一種考夫曼離子源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種離子源，特別涉及一種考夫曼離子源。
【背景技術(shù)】
[0002]離子束薄膜沉積和離子束材料改性技術(shù)是材料科學的一個重要分支，離子束技術(shù)的研宄和推廣取得了巨大的成就。目前，離子源的種類很多，Kaufman(考夫曼)離子源是使用較為廣泛的對薄膜進行離子束轟擊的裝置，該裝置的基本工作原理為:首先由陰極在離子源內(nèi)腔產(chǎn)生等離子體，然后由兩層或三層陽極柵格將離子從等離子腔體中抽取出來，這種離子源產(chǎn)生的離子方向性強，離子能量帶寬集中，可廣泛應(yīng)用于真空鍍膜中。
[0003]常規(guī)的考夫曼離子源如圖1所示，電子由陰極燈絲發(fā)射，發(fā)射的電子由陽極板面吸引，電子空間分布為點發(fā)射狀，電子空間密度不均勻造成離子流不穩(wěn)定。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型解決上述離子流不穩(wěn)定的技術(shù)缺陷，設(shè)計一種穩(wěn)定輸出的考夫曼離子源。
[0005]一種考夫曼離子源，包括包括進氣孔、陰極和陽極，其特征在于:陰極平行于陽極。
[0006]所述裝置的陰極捆綁在平行于陽極的絕緣柱表面。
[0007]本實用新型有益效果:所述柱狀陰極的電場垂直于柱狀陰極，產(chǎn)生均勻的空間電場，因此，均勻的空間電場與氣流混合，產(chǎn)生均勻的離子流。
【附圖說明】
[0008]圖1為考夫曼離子源常用結(jié)構(gòu)
[0009]圖2為考夫曼離子源改進結(jié)構(gòu)
【具體實施方式】
[0010]如圖2所示，惰性氣體由考夫曼離子源的進氣孔I進入，與陰極2陽極3的電子束混合反應(yīng)，陰極2捆綁在平行于陽極的絕緣柱4表面。所述柱狀陰極2的電場垂直于柱狀陰極，產(chǎn)生均勻的空間電場，因此，均勻的空間電場與氣流混合，產(chǎn)生均勻的離子流。
【主權(quán)項】
1.一種考夫曼離子源，包括進氣孔(I)、陰極(2)和陽極(3)，其特征在于:陰極(2)平行于陽極(3)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種考夫曼離子源，其特征在于:陰極(2)捆綁在平行于陽極的絕緣柱(4)表面。
【專利摘要】本實用新型涉及一種離子源，特別涉及一種考夫曼離子源。所述裝置的陰極平行于陽極。本實用新型有益效果：所述柱狀陰極的電場垂直于柱狀陰極，產(chǎn)生均勻的空間電場，因此，均勻的空間電場與氣流混合，產(chǎn)生均勻的離子流。
【IPC分類】H01J37/08
【公開號】CN204706535
【申請?zhí)枴緾N201520397783
【發(fā)明人】喬憲武
【申請人】中國計量學院
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年6月8日