一種半導體器件解封方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于半導體技術領域，具體屬于一種半導體器件解封方法。
【背景技術】
[0002]半導體器件邦定是在半導體生產工藝中的一種打線方式，一般是在半導體封裝前將芯片內部電路使用金線與金屬管腳進行連接，然后再使用塑封材料對其進行封裝。由于成本的原因，越來越多的企業(yè)將封裝時的邦定線由金線改為銅線或是鋁線，來降低半導體器件的生產成本。
[0003]在對半導體器件進行失效分析或者是反向工程時，需要對半導體器件進行解封，即去掉半導體器件的塑封材料。目前，對半導體器件進行解封有專門的配套設備可以實現，由于設備材料使用的都是耐酸材料，設備價格都極其昂貴，只要對設備添加酸液就可以自動對半導體器件進行解封，但是通過該設備進行對半導體器件進行解封后無法得到完整的邦定線。而通過傳統(tǒng)的化學方法對半導體器件進行解封，很容易對半導體器件的邦定線進行腐蝕，同樣無法得到完整的邦定線。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明提供一種半導體器件解封方法，用以解決現有技術中存在的在半導體器件進行解封時無法得到完整的邦定線的問題。
[0005]本發(fā)明提供一種半導體器件解封方法，該方法包括:
[0006]配制酸液，并加熱所述酸液；其中，所述酸液中至少包括發(fā)煙硝酸和濃硫酸；
[0007]將帶塑封材料的半導體器件浸入所述加熱的酸液中以對所述塑封材料進行溶解。
[0008]優(yōu)選地，所述酸液的配制比例為:發(fā)煙硝酸與濃硫酸的比例范圍為1:1?3:1。
[0009]優(yōu)選地，所述半導體器件的邦定線的線徑在0.Smil以上的所述酸液的配制比例為:發(fā)煙硝酸與濃硫酸的比例為2:1。
[0010]優(yōu)選地，所述半導體器件的邦定線的線徑在0.Smil以下的所述酸液的配制比例為:發(fā)煙硝酸與濃硫酸的比例為1.5:1。
[0011]優(yōu)選地，所述加熱的溫度為100-200°c。
[0012]優(yōu)選地，所述加熱的溫度為150°C。
[0013]優(yōu)選地，所述加熱的時間為15-20分鐘。
[0014]優(yōu)選地，所述方法還包括:固定所述半導體器件的金屬管腳。
[0015]優(yōu)選地，所述固定所述半導體器件的金屬管腳，具體為通過焊錫焊接固定。
[0016]優(yōu)選地，所述濃硫酸為98 %濃硫酸。
[0017]本發(fā)明有益效果如下:通過焊錫焊接固定半導體器件的金屬管腳，使用加熱的按照一定比例配制的酸液，對半導體器件進行解封，去掉半導體器件的塑封材料，完成半導體器件的解封。通過本發(fā)明提供的方法，可以得到完整的半導體器件的邦定線，且操作簡單，成本低廉，成功率高。
【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域的普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為本發(fā)明實施例中半導體器件解封方法的流程圖；
[0020]圖2為本發(fā)明實施例中半導體器件結構示意圖；
[0021]圖3為本發(fā)明實施例中半導體器件解封過程示意圖；
[0022]圖4為本發(fā)明實施例中半導體器件解封后的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0023]為了使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部份實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0024]如圖1所示的流程圖，本發(fā)明實施例提供了一種半導體器件I解封方法，該方法步驟為:
[0025]步驟101:配制酸液，并加熱所述酸液；其中，所述酸液中至少包括發(fā)煙硝酸和濃硫Ife ；
[0026]步驟102:將帶塑封材料2的半導體器件I浸入所述加熱的酸液中以對所述塑封材料2進行溶解。
[0027]所述酸液包括發(fā)煙硝酸和濃硫酸，把發(fā)煙硝酸和濃硫酸按照一定的比例進行配制，并且將配制好的酸液進行加熱，加熱到一定溫度后，將帶有塑封材料2的半導體器件I浸入到加熱的酸液中，一直到半導體器件I上的塑封材料2全部溶解。通過發(fā)煙硝酸和濃硫酸的混合配制的酸液可以有效的溶解半導體器件I上的塑封材料2，并能保持半導體器件I的邦定線7的完整。
[0028]較佳地，本發(fā)明實施例中的半導體解封方法還包括固定所述半導體器件I的金屬管腳3。固定金屬管腳3可以有效的防止半導體器件I解封后懸空的金屬管腳3脫落，保證整個半導體器件I解封后的完整性。
[0029]較佳地，本發(fā)明實施例通過焊錫焊接固定半導體器件I的金屬管腳3，焊錫4經高溫焊接容易吸附在金屬管腳3上，焊接固定后懸空的金屬管腳3不會脫落?；蚴鞘褂脧U棄的金屬框、廢棄的金屬條焊接在金屬管腳3上，將金屬管腳3固定在一起，防止懸空的金屬管腳3脫落。
[0030]較佳地，本發(fā)明實施例中所述酸液中的發(fā)煙硝酸和濃硫酸的比例范圍為1:1?3:1。在此配制比例范圍內，配制的酸液可以用來溶解半導體器件I的塑封材料2，降低半導體器件I中的邦定線7被腐蝕的幾率。
[0031]較佳地，本發(fā)明實施例中，所述半導體器件I的邦定線7的線徑在0.Smil以上時，所述酸液中發(fā)煙硝酸和濃硫酸的最佳配制比例為2:1。使用該配制比例能夠得到完整的0.Smil以上線徑的半導體器件I的邦定線7。
[0032]較佳地，本發(fā)明實施例中，所述半導體器件I的邦定線7的線徑在0.Smil以下時，所述酸液中發(fā)煙硝酸和濃硫酸的最佳配制比例為1.5:1。使用該配制比例能夠得到完整的
0.Smil以下線徑的半導體器件I的邦定線7。
[0033]較佳地，本發(fā)明實施例中，所述加熱配制的酸液的加熱溫度為100-200 V，在此溫度范圍內，配制的酸液能更快的溶解半導體器件I的塑封材料2。其中，當加熱溫度為150°C時，配制的酸液溶解半導體器件I的塑封材料2最快。
[0034]較佳地，本發(fā)明實施例中，所述加熱配制的酸液的加熱時間為15-20分鐘。加熱的時間多，所述配制的酸液的溫度越高，加熱的時間少，所述配制的酸液的溫度低。
[0035]上述酸液中的濃硫酸使用的是98 %濃硫酸，98 %濃硫酸可以使金屬鈍化，在金屬的表面形成氧化膜，防止酸液腐蝕，能有效地得到完整的半導體器件I的邦定線7。
[0036]如圖2至圖4所示，本發(fā)明實施例提供了一種半導體器件I解封方法，本發(fā)明實施例中提供的半導體器件I的邦定線7的線徑為0.9mil。首先，如圖2所示，在所述帶有塑封材料2的半導體器件I的金屬管腳3上，使用焊錫4將帶有塑封材料2的半導體器件I的金屬管腳3進行焊接固定，再使用長約0.3m的焊錫絲5栓住金屬管腳3，通過焊錫絲5可以是隨時取放半導體器件1，便于了解半導體器件I的塑封材料2的溶解情況，也可以使用長柄鑷子來取放半導體器件I。然后在玻璃器皿中配制發(fā)煙硫酸和98%濃硫酸的配制比例為2:1的酸液，并對玻璃器皿中得分酸液進行加熱，加熱到150°C，保持這一溫度。最后，將經過焊錫4焊接固定的帶有塑封材料2的半導體器件I浸沒入盛有配制的酸液的玻璃器皿中，對所述半導體器件I進行解封，在此過程中，可以通過焊錫絲5取放所述半導體器件1，查看所述半導體器件I上塑封材料2的溶解情況，直到所述塑封材料2完全溶解之后，將解封后的半導體器件I取出。如圖4所示的解封后的半導體器件1，可以看到完整的邦定線7和芯片6，其中，中間的金屬管腳3是懸空的，由于被焊錫4焊接與其他兩個金屬管腳3固定在一起，沒有脫落。得到的解封后完整的半導體器件1，可以被用來做半導體器件I失效分析和反向工程分析。
[0037]從上述內容可以看出:本發(fā)明實施例把發(fā)煙硝酸和濃硫酸按照一定的比例進行配制，并且將配制好的酸液進行加熱，加熱到一定溫度后，將帶有塑封材料2的半導體器件I浸入到加熱的酸液中，一直到半導體器件I上的塑封材料2全部溶解。通過發(fā)煙硝酸和濃硫酸的混合配制的酸液可以有效的溶解半導體器件I上的塑封材料2，并能保持半導體器件I的邦定線7的完整。
[0038]以上所述，僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并非對本發(fā)明的技術范圍作任何限制，故凡是依據本發(fā)明的技術實質對以上實施例所作的任何細微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內。
[0039]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領域內的技術人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0040]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.一種半導體器件解封方法，其特征在于，該方法包括: 配制酸液，并加熱所述酸液；其中，所述酸液中至少包括發(fā)煙硝酸和濃硫酸； 將帶塑封材料的半導體器件浸入所述加熱的酸液中以對所述塑封材料進行溶解。2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸液中包括發(fā)煙硝酸和濃硫酸，發(fā)煙硝酸與濃硫酸的比例范圍為1:1?3:1。3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述半導體器件的邦定線的線徑在0.Smil以上時，所述酸液的配制比例為: 發(fā)煙硝酸與濃硫酸的比例為2:1。4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述半導體器件的邦定線的線徑在0.Smil以下時，所述酸液的配制比例為: 發(fā)煙硝酸與濃硫酸的比例為1.5:1。5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述加熱的溫度為100-20(TC。6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述加熱的溫度為150°C。7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述加熱的時間為15-20分鐘。8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括:固定所述半導體器件的金屬管腳。9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述固定所述半導體器件的金屬管腳，具體為通過焊錫焊接固定。10.如權利要求1-9任一所述的方法，其特征在于，所述濃硫酸為98%濃硫酸。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導體器件解封方法，該方法包括：配制酸液，并加熱所述酸液；其中，所述酸液中至少包括發(fā)煙硝酸和濃硫酸；將帶塑封材料的半導體器件浸入所述加熱的酸液中以對所述塑封材料進行溶解。本發(fā)明解決現有技術中存在的在半導體器件進行解封時無法得到完整的邦定線的問題。通過本發(fā)明提供的方法，可以得到完整的半導體器件的邦定線，且操作簡單，成本低廉，成功率高。
【IPC分類】H01L21/02
【公開號】CN105575764
【申請?zhí)枴緾N201410550485
【發(fā)明人】張 浩, 曹婷
【申請人】北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年10月16日