由光耦合集成電路TLP251(或HP3120、HCNW3120等類似者)的集成電路IC2組成，從而得以與功率晶體管A驅(qū)動電路16形成電氣隔離，且用以驅(qū)動功率輸出電路15的晶體管Q1。
能量傳導(dǎo)電路10主要由二極管D1及D2組成，勵磁線圈主要由電感器L3構(gòu)成。當(dāng)功率輸出電路15的晶體管Q1及Q2在導(dǎo)通期間時，直流電源流經(jīng)Q1、L3、Q2及R20所形成的回路，電流逐漸增大，直至晶體管Q1及Q2由導(dǎo)通變?yōu)榻刂沟乃查g，電流達到最大值。在此期間，將電場能量轉(zhuǎn)換成磁場能量，儲存于勵磁線圈中，磁場強度隨著通過線圈的電流的增加而增強。當(dāng)功率輸出電路15的晶體管Q1及Q2在截止期間時，由于勵磁線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢反向，此時能量傳導(dǎo)電路10的二極管D1及D2同時導(dǎo)通，電流經(jīng)由R20、D2、L3及D1回流至濾波電路，電流由剛截止時的最大值逐漸減小，此時勵磁線圈上產(chǎn)生的磁場方向與之前相同，但強度隨著通過線圈的電流的減小而降低。換言之，勵磁線圈中產(chǎn)生的反向感應(yīng)電動勢以電壓方式經(jīng)由D1、D2及R20向整流及濾波電路13的電容器C3及C4充電，因此儲存電場能量。由此可知，在功率輸出電路15的晶體管Q1及Q2的導(dǎo)通及截止期間，勵磁線圈上均產(chǎn)生磁場，其方向不變，但強度則隨通過其上的電流大小而改變。
脈沖信號產(chǎn)生電路18主要由CPLD(可編程邏輯器件)芯片組成。該脈沖信號為脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulation，PWM)信號(或類似的)，其頻率及占空比(Duty Cycle)均可依磁化特定液體所需的能量而加以調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)占空比即調(diào)節(jié)輸出功率。一般而言，其占空比的變化范圍為10-50％，且其信號為方波。
圖1的控制電路另包含一開關(guān)電源(switching power)電路14，用以將整流及濾波電路13輸出的直流電源轉(zhuǎn)為驅(qū)動電路16、17及整個低壓控制系統(tǒng)所需的低壓直流電源。
如圖5所示，開關(guān)電源(switching power)電路14主要包含電阻器R6、電容器C6、變壓器T1、二極管D4及D5、電容器C5及C7、電感器L2以及開關(guān)電源調(diào)整集成電路VIPER 12A的集成電路IC3及其相關(guān)的由例如電容C12、電阻器R12、二極管D7等等組件構(gòu)成的回授電路。該開關(guān)電源(switchingpower)電路14在磁化液體裝置待機狀態(tài)下消耗功率較小，以節(jié)省能源并避免控制電路溫升過高。
現(xiàn)請參閱圖2及附圖6，其分別顯示本發(fā)明采用開關(guān)電源專用芯片以驅(qū)動雙晶體管正激式逆變器的控制電路的一實施例的方塊圖及其細部電路圖。
如圖2所示，其與圖1所示電路不同之處在于，功率晶體管A驅(qū)動電路26自行產(chǎn)生驅(qū)動信號，以控制功率輸出電路15的一晶體管，而功率晶體管B驅(qū)動電路27則接收該驅(qū)動信號，再控制功率輸出電路15的另一晶體管，另設(shè)有輸出功率調(diào)節(jié)電路28及輸出頻率調(diào)節(jié)電路29，分別用以調(diào)節(jié)驅(qū)動電路26所產(chǎn)生驅(qū)動信號的占空比及頻率，由此分別調(diào)節(jié)功率輸出電路15的輸出功率及輸出頻率。
如圖6所示，功率晶體管A驅(qū)動電路26主要由開關(guān)電源專用芯片UC3844(或類似的)的集成電路IC1組成，用以驅(qū)動晶體管Q2，功率晶體管B驅(qū)動電路27主要由光耦合集成電路TLP251(或HP3120、HCNW3120等類似者)的集成電路IC2組成，從而得以與功率晶體管A驅(qū)動電路26形成電氣隔離，且接受驅(qū)動電路26產(chǎn)生的驅(qū)動信號，再用以驅(qū)動晶體管Q1，該分別傳送至Q1及Q2的二脈沖信號的時間差甚微，故Q1及Q2實質(zhì)上會同步切換。輸出功率調(diào)節(jié)電路28主要由可變電阻器VR2構(gòu)成，輸出頻率調(diào)節(jié)電路29主要由可變電阻器VR1構(gòu)成，且勵磁線圈主要由電感器L3構(gòu)成。
功率晶體管A驅(qū)動電路26產(chǎn)生的驅(qū)動信號為脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulation，PWM)信號(或類似的)，其頻率及占空比(Duty Cycle)均可依磁化特定液體所需的能量，由輸出功率調(diào)節(jié)電路28及輸出頻率調(diào)節(jié)電路29分別加以控制調(diào)節(jié)。一般而言，其占空比的變化范圍為10-50％，且其信號為方波。
現(xiàn)請參閱圖3及圖7，其分別顯示本發(fā)明采用時基電路芯片以驅(qū)動雙晶體管正激式逆變器的控制電路的一實施例的方塊圖及其細部電路圖。
如圖3所示，其與圖2所示電路主要差異在于功率晶體管A驅(qū)動電路36利用時基電路芯片、而非如功率晶體管驅(qū)動電路26利用開關(guān)電源專用芯片以自行產(chǎn)生驅(qū)動信號。
如圖7所示，功率晶體管A驅(qū)動電路36主要由集成電路時基電路芯片NE555(或類似的)的集成電路IC1組成，輸出功率調(diào)節(jié)電路38主要由可變電阻器VR2構(gòu)成，輸出頻率調(diào)節(jié)電路39主要由可變阻器VR1構(gòu)成，且勵磁線圈主要由電感器L3構(gòu)成。
功率晶體管A驅(qū)動電路36產(chǎn)生的驅(qū)動信號為脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulation，PWM)信號(或類似的)，其頻率及占空比(Duty Cycle)均可依磁化特定液體所需的能量，由輸出功率調(diào)節(jié)電路38及輸出頻率調(diào)節(jié)電路39分別加以控制調(diào)節(jié)。一般而言，其占空比的變化范圍為10-50％，且其信號為方波。
現(xiàn)請參閱圖4及圖8，其分別顯示本發(fā)明采用時基電路芯片以驅(qū)動單晶體管正激式逆變器的控制電路的一實施例的方塊圖及其細部電路圖。
如圖4所示，其與圖3所示電路主要差異在于，圖4的功率輸出電路45為單晶體管式，由功率晶體管驅(qū)動電路46驅(qū)動，而圖3的功率輸出電路35為雙晶體管式，由功率晶體管A驅(qū)動電路36及功率晶體管B驅(qū)動電路37分別驅(qū)動。
圖8顯示功率晶體管驅(qū)動電路46主要由二個時基電路芯片NE555(或一個時基電路芯片NE556等類似者)的集成電路IC1及IC2組成。其自行產(chǎn)生驅(qū)動信號，以控制功率輸出電路45的晶體管Q4。輸出功率調(diào)節(jié)電路48主要由可變電阻器VR2構(gòu)成，輸出頻率調(diào)節(jié)電路49主要由可變電阻器VR1構(gòu)成。
能量傳導(dǎo)電路40主要由二極管D1組成，勵磁線圈主要由電感器L3及L4構(gòu)成。當(dāng)功率輸出電路45的晶體管Q4處于導(dǎo)通期間時，直流電源流經(jīng)L3的繞組，電流方向由上向下、逐漸增大，直至晶體管Q4由導(dǎo)通變?yōu)榻刂沟乃查g，電流達到最大值。在此期間，將電場能量轉(zhuǎn)換成磁場能量，儲存于勵磁線圈中，磁場強度隨著通過線圈的電流的增加而增強。當(dāng)功率輸出電路45的晶體管Q4處于截止期間時，由于感應(yīng)電動勢反向，此時能量傳導(dǎo)電路40的二極管D1導(dǎo)通，電流經(jīng)由L4回流至濾波電路，電流方向由下向上、由剛截止時的最大值逐漸減小，此時勵磁線圈上產(chǎn)生的磁場方向與之前相同，但強度隨著通過線圈的電流的減小而降低。換言之，勵磁線圈中產(chǎn)生的反向感應(yīng)電動勢以電壓方式經(jīng)由D1向整流及濾波電路13的電容器C3及C4充電，因此儲存電場能量。由此可知，在功率輸出電路45的晶體管Q4的導(dǎo)通及截止期間，勵磁線圈上均產(chǎn)生磁場，其方向不變，但強度則隨通過其上的電流大小而改變。
功率晶體管驅(qū)動電路46產(chǎn)生的驅(qū)動信號為脈沖寬度調(diào)制(Pulse Width Modulation，PWM)信號(或類似者)，其頻率及占空比(Duty Cycle)均可依磁化特定液體所需的能量，而由輸出功率調(diào)節(jié)電路48及輸出頻率調(diào)節(jié)電路49分別加以控制調(diào)節(jié)。一般而言，其占空比的變化范圍為10-50％，且其信號為方波。
對于單晶體管正激式逆變器的控制電路，除可采用時基電路芯片驅(qū)動單晶體管正激式逆變器外，亦可以如前述雙晶體管正激式逆變器般采用CPLD(可編程邏輯器件)芯片或開關(guān)電源專用芯片驅(qū)動。例如，若將圖1中的雙晶體管式功率輸出電路15替換為單晶體管式功率輸出電路，雙驅(qū)動電路16與17替換為單驅(qū)動電路，使利用CPLD芯片產(chǎn)生脈沖信號的脈沖信號產(chǎn)生電路18將脈沖信號傳送至該單功率晶體管驅(qū)動電路，再產(chǎn)生驅(qū)動信號以驅(qū)動該單晶體管正激式功率輸出電路的晶體管切換于導(dǎo)通期間與截止期間之間，即可得到本發(fā)明的采用CPLD芯片以驅(qū)動單晶體管正激式逆變器的控制電路的一實施例。又例如，若將圖2中的雙晶體管式功率輸出電路15替換為單晶體管式功率輸出電路，功率晶體管驅(qū)動電路26自行產(chǎn)生驅(qū)動信號，以控制該單晶體管式功率輸出電路的晶體管，即可得到本發(fā)明采用開關(guān)電源專用芯片以驅(qū)動單晶體管正激式逆變器的控制電路的一實施例。
本發(fā)明已就實施例作詳細說明，然而上述實施例僅為示例性說明本發(fā)明的原理及功效，并非用于限制本發(fā)明。熟悉此項技藝人士應(yīng)知，在不悖離本發(fā)明的精神與范疇下，各種修正、變更均可以實行。
權(quán)利要求
1.一種磁化液體裝置的控制電路，其特征在于整流及濾波電路將輸入交流電源轉(zhuǎn)換成直流電源；開關(guān)電路將該直流電源轉(zhuǎn)換為脈沖電源，并施加至電感性負載上，以產(chǎn)生脈沖磁場將液體磁化，該開關(guān)電路包含功率輸出電路，包含至少一個功率晶體管，各功率晶體管工作于開關(guān)狀態(tài)，在各功率晶體管導(dǎo)通期間，將脈沖電源施加至電感性負載上；及驅(qū)動電路用以控制功率晶體管的導(dǎo)通與截止；以及傳導(dǎo)電路在各功率晶體管截止期間，將電感性負載中的磁場能量以電能形式返還至濾波電路中。
2.按權(quán)利要求1所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于開關(guān)功率輸出電路由二個功率晶體管構(gòu)成雙管正激式功率輸出電路，勵磁線圈串接在二個功率晶體管之間，驅(qū)動電路控制同步切換二個功率晶體管開、關(guān)。
3.按權(quán)利要求1所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于開關(guān)功率輸出電路也可以由一個功率晶體管構(gòu)成單管正激式功率輸出電路，勵磁線圈則串接在功率晶體管與輸入直流電源之間。
4.按權(quán)利要求1、2所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于能量傳導(dǎo)電路是在勵磁線圈的兩端串接二個二極管，一個二極管的負極與輸入直流電源的正極連接，另一個二極管的正極經(jīng)限流電阻接地。
5.按權(quán)利要求1、3所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于能量傳導(dǎo)電路是在勵磁線圈中串接一個二極管接地。
6.按權(quán)利要求1、2所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于驅(qū)動電路包括第一和第二驅(qū)動電路，分別控制二個功率晶體管開、關(guān)，并分別接受另一脈沖信號發(fā)生電路的脈沖信號。
7.按權(quán)利要求1、3所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于單管正激式功率輸出開關(guān)電路，其驅(qū)動電路自行產(chǎn)生脈沖驅(qū)動信號。
8.按權(quán)利要求1、2所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于雙管功率輸出電路的驅(qū)動電路，也可由第一驅(qū)動電路自行產(chǎn)生脈沖信號，控制一個功率晶體管開關(guān)，第二驅(qū)動電路接受第一驅(qū)電路產(chǎn)生的脈沖信號，控制另一個功率晶體管開關(guān)。
9.按權(quán)利要求7、8所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于所述驅(qū)動電路由分離元件構(gòu)成，其中一個驅(qū)動電路通過光電耦合集成電路與另一個驅(qū)動電路隔離后，輸出脈沖信號控制另一個功率晶體管。
10.按權(quán)利要求7、8所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于自行產(chǎn)生驅(qū)動信號的驅(qū)動電路設(shè)置有時基芯片和開關(guān)電源專用芯片。
11.按權(quán)利要求1-9所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于所述驅(qū)動信號或脈沖信號為脈沖寬度調(diào)制的信號；該脈沖寬度調(diào)制信號的頻率是可變的；該脈沖寬度調(diào)制信號占空比是可變的；該脈沖寬度調(diào)制信號的占空比的變化范圍為10-50％。
12.按權(quán)利要求1、2、3所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于所述功率晶體管為場效應(yīng)晶體管或絕緣柵雙極晶體管。
13.如權(quán)利要求1所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于還包含過電流/電壓保護電路，設(shè)置于輸入的交流電源與整流及濾波電路之間。
14.如權(quán)利要求1所述的磁化液體裝置的控制電路，其特征在于還包含電磁兼容EMC濾波電路，設(shè)置于輸入的交流電源與整流及濾波電路之間。
全文摘要
本發(fā)明為磁化液體裝置的控制電路，包含整流及濾波電路；開關(guān)電路；驅(qū)動電路及能量傳導(dǎo)電路。其中開關(guān)電路包含至少一個功率晶體管，各功率晶體管工作于開關(guān)狀態(tài)，在各功率晶體管導(dǎo)通期間，將脈沖電源施加至勵磁線圈。本電路的特點是，當(dāng)功率晶體管由導(dǎo)通變?yōu)榻刂範顟B(tài)時，儲存在磁場中的能量又返回到濾波電容中去。這部分電荷當(dāng)晶體管導(dǎo)通時，又再次被利用變成線圈中的磁能。所以能量消耗極少。本發(fā)明的磁化液體裝置的控制電路優(yōu)點在于通過本發(fā)明產(chǎn)生的脈沖磁場，實現(xiàn)提高磁化效率，減少能耗；通過本發(fā)明的控制電路，實現(xiàn)降低控制電路消耗的功率，延長控制電路的壽命，有效降低成本。
文檔編號H02M9/00GK1966417SQ20051011051
公開日2007年5月23日 申請日期2005年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月18日
發(fā)明者蔡志峰 申請人:蔡志峰