專利名稱：開(kāi)關(guān)電源電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及開(kāi)關(guān)電源電路，這種開(kāi)關(guān)電源電路將單相AC電壓輸入到開(kāi)關(guān)器件以便產(chǎn)生高頻AC電壓，通過(guò)變壓器隔離高頻AC電壓，以及對(duì)隔離的AC電壓進(jìn)行整流以便對(duì)負(fù)載提供DC電源。
背景技術(shù)：
圖5表示記載在“High-Frequency Isolation UPS with Novel SMR”(IECOM’93，pp.1258-1263(1993))中的常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路圖。
參照?qǐng)D5，常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路包括具有相互串聯(lián)連接的二極管D1和D2的第1串聯(lián)電路，具有相互串聯(lián)連接的MOSFET Q1和Q2的第2串聯(lián)電路，具有相互串聯(lián)連接的MOSFET Q3和Q4的第3串聯(lián)電路。常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路還包括并聯(lián)連接第1到第3串聯(lián)電路的緩沖(snubber)電路SN。
第1AC輸入端U連接到二極管D1和D2的共同連接點(diǎn)。變壓器T1的初級(jí)線圈部分P1具有連接到MOSFET Q1和Q2的共同連接點(diǎn)。變壓器T1的初級(jí)線圈部分P2具有連接到MOSFET Q3和Q4的共同連接點(diǎn)。初級(jí)線圈部分P1和P2之間的中心抽頭連接到第2AC輸入端V。
變壓器T1的次級(jí)線圈部分S1和S2分別通過(guò)二極管D3和D4連接到電容器C5的一端。次級(jí)線圈部分S1和S2之間的中心抽頭連接到電容器C5的另一端。
如圖5所示，DC輸出端P和N連接到電容器C5。
當(dāng)變壓器T1通過(guò)同時(shí)導(dǎo)通MOSFET Q1和Q3(初級(jí)線圈部分P1和P2)短路時(shí)，如果AC輸入電壓為正，則電抗L1的電流增加。當(dāng)MOSFET Q3在前述的狀態(tài)斷開(kāi)時(shí)，電抗電流從MOSFET Q1流過(guò)初級(jí)線圈部分P1，并通過(guò)次級(jí)線圈部分S1和二極管D3將電源饋送給電容器C5。
當(dāng)變壓器通過(guò)導(dǎo)通MOSFET Q3再次短路時(shí)，電抗電流增加。當(dāng)MOSFET Q1接著斷開(kāi)時(shí)，電抗電流流過(guò)MOSFET Q3。電抗電流流過(guò)MOSFET Q3激勵(lì)變壓器T1的初級(jí)線圈部分P2，并通過(guò)次級(jí)線圈部分S2和二極管D4將電源饋送給電容器C5。
通過(guò)高頻重復(fù)前述的動(dòng)作，AC輸入電壓被隔離，并由變壓器T1轉(zhuǎn)換成DC電源。通過(guò)二極管D3，D4和電容器C5，輸出被隔離和轉(zhuǎn)換的DC電源。
當(dāng)AC輸入電壓為負(fù)時(shí)，通過(guò)導(dǎo)通和斷開(kāi)MOSFET Q2和Q4，以前述的常規(guī)開(kāi)關(guān)電源電路相同的方法進(jìn)行動(dòng)作。
常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路使用4個(gè)MOSFET Q1-Q4、電抗器L1和緩沖電路SN。因?yàn)槌Ｒ?guī)的開(kāi)關(guān)電源電路必須結(jié)合4個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，每個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET Q1-Q4中的1個(gè)，所以常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路尺寸大，并且常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路的成本高。
因?yàn)榇嬖谝欢ǖ臅r(shí)間點(diǎn)，在這些點(diǎn)上單相AC輸入電壓是零，饋送到負(fù)載的能量中斷，在負(fù)載上引起大的波紋電壓。為避免前述問(wèn)題，在負(fù)載上的電容器C5必須具有足夠大的電容。因此，常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路的尺寸進(jìn)一步增大，并且常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路的成本進(jìn)一步增加。

發(fā)明內(nèi)容
由前述可見(jiàn)，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種開(kāi)關(guān)電源電路，這種開(kāi)關(guān)電源電路能容易地減少構(gòu)成元件數(shù)、減小負(fù)載側(cè)的電容器的電容，以及減小開(kāi)關(guān)電源電路的尺寸、重量和成本。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種開(kāi)關(guān)電源電路，包括開(kāi)關(guān)器件，將單相AC輸入的電壓變換成高頻AC電壓，變壓器(T1)，對(duì)高頻AC電壓進(jìn)行隔離，和整流器電路，對(duì)隔離的高頻AC電壓進(jìn)行整流，以便對(duì)負(fù)載提供DC電源，開(kāi)關(guān)電源電路還包括第1串聯(lián)電路，具有2個(gè)串聯(lián)連接的二極管(D1，D2)，第2串聯(lián)電路，具有2個(gè)串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)器件(MOSFET Q1，Q2)，第3串聯(lián)電路，具有串聯(lián)連接的第1電容器(C1)和第2電容器(C2)，緩沖電容器(Cs)，相互平行地連接所述緩沖電容器、所述第1串聯(lián)電路、所述第2串聯(lián)電路和所述第3串聯(lián)電路，1個(gè)或者2個(gè)電容器(C3，C4)平行連接到開(kāi)關(guān)器件(Q1，Q2)之一或者兩者，1個(gè)或者2個(gè)電容器(C3，C4)使得開(kāi)關(guān)器件(Q1，Q2)之一或者兩者執(zhí)行零電壓開(kāi)關(guān)，
第1AC輸入端(U1)連接到所述第1串聯(lián)電路中的二極管(D1，D2)的共同連接點(diǎn)，所述變壓器包括具有中心抽頭的初級(jí)線圈(P)和次級(jí)線圈(S)，初級(jí)線圈(P)的一端連接到所述第2串聯(lián)電路中的開(kāi)關(guān)器件(Q1，Q2)的共同連接點(diǎn)，初級(jí)線圈(P)的另一端連接到所述第3串聯(lián)電路中的所述第1電容器(C1)和所述第2電容器(C2)的共同連接點(diǎn)，第2AC輸入端(V)連接到所述初級(jí)線圈(P)的中心抽頭，和整流電路連接到所述變壓器(T1)的次級(jí)線圈(S)。
通過(guò)導(dǎo)通開(kāi)關(guān)器件之一(例如Q1)，對(duì)存儲(chǔ)在初級(jí)線圈(P)的泄漏電感(LK1)中的能量和存儲(chǔ)在緩沖電容器(Cs)中的能量進(jìn)行釋放。利用斷開(kāi)開(kāi)關(guān)器件(Q1)，將能量存儲(chǔ)在緩沖電容器(Cs)中。利用導(dǎo)通另一個(gè)開(kāi)關(guān)器件(Q2)，將存儲(chǔ)在緩沖電容器(Cs)中的能量釋放。
因?yàn)樯踔猎贏C輸入電壓為零時(shí)也能利用導(dǎo)通另一個(gè)開(kāi)關(guān)器件(Q2)來(lái)釋放存儲(chǔ)在緩沖電容器(Cs)中的能量，所以不中斷輸出電源也能減少波紋電壓。因此，在負(fù)載側(cè)電容器(C5)不必具有大的電容。
根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，省略傳導(dǎo)零電壓開(kāi)關(guān)的電容器(C3，C4)。這種開(kāi)關(guān)電源電路不包括電容器(C3，C4)，比本發(fā)明的第一個(gè)方面的開(kāi)關(guān)電源電路更加簡(jiǎn)單。
較佳的是，開(kāi)關(guān)電源電路調(diào)整開(kāi)關(guān)器件(Q1或者Q2)之一的ON-OFF占空比，以便調(diào)節(jié)所述AC輸入的電流，以及開(kāi)關(guān)電源電路調(diào)整另一個(gè)開(kāi)關(guān)器件(Q2或者Q1)的工作頻率，以便調(diào)節(jié)輸出的DC電源。


圖1表示與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1相關(guān)的開(kāi)關(guān)電源電路圖。
圖2表示與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2相關(guān)的開(kāi)關(guān)電源電路圖。
圖3(a)-3(d)表示 由圖1所示MOSFET的ON和OFF引起的電流通道的電路圖。
圖4表示圖1所示電路的某些點(diǎn)上的電壓和電流的波形圖。
圖5表示常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)實(shí)施本發(fā)明的最佳實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。
實(shí)施形態(tài)1圖1表示與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1相關(guān)的開(kāi)關(guān)電源電路圖。圖1中使用的標(biāo)號(hào)和符號(hào)與圖5中使用的相同結(jié)構(gòu)元件的標(biāo)號(hào)和符號(hào)相同。
下面參照?qǐng)D1，本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的開(kāi)關(guān)電源電路，包括第1串聯(lián)電路，具有相互串聯(lián)連接的二極管D1和D2，第2串聯(lián)電路，具有相互串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)器件MOSFET Q1和Q2，第3串聯(lián)電路，具有串聯(lián)連接的第1電容器C1和第2電容器C2，和緩沖電容器Cs，相互平行地連接緩沖電容器、第1串聯(lián)電路、第2串聯(lián)電路和第3串聯(lián)電路。
第3電容器C3與MOSFET Q1并聯(lián)連接，第4電容器C4與MOSFET Q2并聯(lián)連接?？梢允÷缘?電容器C3和第4電容器C4。
第1AC輸入端U連接到第1串聯(lián)電路中的二極管D1和D2的共同連接點(diǎn)，具有中心抽頭的變壓器T1中的初級(jí)線圈P的一端連接到MOSFET Q1和Q2的共同連接點(diǎn)，變壓器T1中的初級(jí)線圈P的另一端連接到第1電容器C1和第2電容器C2的共同連接點(diǎn)。
初級(jí)線圈P的中心抽頭連接到第2AC輸入端V。
通過(guò)二極管D3和D4變壓器T1的次級(jí)線圈S的兩端連接到電容器C5的一端。電容器C5的另一端連接到變壓器T1的次級(jí)線圈S的中心抽頭。
中心抽頭將變壓器T1中的初級(jí)線圈P分開(kāi)成2部分P1和P2。中心抽頭將變壓器T1中的次級(jí)線圈S分開(kāi)成2部分S1和S2。如圖1所示，在變壓器T1的初級(jí)線圈側(cè)的泄漏電感LK1和LK2和DC輸出端P和N連接到電容器C5。
下面，參照?qǐng)D3(a)-3(d)和圖4對(duì)本發(fā)明第1實(shí)施形態(tài)的開(kāi)關(guān)電源電路的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。圖3(a)-3(d)表示 由MOSFET的ON和OFF引起的電流通道的電路圖。圖4表示圖1所示電路的某些點(diǎn)上的電壓和電流的波形圖。
如圖3(a)的實(shí)線所示，通過(guò)導(dǎo)通MOSFET Q1，如果AC輸入電壓是正，則通過(guò)二極管D1、MOSFET Q1和變壓器T1中的初級(jí)線圈部分P1，電流i1從AC輸入端U流到AC輸入端V，并將能量存儲(chǔ)在變壓器T1中的初級(jí)線圈的泄漏電感LK1中。
同時(shí)，如圖3(a)的虛線所示，通過(guò)MOSFET Q1和變壓器T1中的初級(jí)線圈部分P1、P2，電流i2從電容器Cs流到電容器C2，并通過(guò)變壓器T1將已存儲(chǔ)在電容器Cs中的能量釋放到次級(jí)線圈側(cè)。
然后，如圖3(b)的實(shí)線所示，通過(guò)斷開(kāi)MOSFET Q1，通過(guò)二極管D1、電容器Cs、電容器C4和變壓器T1中的初級(jí)線圈部分P1，電流i3從AC輸入端U流到AC輸入端V，并將能量存儲(chǔ)在電容器Cs中和釋放電容器C4的能量。
同時(shí)，通過(guò)電容器C3和變壓器T1中的初級(jí)線圈部分P1和P2，電流i4從電容器Cs流到電容器C2，并對(duì)電容器C3進(jìn)行充電。
當(dāng)在前述的動(dòng)作中斷開(kāi)MOSFET Q1時(shí)，電容器C3兩端的電壓都是零。零電壓開(kāi)關(guān)有利于減小開(kāi)關(guān)損耗。
接著，如圖3(c)所示，導(dǎo)通MOSFET Q2，通過(guò)電容器C1、變壓器T1中的初級(jí)線圈部分P1和P2和MOSFET Q2，電流i5從電容器Cs流到電容器Cs，并通過(guò)初級(jí)線圈P將存儲(chǔ)在電容器Cs中的能量釋放到變壓器T1的次級(jí)線圈側(cè)。
通過(guò)斷開(kāi)MOSFET Q2，通過(guò)電容器C1和變壓器T1中的初級(jí)線圈部分P2和P1，電流i6從電容器Cs流到電容器C4，并對(duì)電容器C4進(jìn)行充電，，通過(guò)電容器C1和變壓器T1中的初級(jí)線圈部分P2和P1，電流i7從電容器C3流到電容器C3，并釋放電容器C3的能量。
當(dāng)在前述的動(dòng)作中斷開(kāi)MOSFET Q2時(shí)，電容器C4兩端的電壓都是零。零電壓開(kāi)關(guān)有利于減小開(kāi)關(guān)損耗。
根據(jù)第1實(shí)施形態(tài)的開(kāi)關(guān)電源電路，通過(guò)對(duì)分別與MOSFET Q1和Q2并聯(lián)連接的電容器C3和C4進(jìn)行充放電，有利于MOSFET Q1和Q2的零電壓開(kāi)關(guān)動(dòng)作。在完成參照?qǐng)D3(d)的動(dòng)作后，重復(fù)圖3(a)到圖3(d)的動(dòng)作。因此，通過(guò)高頻地導(dǎo)通和斷開(kāi)MOSFET Q1和Q2，重復(fù)激勵(lì)和停止激勵(lì)變壓器T1中的初級(jí)線圈P，具有圖4的底部所示的波形的電流，通過(guò)變壓器T1中的次級(jí)線圈S和二極管D3和D4從DC輸出端P和N進(jìn)行輸出。
根據(jù)第1實(shí)施形態(tài)，通過(guò)調(diào)節(jié)MOSFET Q1的ON周期，調(diào)整AC輸入電流的幅度和對(duì)電容器C3進(jìn)行充電的電流。通過(guò)調(diào)節(jié)MOSFET Q1和Q2的ON周期，調(diào)整電源饋送到負(fù)載。
因此，通過(guò)調(diào)節(jié)MOSFET Q1的ON-OFF占空比，控制AC輸入電流。一旦MOSFET Q1的ON周期建立，通過(guò)調(diào)節(jié)MOSFET Q2的ON周期和OFF周期、即工作頻率，控制電源饋送到負(fù)載或者輸出電壓。
當(dāng)AC輸入電壓為負(fù)時(shí)，根據(jù)第1實(shí)施形態(tài)，通過(guò)相互交換MOSFET Q1的動(dòng)作和MOSFET Q2的動(dòng)作，開(kāi)關(guān)電源電路用與前述相同的方法進(jìn)行動(dòng)作。也就是說(shuō)，通過(guò)導(dǎo)通圖3(a)中的MOSFET Q2、斷開(kāi)圖3(b)中的MOSFET Q2、導(dǎo)通圖3(c)和斷開(kāi)圖3(d)中的MOSFET Q1，能量被存儲(chǔ)在泄漏電感KL2中。
因?yàn)槿鐖D4所示，AC輸入電壓為低，在T1期間，存儲(chǔ)在電容器Cs中的能量被釋放到負(fù)載，因?yàn)楫?dāng)在Th期間電源饋送到負(fù)載時(shí)，AC輸入電壓為高，電容器Cs被充電，所以不必中斷輸出的電源，就能減小波紋電壓。
實(shí)施形態(tài)2圖2表示與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2相關(guān)的開(kāi)關(guān)電源電路圖。
實(shí)施形態(tài)2的開(kāi)關(guān)電源電路不同于實(shí)施形態(tài)1的開(kāi)關(guān)電源電路的地方，是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)2的開(kāi)關(guān)電源電路省略了本發(fā)明實(shí)施形態(tài)1的開(kāi)關(guān)電源電路中的電容器C3和C4。
因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)2，不存在對(duì)電容器C3和C4進(jìn)行充放電，所以MOSFET Q1和Q2不進(jìn)行零電壓開(kāi)關(guān)。但是，MOSFET Q1和Q2的開(kāi)關(guān)動(dòng)作、例如存儲(chǔ)在電容器Cs中的能量釋放，用圖1所示的實(shí)施形態(tài)1的開(kāi)關(guān)電源電路的相同的方法進(jìn)行。
實(shí)施形態(tài)2的開(kāi)關(guān)電源電路有利于減少構(gòu)成元件數(shù)和簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)。
雖然，實(shí)施形態(tài)1和實(shí)施形態(tài)2的開(kāi)關(guān)電源電路為用于變壓器T1次級(jí)側(cè)整流電路的中心抽頭型全波整流電路，但也可以是其它的整流電路，例如半波整流電路、使用4個(gè)二極管的全波整流電路和回掃型整流電路。
常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路必須使用4個(gè)開(kāi)關(guān)器件，但本發(fā)明的開(kāi)關(guān)電源電路只要2個(gè)開(kāi)關(guān)器件。本發(fā)明的開(kāi)關(guān)電源電路有利于簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路和使用變壓器的泄漏電感代替輸入側(cè)電抗。因此，本發(fā)明的開(kāi)關(guān)電源電路有利于減少構(gòu)成元件數(shù)、尺寸、重量和成本。
因?yàn)楸景l(fā)明的開(kāi)關(guān)電源電路連續(xù)地饋送電源，所以本發(fā)明的開(kāi)關(guān)電源電路有利于減小由常規(guī)的開(kāi)關(guān)電源電路饋送不連續(xù)的電源引起的電壓波紋，并減小負(fù)載側(cè)的電容器的電容。因此，能進(jìn)一步減小開(kāi)關(guān)電源電路的尺寸、重量和成本。
此外，執(zhí)行零電壓開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)電源電路有利于減小開(kāi)關(guān)損耗、改善電源轉(zhuǎn)換效率和減小冷卻設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種開(kāi)關(guān)電源電路，包括開(kāi)關(guān)器件，將單相AC輸入的電壓變換成高頻AC電壓，變壓器，對(duì)高頻AC電壓進(jìn)行隔離，和整流器電路，對(duì)隔離的高頻AC電壓進(jìn)行整流，以便對(duì)負(fù)載提供DC電源，其特征在于，包括第1串聯(lián)電路，具有2個(gè)串聯(lián)連接的二極管，第2串聯(lián)電路，具有2個(gè)串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)器件，第3串聯(lián)電路，具有串聯(lián)連接的第1電容器和第2電容器，緩沖電容器，相互平行地連接所述緩沖電容器、所述第1串聯(lián)電路、所述第2串聯(lián)電路和所述第3串聯(lián)電路，1個(gè)或者2個(gè)電容器平行連接到開(kāi)關(guān)器件之一或者兩者，1個(gè)或者2個(gè)電容器使得開(kāi)關(guān)器件之一或者兩者執(zhí)行零電壓開(kāi)關(guān)，第1AC輸入端連接到所述第1串聯(lián)電路中的二極管的共同連接點(diǎn)，所述變壓器包括具有中心抽頭的初級(jí)線圈和次級(jí)線圈，初級(jí)線圈的一端連接到所述第2串聯(lián)電路中的開(kāi)關(guān)器件的共同連接點(diǎn)，初級(jí)線圈的另一端連接到所述第3串聯(lián)電路中的所述第1電容器和所述第2電容器的共同連接點(diǎn)，第2AC輸入端連接到所述初級(jí)線圈的中心抽頭，和整流電路連接到所述變壓器的次級(jí)線圈。
2.一種開(kāi)關(guān)電源電路，包括開(kāi)關(guān)器件，將單相AC輸入的電壓變換成高頻AC電壓，變壓器，對(duì)高頻AC電壓進(jìn)行隔離，和整流器電路，對(duì)隔離的高頻AC電壓進(jìn)行整流，以便對(duì)負(fù)載提供DC電源，其特征在于，包括第1串聯(lián)電路，具有2個(gè)串聯(lián)連接的二極管，第2串聯(lián)電路，具有2個(gè)串聯(lián)連接的開(kāi)關(guān)器件，第3串聯(lián)電路，具有串聯(lián)連接的第1電容器和第2電容器，緩沖電容器，相互平行地連接所述緩沖電容器、所述第1串聯(lián)電路、所述第2串聯(lián)電路和所述第3串聯(lián)電路，第1AC輸入端連接到所述第1串聯(lián)電路中的二極管的共同連接點(diǎn)，所述變壓器包括具有中心抽頭的初級(jí)線圈和次級(jí)線圈，初級(jí)線圈的一端連接到所述第2串聯(lián)電路中的開(kāi)關(guān)器件的共同連接點(diǎn)，初級(jí)線圈的另一端連接到所述第3串聯(lián)電路中的所述第1電容器和所述第2電容器的共同連接點(diǎn)，第2AC輸入端連接到所述初級(jí)線圈的中心抽頭，和整流電路連接到所述變壓器的次級(jí)線圈。
3.如權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電源電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)電源電路調(diào)整開(kāi)關(guān)器件之一的ON-OFF占空比，以便調(diào)節(jié)所述AC輸入的電流，以及所述開(kāi)關(guān)電源電路調(diào)整另一個(gè)開(kāi)關(guān)器件的工作頻率，以便調(diào)節(jié)直流電源。
4.如權(quán)利要求2所述的開(kāi)關(guān)電源電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)電源電路調(diào)整開(kāi)關(guān)器件之一的ON-OFF占空比，以便調(diào)節(jié)所述AC輸入的電流，以及所述開(kāi)關(guān)電源電路調(diào)整另一個(gè)開(kāi)關(guān)器件的工作頻率，以便調(diào)節(jié)直流電源。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種開(kāi)關(guān)電源電路，包括具有相互串聯(lián)連接的二極管D1和D2的第1串聯(lián)電路，具有相互串聯(lián)連接的MOSFET Q1和Q2的第2串聯(lián)電路，具有相互串聯(lián)連接的第1電容器C1和第2電容器C2的第3串聯(lián)電路，并聯(lián)連接第1到第3串聯(lián)電路的緩沖電容器Cs，使MOSFET Q1和Q2執(zhí)行零電壓開(kāi)關(guān)的電容器C3和C4，電容器C3和C4分別并聯(lián)地連接到MOSFET Q1和Q2，AC輸入端U連接到第1串聯(lián)電路的共同連接點(diǎn)，變壓器T1包括初級(jí)線圈P，初級(jí)線圈P的一端連接到第2串聯(lián)電路的相互連接點(diǎn)，另一端連接到第3串聯(lián)電路的相互連接點(diǎn)，初級(jí)線圈P具有連接到另一個(gè)AC輸入端V的中心抽頭。
文檔編號(hào)H02M3/337GK1407705SQ02142048
公開(kāi)日2003年4月2日 申請(qǐng)日期2002年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月24日
發(fā)明者五十嵐征輝 申請(qǐng)人:富士電機(jī)株式會(huì)社