專(zhuān)利名稱(chēng)：后援電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電源瞬間斷路時(shí)保持?jǐn)?shù)字電路中的存儲(chǔ)電路所存儲(chǔ)的信息的后援電路，特別涉及可以用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝構(gòu)成的后援電路。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)字電路中，例如特開(kāi)2001-327101號(hào)公報(bào)所述，在電源供給端子和數(shù)字電路之間，具有由后援電容器構(gòu)成的后援電路，已廣為人知。由電源供給端子供給電壓時(shí)，后援電容器被充電；電源瞬間斷路時(shí)，由電源供給端子供給的電壓被斷開(kāi)后，利用被后援電容器充電的電荷，供給數(shù)字電路電壓，保持存儲(chǔ)電路中存儲(chǔ)的信息。
而且，為了防止后援電容器充電的電壓被電源供給端子供給外部，在電源供給端子和后援電容器之間配置二極管的方法，也廣為人知。在這里，二極管的陽(yáng)極與電源供給端子連接，二極管的陰極與后援電容器的一個(gè)端子連接，從而在電源供給端子供給的電壓下降時(shí)，防止電流由后援電容器向電源供給端子反向流動(dòng)。
可是，在使用二極管的裝置中，由于不能采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝在同一個(gè)LSI芯片上構(gòu)成二極管和數(shù)字電路，所以必須使用SOI工藝等特殊的工藝。因此，在采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝構(gòu)成數(shù)字電路時(shí)，就存在二極管成為外部元件的問(wèn)題。另外，使用二極管時(shí)，即使在通常動(dòng)作時(shí)，也存在著二極管產(chǎn)生電壓降的問(wèn)題。
與此不同，取代二極管，使用振蕩器及由充電泵驅(qū)動(dòng)的MOS晶體管的電路，也廣為人知。在該結(jié)構(gòu)中，利用電源供給端子供給的電壓驅(qū)動(dòng)振蕩器，利用該振蕩器的輸出驅(qū)動(dòng)充電泵。另外，MOS晶體管的陽(yáng)極，與電源供給端子連接；MOS晶體管的陰極與后援電容器的一個(gè)端子連接。充電泵的輸出，供給MOS晶體管的柵極。然后，在電源供給端子供給的電壓下降時(shí)，振蕩器停止振蕩，使由充電泵外加給MOS晶體管的柵極的電壓下降，將MOS晶體管斷開(kāi)，防止電流由后援電容器向電源供給端子反向流動(dòng)。在這種結(jié)構(gòu)中，能夠采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝構(gòu)成，所以能夠和數(shù)字電路在同一個(gè)半導(dǎo)體芯片上集成，而且還幾乎不產(chǎn)生電壓降。
可是，在使用振蕩器、充電泵和MOS晶體管的裝置中，為了構(gòu)成振蕩器和充電泵，大約需要15個(gè)晶體管元件，由于元件數(shù)量多，所以存在電路規(guī)模變大的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的，在于提供能夠用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝構(gòu)成、電路規(guī)模較小的后援電路。
(1)為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明具有在包含存儲(chǔ)電路的數(shù)字電路和向該數(shù)字電路供給電源的電源供給端子之間配置、在電源瞬間斷路時(shí)向所述數(shù)字電路供給后援電壓的后援電容器，在保持所述存儲(chǔ)電路存儲(chǔ)的信息的后援電路中，具有在所述電源供給端子和所述后援電容器之間配置、在所述電源供給端子正常供給電源時(shí)作為電阻發(fā)揮作用、在電源斷開(kāi)時(shí)作為將由所述數(shù)字電路向所述電源供給端子的方向作為反向的二極管發(fā)揮作用、同時(shí)還能夠用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝構(gòu)成的元件的裝置。
采用這種結(jié)構(gòu)后，能夠用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝構(gòu)成，能夠減小電路規(guī)模。
(2)在上述(1)中，所述元件，最好是MOS晶體管；該MOS晶體管的柵極端子，與接地電位連接。
(3)在上述(2)中，所述MOS晶體管，最好是多個(gè)串聯(lián)。
(4)在上述(1)中，最好具有在所述電源供給端子的電壓成為預(yù)定的電壓以下時(shí)，使所述數(shù)字電路向低耗電狀態(tài)轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移單元。
(5)在上述(4)中，所述轉(zhuǎn)移單元，最好是檢出所述電源供給端子的電壓的電壓檢出單元，在成為預(yù)定的電壓以下時(shí)，使所述數(shù)字電路向待機(jī)狀態(tài)轉(zhuǎn)移。
(6)在上述(4)中，所述轉(zhuǎn)移單元，最好是受所述電源供給端子供給的電壓驅(qū)動(dòng)的振蕩器，在該振蕩器輸出的時(shí)鐘脈沖信號(hào)的作用下，驅(qū)動(dòng)所述數(shù)字電路的同時(shí)，在所述電源供給端子供給的電壓成為預(yù)定的電壓后，停止振蕩。
(7)在上述(1)中，最好具有在所述電源供給端子的電壓成為預(yù)定的電壓以下時(shí)，將所述數(shù)字電路復(fù)位的復(fù)位單元。
(8)在上述(7)中，所述復(fù)位單元，最好在所述電源供給端子的電壓成為預(yù)定的電壓以下后，延遲所定時(shí)間再將所述數(shù)字電路復(fù)位。


圖1是表示采用本發(fā)明的第1實(shí)施方式的后援電路的結(jié)構(gòu)及動(dòng)作的電路圖。
圖2是表示采用本發(fā)明的第1實(shí)施方式的后援電路使用的MOS晶體管的剖面結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3是采用本發(fā)明的第1實(shí)施方式的后援電路的動(dòng)作的說(shuō)明圖。
圖4是表示采用本發(fā)明的第1實(shí)施方式的后援電路的具體的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖5是表示采用本發(fā)明的第2實(shí)施方式的后援電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖6是表示被采用本發(fā)明的第2實(shí)施方式的后援電路后援的數(shù)字電路的結(jié)構(gòu)的方框圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照?qǐng)D1～圖4，講述采用本發(fā)明的第1實(shí)施方式的后援電路的結(jié)構(gòu)及動(dòng)作。
首先，使用圖1，講述采用本發(fā)明的第1實(shí)施方式的后援電路的結(jié)構(gòu)。
圖1是表示采用本發(fā)明的第1實(shí)施方式的后援電路的結(jié)構(gòu)及動(dòng)作的電路圖。
后援電路10，由串聯(lián)的p-MOS晶體管MOS1、MOS2、后援電容器C1、電壓檢出電路12和延遲電路14構(gòu)成。
MOS晶體管MOS1的陰極端子K1，與電源供給端子TIN連接。MOS晶體管MOS1的陽(yáng)極端子A1，與MOS晶體管MOS2的陰極端子K2連接。MOS晶體管MOS1的柵極端子G1，與電源供給端子TGND連接。電源供給端子TGND，是接地電位。電源供給端子TIN、TGND，與外部電源連接，被供給電壓V1。
MOS晶體管MOS2的陰極端子K2，與MOS晶體管MOS1的陽(yáng)極端子A1連接。MOS晶體管MOS2的陽(yáng)極端子A2，與數(shù)字電路20的電源供給端子VDD連接。MOS晶體管MOS2的柵極端子G1，與電源供給端子TGND連接。這樣，MOS晶體管MOS1、MOS2，在電源供給端子TIN和數(shù)字電路20的電源供給端子VDD之間串聯(lián)。
被串聯(lián)的p-MOS晶體管MOS1、MOS2，如后文使用圖2所述，在被外部正常供給電源時(shí)作為電阻發(fā)揮作用、在電源斷開(kāi)時(shí)作為將由數(shù)字電路20向電源供給端子TIN的方向?yàn)榉聪虻亩O管發(fā)揮作用。
后援電容器C1的一個(gè)端子，與MOS晶體管MOS2的陽(yáng)極端子A2和數(shù)字電路20的電源供給端子VDD的連接點(diǎn)連接。后援電容器C1的另一個(gè)端子，與電源供給端子TGND連接。后援電容器C1被由電源供給端子TIN、TGND供給數(shù)字電路20的電源供給端子VDD的電源電壓充電。
電壓檢出電路12，檢出電源供給端子TIN、TGND的兩端電壓，產(chǎn)生使數(shù)字電路20向低功耗狀態(tài)(待機(jī)狀態(tài))過(guò)渡的信號(hào)。電壓檢出電路12的輸出，輸入數(shù)字電路20的待機(jī)端子STANBY。數(shù)字電路20的待機(jī)端子STANBY的輸入信號(hào)成為高電平后，數(shù)字電路20停止向在其內(nèi)部安裝的CPU(運(yùn)算器)等供給電力，將數(shù)字電路20向低功耗狀態(tài)轉(zhuǎn)移。此外，這時(shí)，數(shù)字電路20的內(nèi)部的ROM等存儲(chǔ)元件，在由數(shù)字電路20的電源供給端子VDD供給的電壓的作用下，保持存儲(chǔ)的信息。
延遲電路14，產(chǎn)生使電壓檢出電路12的輸出信號(hào)延遲的延遲信號(hào)。延遲電路14的輸出信號(hào)，被供給數(shù)字電路20的復(fù)位端子RESET。數(shù)字電路20在復(fù)位端子RESET的輸入信號(hào)由低電平變成高電平后，使內(nèi)部的CPU等復(fù)位，使數(shù)字電路20恢復(fù)動(dòng)作。
下面，使用圖2，講述采用本實(shí)施方式的后援電路使用的MOS晶體管的剖面結(jié)構(gòu)。
圖2是表示采用本發(fā)明的第1實(shí)施方式的后援電路使用的MOS晶體管的剖面結(jié)構(gòu)的剖面圖。此外，和圖1相同的符號(hào)，表示相同的部分。
p-MOS晶體管MOS1、MOS2，采用在P-SUB基板m1上配置互相分離的N-WELLm2、m3，在該N-WELLm2、m3上，分別配置P+擴(kuò)散m4、m5、m6、m7和柵電極m8、m9后構(gòu)成，是易于用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝形成的結(jié)構(gòu)。
下面，使用圖1及圖3，講述采用本實(shí)施方式的后援電路的動(dòng)作。
圖3是采用本發(fā)明的第1實(shí)施方式的后援電路的動(dòng)作的說(shuō)明圖。
在圖1所示的后援電路10中，在通常時(shí)，MOS晶體管MOS1、MOS2的柵極端子與接地電位連接，所以MOS晶體管MOS1、MOS2是接通狀態(tài)，作為微小電阻發(fā)揮作用，幾乎不產(chǎn)生電壓降地將供給電源供給端子TIN、TGND的電壓，供給數(shù)字電路20。在這里，如果設(shè)1個(gè)MOS晶體管處于接通狀態(tài)時(shí)的電阻為2Ω，那么2個(gè)MOS晶體管處于接通狀態(tài)時(shí)的電阻就為4Ω。如果設(shè)流過(guò)MOS晶體管MOS1、MOS2的電流為10mA，那么MOS晶體管MOS1、MOS2中的電壓降就僅為0.04V。
所以，如圖3所示，在通常時(shí)，對(duì)于供給電源供給端子TIN、TGND的外部電壓V1而言，供給數(shù)字電路20的電源供給端子VDD的電壓V2，是僅比它低0.04V左右的電壓。
另一方面，在電源瞬間斷路時(shí)，MOS晶體管MOS2，不進(jìn)行作為MOS晶體管的動(dòng)作，在P+擴(kuò)散m7和N-WELLm3的作用下，作為二極管動(dòng)作；MOS晶體管MOS1，也在P+擴(kuò)散m5和N-WELLm2的作用下，作為二極管動(dòng)作。
因此，如圖3所示，在時(shí)刻t1處，電源瞬間斷路后，即使電源供給端子TIN、TGND的電壓V1成為OV，供給數(shù)字電路20的電壓V2也維持著二極管的正向電壓Vd的兩個(gè)電壓2Vd(約1.2V)。一般來(lái)說(shuō)，數(shù)字電路20的存儲(chǔ)裝置，例如由雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩電路及RAM構(gòu)成，這些存儲(chǔ)裝置即使電源電壓低到0.5V左右，也能維持信息。就是說(shuō)，在本實(shí)施方式的后援電路10的作用下，將供給數(shù)字電路20的電源電壓維持成為二極管的正向電壓的兩個(gè)量的電壓——約1.2V后，能夠維持?jǐn)?shù)字電路內(nèi)部的雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩電路及RAM的信息。這樣，即使在電源瞬間斷路恢復(fù)后，也能使數(shù)字電路20正常動(dòng)作。
此外，一般來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)裝置是即使電源電壓低到0.5V左右，也能維持信息的元件，因此只使用一個(gè)MOS晶體管也行。但是，存儲(chǔ)裝置由于制造時(shí)存在離差，其能夠維持信息的電壓也有離差，所以在本實(shí)施方式中串聯(lián)兩個(gè)MOS晶體管，將電源電壓作為1.2V，即使存儲(chǔ)裝置存在離差，也能使其維持信息。
綜上所述，在本實(shí)施方式中，將在由外部正常供給電源時(shí)作為電阻發(fā)揮作用、在電源斷開(kāi)時(shí)作為把由數(shù)字電路20向電源供給端子TIN的方向作為反向的二極管發(fā)揮作用的元件-p-MOS晶體管MOS1、MOS2，與電源供給端子TIN和數(shù)字電路20的電源供給端子VDD連接。由于能夠采用標(biāo)準(zhǔn)MOS工藝構(gòu)成MOS晶體管MOS，所以能夠和數(shù)字電路在同一個(gè)半導(dǎo)體芯片上集成。另外，MOS晶體管，是在通常時(shí)幾乎不產(chǎn)生電壓降的元件。并且，由于在電源瞬間斷路時(shí)，作為二極管發(fā)揮作用，所以能夠防止從后援電容器向電源供給端子方向的反流。另外，因?yàn)橹皇褂脙蓚€(gè)MOS晶體管，所以與現(xiàn)有技術(shù)的使用振蕩器、充電泵和MOS晶體管的裝置相比，不需要振蕩器和充電泵，只追加1個(gè)MOS晶體管，所以能夠減少元件數(shù)量，其結(jié)果，能使電路規(guī)模減少1/2。
此外，將MOS晶體管作為p-MOS的情況進(jìn)行了講述，但也可用n-MOS構(gòu)成。
另外，電壓檢出電路12，在電源瞬間斷路時(shí)，使數(shù)字電路20成為低功耗狀態(tài)后，可以延長(zhǎng)后援電源電壓的后援電容器C1保持電源電壓的時(shí)間。
另外，延遲電路14，是為了在來(lái)自電源瞬間斷路的恢復(fù)后，經(jīng)過(guò)延遲電路的延遲時(shí)間后，向數(shù)字電路20供給復(fù)位信號(hào)而設(shè)置的。這樣，在來(lái)自電源瞬間斷路的恢復(fù)后有可能變得不穩(wěn)定的數(shù)字電路中，也能使其在恢復(fù)時(shí)變得穩(wěn)定。
下面，使用圖4，講述采用本實(shí)施方式的后援電路的具體的結(jié)構(gòu)。
圖4是表示采用本發(fā)明的第1實(shí)施方式的后援電路的具體的結(jié)構(gòu)的電路圖。此外，和圖1相同的符號(hào)，表示相同的部分。
在圖4中，作為電壓檢出電路12，使用倒相器MOS電路INV1；作為延遲電路14，使用倒相器MOS電路INV2。倒相器MOS電路INV1的輸出，在圖3的時(shí)刻t3中，在電源供給端子TIN、TGND的電壓V1成為OV時(shí)，從低電平向高電平變化。倒相器MOS電路INV1的輸出成為高電平后，數(shù)字電路20就向待機(jī)狀態(tài)轉(zhuǎn)移，向低耗電狀態(tài)轉(zhuǎn)移。
倒相器MOS電路INV2，是使輸入信號(hào)延遲的元件，由多個(gè)倒相器串聯(lián)而成。在圖3的時(shí)刻t1處，使倒相器MOS電路INV1的輸出由低電平向高電平變化后，數(shù)字電路20在復(fù)位端子RESET的輸入信號(hào)由低電平變化成高電平時(shí)，作為使內(nèi)部的CPU等復(fù)位的元件，將構(gòu)成倒相器MOS電路INV2的倒相器的個(gè)數(shù)，作為偶數(shù)個(gè)。在電源瞬間斷路后的恢復(fù)時(shí)成為不穩(wěn)定的數(shù)字電路20中，只使其延遲直到消除該不穩(wěn)定為止的時(shí)間。由單一的倒相器形成的延遲時(shí)間，例如為10ns時(shí)，設(shè)定串聯(lián)的倒相器的個(gè)數(shù)，以便確保直到數(shù)字電路20穩(wěn)定為止所需的延遲時(shí)間。另外，使該延遲時(shí)間較長(zhǎng)時(shí)，如圖所示，可將倒相器MOS電路INV2的輸出與容電器C2連接，該容電器C2的充電時(shí)間能夠確保延遲時(shí)間。
綜上所述，采用本實(shí)施方式后，在由電源供給端子供給的電壓下降時(shí)，能夠防止電流由后援容電器向電源供給端子的反流。而且，還能夠用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制造。進(jìn)而，還能減小電路規(guī)模。
下面，使用圖5及圖6，講述采用本發(fā)明的第2實(shí)施方式的后援電路的結(jié)構(gòu)及動(dòng)作。
圖5是表示采用本發(fā)明的第2實(shí)施方式的后援電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖6是表示被采用本發(fā)明的第2實(shí)施方式的后援電路后援的數(shù)字電路的結(jié)構(gòu)的方框圖。此外，在圖5中，和圖1相同的符號(hào)，表示相同的部分。
在圖5中，后援電路10A，由串聯(lián)的p-MOS晶體管MOS1、MOS2、后援電容器C1和振蕩器16構(gòu)成。p-MOS晶體管MOS1、MOS2及后援電容器C1的動(dòng)作，和圖1所示的裝置一樣。
振蕩器16，在電源供給端子TIN、TGND的兩端電壓的作用下動(dòng)作，從時(shí)鐘脈沖端子CLK輸出時(shí)鐘脈沖信號(hào)。時(shí)鐘脈沖信號(hào)，供給數(shù)字電路20的時(shí)鐘脈沖的端子CLK。振蕩器16在電源供給端子TIN、TGND的兩端電壓降低后，自動(dòng)停止振蕩。
在圖6中，數(shù)字電路20A，由程序計(jì)數(shù)器21、ROM22、寄存器組23、運(yùn)算器24和輸出入電路25構(gòu)成。程序計(jì)數(shù)器21，管理從0到最大值反復(fù)巡回程序的實(shí)施。ROM22，按照程序計(jì)數(shù)器21的輸出，輸出預(yù)先存放的程序。由ROM22輸出的程序代碼，通過(guò)控制碼總線CCB，發(fā)送給寄存器組23、運(yùn)算器24和輸出入電路25。寄存器組23暫時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)，運(yùn)算器24進(jìn)行計(jì)算，輸出入電路25進(jìn)行輸出入。此外，在寄存器組23、運(yùn)算器24和輸出入電路25之間的數(shù)據(jù)的交換，通過(guò)數(shù)據(jù)總線DB進(jìn)行。
由圖5的振蕩器16輸入的時(shí)鐘脈沖信號(hào)，分別供給程序計(jì)數(shù)器21、ROM22、寄存器組23、運(yùn)算器24和輸出入電路25。電源供給端子TIN、TGND的兩端電壓下降后，振蕩器43自動(dòng)停止振蕩，由振蕩器43供給時(shí)鐘脈沖的數(shù)字電路20A的程序計(jì)數(shù)器21、ROM22、寄存器組23、運(yùn)算器24和輸出入電路25也停止動(dòng)作，成為低耗電狀態(tài)。
另外，數(shù)字電路20A，是使程序計(jì)數(shù)器21巡回、使程序巡回動(dòng)作的裝置，所以電源瞬間斷路后，即使計(jì)數(shù)程序動(dòng)作失控，也因?yàn)槭茄不貏?dòng)作，所以一定會(huì)恢復(fù)。就是說(shuō)，可以不進(jìn)行復(fù)位動(dòng)作地恢復(fù)。
綜上所述，采用本實(shí)施方式后，在由電源供給端子供給的電壓下降時(shí)，能夠防止電流由后援容電器向電源供給端子的反流。而且，還能夠用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制造。進(jìn)而，還能減小電路規(guī)模。
采用本發(fā)明后，提供用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝構(gòu)成，能夠減小電路規(guī)模。
權(quán)利要求
1.一種后援電路，具有配置在包含存儲(chǔ)電路的數(shù)字電路(20)與向該數(shù)字電路供給電源的電源供給端子(TIN、TGND)之間、當(dāng)電源瞬間斷路時(shí)向所述數(shù)字電路供給后援電壓的后援電容器(C1)，保持所述存儲(chǔ)電路中存儲(chǔ)的信息，其特征在于具有配置在所述電源供給端子(TIN、TGND)與所述后援電容器(C1)之間、當(dāng)所述電源供給端子正常供給電源時(shí)起電阻作用、而當(dāng)電源被斷開(kāi)時(shí)起到將由所述數(shù)字電路向所述電源供給端子的方向作為反向的二極管的作用、同時(shí)還能夠用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝構(gòu)成的元件(MOS1、MOS2)。
2.如權(quán)利要求1所述的后援電路，其特征在于所述元件，是MOS晶體管(MOS1、MOS2)；該MOS晶體管的柵極端子(G1、G2)，與接地電位連接。
3.如權(quán)利要求2所述的后援電路，其特征在于所述MOS晶體管(MOS1、MOS2)，是多個(gè)串聯(lián)。
4.如權(quán)利要求1所述的后援電路，其特征在于還具有在所述電源供給端子的電壓成為預(yù)定的電壓以下時(shí)，使所述數(shù)字電路向低耗電狀態(tài)轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移單元(12)。
5.如權(quán)利要求4所述的后援電路，其特征在于所述轉(zhuǎn)移單元(12)，是檢出所述電源供給端子的電壓的電壓檢出單元，當(dāng)成為預(yù)定的電壓以下時(shí)，使所述數(shù)字電路向待機(jī)狀態(tài)轉(zhuǎn)移。
6.如權(quán)利要求4所述的后援電路，其特征在于所述轉(zhuǎn)移單元(12)，是受所述電源供給端子供給的電壓驅(qū)動(dòng)的振蕩器，由該振蕩器輸出的時(shí)鐘脈沖信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述數(shù)字電路，并且，當(dāng)所述電源供給端子供給的電壓成為預(yù)定的電壓后，停止振蕩。
7.如權(quán)利要求1所述的后援電路，其特征在于還具有在所述電源供給端子的電壓成為預(yù)定的電壓以下時(shí)，將所述數(shù)字電路復(fù)位的復(fù)位單元(14)。
8.如權(quán)利要求7所述的后援電路，其特征在于所述復(fù)位單元(14)，在所述電源供給端子的電壓成為預(yù)定的電壓以下之后，延遲規(guī)定時(shí)間后將所述數(shù)字電路復(fù)位。
全文摘要
本發(fā)明的目的，在于提供能夠用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝構(gòu)成、電路規(guī)模的較小的后援電路。后援電路(10)配置在包含存儲(chǔ)電路的數(shù)字電路(44)和向該數(shù)字電路供給電源的電源供給端子(TIN、TGND)之間。在電源供給端子(TIN、TGND)和后援電容器(C1)之間，配置串聯(lián)的MOS晶體管(MOS1、MOS2)。MOS晶體管(MOS1、MOS2)，在電源供給端子正常供給電源時(shí)作為電阻發(fā)揮作用、在電源斷開(kāi)時(shí)作為將由所述數(shù)字電路向所述電源供給端子的方向作為反向的二極管發(fā)揮作用。
文檔編號(hào)H02J7/34GK1792015SQ0382671
公開(kāi)日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2003年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月18日
發(fā)明者松本昌大, 半澤惠二, 助迫浩康 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所, 日立汽車(chē)技術(shù)有限公司