一種USB 3.1 Type-C線材的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種USB 3.1 Type-C線材，包括第一導體及絕緣層、纏繞層、屏蔽層、第二導體及絕緣層、對絞線、第三導體及絕緣層、第四導體及絕緣層、第五導體及絕緣層、包帶層、編織層、外被層；所述外被層的下表面上設(shè)有編織層，所述編織層的下表面上設(shè)有包帶層，所述包帶層由第一導體及絕緣層、纏繞層、屏蔽層、第二導體及絕緣層、對絞線、第三導體及絕緣層、第四導體及絕緣層、第五導體及絕緣層所組成，屏蔽層下表面上設(shè)有纏繞層，纏繞層下由第一導體及絕緣層構(gòu)成芯押，所述包帶層的中心有第二導體及絕緣層、對絞線、第三導體及絕緣層、第四導體及絕緣層、第五導體及絕緣層，所述對絞線由第二導體及絕緣層構(gòu)成。本實用新型在擁有更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，由于USB 3.1支持高達10Gbps的傳輸速率，將極大提升手機的傳輸速度；支持顯示輸出。
【專利說明】
一種USB 3.1 Type-C線材
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型涉及線材應用領(lǐng)域，具體地說是一種USB 3.1 Type-C線材。
【背景技術(shù)】
[0002]USB 3.1是最新的USB規(guī)范，該規(guī)范由英特爾等大公司發(fā)起。與現(xiàn)有的USB技術(shù)相比，新USB技術(shù)使用一個更高效的數(shù)據(jù)編碼系統(tǒng)，并提供一倍以上的有效數(shù)據(jù)吞吐率(USBIF協(xié)會)。它完全向下兼容現(xiàn)有的USB連接器與線纜。
[0003]UCB3.1有三種連接介面，分別為Type-A( Standard-A)、Type-B(Micro-B)以及Type-C標準的Type-A是目前應用最廣泛的介面方式，Micro-B則主要應用于智能手機和平板電腦等設(shè)備，而新定義的Type-C主要面向更輕薄、更纖細的設(shè)備，而原有的設(shè)備三種連接介面需要三種不同的線材連接，使用起來非常的麻煩。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實用新型的目的是提供一種USB3.1 Type-C線材。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案是:一種USB3.1 Type-C線材，包括第一導體及絕緣層、纏繞層、屏蔽層、第二導體及絕緣層、對絞線、第三導體及絕緣層、第四導體及絕緣層、第五導體及絕緣層、包帶層、編織層、外被層;所述外被層的下表面上設(shè)有編織層，所述編織層的下表面上設(shè)有包帶層，所述包帶層由第一導體及絕緣層、纏繞層、屏蔽層、第二導體及絕緣層、對絞線、第三導體及絕緣層、第四導體及絕緣層、第五導體及絕緣層所組成，屏蔽層下表面上設(shè)有纏繞層，纏繞層下由第一導體及絕緣層構(gòu)成芯押，所述包帶層的中心有第二導體及絕緣層、對絞線、第三導體及絕緣層、第四導體及絕緣層、第五導體及絕緣層，所述對絞線由第二導體及絕緣層構(gòu)成。
[0006]進一步，所述第一導體及絕緣層的厚度為0.22-0.24MM。
[0007]進一步，所述第五導體與絕緣層的直徑為0.50-0.52MM。
[0008]進一步，所述第一導體的外表面上渡有銀層。
[0009]進一步，所述編織層由銅網(wǎng)組合構(gòu)成。
[0010]采用上述技術(shù)方案后，本實用新型和現(xiàn)有技術(shù)相比所具有的優(yōu)點是:
[0011]本實用新型所述的USB 3.1 Type-C線材，USB 3.1 Type-C接口接入時不分正反面，防止反接、摸黑狀況上都可順利完成接線;USB 3.1 Type-C線材更加的小巧、柔軟，更適合用于短小輕薄的設(shè)備;讓手機更快充電，由于供電標準提升至20V/5A、100W功率，USB 3.1能夠極大提升設(shè)備的充電速度，同時還能為筆記本、投影儀甚至是電視等更高功率的設(shè)備供電；擁有更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，由于USB 3.1支持高達1Gbps的傳輸速率，將極大提升手機的傳輸速度;支持顯不輸出。
【附圖說明】
[0012]下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明:
[0013]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0014]附圖標記中1-屏蔽層;2-纏繞層;3-第一導體及絕緣層;4-對絞線;5-第二導體及絕緣層;6-第三導體及絕緣層;7-第四導體及絕緣層;8-外被層;9-編織層；10-包帶層；11-第五導體與絕緣層。
【具體實施方式】
[0015]以下所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不因此而限定本實用新型的保護范圍。
[0016]實施例，如圖1所示，一種USB 3.1 Type-C線材，包括屏蔽層1、纏繞層2、第一導體及絕緣層3、對絞線4、第二導體及絕緣層5、第三導體及絕緣層6、第四導體及絕緣7、外被層8、編織層9、包帶層10、第五導體與絕緣層11;外被層8的下表面上設(shè)有編織層9，編織層8的下表面上設(shè)有包帶層10，包帶層10下表面上設(shè)有8個屏蔽層I，屏蔽層I下表面上設(shè)有纏繞層2，防止外界干擾，使信號傳輸更加的穩(wěn)定，且纏繞層2下表面設(shè)有第一導體及絕緣層3，防止在連線的時候造成觸電事故，對絞線4中套有第二導體及絕緣層5，纏繞層2套有8個芯押，第二導體及絕緣層5組成2個芯押，第三導體與絕緣層6組成4個芯押，第四導體與絕緣層7組成2個芯押，第五導體與絕緣層11組成I個芯押，第一導體及絕緣層(3)的厚度為0.22-0.24MM，第五導體與絕緣層(11)的直徑為0.50-0.52MM，第一導體(3)的外表面上渡有銀層，降低介電常數(shù)，提高傳輸性能，編織層(9)由銅網(wǎng)組合構(gòu)成，構(gòu)成抗電磁屏蔽層，與屏蔽層I配合，提高線材的抗干擾的能力。
[0017]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節(jié)，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其它的具體形式實現(xiàn)本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實用新型內(nèi)。不應將權(quán)利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
[0018]以上所述，僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何細微修改、等同替換和改進，均應包含在本實用新型技術(shù)方案的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種USB3.1 Type-C線材，包括屏蔽層(1)、纏繞層(2)、第一導體及絕緣層(3)、對絞線(4)、第二導體及絕緣層(5)、第三導體及絕緣層(6)、第四導體及絕緣層(7)、外被層(8)、編織層(9)、包帶層(10)、第五導體與絕緣層(11);其特征在于:所述外被層(8)的下表面上設(shè)有編織層(9)，所述編織層(9)的下表面上設(shè)有包帶層(10)，所述包帶層(10)由第一導體及絕緣層(3)、纏繞層(2)、屏蔽層(1)、第二導體及絕緣層(5)、對絞線(4)、第三導體及絕緣層(6)、第四導體及絕緣層(7)、第五導體及絕緣層(11)所組成，屏蔽層(I)下表面上設(shè)有纏繞層(2)，纏繞層(2)下由第一導體及絕緣層(3)構(gòu)成芯押，所述包帶層(10)的中心有第二導體及絕緣層(5)、對絞線(4)、第三導體及絕緣層(6)、第四導體及絕緣層(7)、第五導體及絕緣層(11)，所述對絞線(4)由第二導體及絕緣層(5)構(gòu)成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種USB3.1 Type-C線材，其特征在于:所述第一導體及絕緣層(3)的厚度為0.22-0.24MM。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種USB3.1 Type-C線材，其特征在于:所述第五導體與絕緣層(11)的直徑為0.50-0.52MM。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種USB3.1 Type-C線材，其特征在于:所述第一導體的外表面上鍍有銀層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種USB3.1 Type-C線材，其特征在于:所述編織層(9)由銅網(wǎng)組合構(gòu)成。
【文檔編號】H01B11/00GK205487540SQ201620128908
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年2月19日
【發(fā)明人】于國慶, 諶書文, 王鄭, 李佳
【申請人】東莞瀚宇電子有限公司