一種廣譜成像探測(cè)芯片的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種廣譜成像探測(cè)芯片。包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列。廣譜入射光波進(jìn)入熱輻射結(jié)構(gòu)后，在納米尖表面激勵(lì)產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動(dòng)圖形化金屬膜中的自由電子向納米尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納米尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動(dòng)，使電子急劇升溫并向周?chē)沼虬l(fā)射主要成分為可見(jiàn)光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本實(shí)用新型能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫電子運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)二次可見(jiàn)光輻射進(jìn)而執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換與成圖操作，具有波譜適用范圍寬、光電靈敏度高、光電響應(yīng)快以及成本相對(duì)低廉的特點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種廣譜成像探測(cè)芯片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于成像探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種廣譜成像探測(cè)芯片，基于壓縮在納米尖的高溫電子氣的熱光輻射和進(jìn)一步的光電轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)成像探測(cè)。
【背景技術(shù)】
[0002]自然界中的物體或人工物質(zhì)結(jié)構(gòu)除向外界發(fā)射電磁輻射外，還反射或散射來(lái)自太陽(yáng)、月亮、地球、星體以及其它多種多樣的自然或人造光場(chǎng)，包括典型的紫外光、可見(jiàn)光、紅外光以及遠(yuǎn)紅外/THz光等。人類(lèi)通過(guò)所建立的多種成像架構(gòu)如典型的照相機(jī)和攝像機(jī)等，獲取目標(biāo)其特征譜段電磁波束所輸運(yùn)的能量及其差異性空間分布所展現(xiàn)的圖像信息。迄今為止，根據(jù)電磁波譜特征已分別建立了紫外、可見(jiàn)光、紅外以及THz等成像探測(cè)架構(gòu)，發(fā)展了相應(yīng)的光子型高靈敏以及基于光熱效應(yīng)等的光敏材料與光電芯片、成像光學(xué)系統(tǒng)以及共性的電子學(xué)處理技術(shù)。一般而言，基于現(xiàn)有工業(yè)水平所發(fā)展的適用于不同譜段的光敏材料或器件化結(jié)構(gòu)均呈現(xiàn)特殊性，如針對(duì)紫外敏感主要采用氮化物，可見(jiàn)光波段主要通過(guò)硅基CCD或CMOS體制，紅外波段主要采用如典型的Ge、S1、HgCdTe、InSb、硫化物以及砸化物等特殊半導(dǎo)體材料。針對(duì)特定譜域的光子型光敏器件，在譜域間的過(guò)渡或銜接區(qū)域其探測(cè)效能將大幅降低及至消失。另一類(lèi)基于光熱電效應(yīng)的探測(cè)材料與器件在近些年也獲得蓬勃發(fā)展，盡管其光電靈敏度和光電響應(yīng)速度遠(yuǎn)低于光子型器件，但在紫外、可見(jiàn)光和紅外等譜域均已顯示可滿足常規(guī)光敏或成像用途的光電感測(cè)效能，若干硅/多孔硅基MEMS探測(cè)器甚至表現(xiàn)出可以覆蓋紫外到紅外/遠(yuǎn)紅外這一寬廣譜域的光電響應(yīng)能力，從而展示了建立廣譜成像探測(cè)架構(gòu)的發(fā)展?jié)摿?，這一特征在目前仍顯粗糙的遠(yuǎn)紅外/THz頻段電磁探測(cè)領(lǐng)域，已展現(xiàn)出基于較強(qiáng)光輻照的波束感知與主動(dòng)成像能力。
[0003]可工作在較寬譜域的光敏結(jié)構(gòu)目前盡管在器件種類(lèi)、性能指標(biāo)和應(yīng)用方面已獲得長(zhǎng)足進(jìn)步，針對(duì)人類(lèi)生活品質(zhì)的日益提升，背景環(huán)境的日趨復(fù)雜，能量弱目標(biāo)、隱身目標(biāo)、對(duì)抗性目標(biāo)、高速甚至高超聲速運(yùn)動(dòng)目標(biāo)等日漸凸顯下的成像探測(cè)則顯示明顯的能力欠缺。主要問(wèn)題歸結(jié)起來(lái)有:(一)光子型光敏材料主要基于光子激勵(lì)下的電子帶系躍迀所展現(xiàn)的電子學(xué)或磁物性改變，考慮到現(xiàn)有半導(dǎo)體光敏材料的窄帶性，所響應(yīng)的光子頻率僅能分布在一個(gè)帶寬極為有限的譜域內(nèi)，針對(duì)寬帶響應(yīng)的典型技術(shù)措施則包括繼續(xù)構(gòu)造復(fù)合帶系材料或直接拼接兩種甚至多種帶系的光敏材料，從而帶來(lái)材料配置或微結(jié)構(gòu)匹配方面的諸多復(fù)雜甚至難以解決的問(wèn)題；(二)具有廣譜性的光熱探測(cè)器，如典型的熱釋電材料、MEMS光敏架構(gòu)以及熱電光敏材料等，因基于微米尺度的膜結(jié)構(gòu)感測(cè)光輸運(yùn)的能量，呈現(xiàn)熱慣性大、熱分辨率低、響應(yīng)靈敏度低于光子型器件一個(gè)量級(jí)以上、熱噪聲強(qiáng)、譜響應(yīng)起伏顯著或存在機(jī)械慣性等問(wèn)題；(三)目前獲得廣泛應(yīng)用的低成本CMOS光敏技術(shù)，因光敏材料的固有屬性?xún)H能工作在可見(jiàn)光和近紅外譜域；(四)目前獲得廣泛關(guān)注的納米管基光敏材料，在光子學(xué)探測(cè)模式下同樣存在響應(yīng)譜段狹窄這一問(wèn)題，在光熱模式下盡管具有可以通過(guò)并行布設(shè)不同孔徑管材實(shí)現(xiàn)涵蓋紫外、可見(jiàn)光、紅外以及THz這一寬廣譜域的光敏探測(cè)，但因存在大量的結(jié)構(gòu)、工藝、電子學(xué)耦合驅(qū)控與微封裝等難題，短期內(nèi)尚難以商業(yè)化；(五)其他諸如石墨烯材料和超結(jié)構(gòu)材料等，則主要基于特殊的電子光子諧振響應(yīng)形成特定頻譜的光感測(cè)結(jié)構(gòu)，仍處在基礎(chǔ)研究階段?？傊?，發(fā)展適用于超寬譜域、結(jié)構(gòu)小/微型化、驅(qū)控靈活、響應(yīng)靈敏、價(jià)格相對(duì)低廉的光敏架構(gòu)，是目前發(fā)展廣譜成像探測(cè)芯片技術(shù)的熱點(diǎn)和難點(diǎn)問(wèn)題，受到了廣泛關(guān)注和重視。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進(jìn)需求，本實(shí)用新型提供了一種廣譜成像探測(cè)芯片，能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫電子運(yùn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)二次可見(jiàn)光輻射進(jìn)而執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換與成圖操作，具有波譜適用范圍寬、光電靈敏度高、光電響應(yīng)快以及成本相對(duì)低廉的特點(diǎn)。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種廣譜成像探測(cè)芯片，其特征在于，包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列;所述熱輻射結(jié)構(gòu)包括圖形化金屬膜，所述圖形化金屬膜上設(shè)有mXn元陣列分布的納米孔，將所述熱福射結(jié)構(gòu)劃分為m X η元陣列分布的熱福射單元，所述納米孔與所述熱福射單元--對(duì)應(yīng)，其中，m、n均為大于I的整數(shù);每個(gè)所述納米孔形成至少一個(gè)具有尖銳角結(jié)構(gòu)的納米尖，所述光敏陣列的每個(gè)光敏單元與多個(gè)納米孔匹配耦合;廣譜入射光波進(jìn)入所述熱輻射結(jié)構(gòu)后，在所述納米尖表面激勵(lì)產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動(dòng)所述圖形化金屬膜中的自由電子向所述納米尖產(chǎn)生振蕩性集聚，所述納米尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動(dòng)，使電子急劇升溫并向周?chē)沼虬l(fā)射主要成分為可見(jiàn)光的熱電磁輻射，所述光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。
[0006]優(yōu)選地，所述納米尖的銳化度越高，則其所在的納尺度空間內(nèi)能積聚或壓縮的電子密度越大，熱電磁輻射強(qiáng)度越高。
[0007]優(yōu)選地，所述圖形化金屬膜單位面積上的所述納米尖數(shù)越多，貝Ij到達(dá)光敏單元的熱光輻射強(qiáng)度越大，光敏單元的光電響應(yīng)信號(hào)越強(qiáng)。
[0008]優(yōu)選地，所述廣譜入射光波的光強(qiáng)越大，則其所激勵(lì)產(chǎn)生的等離激元的強(qiáng)度越高，驅(qū)趕向所述納米尖的電子數(shù)量越大，所述納米尖的熱光發(fā)射能力越強(qiáng)。
[0009]優(yōu)選地，通過(guò)改變所述納米尖的結(jié)構(gòu)形態(tài)和排布密度，改變所述廣譜成像探測(cè)芯片能感測(cè)的廣譜入射光波的頻率。
[0010]優(yōu)選地，所述熱輻射結(jié)構(gòu)還包括分別設(shè)置在所述圖形化金屬膜兩面的電隔離層和保護(hù)膜。
[0011]優(yōu)選地，上述廣譜成像探測(cè)芯片還包括陶瓷外殼，所述熱輻射結(jié)構(gòu)與所述光敏陣列同軸順序排布耦合并封裝在所述陶瓷外殼中，所述陶瓷外殼的頂部設(shè)有光入射窗口，使所述保護(hù)膜裸露在外，用于接收外界入射光場(chǎng)。
[0012]優(yōu)選地，所述陶瓷外殼上設(shè)有端口和指示燈，所述端口用于從外界向所述廣譜成像探測(cè)芯片輸入工作指令，以及向外界輸出電子圖像數(shù)據(jù)，所述指示燈用于指示所述廣譜成像探測(cè)芯片是否處在正常工作狀態(tài)。
[0013]總體而言，通過(guò)本實(shí)用新型所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果:
[0014]1、通過(guò)將含有納米孔陣列的圖形化金屬膜與可見(jiàn)光譜域的光敏陣列耦合，基于壓縮在納尺度空間中的高溫電子氣的熱光福射完成可見(jiàn)光入射波束的光福照強(qiáng)度的空間壓縮增強(qiáng)，以及紅外及THz入射波向可見(jiàn)光出射輻射變換及光電轉(zhuǎn)換與成圖操作，具有適用于廣譜輻射的特點(diǎn)。
[0015]2、基于納米尖所約束的納尺度空間中的電子氣熱輻射感應(yīng)與成圖操作，因熱區(qū)極小且極易通過(guò)電子的空間再分布實(shí)現(xiàn)輻射調(diào)變，具有輻射分辨率高以及光電響應(yīng)靈敏的特點(diǎn)。
[0016]3、基于廣譜入射輻射所激勵(lì)的等離激元驅(qū)控金屬膜中的電子在納米尖的集聚及熱光發(fā)射效應(yīng)，具有能探測(cè)極低能態(tài)入射光場(chǎng)的特點(diǎn)。
[0017]4、基于金屬平面納米尖的納尺度空域內(nèi)電子氣的熱光再輻射與光敏效應(yīng)，器件噪聲主要源于所耦合的可見(jiàn)光譜域光敏結(jié)構(gòu)，具有噪聲低的特點(diǎn)。
[0018]5、具有易于插入常規(guī)成像光路中替換傳統(tǒng)光敏成像芯片執(zhí)行廣譜成像探測(cè)的特點(diǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的廣譜成像探測(cè)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的廣譜成像探測(cè)芯片的光學(xué)成像應(yīng)用配置示意圖；
[0021]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的廣譜成像探測(cè)芯片的納米孔陣列排布示意圖；
[0022]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的局域納米孔陣列的結(jié)構(gòu)形態(tài)示意圖；
[0023]圖5是典型的納米孔結(jié)構(gòu)。
[0024]在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用來(lái)表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中:1_陶瓷外殼，2-指示燈，3-端口，4-光敏陣列，5-電隔離層，6-圖形化金屬膜，7-保護(hù)膜，8-光入射窗口，9-廣譜成像探測(cè)芯片，10-成像光學(xué)系統(tǒng)，11-納米孔，12-納米尖，13-透明光學(xué)基片界面。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。此外，下面所描述的本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0026]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的廣譜成像探測(cè)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，圖形化金屬膜6的兩面分別設(shè)有電隔離層5和保護(hù)膜7，形成熱輻射結(jié)構(gòu)，熱輻射結(jié)構(gòu)與光敏陣列4同軸順序排布耦合并封裝在陶瓷外殼I中，陶瓷外殼I的頂部設(shè)有光入射窗口 8，使保護(hù)膜7裸露在外，用于接收外界入射光場(chǎng)。陶瓷外殼I上還設(shè)有端口 3和指示燈2，端口 3用于從外界向廣譜成像探測(cè)芯片輸入工作指令，以及向外界輸出電子圖像數(shù)據(jù)。指示燈2用于指示廣譜成像探測(cè)芯片是否處在正常工作狀態(tài)，當(dāng)廣譜成像探測(cè)芯片處在正常工作狀態(tài)時(shí)，指示燈2接通閃爍。圖形化金屬膜6為納米級(jí)厚度，光敏陣列4為可見(jiàn)光譜域的光敏陣列，電隔離層5為透明光學(xué)基片，其厚度被控制在微米尺度，保護(hù)膜7同時(shí)起電絕緣作用。
[0027]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的廣譜成像探測(cè)芯片9的光學(xué)成像應(yīng)用配置示意圖。如圖所示，廣譜成像探測(cè)芯片9被置于成像光學(xué)系統(tǒng)10的焦面處，光學(xué)系統(tǒng)所形成的壓縮光場(chǎng)(為廣譜入射光波，具體可以為可見(jiàn)光、紅外線和THz輻射的一種或多種)通過(guò)廣譜成像探測(cè)芯片9的光入射窗口 8進(jìn)入圖形化金屬膜6，在納米孔形成的納米尖表面激勵(lì)產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動(dòng)圖形化金屬膜中的自由電子向納米尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納米尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，形成聚集在納米尖的高密度電子并產(chǎn)生壓縮性脈動(dòng)；稠密電子被壓縮在納尺度空間中將產(chǎn)生劇烈熱運(yùn)動(dòng)使電子急劇升溫并向周?chē)沼虬l(fā)射主要成分為可見(jiàn)光的熱電磁輻射;通過(guò)與圖形化金屬膜耦合的可見(jiàn)光譜域的光敏陣列捕獲納米尖熱輻射并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。
[0028]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的廣譜成像探測(cè)芯片的納米孔陣列排布示意圖。如圖所示，圖形化金屬膜上設(shè)有m X η元陣列分布的納米孔11，將熱福射結(jié)構(gòu)劃分為m X η元陣列分布的熱福射單元，納米孔11與熱福射單元--對(duì)應(yīng)，其中，m、n均為大于I的整數(shù)。每個(gè)納米孔11對(duì)應(yīng)形成至少一個(gè)具有尖銳角結(jié)構(gòu)的納米尖12，具體地，納米孔11是指納米尺度的孔結(jié)構(gòu)，納米尖12是指納米尺度的尖端結(jié)構(gòu)。光敏陣列的每個(gè)光敏單元與多個(gè)納米孔11匹配耦合，廣譜成像探測(cè)芯片的陣列規(guī)模由光敏陣列的規(guī)模決定。納米尖12的銳化度越高，則其所在的納尺度空間內(nèi)能積聚或壓縮的電子密度越大，熱電磁輻射強(qiáng)度越高；圖形化金屬膜單位面積上的納米尖數(shù)越多，則到達(dá)光敏單元的熱光福射強(qiáng)度越大，光敏單元在正常光電響應(yīng)范圍內(nèi)的光電響應(yīng)信號(hào)越強(qiáng)。
[0029]通過(guò)在納米厚度的金屬薄膜上按照特定周期構(gòu)造納米尖陣列，能有效驅(qū)趕金屬中的自由電子向納米尖聚集;同時(shí)在分布于可見(jiàn)光、紅外以及THz等譜域中的特定頻率的入射光波激勵(lì)下，在陣列化金屬平面納米尖結(jié)構(gòu)表面激勵(lì)等離激元，進(jìn)一步驅(qū)使納金屬模中的電子向納米尖聚集;入射光強(qiáng)越大，所激勵(lì)的等離激元的強(qiáng)度越高，驅(qū)趕向金屬平面納米尖的電子數(shù)量則越大，納米尖的熱光發(fā)射能力就越強(qiáng)。通過(guò)改變納米尖的結(jié)構(gòu)形態(tài)和排布密度，所感測(cè)的入射光波的頻率將有所改變。圖4給出了局域納米孔陣列的結(jié)構(gòu)形態(tài)，包括采用電子束或聚焦離子束蝕刻挖穿金屬膜到透明光學(xué)基片界面13處所形成的，具有納尺寸孔徑的納米孔及其中的通過(guò)金屬壁與金屬膜相連接的金屬平面納米尖等。
[0030]定義納米孔填充系數(shù)為單個(gè)納米孔的面積占熱輻射單元的面積的比率，其取值應(yīng)不低于65%。單個(gè)納米孔可以形成一個(gè)、兩個(gè)、甚至更多個(gè)納米尖，增加納米尖數(shù)能增強(qiáng)熱光發(fā)射效能從而間接增強(qiáng)光電響應(yīng)和探測(cè)能力，圖5給出了形成I至4個(gè)納米尖的情形，根據(jù)探測(cè)目標(biāo)及工藝情況，納米尖數(shù)量可以進(jìn)一步增加。
[0031]下面詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的廣譜成像探測(cè)芯片的工作過(guò)程。首先將一組可提供供電、控制信號(hào)與數(shù)據(jù)傳輸?shù)牟⑿芯€接入端口 3，然后分別輸入驅(qū)控光敏陣列4的工作指令，此時(shí)成像探測(cè)芯片開(kāi)始執(zhí)行廣譜成像探測(cè)操作;在上述工作過(guò)程中，指示燈2持續(xù)接通閃爍。
[0032]本實(shí)用新型的廣譜成像探測(cè)芯片，能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫電子運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換成二次可見(jiàn)光輻射進(jìn)而執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換與成圖操作，具有波譜適用范圍寬、光電靈敏度高、光電響應(yīng)快以及成本相對(duì)低廉的特點(diǎn)。
[0033]本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種廣譜成像探測(cè)芯片，其特征在于，包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列;所述熱輻射結(jié)構(gòu)包括圖形化金屬膜，所述圖形化金屬膜為納米級(jí)厚度，其上設(shè)有HiXn元陣列分布的納米孔，將所述熱福射結(jié)構(gòu)劃分為m X η元陣列分布的熱福射單元，所述納米孔與所述熱福射單元一一對(duì)應(yīng)，其中，m、n均為大于I的整數(shù);每個(gè)所述納米孔形成至少一個(gè)具有尖銳角結(jié)構(gòu)的納米尖，所述光敏陣列的每個(gè)光敏單元與多個(gè)納米孔匹配耦合； 廣譜入射光波進(jìn)入所述熱輻射結(jié)構(gòu)后，在所述納米尖表面激勵(lì)產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動(dòng)所述圖形化金屬膜中的自由電子向所述納米尖產(chǎn)生振蕩性集聚，所述納米尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動(dòng)，使電子急劇升溫并向周?chē)沼虬l(fā)射主要成分為可見(jiàn)光的熱電磁輻射，所述光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。2.如權(quán)利要求1所述的廣譜成像探測(cè)芯片，其特征在于，所述納米尖的銳化度越高，則其所在的納尺度空間內(nèi)能積聚或壓縮的電子密度越大，熱電磁輻射強(qiáng)度越高。3.如權(quán)利要求1所述的廣譜成像探測(cè)芯片，其特征在于，所述圖形化金屬膜單位面積上的所述納米尖數(shù)越多，則到達(dá)光敏單元的熱光福射強(qiáng)度越大，光敏單元的光電響應(yīng)信號(hào)越強(qiáng)。4.如權(quán)利要求1所述的廣譜成像探測(cè)芯片，其特征在于，所述廣譜入射光波的光強(qiáng)越大，則其所激勵(lì)產(chǎn)生的等離激元的強(qiáng)度越高，驅(qū)趕向所述納米尖的電子數(shù)量越大，所述納米尖的熱光發(fā)射能力越強(qiáng)。5.如權(quán)利要求1所述的廣譜成像探測(cè)芯片，其特征在于，通過(guò)改變所述納米尖的結(jié)構(gòu)形態(tài)和排布密度，改變所述廣譜成像探測(cè)芯片能感測(cè)的廣譜入射光波的頻率。6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的廣譜成像探測(cè)芯片，其特征在于，所述熱輻射結(jié)構(gòu)還包括分別設(shè)置在所述圖形化金屬膜兩面的電隔離層和保護(hù)膜。7.如權(quán)利要求6所述的廣譜成像探測(cè)芯片，其特征在于，還包括陶瓷外殼，所述熱輻射結(jié)構(gòu)與所述光敏陣列同軸順序排布耦合并封裝在所述陶瓷外殼中，所述陶瓷外殼的頂部設(shè)有光入射窗口，使所述保護(hù)膜裸露在外，用于接收外界入射光場(chǎng)。8.如權(quán)利要求7所述的廣譜成像探測(cè)芯片，其特征在于，所述陶瓷外殼上設(shè)有端口和指示燈，所述端口用于從外界向所述廣譜成像探測(cè)芯片輸入工作指令，以及向外界輸出電子圖像數(shù)據(jù)，所述指示燈用于指示所述廣譜成像探測(cè)芯片是否處在正常工作狀態(tài)。
【文檔編號(hào)】G01J5/20GK205621733SQ201620197159
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2016年3月15日
【發(fā)明人】張新宇, 信釗煒, 魏東, 張波, 吳勇, 袁瑩, 彭莎, 王海衛(wèi), 謝長(zhǎng)生
【申請(qǐng)人】華中科技大學(xué)