具有屏蔽邊緣的支撐環(huán)的制作方法
【專利摘要】提供用于半導(dǎo)體處理的支撐環(huán)。支撐環(huán)包含環(huán)形主體，該環(huán)形主體由內(nèi)邊緣及外邊緣來界定。該內(nèi)邊緣及該外邊緣同心的繞著中央軸。該環(huán)形主體進(jìn)一步包含第一側(cè)、第二側(cè)、及突起環(huán)狀肩部，該突起環(huán)狀肩部在該內(nèi)邊緣處由該環(huán)形主體的該第一側(cè)延伸。該支撐環(huán)也包含位于該第一側(cè)上的包覆層，該包覆層具有鄰接該突起環(huán)狀肩部的減低厚度區(qū)域的內(nèi)區(qū)域。
【專利說明】具有屏蔽邊緣的支撐環(huán)
[0001 ]
[0002]@明的態(tài)樣一般涉及用以支撐基板的裝置及用于形成該裝置的方法。更特定地，本發(fā)明的實施方式涉及支撐環(huán)以在熱處理腔室中支撐邊緣環(huán)。
[0003]罝量
[0004]在基板處理中，例如半導(dǎo)體晶片，基板被放置于處理腔室中的的支撐件上，同時在處理腔室中維持合適的處理條件?？墒褂每焖贌崽幚?RTP)腔室以設(shè)置于基板下方的照射器加熱基板。例如，可快速加熱基板至升高的溫度，該升高的溫度在250攝氏度至1350攝氏度的溫度范圍內(nèi)。在熱處理期間，可由支撐結(jié)構(gòu)繞著基板的邊緣區(qū)域以支撐基板，例如邊緣環(huán)。可由另一支撐結(jié)構(gòu)支撐邊緣環(huán)，例如支撐環(huán)。
[0005]邊緣環(huán)及支撐環(huán)由可承受眾多快速加熱及冷卻的周期的材料所組成。石英(例如，非結(jié)晶硅)為經(jīng)常用于支撐環(huán)結(jié)構(gòu)的材料。當(dāng)在RTP腔室中由下方照射器加熱基板時，典型地欲阻隔照射器輻射免于進(jìn)入RTP腔室中的基板上方空間。經(jīng)常在基板上方空間中使用對基板放射出的福射敏感的福射傳感器，例如高溫計(pyrometer)。防止照射器福射進(jìn)入基板上方空間防止了輻射阻礙溫度傳感器的效能。因為石英對光及紅外光能量為透明的，石英支撐環(huán)的上方表面經(jīng)常以一材料包覆，例如硅，以對照射器輻射呈現(xiàn)不透明。
[0006]包覆硅的石英支撐環(huán)在反復(fù)地加熱及冷卻后，開始在徑向上長出裂痕。裂痕可在僅僅幾個加熱周期后開始長出。裂痕最后使得包覆硅的石英支撐環(huán)無法使用，而頻繁的置換支撐環(huán)不是對成本有效益的。
[0007]因此，存在具有不透明包覆層的改進(jìn)石英支撐環(huán)的需求。
[0008]挺述
[0009]在一個實施方式中，提供用于半導(dǎo)體處理的支撐環(huán)。支撐環(huán)包含環(huán)形主體，該環(huán)形主體帶有內(nèi)邊緣及外邊緣，其中該內(nèi)邊緣及該外邊緣同心的繞著中央軸。該環(huán)形主體進(jìn)一步包含第一側(cè)、第二側(cè)、及突起環(huán)狀肩部，該突起環(huán)狀肩部在該內(nèi)邊緣處由該環(huán)形主體的該第一側(cè)延伸。該支撐環(huán)也包含位于該第一側(cè)上的包覆層，該包覆層具有鄰接該突起環(huán)狀肩部的減低厚度區(qū)域的內(nèi)區(qū)域。
[0010]在另一實施方式中，提供用于半導(dǎo)體處理的支撐環(huán)。支撐環(huán)包含環(huán)形主體，該環(huán)形主體帶有內(nèi)邊緣及外邊緣，其中該內(nèi)邊緣及該外邊緣同心的繞著中央軸。該環(huán)形主體進(jìn)一步包含第一側(cè)及第二側(cè)。該支撐環(huán)也包含位于該第一側(cè)上的包覆層，該包覆層具有外輻射阻隔區(qū)域的一致厚度及經(jīng)配置以支撐邊緣環(huán)的內(nèi)區(qū)域的減低厚度。
[0011]在另一實施方式中，提供用于在沉積腔室中包覆環(huán)形主體的方法。該方法包含將該環(huán)形主體提供至該沉積腔室，該環(huán)形主體具有內(nèi)邊緣及外邊緣，及第一側(cè)及第二側(cè)，其中該內(nèi)邊緣及該外邊緣同心的繞著中央軸，放置掩模覆蓋于該內(nèi)邊緣的該第一側(cè)處，其中介于該掩模及該第一側(cè)之間的距離小于約500微米，及于該第一側(cè)上形成包覆層，其中該掩模減低該第一側(cè)上于該掩模下的該包覆層的厚度。
[0012]附圖簡要說明
[0013]于是上述本發(fā)明特征的方式可以細(xì)節(jié)理解，可通過參考實施方式而具有本發(fā)明的更特定描述(簡短總結(jié)如上)，其中一些被圖示于所附附圖中。然而，注意所附附圖僅圖示本發(fā)明典型的實施方式，因此不考慮限制其范圍，因為本發(fā)明可允許其他等效實施方式。
[0014]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的支撐環(huán)的截面視圖。
[0015]圖2A為用于產(chǎn)生本發(fā)明的一個實施方式的環(huán)形主體及掩模的截面視圖。
[0016]圖2B為根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的具有包覆層的支撐環(huán)的截面視圖。
[0017]圖3A為用于產(chǎn)生本發(fā)明的一個實施方式的環(huán)形主體及漸狹長掩模的截面視圖。
[0018]圖3B為根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的具有漸狹長包覆層的支撐環(huán)的截面視圖。
[0019]為了便于理解，盡可能使用相同元件符號，以標(biāo)示附圖中常見的相同元件。思量一個實施方式中所公開的元件可有利地利用于其他實施方式，而無須特定敘述。
[0020]具體描述
[0021]描述針對反復(fù)加熱及冷卻具有改進(jìn)持久性的支撐環(huán)，及用于制造該支撐環(huán)的方法。描述于此的支撐環(huán)針對通過反復(fù)加熱至介于約250攝氏度及約1350攝氏度之間的溫度及冷卻至大氣溫度而產(chǎn)生的熱應(yīng)力下的破裂具有阻抗性。
[0022]圖1為根據(jù)一個實施方式的支撐環(huán)100的截面視圖。支撐環(huán)100經(jīng)配置以在熱處理腔室(未展示)中支撐邊緣環(huán)160。使用邊緣環(huán)160以支撐可在腔室內(nèi)部處理的基板150。一般地，支撐環(huán)100被設(shè)置于腔室部件上，例如圓柱體170。
[0023]支撐環(huán)100包含環(huán)形主體110。環(huán)形主體110可由內(nèi)邊緣112及外邊緣114來界定，其中內(nèi)邊緣112及外邊緣114可同心的繞著環(huán)形主體110的中央軸。環(huán)形主體110進(jìn)一步包含第一側(cè)116、第二側(cè)118及突起環(huán)狀肩部120，所述突起環(huán)狀肩部120在內(nèi)邊緣112處由環(huán)形主體110的第一側(cè)116延伸。支撐環(huán)100也包含于第一側(cè)116上的包覆層140，包覆層140具有一致厚度144的外區(qū)域及鄰接突起環(huán)狀肩部120的減低厚度142的內(nèi)區(qū)域。一致厚度144的外區(qū)域徑向地向外延伸超過減低厚度142的內(nèi)區(qū)域。一致厚度144的外區(qū)域較減低厚度142的內(nèi)區(qū)域厚。一致厚度144的外區(qū)域及減低厚度142的內(nèi)區(qū)域可為環(huán)形。減低厚度142的內(nèi)區(qū)域可經(jīng)配置以支撐邊緣環(huán)160。支撐環(huán)100也可包含放置緣130以放置支撐環(huán)100于圓柱體170上。
[0024]環(huán)形主體110可由石英(例如，非結(jié)晶硅)、碳化硅、氧化硅(例如，非晶玻璃)、陶瓷或任何其他熱阻抗材料所組成。也可使用所述材料的組合。
[0025]包覆層140可由硅組成，硅可具有任何便利的型態(tài)，例如多晶硅、單晶硅、微晶硅、納米晶硅、非晶硅，諸如此類。一致厚度144的外區(qū)域可為外輻射阻隔區(qū)域。25微米或更多的硅包覆層可呈現(xiàn)支撐環(huán)100的包覆表面，該包覆表面在一或更多個高溫計(未展示)的操作范圍中對輻射波長為不透明的，所述高溫計用于在處理腔室內(nèi)部測量溫度。一或更多個高溫計可測量來自支撐環(huán)100上方的溫度，同時加熱源(未展示)可位于支撐環(huán)100下方。不透明意指:在高溫計操作范圍中由加熱源(例如，設(shè)置于支撐環(huán)100下方的照射器，未展示)穿過包覆層140的輻射的平均強(qiáng)度較支撐環(huán)100表面上(例如，第二側(cè)118，面對加熱源)所接收的入射輻射小至少六個數(shù)量級。可用一厚度及其他特性設(shè)計包覆層140，以確保由加熱源穿過包覆層140的輻射較支撐環(huán)100所接收的入射輻射小至少十二個數(shù)量級。使用對高溫計敏感的波長不透明的包覆層確保實質(zhì)上沒有在波長范圍中直接來自加熱源的輻射到達(dá)一或更多個高溫計。
[0026]在一致厚度144的外區(qū)域中的包覆層140厚度可介于25及75微米之間，例如介于約30微米及約60微米之間，例如50微米。在一些實施方式中，在一致厚度的外區(qū)域中的包覆層140厚度可介于約50及500微米之間，例如150微米。雖然在一致厚度144的外區(qū)域中的包覆層140厚度實質(zhì)為一致的，并不必要為恒常厚度。例如，一致厚度144的外區(qū)域的厚度可沿著支撐環(huán)100的徑向維度變化。在一致厚度144的外區(qū)域中的包覆層140厚度可厚至足以使得一致厚度的外區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上對由加熱源徑往支撐環(huán)100的第二側(cè)118的輻射能量的至少一些波長為不透明的。在減低厚度142的內(nèi)區(qū)域中的包覆層140的厚度可介于約I及約30微米之間，例如介于約5微米及約20微米之間，例如10微米。減低厚度142的內(nèi)區(qū)域也可描述為最小厚度的內(nèi)區(qū)域。
[0027]圖2A展示可用于在環(huán)形主體110上形成包覆層140的掩模210的截面視圖。圖2B展示具有包覆層140的支撐環(huán)100的截面視圖，包覆層140可經(jīng)由使用掩模210而形成。掩模210可為環(huán)形且包含支撐表面212，可使用支撐表面212以在形成包覆層140期間于突起環(huán)狀肩部120上支撐掩模210。掩模210也包含掩模表面214，使用掩模表面214以在形成包覆層140期間減低在減低厚度142的內(nèi)區(qū)域中的包覆層140厚度。掩模210也包含外表面216，外表面216在形成包覆層140時在減低厚度142的內(nèi)區(qū)域及一致厚度144的外區(qū)域之間產(chǎn)生一致厚度邊際218。
[0028]參照圖1及圖2B，一致厚度邊際218可在一位置處形成，該位置可支撐邊緣環(huán)160的支撐表面的外邊緣。若邊緣環(huán)160也由福射阻隔材料(例如碳化娃，可對一些波長或福射光譜為不透明)組成，實質(zhì)上所有在熱處理腔室中由支撐環(huán)100下所輻射的光及紅外光能量被阻隔，或被基板150、邊緣環(huán)160或一致厚度144的外區(qū)域吸收。
[0029]參照圖1、圖2A及圖2B，在環(huán)形主體110上形成包覆層140的方法可包含將環(huán)形主體110提供至沉積腔室(未展示)，放置掩模210覆蓋于內(nèi)邊緣112處的第一側(cè)116，及在第一側(cè)116上形成包覆層140。掩模210減低在掩模表面214下方的第一側(cè)116上的包覆層140的厚度。掩模表面214及第一側(cè)116之間的距離可介于約10微米及約500微米之間，例如約200微米。在一些實施方式中，掩模表面214及第一側(cè)116之間的距離可介于約I微米及約30微米之間，例如介于約5微米及約20微米之間，例如1微米。
[0030]圖3A展示漸狹長掩模310的截面視圖，漸狹長掩模310可用于在環(huán)形主體110上形成漸狹長包覆層340。圖3B展示具有漸狹長包覆層340的支撐環(huán)300的截面視圖，漸狹長包覆層340可經(jīng)由使用漸狹長掩模310而形成。漸狹長掩模310可為環(huán)形且包含漸狹長掩模支撐表面312，漸狹長掩模支撐表面312可在形成漸狹長包覆層340期間在突起環(huán)狀肩部120上使用以支撐漸狹長掩模310。漸狹長掩模310漸狹長以隨著漸狹長包覆層340接近內(nèi)邊緣112而減低漸狹長包覆層340的厚度。漸狹長掩模310也包含漸狹長掩模表面314，使用漸狹長掩模表面314以在形成漸狹長包覆層340期間在漸狹長區(qū)域342中減低漸狹長包覆層340的厚度。漸狹長掩模表面314可具有實質(zhì)上相對于第一側(cè)116線性的斜率。漸狹長掩模310也包含外表面316，外表面316在漸狹長包覆層340形成時產(chǎn)生介于漸狹長區(qū)域342及一致厚度344的外區(qū)域之間的外漸狹長邊際318。因此，漸狹長區(qū)域342(即，沿著環(huán)形主體110的徑向維度的內(nèi)區(qū)域)在外漸狹長邊際318處形成一致厚度344的外區(qū)域的邊界。
[0031]一致厚度344的外區(qū)域中的漸狹長包覆層340的厚度可具有介于25微米及200微米之間的厚度，例如60微米。在一些實施方式中，一致厚度344的外區(qū)域中的漸狹長包覆層340的厚度可具有介于200微米及500微米之間的厚度，例如400微米。
[0032]漸狹長掩模310也可包含最小厚度掩模表面313，可使用最小厚度掩模表面313以在漸狹長包覆層340形成時產(chǎn)生鄰接突起環(huán)狀肩部120的最小厚度346的區(qū)域。最小厚度掩模表面313可實質(zhì)上平行于環(huán)形主體110的第一側(cè)116而使?jié)u狹長包覆層340的厚度在最小厚度346的區(qū)域中實質(zhì)上一致。雖然在最小厚度346的區(qū)域中的漸狹長包覆層340的厚度實質(zhì)為一致的，并不必要為恒常厚度。例如，在最小厚度346的區(qū)域中漸狹長包覆層340的厚度可沿著支撐環(huán)300的徑向維度變化。漸狹長掩模表面314與最小厚度掩模表面313交會的點處在漸狹長包覆層340形成后產(chǎn)生內(nèi)漸狹長邊際320。內(nèi)漸狹長邊際320介于漸狹長區(qū)域342及最小厚度346的區(qū)域之間(S卩，內(nèi)區(qū)域)。因此，漸狹長包覆層340于外漸狹長邊際318處由一致厚度344的區(qū)域漸狹長至內(nèi)漸狹長邊際320處的減低或最小厚度，內(nèi)漸狹長邊際320位于環(huán)形主體110的內(nèi)區(qū)域中。漸狹長包覆層340可具有實質(zhì)上與介于內(nèi)漸狹長邊際320及內(nèi)邊緣112之間的最小厚度相等的內(nèi)厚度。
[0033]內(nèi)漸狹長邊際320可為起于環(huán)形主體110的內(nèi)邊緣112的第一距離，其中該第一距離可為介于約0.1 mm及約20mm之間，例如介于約0.5mm及約15mm之間，例如約5mm。在最小厚度346的區(qū)域中的漸狹長包覆層340的厚度可為介于約I微米及約30微米之間，例如介于約5微米及約20微米之間，例如10微米。外漸狹長邊際318可為起于環(huán)形主體110的內(nèi)邊緣112的第二距離，其中該第二距離可介于約0.2mm及約2 5mm之間，例如介于約0.5mm及約2 Omm之間，例如約10_。在一些實施方式中，漸狹長掩模310可沿著由中央軸的一徑向維度將漸狹長包覆層340的厚度減低介于0.1mm及24mm之間的跨距，例如，介于0.5mm及5mm之間的跨距。
[0034]在內(nèi)漸狹長邊際320處的漸狹長包覆層340的厚度可介于約I微米及約30微米之間，例如介于約5微米及約20微米之間，例如10微米。在外漸狹長邊際318處的漸狹長包覆層340的厚度可為介于約25微米及約75微米之間，例如介于約30微米及約60微米之間，例如50微米。在一些實施方式中，在外漸狹長邊際318處的漸狹長包覆層340的厚度可具有介于60微米及500微米之間的厚度，例如250微米。
[0035]參照圖1、圖3A及圖3B，形成漸狹長包覆層340的方法可包含將環(huán)形主體110提供至沉積腔室(未展示)，放置漸狹長掩模310覆蓋于第一側(cè)116，及在第一側(cè)116上形成漸狹長包覆層340。漸狹長掩模310減低在漸狹長掩模表面314及最小厚度掩模表面313下方的第一側(cè)116上的漸狹長包覆層340的厚度。漸狹長掩模表面314及第一側(cè)116之間的距離可由第一值漸狹長至第二值，其中該第一值可為介于約300微米及約500微米之間，例如400微米，且該第二值可為介于約10微米及約200微米之間，例如50微米。在一些實施方式中，漸狹長掩模表面314及第一側(cè)116之間的距離可由第一值漸狹長至第二值，其中該第一值可為介于約25微米及約75微米之間，例如50微米，且該第二值可為介于約I微米及約30微米之間，例如10微米。在一些實施方式中，漸狹長掩模表面314及第一側(cè)116之間的距離可為介于10微米及300微米之間，例如50微米。在一些實施方式中，最小厚度掩模表面313及第一側(cè)116之間的距離可為介于10微米及200微米之間，例如60微米。在一些實施方式中，最小厚度掩模表面313及第一側(cè)116之間的距離可為介于約I微米及約30微米之間，例如介于約5微米及約20微米之間，例如1微米。
[0036]可暴露第一側(cè)116于娃前驅(qū)物材料以形成包覆層140或漸狹長包覆層340。用于暴露第一側(cè)116于硅前驅(qū)物材料的處理可為CVD處理或PVD處理。在一個態(tài)樣中，可使用等離子體處理，例如等離子體濺噴處理或等離子體CVD處理。在等離子體CVD處理中，可提供硅沉積前驅(qū)物(如硅烷，例如三甲基硅烷或二硅烷)至包含環(huán)形主體110的處理腔室，該環(huán)形主體110帶有掩模210或漸狹長掩模310放置于其上?？捎玫入x子體形成氣體(例如氬或氦)提供硅沉積前驅(qū)物。在處理腔室中形成電容性或電感性等離子體，且形成包覆層140或漸狹長包覆層340。
[0037]參照圖1，觀察到:當(dāng)石英支撐環(huán)(例如，環(huán)形主體110)被以實質(zhì)一致厚度的硅層包覆于其上方表面上且反復(fù)加熱至升高溫度(例如，至少900攝氏度的溫度)時，裂痕在僅僅幾個周期后開始形成。裂痕最后使得支撐環(huán)無法使用。也觀察到:當(dāng)相同支撐環(huán)具有靠近內(nèi)邊緣112的減低厚度的區(qū)域(例如減低厚度142的內(nèi)區(qū)域)的硅包覆層且支撐環(huán)被反復(fù)加熱至升高溫度時，實質(zhì)上延遲或減低了裂痕的形成。
[0038]前述涉及本發(fā)明的實施方式，但是可修改本發(fā)明的其他及進(jìn)一步的實施方式而不遠(yuǎn)離其基本范圍，且其范圍由隨附權(quán)利要求書所決定。
【主權(quán)項】
1.一種用于半導(dǎo)體處理的支撐環(huán)，包括: 環(huán)形主體，包括: 內(nèi)邊緣及外邊緣，其中所述內(nèi)邊緣及所述外邊緣同心的繞著中央軸;及 第一側(cè)及第二側(cè)， 突起環(huán)狀肩部，所述突起環(huán)狀肩部在所述內(nèi)邊緣處由所述環(huán)形主體的所述第一側(cè)延伸;及 包覆層，所述包覆層位于所述第一側(cè)上，所述包覆層具有鄰接所述肩部的減低厚度的內(nèi)區(qū)域。2.如權(quán)利要求1所述的支撐環(huán)，其中減低厚度的所述內(nèi)區(qū)域為環(huán)形。3.如權(quán)利要求2所述的支撐環(huán)，其中所述環(huán)形主體包含石英。4.如權(quán)利要求3所述的支撐環(huán)，其中所述包覆層為多晶硅。5.如權(quán)利要求4所述的支撐環(huán)，其中所述包覆層具有一致厚度的外區(qū)域徑向地向外延伸超過減低厚度的所述內(nèi)區(qū)域。6.如權(quán)利要求5所述的支撐環(huán)，其中所述包覆層在所述外區(qū)域的厚度介于約30微米及約60微米間，且所述包覆層在所述內(nèi)區(qū)域的厚度介于約I微米及約30微米間。7.如權(quán)利要求5所述的支撐環(huán)，進(jìn)一步包括介于所述外區(qū)域及所述內(nèi)區(qū)域之間的漸狹長區(qū)域而形成外漸狹長邊際及內(nèi)漸狹長邊際，所述外漸狹長邊際介于所述外區(qū)域及所述漸狹長區(qū)域之間，所述內(nèi)漸狹長邊際介于所述漸狹長區(qū)域及所述內(nèi)區(qū)域之間，其中所述包覆層由所述外漸狹長邊際處的所述一致厚度漸狹長為所述內(nèi)漸狹長邊際處的所述減低厚度。8.如權(quán)利要求7所述的支撐環(huán)，其中所述內(nèi)漸狹長邊際為起于所述內(nèi)邊緣的第一距離，且所述外漸狹長邊際為起于所述內(nèi)邊緣的第二距離，所述第一距離為介于約0.1mm及約20mm之間，且所述第二距離為介于約0.2mm及約25mm之間。9.如權(quán)利要求7所述的支撐環(huán)，其中在所述外區(qū)域的所述包覆層的厚度為介于約30微米及約60微米之間，且在所述內(nèi)區(qū)域的所述包覆層的厚度為介于約I微米及約30微米之間。10.如權(quán)利要求9所述的支撐環(huán)，其中所述內(nèi)漸狹長邊際為起于所述內(nèi)邊緣的第一距離，且所述外漸狹長邊際為起于所述內(nèi)邊緣的第二距離，所述第一距離為介于約0.1mm及約20mm之間，且所述第二距離為介于約0.2mm及約25mm之間。11.一種用于半導(dǎo)體處理的支撐環(huán)，包括: 環(huán)形主體，包括: 內(nèi)邊緣及外邊緣，其中所述內(nèi)邊緣及所述外邊緣同心的繞著中央軸;及 第一側(cè)及第二側(cè);及 包覆層，所述包覆層位于所述第一側(cè)上，所述包覆層具有外輻射阻隔區(qū)域的一致厚度及經(jīng)配置以支撐邊緣環(huán)的內(nèi)區(qū)域的減低厚度。12.如權(quán)利要求11所述的支撐環(huán)，其中所述內(nèi)區(qū)域在外漸狹長邊際處形成所述外輻射阻隔區(qū)域的邊界，所述包覆層的厚度由所述外漸狹長邊際處的所述一致厚度徑向地向內(nèi)漸狹長為位于所述內(nèi)區(qū)域中的內(nèi)漸狹長邊際處的最小厚度，且所述包覆層具有與介于所述內(nèi)漸狹長邊際及所述內(nèi)邊緣之間的所述最小厚度實質(zhì)相等的內(nèi)厚度。13.—種用于在沉積腔室中包覆環(huán)形主體的方法，包括以下步驟: 將所述環(huán)形主體提供至所述沉積腔室，所述環(huán)形主體具有內(nèi)邊緣及外邊緣，及第一側(cè)及第二側(cè)，其中所述內(nèi)邊緣及所述外邊緣同心的繞著中央軸； 放置掩模覆蓋于所述內(nèi)邊緣的所述第一側(cè)之上，其中介于所述掩模及所述第一側(cè)之間的距離小于約500微米;及 于所述第一側(cè)上形成包覆層，其中所述掩模減低所述第一側(cè)上于所述掩模下的所述包覆層的厚度。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述掩模隨著所述包覆層接近所述內(nèi)邊緣而漸狹長以減低所述包覆層的厚度。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中介于所述掩模及所述第一側(cè)之間的所述距離由第一值漸狹長至第二值，所述第一值為介于約300微米及約500微米之間，且所述第二值為介于約10微米及約200微米之間。
【文檔編號】H01L21/683GK105830207SQ201480069163
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2014年11月25日
【發(fā)明人】梅蘭·貝德亞特, 諾曼·L·塔姆, 阿倫·繆爾·亨特, 約瑟夫·M·拉內(nèi)什, 科吉·納卡尼施, 中川俊行
【申請人】應(yīng)用材料公司