一種免充SF₆的開關(guān)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬電器領(lǐng)域，名稱是一種免充SF6的開關(guān)，包括金屬殼體，在殼體內(nèi)有絕緣盒，在絕緣盒里面還有真空滅弧室，真空滅弧室上面具有導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體上端距離絕緣盒上端的距離不小于7厘米，所述的導(dǎo)電體在真空滅弧室本體一側(cè)具有凸起的結(jié)構(gòu)，所述的絕緣盒上面是配合凸起的凸起部分，所述的絕緣盒上面是開口的，這樣的開關(guān)具有不用填充SF6氣體、制造簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】
_種免充SF6的開關(guān)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬電器領(lǐng)域，具體地說是涉及開關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002]開關(guān)具有金屬殼體，在殼體內(nèi)有絕緣盒，在絕緣盒里面還有真空滅弧室，使用中要求真空滅弧室和金屬殼體之間不能產(chǎn)生放電現(xiàn)象，現(xiàn)有技術(shù)中，由于絕緣盒結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的不合理，要求絕緣盒是封閉的結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部充SF6氣體，SF6是一種溫室氣體，將會(huì)限制使用，這樣的開關(guān)還具有制造麻煩的缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種不用填充SF6氣體、制造簡(jiǎn)單的開關(guān)--一種免充SF6的開關(guān)。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種免充SF6的開關(guān)，包括金屬殼體，在殼體內(nèi)有絕緣盒，在絕緣盒里面還有真空滅弧室，真空滅弧室上面具有導(dǎo)電體，其特征是:所述導(dǎo)電體上端距離絕緣盒上端的距離不小于7厘米。
[0005]進(jìn)一步地講，所述的導(dǎo)電體在真空滅弧室本體一側(cè)具有凸起的結(jié)構(gòu)，所述的絕緣盒上面是配合凸起的凸起部分。
[0006]進(jìn)一步地講，所述的絕緣盒上面是開口的。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果是:這樣的開關(guān)具有不用填充SF6氣體、制造簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)；所述的導(dǎo)電體在真空滅弧室本體一側(cè)具有凸起的結(jié)構(gòu)，所述的絕緣盒上面是配合凸起的凸起部分，還具有節(jié)省空間、成本低的優(yōu)點(diǎn)；所述的絕緣盒上面是開口的，具有制造簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]其中:1、殼體2、絕緣盒3、導(dǎo)電體4、凸起的結(jié)構(gòu)5、凸起部分。
[0010]H-導(dǎo)電體上端距離絕緣盒上端的距離。
【具體實(shí)施方式】
[0011 ]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說明。
[0012]如圖1所示，一種免充SF6的開關(guān)，包括金屬殼體I，在殼體內(nèi)有絕緣盒2，在絕緣盒里面還有真空滅弧室，真空滅弧室上面具有導(dǎo)電體3，其特征是:所述導(dǎo)電體3上端距離絕緣盒上端的距離不小于7厘米。
[0013]這樣的結(jié)構(gòu)，可以在現(xiàn)有技術(shù)絕緣盒的基礎(chǔ)上進(jìn)行加高獲得，高度達(dá)到7厘米以上，由于導(dǎo)電體距離絕緣盒頂板下面的距離較遠(yuǎn)，可以滿足真空滅弧室本體和金屬殼體之間的不放電，實(shí)現(xiàn)不用充SF6的優(yōu)點(diǎn)。
[0014]進(jìn)一步地講，所述的導(dǎo)電體在真空滅弧室本體一側(cè)具有凸起的結(jié)構(gòu)4，所述的絕緣盒上面是配合凸起的凸起部分。
[0015]這樣可以節(jié)省空間和材料，降低成本。
[0016]進(jìn)一步地講，所述的絕緣盒上面是開口的，具有制造簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
[0017]以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，但本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征并不限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型的領(lǐng)域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實(shí)用新型的專利范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種免充SF6的開關(guān)，包括金屬殼體，在殼體內(nèi)有絕緣盒，在絕緣盒里面還有真空滅弧室，真空滅弧室上面具有導(dǎo)電體，其特征是:所述導(dǎo)電體上端距離絕緣盒上端的距離不小于7厘米。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)，其特征是:所述的導(dǎo)電體在真空滅弧室本體一側(cè)具有凸起的結(jié)構(gòu)，所述的絕緣盒上面是配合凸起的凸起部分。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的開關(guān)，其特征是:所述的絕緣盒上面是開口的。
【文檔編號(hào)】H01H33/66GK205680608SQ201620593660
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月17日 公開號(hào)201620593660.X, CN 201620593660, CN 205680608 U, CN 205680608U, CN-U-205680608, CN201620593660, CN201620593660.X, CN205680608 U, CN205680608U
【發(fā)明人】高山峰, 張紅亮
【申請(qǐng)人】河南易和電器有限公司