Oled面板以及用于oled的像素布圖的掩膜結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型的實(shí)施例涉及OLED面板以及用于OLED的像素布圖的掩膜結(jié)構(gòu)。所述OLED包括像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括第一到第三子像素區(qū)，第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)在第一方向上對(duì)齊且都沿與第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素區(qū)位于第一和第二子像素區(qū)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。由于不需要使用要求與基板的精確對(duì)準(zhǔn)的精細(xì)金屬掩模板，即使當(dāng)母板玻璃的尺寸為第六代以上時(shí)，也可以容易地且精確地沉積OLED器件的各子像素材料(特別地，有機(jī)發(fā)光層)而形成像素區(qū)域。
【專利說(shuō)明】
OLED面板以及用于OLED的像素布圖的掩膜結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型的實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光顯示器件領(lǐng)域，尤其涉及一種OLED面板以及用于OLED的像素布圖的掩膜結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前的有機(jī)電致發(fā)光顯示器為自發(fā)光型，不需要背光，這一點(diǎn)與液晶顯示器(LCD)不同，因此可實(shí)現(xiàn)重量減輕和尺寸微小化。此外，有機(jī)電致發(fā)光顯示器可以通過(guò)簡(jiǎn)單的工藝制成，從而提高價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。并且，有機(jī)電致發(fā)光顯示器具有低驅(qū)動(dòng)電壓、高發(fā)光效率和寬視角，因此作為下一代顯示器受到廣泛關(guān)注。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括用于顯示圖像的多個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)器件。每個(gè)OLED包括陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光層和陰極。陽(yáng)極和陰極向有機(jī)發(fā)光層提供空穴和電子，空穴和電子在有機(jī)發(fā)光層中復(fù)合而形成激子，并且在激子降到底部穩(wěn)態(tài)時(shí)，產(chǎn)生預(yù)定波長(zhǎng)的光。這里，可以根據(jù)有機(jī)發(fā)光層的材料特性而產(chǎn)生具有與例如紅色、綠色和藍(lán)色對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的光。
[0004]在有機(jī)電致發(fā)光顯示器中，應(yīng)針對(duì)每個(gè)像素對(duì)每個(gè)實(shí)現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的有機(jī)發(fā)光層進(jìn)行布圖，以實(shí)現(xiàn)全色顯示?，F(xiàn)有技術(shù)中存在許多不用的公知方法來(lái)制造OLED器件，包括真空沉積、噴射印刷(jet-printing)、噴嘴印刷(nozzle-printing)、激光燒蝕、激光誘導(dǎo)熱成像等等。在這些方法當(dāng)中，真空沉積工藝產(chǎn)生具有最佳特性的器件。然而，真空沉積需要精細(xì)金屬掩模板(FMM)來(lái)產(chǎn)生高分辨率顯示所需要的布圖。
[0005]FMM具有多個(gè)缺點(diǎn)，包括生產(chǎn)成本高、拉伸和維護(hù)困難，最重要的是，F(xiàn)MM在沉積開始之前需要與基板進(jìn)行精確的對(duì)準(zhǔn)。對(duì)于大尺寸基板(例如，大于等于第六代基板)而言，對(duì)準(zhǔn)變得非常困難，在需要高分辨率的情況下尤其困難。并且，對(duì)準(zhǔn)工藝還要求向蒸發(fā)腔增加復(fù)雜的附件來(lái)處理該對(duì)準(zhǔn)工藝。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型的實(shí)施例提出了一種允許在諸如薄膜晶體管(TFT)面板的基板上形成包圍像素區(qū)域的沉積掩膜，進(jìn)而利用傾斜沉積無(wú)掩模板地形成OLED器件的子像素結(jié)構(gòu)的途徑。因而，即使當(dāng)母板玻璃的尺寸為第六代以上時(shí)，也不存在有機(jī)發(fā)光層的沉積期間蒸發(fā)掩模板與基板的對(duì)準(zhǔn)困難的問(wèn)題。
[0007]本實(shí)用新型實(shí)施例的第一方面提供一種OLED面板，包括像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)包括:
[0008]第一到第三子像素區(qū)，第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)在第一方向上對(duì)齊且都沿與第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素區(qū)位于第一和第二子像素區(qū)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。
[0009]根據(jù)該第一方面的OLED面板，其像素結(jié)構(gòu)可以在不利用要求精確對(duì)準(zhǔn)的掩模板的情況下形成。
[0010]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述像素結(jié)構(gòu)還包括:
[0011]第四子像素區(qū)，其位于第一和第二子像素區(qū)的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，所述第三子像素區(qū)和所述第四子像素區(qū)在第二方向上彼此對(duì)齊。
[0012]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第三子像素區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊分別與第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)的在第一方向上的外側(cè)邊對(duì)齊。
[0013]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第四子像素區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊分別與第一到第三子像素區(qū)的在第一方向上的外側(cè)邊對(duì)齊。
[0014]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第三子像素區(qū)的在第二方向上的外側(cè)邊和所述第四子像素區(qū)的在第二方向上的外側(cè)邊分別相對(duì)于成對(duì)的第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)的在第二方向上的兩個(gè)外側(cè)邊向外偏移所述第三子像素區(qū)的寬度和所述第四子像素區(qū)的寬度，并且第一子像素區(qū)的在第一方向上的外側(cè)邊和所述第二子像素區(qū)的在第一方向上的外側(cè)邊分別相對(duì)于成對(duì)的第三子像素區(qū)和第四子像素區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)外側(cè)邊向外偏移所述第一子像素區(qū)的寬度和所述第二子像素區(qū)的寬度。
[0015]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述OLED面板還包括:
[0016]包圍所述像素結(jié)構(gòu)的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括在第一方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第一沉積壁和第二沉積壁，在與第一方向相交的第二方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第三沉積壁和第四沉積壁，以及在第一方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第五沉積壁和第六沉積壁，其中
[0017]所述第一子像素區(qū)與所述第二沉積壁相鄰，所述第二子像素區(qū)與所述第一沉積壁相鄰，第三子像素區(qū)與所述第四沉積壁相鄰。
[0018]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第一沉積壁和所述第二沉積壁在第一方向上相距第一距離LI，所述第三沉積壁和所述第四沉積壁在第二方向上相距第二距離L2，所述第五沉積壁和所述第六沉積壁在第一方向上相距第三距離L3，
[0019]在沿所述第一方向切割而得到的切面中，從所述第一子像素區(qū)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第一沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度α?，從所述第二子像素區(qū)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第二沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第三子像素區(qū)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第三沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度α3，其中01、(12、€[3都大于0度且小于90度，并且
[0020]其中，第一到第六沉積壁的高度分別為hl、h2、h3、h4、h5、h6，則滿足以下關(guān)系:
[0021]h5>L3Xtan(al)；
[0022]h6>L3Xtan(a2)0
[0023]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述沉積掩膜包括兩對(duì)第五沉積壁和第六沉積壁，所述第五沉積壁和所述第六沉積壁的第一對(duì)以及所述第五沉積壁和所述第六沉積壁的第二對(duì)分別位于成對(duì)的所述第一沉積壁和所述第二沉積壁的相反兩側(cè)，所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對(duì)設(shè)置的兩對(duì)第七沉積壁和第八沉積壁，所述第七沉積壁和所述第八沉積壁的第一對(duì)以及第七沉積壁和所述第八沉積壁的第二對(duì)分別位于成對(duì)的所述第三沉積壁和所述第四沉積壁的相反兩側(cè)，
[0024]第七沉積壁和第八沉積壁的高度分別為h7和h8，滿足以下關(guān)系:
[0025]h7>L4Xtan(a3)；
[0026]h8>L4Xtan(a4)，
[0027]其中，所述第一沉積壁相對(duì)于所述第五沉積壁沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第二子像素區(qū)的寬度b2，所述第二沉積壁相對(duì)于所述第六沉積壁沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第一子像素區(qū)的寬度bl，所述第三沉積壁相對(duì)于所述第七沉積壁沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第四子像素區(qū)的寬度b4，所述第四沉積壁相對(duì)于所述第八沉積壁沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第三子像素區(qū)的寬度b3。
[0028]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁具有相同的高度。
[0029]根據(jù)示例性實(shí)施例，111、112的范圍為0.02?1000(^111，113、114、115、116的范圍為0.05?34000μηιο
[0030]根據(jù)示例性實(shí)施例，111、112的范圍為1.8?954111，113、114、115、116的范圍為4.8?1654mD
[0031]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個(gè)的高度的范圍為0.07?45000ym。
[0032]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個(gè)的高度的范圍為5.4?346ym。
[0033]本實(shí)用新型實(shí)施例的第二方面提供一種用于OLED的像素布圖的掩膜結(jié)構(gòu)，包括:
[0034]位于基板上的包圍每個(gè)像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括在第一方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第一沉積壁和第二沉積壁，與第一方向相交的第二方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第三沉積壁和第四沉積壁，以及在第一方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第五沉積壁和第六沉積壁，
[0035]根據(jù)該第二方面的掩膜結(jié)構(gòu)，可以在沉積OLED器件的每個(gè)子像素區(qū)的材料時(shí)，利用傾斜沉積，通過(guò)該掩膜結(jié)構(gòu)的相應(yīng)沉積壁的遮擋作用而僅在目標(biāo)區(qū)域中形成子像素材料且不會(huì)干擾其他子像素區(qū)，實(shí)現(xiàn)對(duì)各子像素區(qū)的材料的無(wú)掩模板沉積。
[0036]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述像素布圖包括與所述第三沉積壁相鄰的第四子像素區(qū)。
[0037]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第一沉積壁和所述第二沉積壁在第一方向上相距第一距離LI，所述第三沉積壁和所述第四沉積壁在第二方向上相距第二距離L2，所述第五沉積壁和所述第六沉積壁在第一方向上相距第三距離L3，
[0038]其中在沿所述第一方向切割而得到的切面中，從所述第一子像素區(qū)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第一沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度α?，從所述第二子像素區(qū)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第二沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第三子像素區(qū)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第三沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度03，其中(11、(12、€[3都大于0度且小于90度，并且
[0039]其中，第一到第六沉積壁的高度分別為hl、h2、h3、h4、h5、h6，則滿足以下關(guān)系:
[0040]h5>L3Xtan(al)；
[0041]h6>L3Xtan(a2)0
[0042]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述像素布圖包括與所述第三沉積壁(在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第四子像素區(qū)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第四沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度a4，其中a4大于O度且小于90度。
[0043]根據(jù)示例性實(shí)施例，al、a2、a3中至少兩者彼此相等。
[0044]根據(jù)示例性實(shí)施例，a4與al、a2、a3中至少一者相等。
[0045]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第五沉積壁的高度h5和第六沉積壁的高度h6大于所述第一沉積壁的高度hi和第二沉積壁的高度h2，所述第一沉積壁與所述第五沉積壁具有位于同一平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)壁，所述第二沉積壁與所述第六沉積壁具有位于同一平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)壁。
[0046]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述沉積掩膜包括兩對(duì)第五沉積壁和第六沉積壁，所述第五沉積壁和所述第六沉積壁的第一對(duì)以及所述第五沉積壁和所述第六沉積壁的第二對(duì)分別位于成對(duì)的所述第一沉積壁和所述第二沉積壁的相反兩側(cè)，所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對(duì)設(shè)置的兩對(duì)第七沉積壁和第八沉積壁，所述第七沉積壁和所述第八沉積壁的第一對(duì)以及第七沉積壁和所述第八沉積壁的第二對(duì)分別位于成對(duì)的所述第三沉積壁和所述第四沉積壁的相反兩側(cè)，
[0047]第七沉積壁和第八沉積壁的高度分別為h7和h8，滿足以下關(guān)系:
[0048]h7>L4Xtan(a3)；
[0049]h8>L4Xtan(a4)，
[0050]其中，所述第一沉積壁相對(duì)于所述第五沉積壁沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第二子像素區(qū)的寬度b2，所述第二沉積壁相對(duì)于所述第六沉積壁沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第一子像素區(qū)的寬度bl，所述第三沉積壁相對(duì)于所述第七沉積壁沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第四子像素區(qū)的寬度b4，所述第四沉積壁相對(duì)于所述第八沉積壁沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第三子像素的寬度b3。
[0051]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁具有相同的高度。
[0052]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述沉積掩膜的材料選自光敏性聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
[0053]根據(jù)示例性實(shí)施例，111、112的范圍為0.02?1000(^111，113、114、115、116的范圍為0.05?34000μηιο
[0054]根據(jù)示例性實(shí)施例，111、112的范圍為1.8?954111，113、114、115、116的范圍為4.8?1654mD
[0055]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個(gè)的高度的范圍為0.07?45000ym。
[0056]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個(gè)的高度的范圍為5.4?346ym。
[0057]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的以上第一和第二方面，由于不需要使用要求與基板的精確對(duì)準(zhǔn)的精細(xì)金屬掩模板，即使當(dāng)母板玻璃的尺寸為第六代以上時(shí)，也可以容易地且精確地沉積OLED器件的各子像素材料(特別地，有機(jī)發(fā)光層)而形成像素區(qū)域。
【附圖說(shuō)明】
[0058]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0059]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例在進(jìn)行沉積以提供對(duì)OLED器件的像素布圖期間可以用作嵌入掩膜的沉積掩膜的形狀的立體示意圖；
[0060]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例在進(jìn)行沉積以提供對(duì)OLED器件的像素布圖期間可以用作嵌入掩膜的沉積掩膜的形狀的立體示意圖；
[0061]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例在傾斜角α?下從第一子像素材料源沉積第一子像素區(qū)的材料的示意圖；
[0062]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例在傾斜角α2下從第二子像素材料源沉積第二子像素區(qū)的材料的示意圖；
[0063]圖5是示出在從第一子像素材料源沉積第一子像素區(qū)的材料期間第三子像素區(qū)受到保護(hù)的示意圖；
[0064]圖6是示出在從第二子像素材料源沉積第二子像素區(qū)的材料期間第三子像素區(qū)受到保護(hù)的示意圖；
[0065]圖7是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例在傾斜角α3下從第三子像素材料源沉積第三子像素區(qū)的材料的示意圖；
[0066]圖8是根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例在傾斜角α4下從第四子像素材料源沉積第四子像素區(qū)的材料的示意圖；
[0067]圖9是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例在沉積完成后的由三個(gè)子像素區(qū)形成的像素區(qū)域的平面圖；
[0068]圖10是根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例在沉積完成后的由四個(gè)子像素區(qū)形成的像素區(qū)域的平面圖；
[0069]圖11是根據(jù)本實(shí)用新型的再一實(shí)施例在沉積完成后的由四個(gè)子像素區(qū)形成的像素區(qū)域的平面圖；
[0070]圖12Α是根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例在沉積完成后的顯示面板上的像素陣列的平面圖，其中每個(gè)像素區(qū)域由三個(gè)子像素區(qū)形成；
[0071]圖12Β是根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例在沉積完成后的顯示面板上的像素陣列的平面圖，其中每個(gè)像素區(qū)域由四個(gè)子像素區(qū)形成；以及
[0072]圖12C是根據(jù)本實(shí)用新型的再一實(shí)施例在沉積完成后的顯示面板上的像素陣列的平面圖，其中每個(gè)像素區(qū)域由四個(gè)子像素區(qū)形成。
【具體實(shí)施方式】
[0073]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0074]另外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性、或者固定相應(yīng)部件的相對(duì)位置、或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。
[0075]下面參照?qǐng)D1一 12對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
[0076]如圖1-8所示，在OLED器件的有機(jī)材料沉積之前，通過(guò)例如旋涂和隨后的光刻蝕刻在諸如TFT面板的基板頂上形成沉積掩膜。沉積掩膜被形成為使得在像素區(qū)域周圍形成沉積壁，如圖1和2所示。即，在基板上形成包圍每個(gè)像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜。具體而言，該沉積掩膜包括在第一方向上相距第一距離L1、相對(duì)且平行設(shè)置的成對(duì)的第一沉積壁101和第二沉積壁201，在與第一方向相交的第二方向上相距第二距離L2、相對(duì)且平行設(shè)置的成對(duì)的第三沉積壁301和第四沉積壁401，以及在第一方向上相距第三距離L3、相對(duì)且平行設(shè)置的成對(duì)的第五沉積壁501和第六沉積壁601。
[0077]在相關(guān)附圖中，使用實(shí)線雙箭頭表示第一方向，并使用虛線雙箭頭表示與第一方向相交的第二方向。
[0078]第一方向可以與第二方向成任何角度。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一方向與第二方向正交。
[0079]本領(lǐng)域技術(shù)人員公知，像素是在圖案化的發(fā)光顯示器結(jié)構(gòu)中能夠發(fā)射光的重復(fù)單元。每個(gè)像素可以由一個(gè)或多個(gè)子像素構(gòu)成。例如，在全色器件中，每個(gè)像素可以由三個(gè)或更多個(gè)子像素構(gòu)成。
[0080]在如圖1所示的一個(gè)示例性實(shí)施例中，所形成的沉積掩膜包圍每個(gè)像素區(qū)域，并且每個(gè)像素區(qū)域包括將要在接下來(lái)的步驟中形成的三個(gè)子像素區(qū)I?3。
[0081]在如圖2所示的一個(gè)示例性實(shí)施例中，所形成的沉積掩膜包圍每個(gè)像素區(qū)域，并且每個(gè)像素區(qū)域包括將要在接下來(lái)的步驟中形成的四個(gè)子像素區(qū)I?4。
[0082]沉積掩膜可以由光敏材料形成。在示例性實(shí)施例中，沉積掩膜可以由光致抗蝕劑形成。利用光致抗蝕劑形成沉積掩膜，可以使用成熟的光刻工藝將沉積掩膜層形成為具有所需的圖案。
[0083]在示例性實(shí)施例中，沉積掩膜的材料可以選自光敏性聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。舉例而言，光敏性聚酰亞胺可以為聚甲基戊二酰亞胺(PMGI)、由Toray制造的PW-1000、PW-1200、PW-1500等。
[0084]所述基板可以為任何適合制造OLED器件的基板。在示例性實(shí)施例中，所述基板可以為TFT面板。
[0085]在基板上形成包圍每個(gè)像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜之后，如圖3-7所示，沿第一方向面向第二沉積壁201以角度α?將來(lái)自第一材料源102的第一子像素材料傾斜沉積到與第二沉積壁201相鄰的第一子像素區(qū)1(圖3)，沿第一方向面向第一沉積壁101以角度α2將來(lái)自第二材料源202的第二子像素材料傾斜沉積到與第一沉積壁101相鄰的第二子像素區(qū)2(圖4)，沿第二方向面向第四沉積壁401以角度α3將來(lái)自第三材料源302的第三子像素材料傾斜沉積到與第四沉積壁401相鄰的第三子像素區(qū)3，其中α1、α2、α3分別為第一、第二、第三子像素材料的沉積方向與基板所成的角度并且都大于O度且小于90度，第一、第二、第三子像素材料彼此不同。
[0086]如圖3所示，沿第一方向面向第二沉積壁201以角度α?將來(lái)自第一材料源102的第一子像素材料傾斜沉積到第一子像素區(qū)I。在來(lái)自第一材料源102的材料的沉積期間，沉積壁101在沉積壁101與沉積壁201之間形成被遮擋的區(qū)域，但沉積壁101的高度被選擇為使得應(yīng)沉積第一子像素材料的區(qū)域(第一子像素區(qū)I)未被遮蓋，從而僅在與第二沉積壁201相鄰的第一子像素區(qū)I中沉積第一子像素材料。該被遮擋的區(qū)域與第一沉積壁101相鄰。第一沉積壁101的高度為hi，第一沉積壁101和第二沉積壁201相距的距離為L(zhǎng)I，第一子像素區(qū)I的沿第一方向的寬度為bl。第一沉積壁101的高度hi可以使用下式(I)計(jì)算。
[0087]hi = (Ll_bl)Xtan(al)…(I)
[0088]如圖4所示，沿第一方向面向第一沉積壁101以角度a2將來(lái)自第二材料源202的第二子像素材料傾斜沉積到第二子像素區(qū)2。在來(lái)自第二材料源202的材料的沉積期間，沉積壁201在沉積壁201與沉積壁101之間形成被遮擋的區(qū)域，但沉積壁201的高度被選擇為使得應(yīng)沉積第二子像素材料的區(qū)域(第二子像素區(qū)2)未被遮蓋，從而僅在與第一沉積壁101相鄰的第二子像素區(qū)2中沉積第二子像素材料。該被遮擋的區(qū)域與第二沉積壁201相鄰。第二沉積壁201的高度為h2，第一沉積壁101和第二沉積壁201相距的距離為L(zhǎng)I，第二子像素區(qū)2的沿第一方向的寬度為b2。第二沉積壁201的高度h2可以使用下式(2)計(jì)算。
[0089]h2 = (Ll-b2) Xtan(a2)---(2)
[0090]如圖5所示，在從第一材料源102沉積第一子像素區(qū)I的材料(S卩，第一子像素材料)的期間，第五沉積壁501和第六沉積壁601保護(hù)第三子像素區(qū)3 ο第五沉積壁501和第六沉積壁601相距第三距離L3，其高度分別為h5和h6。從圖5可以看出，為了確保第三子像素區(qū)3在第一子像素材料的沉積期間受到保護(hù)而不在第三子像素區(qū)3上沉積任何材料，第五沉積壁501的高度h5需要滿足以下關(guān)系式(3)。
[0091]h5>L3Xtan(al)---(3)
[0092]如圖6所示，在從第二材料源202沉積第二子像素區(qū)2的材料(S卩，第二子像素材料)的期間，第五沉積壁501和第六沉積壁601保護(hù)第三子像素區(qū)3。從圖6可以看出，為了確保第三子像素區(qū)3在第二子像素材料的沉積期間受到保護(hù)而不在第三子像素區(qū)3上沉積任何材料，第六沉積壁601的高度h6需要滿足以下關(guān)系式(4)。
[0093]h6>L3Xtan(a2)---(4)
[0094]如圖7所示，沿第二方向面向第四沉積壁401以角度a3將來(lái)自第三材料源302的第三子像素材料傾斜沉積到第三子像素區(qū)3。在來(lái)自第三材料源302的材料的沉積期間，沉積壁301在沉積壁301與沉積壁401之間形成被遮擋的區(qū)域，但沉積壁301的高度被選擇為使得應(yīng)沉積第三子像素材料的區(qū)域(第三子像素區(qū)3)未被遮蓋，從而僅在與第四沉積壁401相鄰的第三子像素區(qū)3中沉積第三子像素材料。該被遮擋的區(qū)域與第三沉積壁301相鄰。第三沉積壁301的高度為h3，第三沉積壁301和第四沉積壁401相距的距離為L(zhǎng)2，第三子像素區(qū)3的沿第二方向的寬度為b3。第三沉積壁301的高度h3可以使用下式(5)計(jì)算。
[0095]h3 = (L2_b3) Xtan(a3)."(5)
[0096]圖3-7所示例的實(shí)施例中，首先形成第一子像素區(qū)I，然后形成第二子像素區(qū)2，最后形成第三子像素區(qū)3。然而，本實(shí)用新型并不限制各子像素的形成順序，可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整各子像素的形成順序。
[0097]用于形成各子像素區(qū)I?3的傾斜角度可以根據(jù)實(shí)際需要來(lái)確定。
[0098]在一個(gè)示例性實(shí)施例中，上述傾斜角al、a2、a3可以彼此不相等。在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，上述al、a2、a3中至少兩者彼此相等。這樣，可以根據(jù)像素設(shè)計(jì)以及具體的工藝條件和需要來(lái)調(diào)整al、a2、a3中的每一個(gè)，這可以更靈活地實(shí)現(xiàn)子像素材料的沉積。
[0099]在特定實(shí)施例中，上述al、a2、a3可以彼此相等。在這種情況下，在沉積完一種像素材料、準(zhǔn)備沉積下一種子像素材料時(shí)，可以僅使材料容器或基板相對(duì)旋轉(zhuǎn)，以固定的同一角度a沉積各子像素材料，從而簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝。
[0100]在圖1所示的示例性實(shí)施例中，使用常規(guī)三個(gè)子像素設(shè)計(jì)，其中三個(gè)子像素被沉積壁101、201、301、401、501和601包圍，這三個(gè)子像素形成一個(gè)像素。例如，每個(gè)子像素可以為藍(lán)色、紅色或綠色。此外，一個(gè)像素也可以由四個(gè)子像素形成。圖2所示的示例性實(shí)施例中，四個(gè)子像素被沉積壁101、201、301、401、501和601包圍，這四個(gè)子像素形成一個(gè)像素?？梢曰诰唧w的顯示設(shè)計(jì)來(lái)選擇每個(gè)子像素的位置和尺寸。
[0101]如圖8所示，當(dāng)一個(gè)像素由四個(gè)子像素形成時(shí)，可以沿第二方向面向第三沉積壁301以角度α4將來(lái)自第四材料源402的第四子像素材料傾斜沉積到第四子像素區(qū)4。在來(lái)自第四材料源402的材料的沉積期間，沉積壁401在沉積壁301與沉積壁401之間形成被遮擋的區(qū)域，但沉積壁401的高度被選擇為使得應(yīng)沉積第四子像素材料的區(qū)域(第四子像素區(qū)4)未被遮蓋，從而僅在與第三沉積壁301相鄰的第四子像素區(qū)4中沉積第四子像素材料。該被遮擋的區(qū)域與第四沉積壁401相鄰。第四沉積壁401的高度為h4，第三沉積壁301和第四沉積壁401相距的距離為L(zhǎng)2，第四子像素區(qū)4的沿第二方向的寬度為b4。第四沉積壁401的高度h4可以使用下式(6)計(jì)算。
[0102]h4= (L2_b4) X tan(a4)…(6)
[0103]在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第四子像素材料可以與第一至第三子像素材料都不同。例如，該實(shí)施例可以被應(yīng)用于其中包括R(紅色)、G(綠色)、B(藍(lán)色)、W(白色)四個(gè)子像素的RGBW像素布局中，或者應(yīng)用于其他需要四個(gè)子像素的像素布局中。
[0104]在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第四子像素材料可以與其他三個(gè)子像素材料之一相同，例如，可以與第三子像素材料相同。從而，可以根據(jù)需要進(jìn)行各種參數(shù)的補(bǔ)償。
[0105]在一個(gè)示例性實(shí)施例中，€(4與€[1、€[2、€[3、€[4中任一者都不相等。
[0106]在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，€[4與(11、€[2、€[3中至少一者相等。
[0107]在圖1所示例的實(shí)施例和圖2所示例的實(shí)施例中，第五沉積壁501的高度h5和第六沉積壁601的高度h6大于第一沉積壁的高度hi和第二沉積壁的高度h2，并且，第一沉積壁1I與第五沉積壁501具有位于同一平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)壁，第二沉積壁201與第六沉積壁601具有位于同一平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)壁。
[0108]圖9是根據(jù)圖1所示例的實(shí)施例在沉積完成后的像素的平面圖；圖10是根據(jù)圖2所示例的實(shí)施例在沉積完成后的像素的平面圖。
[0109]如圖9所示，在沉積完成后，子像素區(qū)1、2、3形成矩形像素區(qū)。如圖10所示，子像素區(qū)1、2、3、4也形成矩形像素區(qū)。四個(gè)子像素區(qū)可以彼此不同，或者可以使其中的兩者相同。例如，在四子像素布圖中，每個(gè)像素可以具有子像素區(qū)1、子像素區(qū)2和兩個(gè)子像素區(qū)3(此時(shí)子像素區(qū)4的材料被子像素區(qū)3的材料替代)。
[0110]下面結(jié)合圖11描述本實(shí)用新型的另一個(gè)示例性實(shí)施例。在圖11中，沉積壁用粗實(shí)線表示。
[0111]如圖11所示，所述沉積掩膜可以包括兩對(duì)第五沉積壁501和第六沉積壁601，第五沉積壁501和第六沉積壁601的第一對(duì)以及第五沉積壁501和第六沉積壁601的第二對(duì)分別位于成對(duì)的第一沉積壁101和第二沉積壁201的相反兩側(cè)。所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對(duì)且平行設(shè)置的兩對(duì)第七沉積壁701和第八沉積壁801，第七沉積壁701和第八沉積壁801的第一對(duì)以及第七沉積壁701和第八沉積壁801的第二對(duì)分別位于成對(duì)的第三沉積壁301和第四沉積壁401的相反兩側(cè)。
[0112]在圖11所示的實(shí)施例中，與圖1和圖2所示的實(shí)施例相似地，第一到第六沉積壁的高度同樣要滿足上述關(guān)系式(I)?(6)。此外，當(dāng)以角度α3傾斜沉積第三子像素區(qū)3的第三子像素材料時(shí)，第七沉積壁701的高度h7需要被設(shè)計(jì)為完全遮擋第三子像素材料；同樣，當(dāng)以角度α4傾斜沉積第四子像素區(qū)4的第四子像素材料時(shí)，第八沉積壁801的高度h8需要被設(shè)計(jì)為完全遮擋第四子像素材料。通過(guò)與前面針對(duì)第五沉積壁和第六沉積壁(圖5和圖6)的相似的分析，可以確定，第七沉積壁101的高度h7和第八沉積壁802的高度h8需要滿足以下關(guān)系式⑴和(8)。
[0113]h7>L4Xtan(a3)---(7)
[0114]h8>L4Xtan(a4)."(8)
[0115]如圖11所示，第一沉積壁101相對(duì)于第五沉積壁501沿第一方向向像素區(qū)域的外側(cè)偏移第二子像素區(qū)2的寬度b2，第二沉積壁201相對(duì)于第六沉積壁601沿第一方向向像素區(qū)域的外側(cè)偏移第一子像素區(qū)I的寬度bl，第三沉積壁301相對(duì)于第七沉積壁701沿第二方向向像素區(qū)域的外側(cè)偏移第四子像素區(qū)4的寬度b4，第四沉積壁401相對(duì)于第八沉積壁801沿第二方向向像素區(qū)域的外側(cè)偏移第三子像素3的寬度b3。
[0116]在此，“內(nèi)側(cè)”和“外側(cè)”是相對(duì)于OLED器件的每個(gè)相應(yīng)像素區(qū)域的內(nèi)側(cè)和外側(cè)。
[0117]此外，需要指出的是，在本實(shí)用新型的附圖1、2、9?11中，為了清楚起見(jiàn)，各子像素區(qū)與沉積掩膜的各相應(yīng)沉積壁的內(nèi)側(cè)壁之間繪制有間隔，但實(shí)際上，各子像素區(qū)與沉積掩膜的各相應(yīng)沉積壁的內(nèi)側(cè)壁之間可以如圖3、4、7、8所繪制的那樣沒(méi)有間隔。
[0118]在圖11所示的實(shí)施例中，第一到第八沉積壁可以根據(jù)具體的需要而設(shè)計(jì)其高度。第一到第八沉積壁的高度可以彼此不同，也可以至少兩者相同。
[0119]在特定實(shí)施例中，第一沉積壁到第八沉積壁具有相同的高度。在該實(shí)施例中，所有沉積壁具有相同高度，這使得沉積掩膜的形成工藝更加簡(jiǎn)單，從而降低生產(chǎn)成本。
[0120]在所有的子像素區(qū)的沉積完成后，可以使用粘性的粘合劑材料或其他手段從基板去除沉積掩膜。例如，可以在沉積掩膜的頂部施加粘合劑膜，然后向上將粘合劑膜與沉積掩膜一起移除，從而使沉積掩膜同時(shí)從基板分離。但本實(shí)用新型并不限于此，在最終形成的OLED器件或OLED面板中，沉積掩膜也可以被保留。
[0121]圖12A是示出在去除沉積掩膜之后，在圖9所示的實(shí)施例中形成的位于顯示面板上的各子像素圖案的平面圖。在沉積所有的子像素材料之后，該圖案化的顯示區(qū)域包含多個(gè)像素，每個(gè)像素包括三個(gè)子像素。
[0122]這里，需要注意，圖12A中各像素周邊的虛線僅僅是為了區(qū)分各像素區(qū)域，并不一定代表沉積壁。
[0123]圖12B是示出在去除沉積掩膜之后，在圖10所示的實(shí)施例中形成的位于顯示面板上的各子像素圖案的平面圖。在沉積所有的子像素材料之后，該圖案化的顯示區(qū)域包含多個(gè)像素，每個(gè)像素包括四個(gè)子像素。
[0124]這里，需要注意，圖12B中各像素周邊的虛線僅僅是為了區(qū)分各像素區(qū)域，并不一定代表沉積壁。
[0125]圖12C是示出在去除沉積掩膜之后，在圖11所示的實(shí)施例中形成的位于顯示面板上的各子像素圖案的平面圖。在沉積所有的子像素材料之后，該圖案化的顯示區(qū)域包含多個(gè)像素，每個(gè)像素包括四個(gè)子像素。
[0126]這里，需要注意，圖12C中各子像素周邊的實(shí)線僅僅是為了區(qū)分各子像素區(qū)域，并不代表沉積壁。
[0127]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，第一到第四子像素材料可以為OLED的有機(jī)發(fā)光層材料，或者也可以是在頂發(fā)射型OLED器件中為每個(gè)顏色提供所需的微腔長(zhǎng)度的層。
[0128]對(duì)沉積掩膜的各沉積壁的厚度和長(zhǎng)度沒(méi)有特別的限制，可以根據(jù)具體的像素設(shè)計(jì)而設(shè)定沉積壁的厚度和長(zhǎng)度。
[0129]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種用于OLED的像素布圖的掩膜結(jié)構(gòu)。該掩膜結(jié)構(gòu)可以在對(duì)OLED器件進(jìn)行像素布圖的方法中使用。
[0130]具體地，如圖1-11所示，該掩膜結(jié)構(gòu)包括位于基板上的包圍每個(gè)像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括:在第一方向上相距第一距離L1、相對(duì)且平行設(shè)置的成對(duì)的第一沉積壁101和第二沉積壁201，與第一方向相交的第二方向上相距第二距離L2、相對(duì)且平行設(shè)置的成對(duì)的第三沉積壁301和第四沉積壁401，以及在第一方向上相距第三距離L3、相對(duì)且平行設(shè)置的成對(duì)的第五沉積壁501和第六沉積壁601。
[0131]如圖1、2、9?11所示，所述像素布圖包括與第二沉積壁201相鄰的第一子像素區(qū)1、與第一沉積壁101相鄰的第二子像素區(qū)2以及與第四沉積壁401相鄰的第三子像素區(qū)3。如圖3和4所示，在沿第一方向切割而得到的切面中，從第一子像素區(qū)I的內(nèi)側(cè)邊緣到第一沉積壁101的頂部的連線與基板成角度α?，從第二子像素區(qū)2的內(nèi)側(cè)邊緣到第二沉積壁201的頂部的連線與基板成角度α2。如圖所示，在沿第二方向切割而得到的切面中，從第三子像素區(qū)3的內(nèi)側(cè)邊緣到第三沉積壁301的頂部的連線與基板成角度(^3^142^3都大于O度且小于90度。
[0132]如上面詳細(xì)描述的以及如圖3?7所示，第一到第六沉積壁的高度分別為h1、h2、113、114、115、116，第一子像素區(qū)1和第二子像素區(qū)2的沿第一方向的寬度分別為131和&2，第三子像素區(qū)3的沿第二方向的寬度為b3，則滿足以下關(guān)系:
[0133]hi = (Ll_bl)Xtan(al);
[0134]h2 = (Ll-b2)Xtan(a2)；
[0135]h3 = (L2_b3) X tan(a3);
[0136]h5>L3Xtan(al)；
[0137]h6>L3Xtan(a2)0
[0138]根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖2、8、10、11所示，所述像素布圖可以還包括與第三沉積壁301相鄰的第四子像素區(qū)4。如圖8所示，在沿第二方向切割而得到的切面中，從第四子像素區(qū)4的內(nèi)側(cè)邊緣到第四沉積壁401的頂部的連線與基板成角度a4，其中a4大于O度且小于90度。第四子像素區(qū)4的沿第二方向的寬度為b4，則滿足以下關(guān)系:
[0139]h4= (L2_b4) X tan(a4)。
[0140]根據(jù)示例性實(shí)施例，al、a2、a3彼此不相等。
[0141]根據(jù)示例性實(shí)施例，al、a2、a3中至少兩者彼此相等。
[0142]根據(jù)示例性實(shí)施例，€(4與€[1、€[2、€[3、€[4中任一者都不相等。
[0143]根據(jù)示例性實(shí)施例，a4與al、a2、a3中至少一者相等。
[0144]根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖1、2、9、10所示，第五沉積壁501的高度h5和第六沉積壁601的高度h6大于第一沉積壁101的高度hi和第二沉積壁102的高度h2，第一沉積壁101與第五沉積壁501具有位于同一平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)壁，第二沉積壁201與第六沉積壁601具有位于同一平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)壁。
[0145]根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖11所示，沉積掩膜可以包括兩對(duì)第五沉積壁501和第六沉積壁601，第五沉積壁501和第六沉積壁601的第一對(duì)以及第五沉積壁501和第六沉積壁601的第二對(duì)分別位于成對(duì)的第一沉積壁101和第二沉積壁201的相反兩側(cè)。沉積掩膜可以還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對(duì)且平行設(shè)置的兩對(duì)第七沉積壁701和第八沉積壁801。第七沉積壁701和第八沉積壁801的第一對(duì)以及第七沉積壁701和第八沉積壁801的第二對(duì)分別位于成對(duì)的第三沉積壁301和第四沉積壁401的相反兩側(cè)。
[0146]為了在第三和第四像素區(qū)的沉積期間不在第一和第二像素區(qū)中沉積任何材料，第七沉積壁701的高度h7和第八沉積壁801的高度h8需要滿足以下關(guān)系:
[0147]h7>L4Xtan(a3)；
[0148]h8>L4Xtan(a4)0
[0149]如圖11所示，第一沉積壁1I可以相對(duì)于第五沉積壁501沿第一方向向像素區(qū)域的外側(cè)偏移第二子像素區(qū)2的寬度b2，第二沉積壁201可以相對(duì)于第六沉積壁601沿第一方向向像素區(qū)域的外側(cè)偏移第一子像素區(qū)I的寬度bl，第三沉積壁301可以相對(duì)于第七沉積壁701沿第二方向向像素區(qū)域的外側(cè)偏移第四子像素區(qū)4的寬度b4，第四沉積壁401可以相對(duì)于第八沉積壁801沿第二方向向像素區(qū)域的外側(cè)偏移第三子像素3的寬度b3。
[0150]根據(jù)示例性實(shí)施例，第一沉積壁到第八沉積壁可以具有相同的高度。
[0151]根據(jù)示例性實(shí)施例，第一方向可以與第二方向正交。
[0152]根據(jù)示例性實(shí)施例，沉積掩膜可以由光致抗蝕劑材料形成。
[0153]根據(jù)示例性實(shí)施例，沉積掩膜的材料可以選自光敏性聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
[0154]根據(jù)示例性實(shí)施例，基板可以為TFT面板。
[0155]如圖1、2、9?1U12A-12C所示，本實(shí)用新型實(shí)施例的OLED面板所包括的像素結(jié)構(gòu)包括第一到第三子像素區(qū)I?3，第一子像素區(qū)I和第二子像素區(qū)2在第一方向上對(duì)齊且都沿與第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素區(qū)3位于第一和第二子像素區(qū)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。
[0156]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)可以在不利用要求精確對(duì)準(zhǔn)的掩模板的情況下形成。
[0157]根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖2、10、11、12B、12C所示，該像素結(jié)構(gòu)可以還包括第四子像素區(qū)4，其位于第一和第二子像素區(qū)的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，第三子像素區(qū)3和第四子像素區(qū)4在第二方向上彼此對(duì)齊。
[0158]根據(jù)示例性實(shí)施例，第四子像素區(qū)4的材料可以與第一到第三子像素區(qū)之一的材料相同。例如，第四子像素區(qū)4的材料可以與第三子像素區(qū)3的材料相同。
[0159]根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖1、2、9、10所示，第三子像素區(qū)3的在第一方向上的兩個(gè)邊可以分別與第一子像素區(qū)I和第二子像素區(qū)2的在第一方向上的外側(cè)邊對(duì)齊。
[0160]根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖2、10所示，第四子像素區(qū)4的在第一方向上的兩個(gè)邊可以分別與第一到第三子像素區(qū)的在第一方向上的外側(cè)邊對(duì)齊。
[0161]根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖11、12C所示，第三子像素區(qū)3的在第二方向上的外側(cè)邊和第四子像素區(qū)4在第二方向上的外側(cè)邊可以分別相對(duì)于成對(duì)的第一子像素區(qū)I和第二子像素區(qū)2的在第二方向上的兩個(gè)外側(cè)邊向外偏移第三子像素區(qū)3的寬度和第四子像素區(qū)4的寬度，并且第一子像素區(qū)I的在第一方向上的外側(cè)邊和第二子像素區(qū)2的在第一方向上的外側(cè)邊分別相對(duì)于成對(duì)的第三子像素區(qū)3和第四子像素區(qū)4的在第一方向上的兩個(gè)外側(cè)邊向外偏移第一子像素區(qū)I的寬度和第二子像素區(qū)2的寬度。
[0162]根據(jù)示例性實(shí)施例，第一方向可以與第二方向正交。
[0163]根據(jù)示例性實(shí)施例，第一到第四子像素區(qū)的材料可以為OLED的有機(jī)發(fā)光層材料。
[0164]在本說(shuō)明書中，典型的子像素區(qū)可以具有范圍為I?200μπι的寬度b，其中優(yōu)選范圍為5?50μηι，優(yōu)選值為15μηι。
[0165]沉積角α可以具有I?89度的范圍，優(yōu)選范圍為15?60度，優(yōu)選值為30度。
[0166]沉積壁101和201之間的距離LI可以等于沉積壁501和601之間的距離L3，可以在2?400μηι的范圍內(nèi)，優(yōu)選范圍為12?105μηι，優(yōu)選值為35μηι;沉積壁301和401之間的距離L2可以在3?600μηι的范圍內(nèi)，優(yōu)選范圍為18?160μηι，優(yōu)選值為50μηι。
[0167]基于上述數(shù)值或數(shù)值范圍以及上述各式(1)-(8)，沉積壁高度hl、h2可以具有0.02?ΙΟΟΟΟμηι的范圍，優(yōu)選范圍為1.8?95μηι，優(yōu)選值為Ι?μπι;沉積壁高度h3、h4、h5、h6可以具有0.05?34000μηι的范圍，優(yōu)選范圍為4.8?165μηι，優(yōu)選值為20μηι。
[0168]以上值對(duì)于圖9所代表的布圖是適用的。對(duì)于圖10所代表的布圖，L2、L4的優(yōu)選值可以為65μηι，而h3、h4、h5、h6的優(yōu)選值可以為37μηι，其余的值和范圍可以與圖9所代表的布圖適用的值和范圍相同。
[0169]對(duì)于圖11所表示的布圖，像素寬度和沉積角與上述分別相同，而L1、L2、L3、L4可以具有4?800μηι的范圍，優(yōu)選范圍為20?200μηι，優(yōu)選值為60μηι;所有的第一到第八沉積壁可以具有相同高度，該高度在0.07?45000μπι的范圍內(nèi)，優(yōu)選范圍為5.4?346μπι，優(yōu)選值為34μmD
[0170]然而，需要說(shuō)明的是，這里給出的各參數(shù)的范圍僅僅是示例性的，并不旨在限制本實(shí)用新型。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要對(duì)上述范圍和數(shù)值進(jìn)行適當(dāng)?shù)男薷摹?br>[0171]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例，由于不需要使用要求與基板精確對(duì)準(zhǔn)的精細(xì)金屬掩模板，即使當(dāng)母板玻璃的尺寸為第六代以上時(shí)，也可以容易地且精確地沉積各子像素材料(特別地，有機(jī)發(fā)光層)而形成像素區(qū)域。
[0172]本實(shí)用新型的說(shuō)明書中，說(shuō)明了大量具體細(xì)節(jié)。然而，能夠理解，本實(shí)用新型的實(shí)施例可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐。在一些實(shí)例中，并未詳細(xì)示出公知的方法、結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以便不模糊對(duì)本說(shuō)明書的理解。
[0173]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED面板，包括像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述像素結(jié)構(gòu)包括: 第一到第三子像素區(qū)(I，2，3)，第一子像素區(qū)(I)和第二子像素區(qū)(2)在第一方向上對(duì)齊且都沿與第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素區(qū)(3)位于第一和第二子像素區(qū)(I，2)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED面板，其特征在于所述像素結(jié)構(gòu)還包括: 第四子像素區(qū)(4)，其位于第一和第二子像素區(qū)(I，2)的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，所述第三子像素區(qū)(3)和所述第四子像素區(qū)(4)在第二方向上彼此對(duì)齊。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的OLED面板，其特征在于 所述第三子像素區(qū)(3)的在第一方向上的兩個(gè)邊分別與第一子像素區(qū)(I)和第二子像素區(qū)(2)的在第一方向上的外側(cè)邊對(duì)齊。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED面板，其特征在于 所述第四子像素區(qū)(4)的在第一方向上的兩個(gè)邊分別與第一到第三子像素區(qū)(I，2，3)的在第一方向上的外側(cè)邊對(duì)齊。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED面板，其特征在于 所述第三子像素區(qū)(3)的在第二方向上的外側(cè)邊和所述第四子像素區(qū)(4)的在第二方向上的外側(cè)邊分別相對(duì)于成對(duì)的第一子像素區(qū)(I)和第二子像素區(qū)(2)的在第二方向上的兩個(gè)外側(cè)邊向外偏移所述第三子像素區(qū)(3)的寬度和所述第四子像素區(qū)(4)的寬度，并且第一子像素區(qū)(I)的在第一方向上的外側(cè)邊和所述第二子像素區(qū)(2)的在第一方向上的外側(cè)邊分別相對(duì)于成對(duì)的第三子像素區(qū)(3)和第四子像素區(qū)(4)的在第一方向上的兩個(gè)外側(cè)邊向外偏移所述第一子像素區(qū)(I)的寬度和所述第二子像素區(qū)(2)的寬度。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的OLED面板，其特征在于還包括: 包圍所述像素結(jié)構(gòu)的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括在第一方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第一沉積壁(101)和第二沉積壁(201 )，在與第一方向相交的第二方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第三沉積壁(301)和第四沉積壁(401)，以及在第一方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第五沉積壁(501)和第六沉積壁(601)，其中 所述第一子像素區(qū)(I)與所述第二沉積壁(201)相鄰，所述第二子像素區(qū)(2)與所述第一沉積壁(101)相鄰，第三子像素區(qū)(3)與所述第四沉積壁(401)相鄰。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED面板，其特征在于 所述第一沉積壁(101)和所述第二沉積壁(201)在第一方向上相距第一距離LI，所述第三沉積壁(301)和所述第四沉積壁(401)在第二方向上相距第二距離L2，所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)在第一方向上相距第三距離L3， 在沿所述第一方向切割而得到的切面中，從所述第一子像素區(qū)(I)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第一沉積壁(101)的頂部的連線與所述基板成角度α?，從所述第二子像素區(qū)(2)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第二沉積壁(201)的頂部的連線與所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第三子像素區(qū)(3)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第三沉積壁(301)的頂部的連線與所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于O度且小于90度，并且 其中，第一到第六沉積壁的高度分別為h1、h2、h3、h4、h5、h6，則滿足以下關(guān)系: h5>L3Xtan(al)； h6>L3Xtan(a2)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的OLED面板，其特征在于 所述沉積掩膜包括兩對(duì)第五沉積壁(501)和第六沉積壁(601)，所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)的第一對(duì)以及所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)的第二對(duì)分別位于成對(duì)的所述第一沉積壁和所述第二沉積壁的相反兩側(cè)，所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對(duì)設(shè)置的兩對(duì)第七沉積壁(701)和第八沉積壁(801)，所述第七沉積壁(701)和所述第八沉積壁(801)的第一對(duì)以及第七沉積壁(701)和所述第八沉積壁(801)的第二對(duì)分別位于成對(duì)的所述第三沉積壁和所述第四沉積壁的相反兩側(cè)， 第七沉積壁和第八沉積壁的高度分別為h7和h8，滿足以下關(guān)系: h7>L4Xtan(a3)； h8>L4Xtan(a4)， 其中，所述第一沉積壁(101)相對(duì)于所述第五沉積壁(501)沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第二子像素區(qū)(2)的寬度b2，所述第二沉積壁(201)相對(duì)于所述第六沉積壁(501)沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第一子像素區(qū)(I)的寬度bl，所述第三沉積壁(301)相對(duì)于所述第七沉積壁(701)沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第四子像素區(qū)(4)的寬度b4，所述第四沉積壁(401)相對(duì)于所述第八沉積壁(801)沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第三子像素區(qū)(3)的寬度b3。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的OLED面板，其特征在于，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁具有相同的高度。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的OLED面板，其特征在于， 111、112的范圍為0.02?1000(^111，113、114、115、116的范圍為0.05?3400(^111。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的OLED面板，其特征在于， h1、h2的范圍為I.8?954!11，]13、]14、]15、]16的范圍為4.8?165ym。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個(gè)的高度的范圍為0.07?45000μπι。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個(gè)的高度的范圍為5.4?346μπι。14.一種用于OLED的像素布圖的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于包括: 位于基板上的包圍每個(gè)像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括在第一方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第一沉積壁(101)和第二沉積壁(201)，與第一方向相交的第二方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第三沉積壁(301)和第四沉積壁(401)，以及在第一方向上相對(duì)設(shè)置的成對(duì)的第五沉積壁(501)和第六沉積壁(601)， 所述像素布圖包括與所述第二沉積壁(201)相鄰的第一子像素區(qū)(I)、與所述第一沉積壁(101)相鄰的第二子像素區(qū)(2)以及與所述第四沉積壁(401)相鄰的第三子像素區(qū)(3)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于 所述像素布圖包括與所述第三沉積壁(301)相鄰的第四子像素區(qū)(4)。16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述第一沉積壁(101)和所述第二沉積壁(201)在第一方向上相距第一距離LI，所述第三沉積壁(301)和所述第四沉積壁(401)在第二方向上相距第二距離L2，所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)在第一方向上相距第三距離L3， 在沿所述第一方向切割而得到的切面中，從所述第一子像素區(qū)(I)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第一沉積壁(101)的頂部的連線與所述基板成角度Ctl，從所述第二子像素區(qū)(2)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第二沉積壁(201)的頂部的連線與所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第三子像素區(qū)(3)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第三沉積壁(301)的頂部的連線與所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于O度且小于90度，并且 其中，第一到第六沉積壁的高度分別為h1、h2、h3、h4、h5、h6，則滿足以下關(guān)系: h5>L3Xtan(al)； h6>L3Xtan(a2)。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于， 在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第四子像素區(qū)(4)的內(nèi)側(cè)邊緣到所述第四沉積壁(401)的頂部的連線與所述基板成角度a4，其中a4大于O度且小于90度。18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，α1、α2、α3中至少兩者彼此相等。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，α4與al、a2、a3中至少一者相等。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述第五沉積壁的高度h5和第六沉積壁的高度h6大于所述第一沉積壁的高度hi和第二沉積壁的高度h2，所述第一沉積壁與所述第五沉積壁具有位于同一平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)壁，所述第二沉積壁與所述第六沉積壁具有位于同一平面內(nèi)的內(nèi)側(cè)壁。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述沉積掩膜包括兩對(duì)第五沉積壁(501)和第六沉積壁(601)，所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)的第一對(duì)以及所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)的第二對(duì)分別位于成對(duì)的所述第一沉積壁和所述第二沉積壁的相反兩側(cè)，所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對(duì)設(shè)置的兩對(duì)第七沉積壁(701)和第八沉積壁(801)，所述第七沉積壁(701)和所述第八沉積壁(801)的第一對(duì)以及第七沉積壁(701)和所述第八沉積壁(801)的第二對(duì)分別位于成對(duì)的所述第三沉積壁和所述第四沉積壁的相反兩側(cè)， 第七沉積壁和第八沉積壁的高度分別為h7和h8，滿足以下關(guān)系: h7>L4Xtan(a3)； h8>L4Xtan(a4)， 其中，所述第一沉積壁(101)相對(duì)于所述第五沉積壁(501)沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第二子像素區(qū)(2)的寬度b2，所述第二沉積壁(201)相對(duì)于所述第六沉積壁(501)沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第一子像素區(qū)(I)的寬度bl，所述第三沉積壁(301)相對(duì)于所述第七沉積壁(701)沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第四子像素區(qū)(4)的寬度b4，所述第四沉積壁(401)相對(duì)于所述第八沉積壁(801)沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側(cè)偏移第三子像素區(qū)(3)的寬度b3。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁具有相同的高度。23.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述沉積掩膜的材料選自光敏性聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，111、112的范圍為0.02?1000(^111，113、114、115、116的范圍為0.05?3400(^111。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，h1、h2的范圍為I.8?954!11，]13、]14、]15、]16的范圍為4.8?165ym。26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個(gè)的高度的范圍為0.07?45000μπι。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個(gè)的高度的范圍為5.4?346μπι。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK205645820SQ201620535966
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年6月2日
【發(fā)明人】鮑里斯·克里斯塔爾
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司