一種子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及微波電路垂直互聯(lián)領(lǐng)域，特別涉及一種子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]相控陣天線集成的陣列結(jié)構(gòu)有兩種:基于磚塊式線子陣的縱向集成;基于瓦片式面子陣的橫向集成縱向組裝。磚塊式子陣是最流行的陣列結(jié)構(gòu)，元器件放置方向垂直于相控陣天線孔徑平面，輻射陣元通常采用偶極子或者錐形槽天線，其電路與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)遵循傳統(tǒng)的分系統(tǒng)概念，信號(hào)互聯(lián)、測(cè)試與封裝技術(shù)繼承性好，缺點(diǎn)是縱向尺寸大。
[0003]瓦片式集成的子陣模塊，采用分層結(jié)構(gòu)，將多個(gè)通道相同功能的芯片和電路集成在數(shù)個(gè)平行放置的瓦片上，然后進(jìn)行垂直互聯(lián)，瓦片式結(jié)構(gòu)集成度較高，器件之間的排布緊密，其層間互聯(lián)包括射頻互聯(lián)、低頻互聯(lián)等多種連接，多種連接錯(cuò)綜復(fù)雜，在設(shè)計(jì)上需要處理好EMI及互耦效應(yīng)，而且還需考慮中間層熱設(shè)計(jì)、測(cè)試性與維修性設(shè)計(jì)。
[0004]同時(shí)，傳統(tǒng)的磚塊式子陣模塊中蓋板的安裝方向與子陣的集成方向平行，這樣可以比較方便地在蓋板端面方向的平面內(nèi)進(jìn)行蓋板與腔體的激光封焊或平行封焊。對(duì)于瓦片式集成的子陣模塊，蓋板的安裝方向與子陣的集成方向垂直，需要在蓋板的徑向一周進(jìn)行焊接，并且要保證氣密性，保證一周焊接“全覆蓋”有較大的難度。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述不足，提供一種新型的便于氣密封裝的用于瓦片面子陣的氣密性射頻連接結(jié)構(gòu)。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型提供了以下技術(shù)方案:
[0007]—種子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置有N個(gè)連接通道的腔體及設(shè)置有一通孔的蓋板;所述腔體與所述蓋板扣合;所述N個(gè)連接通道內(nèi)均設(shè)置有SSMP射頻連接器;所述蓋板的通孔內(nèi)設(shè)置有SMP射頻連接器;所述N個(gè)SSMP射頻連接器通過粘連在所述腔體底面上的射頻傳輸微帶與所述SMP射頻連接器連接;N為大于1的自然數(shù)。所述腔體與所述蓋板扣合處分別設(shè)置有卡槽和凸臺(tái)，所述卡槽與凸臺(tái)形狀契合。
[0008]進(jìn)一步的，所述腔體的側(cè)壁及所述蓋板的側(cè)壁在扣合處均向內(nèi)凹進(jìn)形成凹槽結(jié)構(gòu)。
[0009]進(jìn)一步的，所述腔體與所述蓋板在凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)采用激光封焊方式連接，焊接完成后焊接材料均位于凹槽結(jié)構(gòu)以內(nèi)。
[0010]進(jìn)一步的，所述腔體及所述蓋板截面均為矩形，在所述腔體及所述蓋板連接處的四個(gè)轉(zhuǎn)角均為圓角，所述圓角使得對(duì)所述腔體及蓋板沿不同邊進(jìn)行焊接時(shí)，可以允許在轉(zhuǎn)角處重復(fù)焊接，而重復(fù)焊接不會(huì)導(dǎo)致焊接材料凸出凹槽結(jié)構(gòu)以外。
[0011 ]進(jìn)一步的，所述凹槽結(jié)構(gòu)沿所述腔體及所述蓋板的側(cè)壁向內(nèi)凹進(jìn)0.5mm。
[0012]進(jìn)一步的，所述蓋板上還設(shè)置有兩組低頻排針連接器，所述兩組低頻排針連接器同時(shí)伸出所述蓋板上下底面;其中伸出下底面的排針與腔體內(nèi)部的射頻供電板對(duì)插連接；伸出上底面低頻排針與波控子板對(duì)插連接。進(jìn)一步的，所述低頻排針連接器采用玻璃燒結(jié)方式制成的玻璃燒結(jié)連接器。
[0013]優(yōu)選的，所述低頻排針連接器為采用金錫焊的方式與所述蓋板連接。
[0014]優(yōu)選的，所述腔體及所述蓋板的殼體為可伐材料或鈦合金TC4材料制成。
[0015]優(yōu)選的，所述N個(gè)連接通道內(nèi)均設(shè)置有SSMP射頻連接器;所述SSMP射頻連接器通過金錫焊的方式設(shè)置在所述連接通道內(nèi)。
[0016]優(yōu)選的，所述蓋板的通孔內(nèi)設(shè)置有SMP射頻連接器;所述SMP射頻連接器通過金錫焊的方式設(shè)置在所述蓋板的通孔內(nèi)。
[0017]優(yōu)選的，所述N個(gè)SSMP射頻連接器通過粘連在所述腔體底面上的射頻傳輸微帶與所述SMP射頻連接器連接;所述射頻傳輸微帶為采用銀漿粘接的方式和所述腔體粘接。
[0018]進(jìn)一步的，所述射頻傳輸微帶設(shè)置在所述腔體底面的定位槽內(nèi)，所述定位槽形狀與所述射頻傳輸微帶形狀契合。
[0019]進(jìn)一步的，所述射頻傳輸微帶包括微帶基片、連接地孔及傳輸線;所述連接地孔與所述蓋板連接;所述微帶基片與所述腔體底面粘連;所述傳輸線與所述SMP射頻連接器連接。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型提供的子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)提供一種新型的連接結(jié)構(gòu)，通過在蓋板和腔體的扣合處采用卡槽和凸臺(tái)結(jié)合的方式增強(qiáng)扣合氣密性外，本實(shí)用新型還通過在蓋板和腔體的焊接部位設(shè)計(jì)一種凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)，此凹槽結(jié)構(gòu)能夠保證激光封焊后焊接材料均位于凹槽結(jié)構(gòu)以內(nèi)，不會(huì)因?yàn)楹附佣淖冏雨嚹K的縱向尺寸，影響縱向集成。
[0021]由于腔體和蓋板截面均為矩形，又需要在徑向一周實(shí)現(xiàn)焊接的全覆蓋，在所述腔體及所述蓋板的四個(gè)轉(zhuǎn)角處設(shè)計(jì)圓角，所述圓角使得對(duì)所述腔體及蓋板沿不同邊進(jìn)行焊接時(shí)，可以允許在轉(zhuǎn)角處重復(fù)焊接，從而實(shí)現(xiàn)徑向一周的全覆蓋。
【附圖說明】
:
[0022]圖1為本實(shí)用新型組裝示意圖。
[0023]圖2a、圖2b為本實(shí)用新型蓋板及腔體扣合處的凹槽結(jié)構(gòu)及卡槽與凸臺(tái)結(jié)構(gòu)。
[0024]圖中標(biāo)記:1-蓋板，2-腔體，3-凹槽結(jié)構(gòu)，41-卡槽，42-凸臺(tái)。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。但不應(yīng)將此理解為本實(shí)用新型上述主題的范圍僅限于以下的實(shí)施例，凡基于本【實(shí)用新型內(nèi)容】所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)均屬于本實(shí)用新型的范圍。
[0026]實(shí)施例1:如圖1、圖2a、圖2b所示，本實(shí)施例中同樣提供一種子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置有N個(gè)連接通道的腔體2及設(shè)置有一通孔的蓋板1;所述腔體2與所述蓋板1扣合，所述腔體2及所述蓋板1的殼體為鈦合金TC4制成;所述N個(gè)連接通道內(nèi)均設(shè)置有SSMP射頻連接器;所述SSMP射頻連接器通過金錫焊的方式設(shè)置在所述連接通道內(nèi)；所述蓋板1的通孔21內(nèi)設(shè)置有SMP射頻連接器1;所述SMP射頻連接器1通過金錫焊的方式設(shè)置在所述蓋板1的通孔內(nèi)；本實(shí)施例中，所述腔體2與所述蓋板1扣合處分別設(shè)置有卡槽41和凸臺(tái)42，所述卡槽41與凸臺(tái)42形狀契合。
[0027]所述N個(gè)SSMP射頻連接器通過粘連在所述腔體底面上的射頻傳輸微帶與所述SMP射頻連接器1連接;N為大于1的自然數(shù)，本實(shí)施例中，N=64。
[0028]進(jìn)一步的，所述射頻傳輸微帶設(shè)置在所述腔體2底面設(shè)置的定位槽內(nèi)，所述定位槽形狀與所述射頻傳輸微帶34形狀契合。
[0029]進(jìn)一步的，如圖2a、2b所示，所述腔體2的側(cè)壁及所述蓋板1的側(cè)壁在扣合處均向內(nèi)凹進(jìn)形成凹槽結(jié)構(gòu)3;所述凹槽結(jié)構(gòu)3沿所述腔體及所述蓋板的側(cè)壁向內(nèi)凹進(jìn)0.5mm。
[0030]進(jìn)一步的，所述腔體2與所述蓋板1在凹槽結(jié)構(gòu)3內(nèi)采用激光封焊方式連接，焊接完成后焊接材料均位于凹槽結(jié)構(gòu)3以內(nèi)，這就解決了在沒有設(shè)置凹槽結(jié)構(gòu)3時(shí)，焊縫凸出腔體2及蓋板1的側(cè)壁之外導(dǎo)致的T/R模塊在縱向擴(kuò)展和布陣受到影響的問題，采用凹槽結(jié)構(gòu)3則使得焊料均保持在凹槽結(jié)構(gòu)3以內(nèi)，便于整個(gè)T/R模塊的縱向集成安裝。
[0031 ]本實(shí)施例中，所述腔體及所述蓋板截面均為矩形，在所述腔體及所述蓋板連接處的四個(gè)轉(zhuǎn)角設(shè)置為圓角，所述圓角使得對(duì)所述腔體及蓋板沿不同邊進(jìn)行焊接時(shí)，可以允許在轉(zhuǎn)角處重復(fù)焊接，而圓角的設(shè)置使得重復(fù)焊接不會(huì)導(dǎo)致焊接材料凸出凹槽結(jié)構(gòu)3以外。
[0032]進(jìn)一步的，所述蓋板上通過金錫焊的方式焊接有兩組低頻排針連接器，所述兩組低頻排針連接器同時(shí)伸出所述蓋板上下底面;其中伸出下底面的排針與腔體內(nèi)部的射頻供電板對(duì)插連接;伸出上底面低頻排針與波控子板對(duì)插連接。
[0033]進(jìn)一步的，所述低頻排針連接器采用玻璃燒結(jié)方式制成。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置有N個(gè)連接通道的腔體及設(shè)置有一通孔的蓋板;所述腔體與所述蓋板扣合；N為大于1的自然數(shù);其特征在于，所述腔體與所述蓋板扣合處分別設(shè)置有卡槽和凸臺(tái)，所述卡槽與凸臺(tái)形狀契合。2.如權(quán)利要求1所述的子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔體的側(cè)壁及所述蓋板的側(cè)壁在扣合處均向內(nèi)凹進(jìn)形成凹槽結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求2所述的子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔體與所述蓋板在凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)采用激光封焊方式連接，焊接完成后焊接材料均位于凹槽結(jié)構(gòu)以內(nèi)。4.如權(quán)利要求3所述的子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔體及所述蓋板截面均為矩形，在所述腔體及所述蓋板連接處的四個(gè)轉(zhuǎn)角均為圓角，所述圓角使得對(duì)所述腔體及蓋板沿不同邊進(jìn)行焊接時(shí)，可以允許在轉(zhuǎn)角處重復(fù)焊接，而重復(fù)焊接不會(huì)導(dǎo)致焊接材料凸出凹槽結(jié)構(gòu)以外。5.如權(quán)利要求2所述的子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽結(jié)構(gòu)沿所述腔體及所述蓋板的側(cè)壁向內(nèi)凹進(jìn)0.5mm。6.如權(quán)利要求1所述的子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述蓋板上還設(shè)置有兩組低頻排針連接器，其中伸出下底面的排針與腔體內(nèi)部的射頻供電板對(duì)插連接;伸出上底面低頻排針與波控子板對(duì)插連接。7.如權(quán)利要求6所述的子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低頻排針連接器為玻璃燒結(jié)連接器。8.如權(quán)利要求1所述的子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腔體及所述蓋板的殼體為鈦合金TC4材料制成。9.如權(quán)利要求1所述的子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N個(gè)連接通道內(nèi)均設(shè)置有SSMP射頻連接器;所述SSMP射頻連接器通過金錫焊的方式設(shè)置在所述連接通道內(nèi)。10.如權(quán)利要求1所述的子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述蓋板的通孔內(nèi)設(shè)置有SMP射頻連接器;所述SMP射頻連接器通過金錫焊的方式設(shè)置在所述蓋板的通孔內(nèi)。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及微波電路垂直互聯(lián)領(lǐng)域，特別涉及一種子陣模塊的氣密性結(jié)構(gòu)。包括設(shè)置有N個(gè)連接通道的腔體及設(shè)置有一通孔的蓋板；所述腔體與所述蓋板扣合；N為大于1的自然數(shù)。所述腔體與所述蓋板扣合處分別設(shè)置有卡槽和凸臺(tái)，所述卡槽與凸臺(tái)形狀契合。除采用卡槽和凸臺(tái)結(jié)合增強(qiáng)氣密性外，本實(shí)用新型中還通過在蓋板和腔體的焊接部位設(shè)計(jì)一種凹槽結(jié)構(gòu)內(nèi)，此凹槽結(jié)構(gòu)能夠保證激光封焊后焊接材料均位于凹槽結(jié)構(gòu)以內(nèi)，不會(huì)因?yàn)楹附佣淖冏雨嚹K的縱向尺寸，影響縱向集成。
【IPC分類】H01P5/08
【公開號(hào)】CN205122741
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520922235
【發(fā)明人】趙偉, 管玉靜, 吳鳳鼎, 李超, 李 燦
【申請(qǐng)人】成都雷電微力科技有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請(qǐng)日】2015年11月18日