移相器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微波器件領(lǐng)域，特別是涉及一種移相器。
【背景技術(shù)】
[0002]移相器是對波的相位進(jìn)行調(diào)節(jié)的一種裝置，在雷達(dá)、導(dǎo)彈姿態(tài)控制、加速器、通信以及儀器儀表領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。目前鐵氧體器件廣泛用于各種雷達(dá)系統(tǒng)中，其中波導(dǎo)類微波鐵氧體器件占據(jù)了半壁江山。無源相控陣?yán)走_(dá)及子陣有源相控陣?yán)走_(dá)體系都需要使用大量的這類器件。波導(dǎo)類鐵氧體器件在天饋線中能對通過的微波信號實(shí)現(xiàn)幅度或相位的控制，但必須通過一定的介質(zhì)匹配器實(shí)現(xiàn)鐵氧體波導(dǎo)與空波導(dǎo)的匹配。隨著雷達(dá)技術(shù)的發(fā)展，寬帶工作已成為發(fā)展的趨勢，而波導(dǎo)類微波鐵氧體器件一貫以來采用的常規(guī)匹配方式已經(jīng)逐漸成為影響系統(tǒng)帶寬的瓶頸，造成在品質(zhì)因數(shù)、調(diào)諧比、調(diào)諧速度、線性度等方面存在或多或少的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種移相器，能夠在超寬帶微波頻段下實(shí)現(xiàn)移相。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種移相器，包括介質(zhì)片、金屬片、鐵氧體和波導(dǎo)，所述介質(zhì)片和金屬片通過導(dǎo)電膠粘合固定，所述金屬片相鄰所述介質(zhì)片的表面挖設(shè)有凹槽，所述介質(zhì)片相鄰所述金屬片的表面對應(yīng)所述凹槽處貼設(shè)有微帶線，所述凹槽與所述介質(zhì)片圍成的空腔內(nèi)注入有向列型液晶，所述介質(zhì)片的外表面和所述金屬片的外表面依次分別設(shè)有至少兩層鐵氧體，所述鐵氧體內(nèi)穿設(shè)有激勵(lì)導(dǎo)線，所述介質(zhì)片、金屬片、鐵氧體均位于所述波導(dǎo)的內(nèi)腔中，所述波導(dǎo)的兩端分別設(shè)有第一匹配介質(zhì)和第二匹配介質(zhì)，所述介質(zhì)片以及所述金屬片的兩端與所述第一匹配介質(zhì)相接觸，所述鐵氧體的兩端與所述第二匹配介質(zhì)相接觸，其中，所述第一匹配介質(zhì)的介電常數(shù)大于所述第二匹配介質(zhì)的介電常數(shù)。
[0005]優(yōu)選地，所述介質(zhì)片為陶瓷片。
[0006]優(yōu)選地，所述波導(dǎo)的材質(zhì)為銅。
[0007]區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的有益效果是:利用向列型液晶在不加偏壓和加偏壓時(shí)，產(chǎn)生的介電各向異性變化來實(shí)現(xiàn)移相的目的，從而能夠在超寬帶微波頻段下實(shí)現(xiàn)移相，相比傳統(tǒng)的移相器，具有工作頻率高、工作電壓較低、插耗低、小型化、造價(jià)低廉、批量生廣成品率尚等優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明實(shí)施例移相器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖2是本發(fā)明實(shí)施例移相器的介質(zhì)片和金屬片的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0011]—并參見圖1和圖2，本實(shí)施例的移相器包括介質(zhì)片1、金屬片2、鐵氧體3和波導(dǎo)
4。介質(zhì)片I和金屬片2通過導(dǎo)電膠粘合固定，金屬片2相鄰介質(zhì)片I的表面挖設(shè)有凹槽21，介質(zhì)片I相鄰金屬片2的表面對應(yīng)凹槽21處貼設(shè)有微帶線11，凹槽21與介質(zhì)片I圍成的空腔內(nèi)注入有向列型液晶，介質(zhì)片I的外表面和金屬片2的外表面依次分別設(shè)有至少兩層鐵氧體3，鐵氧體3內(nèi)穿設(shè)有激勵(lì)導(dǎo)線，介質(zhì)片1、金屬片2、鐵氧體3均位于波導(dǎo)4的內(nèi)腔中，波導(dǎo)4的兩端分別設(shè)有第一匹配介質(zhì)5和第二匹配介質(zhì)6，介質(zhì)片I以及金屬片2的兩端與第一匹配介質(zhì)5相接觸，鐵氧體3的兩端與第二匹配介質(zhì)6相接觸，其中，第一匹配介質(zhì)5的介電常數(shù)大于第二匹配介質(zhì)6的介電常數(shù)。
[0012]移相器工作時(shí)，激勵(lì)導(dǎo)線連接驅(qū)動(dòng)電路，當(dāng)電流通過時(shí)，產(chǎn)生橫向磁化場，磁力線在鐵氧體3內(nèi)形成回路。當(dāng)高頻場通過相移段時(shí)，由于在鐵氧體3中有正負(fù)圓極化波的存在，正負(fù)圓極化波的磁導(dǎo)率不同，從而產(chǎn)生差相移。移相器在鎖式態(tài)下工作，它可以工作在正負(fù)磁化態(tài)間的任意態(tài)。工作態(tài)控制由驅(qū)動(dòng)電路來完成。同時(shí)，由于采用了向列型液晶作為電光材料，利用向列型液晶在不加偏壓和加偏壓時(shí)，產(chǎn)生的介電各向異性變化可以實(shí)現(xiàn)移相的目的。
[0013]在本實(shí)施例中，介質(zhì)片I為陶瓷片，波導(dǎo)4的材質(zhì)為銅。
[0014]通過上述方式，本發(fā)明實(shí)施例的移相器利用向列型液晶在不加偏壓和加偏壓時(shí)，產(chǎn)生的介電各向異性變化來實(shí)現(xiàn)移相的目的，從而能夠在超寬帶微波頻段下實(shí)現(xiàn)移相，相比傳統(tǒng)的移相器，具有工作頻率高、工作電壓較低、插耗低、小型化、造價(jià)低廉、批量生產(chǎn)成品率尚等優(yōu)點(diǎn)。
[0015]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種移相器，其特征在于，包括介質(zhì)片、金屬片、鐵氧體和波導(dǎo)，所述介質(zhì)片和金屬片通過導(dǎo)電膠粘合固定，所述金屬片相鄰所述介質(zhì)片的表面挖設(shè)有凹槽，所述介質(zhì)片相鄰所述金屬片的表面對應(yīng)所述凹槽處貼設(shè)有微帶線，所述凹槽與所述介質(zhì)片圍成的空腔內(nèi)注入有向列型液晶，所述介質(zhì)片的外表面和所述金屬片的外表面依次分別設(shè)有至少兩層鐵氧體，所述鐵氧體內(nèi)穿設(shè)有激勵(lì)導(dǎo)線，所述介質(zhì)片、金屬片、鐵氧體均位于所述波導(dǎo)的內(nèi)腔中，所述波導(dǎo)的兩端分別設(shè)有第一匹配介質(zhì)和第二匹配介質(zhì)，所述介質(zhì)片以及所述金屬片的兩端與所述第一匹配介質(zhì)相接觸，所述鐵氧體的兩端與所述第二匹配介質(zhì)相接觸，其中，所述第一匹配介質(zhì)的介電常數(shù)大于所述第二匹配介質(zhì)的介電常數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器，其特征在于，所述介質(zhì)片為陶瓷片。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相器，其特征在于，所述波導(dǎo)的材質(zhì)為銅。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種移相器，其包括介質(zhì)片、金屬片、鐵氧體和波導(dǎo)，所述介質(zhì)片和金屬片通過導(dǎo)電膠粘合固定，金屬片相鄰介質(zhì)片的表面挖設(shè)有凹槽，介質(zhì)片相鄰金屬片的表面對應(yīng)凹槽處貼設(shè)有微帶線，凹槽與介質(zhì)片圍成的空腔內(nèi)注入有向列型液晶，介質(zhì)片的外表面和金屬片的外表面依次分別設(shè)有至少兩層鐵氧體，鐵氧體內(nèi)穿設(shè)有激勵(lì)導(dǎo)線，介質(zhì)片、金屬片、鐵氧體均位于波導(dǎo)的內(nèi)腔中，波導(dǎo)的兩端分別設(shè)有第一匹配介質(zhì)和第二匹配介質(zhì)，介質(zhì)片以及金屬片的兩端與第一匹配介質(zhì)相接觸，鐵氧體的兩端與第二匹配介質(zhì)相接觸，其中，第一匹配介質(zhì)的介電常數(shù)大于第二匹配介質(zhì)的介電常數(shù)。本發(fā)明能夠在超寬帶微波頻段下實(shí)現(xiàn)移相。
【IPC分類】H01P1/19
【公開號】CN105070980
【申請?zhí)枴緾N201510430555
【發(fā)明人】蔣孝林, 李翔
【申請人】成都中微電微波技術(shù)有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年7月21日