穿插在相交雙環(huán)型結構的nfc天線及移動終端的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及NFC天線，具體地，涉及穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線及移動終端。
【背景技術】
[0002]NFC近場通信技術是由非接觸式射頻識別及互聯(lián)互通技術整合演變而來，在單一芯片上結合感應式讀卡器、感應式卡片和點對點的功能，能在短距離內與兼容設備進行識別和數(shù)據交互。工作頻率為13.56MHz JFC手機為內置NFC芯片，外加NFC天線，現(xiàn)手機環(huán)境越來越惡劣，當中存在很多元器件的相互干擾，因此有必要提出一種能適應干擾的穿插相交雙環(huán)型NFC天線。
[0003]現(xiàn)有技術中的穿插式單環(huán)型NFC天線，例如株式會社村田制作所的ZB天線，其ZB天線適用于單環(huán)型天線，磁性材料穿插過單環(huán)型天線中間部分。
[0004]ZB天線如圖1所示，很明顯可以看出其線圈中間還有許多空間沒有利用。其天線性能還沒有完全發(fā)揮出來。故而有必要發(fā)明一種穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，以提高天線的射頻性能。

【發(fā)明內容】

[0005]針對現(xiàn)有技術中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線及移動終端。
[0006]根據本發(fā)明提供的一種穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，包括電路基板、天線線圈、磁性材料體，天線線圈位于電路基板上；
[0007]在中央區(qū)域設置有第一穿孔、第二穿孔；
[0008]磁性材料體穿過第一穿孔，且穿過第二穿孔；
[0009]其中，所述中央區(qū)域是指電路基板中被天線線圈所圍繞的區(qū)域。
[0010]優(yōu)選地，磁性材料體由電路基板的一面通過第一穿孔穿插至電路基板的另一面后，繼續(xù)延伸，由電路基板的另一面穿插至電路基板的一面。
[0011 ]優(yōu)選地，磁性材料體呈幾字形延伸。
[0012]優(yōu)選地，磁性材料體的一端位于天線線圈一端的外側，磁性材料體的另一端位于天線線圈另一端的外側。
[0013]優(yōu)選地，磁性材料體僅單次穿過第一穿孔，且僅單次穿過第二穿孔。
[0014]優(yōu)選地，天線線圈位于金屬材料體或非金屬材料體上方。
[0015]優(yōu)選地，在中央區(qū)域中位于第一穿孔、第二穿孔之間的區(qū)域內，設置有走線。
[0016]優(yōu)選地，在中央區(qū)域中位于第一穿孔、第二穿孔之間的區(qū)域內設置有鏤空。
[0017]根據本發(fā)明提供的一種移動終端，包括上述的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線。
[0018]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下的有益效果:
[0019]1、本發(fā)明中由于磁性材料分別在相交雙環(huán)型的NFC天線的正反二面，故而可以滿足手機復雜多變的環(huán)境；
[0020]2、本發(fā)明中的天線適應設置在手機的金屬或非金屬后蓋上，相交雙環(huán)型的走線有效的利用其NFC天線面積，提高NFC天線的射頻性能。
【附圖說明】
[0021]通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0022]圖1為現(xiàn)有技術的穿插在單環(huán)型的NFC天線示意圖。
[0023]圖2為本發(fā)明實施的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線示意圖(磁性材料體未示出)。
[0024]圖3為本發(fā)明實施的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線中磁性材料體的一種穿插方式示意圖(磁性材料體的不可見部分的邊緣用點劃線表示)。
[0025]圖4為本發(fā)明實施的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線中磁性材料體的另一種穿插方式示意圖(磁性材料體的不可見部分的邊緣用點劃線表示)。
[0026]圖5為本發(fā)明實施的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線中走線及鏤空的示意圖(磁性材料體未示出)。
[0027]圖6為本發(fā)明實施的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線的剖視結構示意圖。
[0028]圖中:
[0029]1-金屬材料體
[0030]2-電路基板
[0031]3-天線線圈
[0032]4-第一穿孔
[0033]5-第二穿孔
[0034]6-中央區(qū)域
[0035]7-走線
[0036]8-磁性材料體
[0037]9-磁性材料體的一端
[0038]10-磁性材料體的另一端
[0039]11-鏤空
【具體實施方式】
[0040]下面結合具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。以下實施例將有助于本領域的技術人員進一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應當指出的是，對本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變化和改進。這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0041]根據本發(fā)明提供的一種移動終端例如手機，所述移動終端包括根據本發(fā)明提供的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線。
[0042]如圖2所示，根據本發(fā)明提供的一種穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，包括電路基板、天線線圈、磁性材料體，天線線圈位于電路基板上;在中央區(qū)域設置有第一穿孔、第二穿孔;磁性材料體穿過第一穿孔，且穿過第二穿孔;其中，所述中央區(qū)域是指電路基板中被天線線圈所圍繞的區(qū)域。天線線圈位于金屬材料體或非金屬材料體上方。
[0043]如圖3、圖4所示，磁性材料體由電路基板的一面通過第一穿孔穿插至電路基板的另一面后，繼續(xù)延伸，由電路基板的另一面穿插至電路基板的一面;磁性材料體的一端位于天線線圈一端的外側，磁性材料體的另一端位于天線線圈另一端的外側。如圖6所示，磁性材料體呈幾字形延伸，磁性材料體僅單次穿過第一穿孔，且僅單次穿過第二穿孔。從而本發(fā)明可以滿足手機復雜多變的環(huán)境。
[0044]如圖5所示，在中央區(qū)域中位于第一穿孔、第二穿孔之間的區(qū)域內，設置有走線;在中央區(qū)域中位于第一穿孔、第二穿孔之間的區(qū)域內設置有鏤空。從而有效利用其NFC天線面積，提尚NFC天線的射頻性能。
[0045]以上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實施方式，本領域技術人員可以在權利要求的范圍內做出各種變化或修改，這并不影響本發(fā)明的實質內容。在不沖突的情況下，本申請的實施例和實施例中的特征可以任意相互組合。
【主權項】
1.一種穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，包括電路基板、天線線圈、磁性材料體，天線線圈位于電路基板上，其特征在于， 在中央區(qū)域設置有第一穿孔、第二穿孔； 磁性材料體穿過第一穿孔，且穿過第二穿孔； 其中，所述中央區(qū)域是指電路基板中被天線線圈所圍繞的區(qū)域。2.根據權利要求1所述的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，其特征在于，磁性材料體由電路基板的一面通過第一穿孔穿插至電路基板的另一面后，繼續(xù)延伸，由電路基板的另一面穿插至電路基板的一面。3.根據權利要求1所述的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，其特征在于，磁性材料體呈幾字形延伸。4.根據權利要求1所述的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，其特征在于，磁性材料體的一端位于天線線圈一端的外側，磁性材料體的另一端位于天線線圈另一端的外側。5.根據權利要求1所述的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，其特征在于，磁性材料體僅單次穿過第一穿孔，且僅單次穿過第二穿孔。6.根據權利要求1所述的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，其特征在于，天線線圈位于金屬材料體或非金屬材料體上方。7.根據權利要求1所述的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，其特征在于，在中央區(qū)域中位于第一穿孔、第二穿孔之間的區(qū)域內，設置有走線。8.根據權利要求7所述的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線，其特征在于，在中央區(qū)域中位于第一穿孔、第二穿孔之間的區(qū)域內設置有鏤空。9.一種移動終端，其特征在于，包括權利要求1至8中任一項所述的穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種穿插在相交雙環(huán)型結構的NFC天線及移動終端，包括電路基板、天線線圈、磁性材料體，天線線圈位于電路基板上，在中央區(qū)域設置有第一穿孔、第二穿孔；磁性材料體穿過第一穿孔，且穿過第二穿孔；其中，所述中央區(qū)域是指電路基板中被天線線圈所圍繞的區(qū)域。本發(fā)明具有的有益效果：1、本發(fā)明中由于磁性材料分別在相交雙環(huán)型的NFC天線的正反二面，故而可以滿足手機復雜多變的環(huán)境；2、本發(fā)明中的天線適應設置在手機的金屬或非金屬后蓋上，相交雙環(huán)型的走線有效的利用其NFC天線面積，提高NFC天線的射頻性能。
【IPC分類】H01Q7/00, H01Q1/24
【公開號】CN105552527
【申請?zhí)枴緾N201610131333
【發(fā)明人】陳佳南, 馬超, 潘英鶴
【申請人】上海德門電子科技有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2016年3月8日