一種多圈超薄封裝件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多圈超薄封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路的QFN (Quad Flat No-leadPackage，方形扁平無引腳封裝)和DFN(DualFlat Package，雙側(cè)引腳扁平封裝)近幾年隨著通訊設(shè)備(如基站、交換機(jī))、智能手機(jī)、便攜式設(shè)備(如平板電腦)、可穿戴設(shè)備(如智能手表、智能眼鏡、智能手環(huán)等)的普及而迅速發(fā)展，特別適用于有高頻、高帶寬、低噪聲、高導(dǎo)熱、小體積、高速度等電性需求的大規(guī)模集成電路的封裝。
[0003]QFN/DFN有效地利用了引線腳的封裝空間，從而大幅度地提高了封裝效率。該封裝由于引線短小、塑封體尺寸小、封裝體薄，可以使CPU體積縮小30 % -50 %，同時具有良好的散熱性能。
[0004]傳統(tǒng)的QFN/DFN主要存在以下不足:一是設(shè)計及制作周期長，成本比較高；二是凸點的排布以及I/o的密集程度受到框架設(shè)計及框架制造工藝的限制；三是框架在腐蝕變薄后，在模具內(nèi)有滑動的風(fēng)險，封裝可靠性得不到保障；四是傳統(tǒng)的QFN/DFN產(chǎn)品厚度仍然比較大，無法滿足當(dāng)前的便攜式設(shè)備對小體積、高密度封裝的需求。
【實用新型內(nèi)容】
[0005]本實用新型的目的是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種基于鍵合線連接的免貼膜、免電鍍的超薄封裝件。
[0006]本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種多圈超薄封裝件，包括塑封體以及封裝在塑封體內(nèi)的芯片、金屬凸點、鍍銀層、鍍NiPdAu層和銅連接層，芯片、金屬凸點、鍍銀層、銅連接層和鍍NiPdAu層構(gòu)成了電路的電源和信號通道，所述的銅連接層有多個且表面積不相同，多個較大表面積的銅連接層圍住若干較小表面積的銅連接層，每個銅連接層的上表面和下表面分別設(shè)置有鍍銀層和鍍NiPdAu層，所述的多個鍍銀層相互獨立，所述的芯片焊接面設(shè)置有多個金屬凸點，芯片通過金屬凸點與多個鍍銀層同時連接。
[0007]所述的一種多圈超薄封裝件，其多個較大表面積的銅連接層和較小表面積的銅連接層分別形成一個方形。
[0008]所述的一種多圈超薄封裝件，其銅連接層具有兩種不同大小的方形表面。
[0009]所述的一種多圈超薄封裝件，其鍍銀層和鍍NiPdAu層的厚度為3 — 5um。
[0010]所述的一種多圈超薄封裝件，其塑封體的厚度小于0.35mm。
[0011]所述的一種多圈超薄封裝件，其銅連接層下端的一組相對邊設(shè)置有倒角。
[0012]所述的一種多圈超薄封裝件，其倒角為直角倒角。
[0013]本實用新型的有益效果是:通過電鍍銀之后在植有的金屬凸點上直接壓焊，也可通過電鍍銀后直接打線的方法實現(xiàn)與外部電路的連通，封裝件將鍍NiPdAu層作為與外部電路的信號連接通道，相當(dāng)于普通封裝的“管腳”，可以省去電鍍環(huán)節(jié)；在鍍銀層和框架基板之間增加一層銅連接層，銅連接層下端的一組相對邊設(shè)置有倒角，塑封之后塑封料填充滿銅倒角層的凹槽，形成有效的防拖拉結(jié)構(gòu)，極大地降低了框架在腐蝕變薄后，在模具內(nèi)滑動的風(fēng)險。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型的剖面圖；
[0015]圖2為本實用新型的俯視圖。
[0016]各附圖標(biāo)記為:2—金屬凸點，3—芯片，4一塑封體，5—鍛銀層，6—鍛NiPdAu層，7—銅連接層。
【具體實施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0018]參照圖1所示，本實用新型公開了一種多圈超薄封裝件，包括塑封體4以及封裝在塑封體4內(nèi)的芯片3、金屬凸點2、鍍銀層5、鍍NiPdAu層6和銅連接層7，芯片3、金屬凸點2、鍍銀層5、銅連接層7和鍍NiPdAu層6構(gòu)成了電路的電源和信號通道，所述的銅連接層7有多個且表面積不相同，可以是大小不同，也可以是形狀不同，多個較大表面積的銅連接層7圍住若干較小表面積的銅連接層7，每個銅連接層7的上表面和下表面分別設(shè)置有鍍銀層5和鍍NiPdAu層6，所述的多個鍍銀層5相互獨立，所述的芯片3焊接面設(shè)置有多個金屬凸點2，芯片3通過金屬凸點2與多個鍍銀層5同時連接，從上往下，金屬凸點2、鍍銀層5、銅連接層7、鍍NiPdAu層6構(gòu)成一個與外部電路連通的“引腳式”結(jié)構(gòu)，露在外面的鍍NiPdAu層6即可作為焊點，在一顆封裝體上可以設(shè)置多圈這樣的焊點。
[0019]進(jìn)一步，如圖2所示，八個較大表面積的銅連接層7形成一個較大的正方形，四個較小表面積的銅連接層形成一個較小的正方形，大的正方形圍住小的正方形，從而形成多圈結(jié)構(gòu)。
[0020]由于鍍銀層5和鍍NiPdAu層6的厚度為3 — 5um，大大降低了 QFN/DFN封裝產(chǎn)品的厚度，可將塑封體4的厚度設(shè)置為小于0.35mm，而傳統(tǒng)的QFN/DFN封裝體厚度在0.7mm以上，本實用新型提供的技術(shù)可使封裝體厚度減小100%。
[0021]更進(jìn)一步，銅連接層7下端的一組相對邊設(shè)置有倒角，作為一種優(yōu)選的實施例，還可以將倒角設(shè)置成直角倒角，不僅形成有效的防拖拉結(jié)構(gòu)，塑封之后塑封料填充滿銅倒角層的凹槽，形成有效的防拖拉結(jié)構(gòu)，極大地降低了框架在腐蝕變薄后，在模具內(nèi)滑動的風(fēng)險，還大大方便了銅連接層7的加工，同時，降低了塑封料壓力，增加了塑封料與金屬框架的接合面積，封裝可靠性大幅提升。
[0022]本實用新型縮短了產(chǎn)品制作周期，更好實現(xiàn)芯片與載體的互聯(lián)，使I/O更加密集，成本更低。更重要的是，塑封后形成有效的防拖拉結(jié)構(gòu)，降低了塑封料壓力，增加了塑封料與金屬框架的接合面積，極大提高了封裝的可靠性
[0023]傳統(tǒng)的QFN/DFN框架，為了防止塑封時發(fā)生“溢膠”，在框架背面貼有一層膜，而本實用新型由于框架上面鍍了一層NiPdAu，可以起到隔離塑封料的作用，塑封后腐蝕掉框架，同樣可以起到防止“溢膠”的作用，這樣就可以省去框架廠商“貼膜”的過程。
[0024]由于本實用新型提供的封裝件可以免電鍍、免貼膜，生產(chǎn)成本可以大幅降低，產(chǎn)品更有競爭力。
[0025]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，以及部分運用的實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種多圈超薄封裝件，其特征在于:包括塑封體(4)以及封裝在塑封體(4)內(nèi)的芯片(3)、金屬凸點(2)、鍍銀層(5)、鍍NiPdAu層(6)和銅連接層(7)，芯片(3)、金屬凸點(2)、鍍銀層(5)、銅連接層(7)和鍍NiPdAu層(6)構(gòu)成了電路的電源和信號通道，所述的銅連接層(7 )有多個且表面積不相同，多個較大表面積的銅連接層(7 )圍住若干較小表面積的銅連接層(7)，每個銅連接層(7)的上表面和下表面分別設(shè)置有鍍銀層(5)和鍍NiPdAu層(6)，所述的多個鍍銀層(5)相互獨立，所述的芯片(3)焊接面設(shè)置有多個金屬凸點(2)，芯片(3)通過金屬凸點(2 )與多個鍍銀層(5 )同時連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多圈超薄封裝件，其特征在于，所述的多個較大表面積的銅連接層(7)和較小表面積的銅連接層(7)分別形成一個方形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多圈超薄封裝件，其特征在于，所述的銅連接層(7)具有兩種不同大小的方形表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種多圈超薄封裝件，其特征在于，所述的鍍銀層(5)和鍍NiPdAu層(6)的厚度為3—5um。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多圈超薄封裝件，其特征在于，所述的塑封體(4)的厚度小于 0.35mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種多圈超薄封裝件，其特征在于，所述的銅連接層(7)下端的一組相對邊設(shè)置有倒角。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種多圈超薄封裝件，其特征在于，所述的倒角為直角倒角。
【專利摘要】本實用新型公開了一種多圈超薄封裝件，包括塑封體以及封裝在塑封體內(nèi)的芯片、鍍銀層、鍍NiPdAu層、銅連接層和鍵合線，芯片、鍍銀層、銅連接層、鍍NiPdAu層和鍵合線構(gòu)成了電路的電源和信號通道，所述的銅連接層有多個，每個銅連接層的上表面和下表面分別設(shè)置有鍍銀層和鍍NiPdAu層，所述的多個鍍銀層相互獨立，所述的芯片設(shè)置在部分鍍銀層上，無芯片的鍍銀層段通過鍵合線與芯片連接，由于可以免電鍍、免貼膜，生產(chǎn)成本可以大幅降低，產(chǎn)品更有競爭力。
【IPC分類】H01L23-31, H01L23-488
【公開號】CN204407321
【申請?zhí)枴緾N201520003435
【發(fā)明人】宋波, 梁大鐘, 施保球, 劉興波
【申請人】廣東氣派科技有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請日】2015年1月5日