一種基于鐵基板的led封裝工藝流程的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，屬于LED封裝流程技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]LED基板主要是作為L(zhǎng)ED芯片與系統(tǒng)電路板之間熱能導(dǎo)出的媒介，藉由打線、共晶或覆晶的制程與LED芯片結(jié)合，目前影響LED使用壽命的因素主要為L(zhǎng)ED芯片熱量的疏散，傳統(tǒng)LED為達(dá)到良好的散熱效果一般采用銅材質(zhì)基板支架，銅在常見(jiàn)金屬中導(dǎo)熱系數(shù)僅次于銀，是熱的優(yōu)良導(dǎo)體，但銅的價(jià)格偏高，導(dǎo)致LED封裝成本上升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供了一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，對(duì)于0.5W以下功率的燈珠，使用鐵材質(zhì)基板代替銅材質(zhì)基板支架，即滿足散熱要求，又可降低材料成本，提高經(jīng)濟(jì)效益，在鐵基板表面鍍鎳后鍍銀以保持產(chǎn)品的優(yōu)良性能。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，包括以下步驟:
a、采用超聲波清洗LED支架，LED支架采用鐵材質(zhì)為基本材料，表面鍍鎳后再鍍銀；
b、對(duì)LED支架進(jìn)行烘干除濕，除濕溫度為150°C，除濕時(shí)間2小時(shí)；
C、對(duì)芯片進(jìn)行檢驗(yàn)，材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點(diǎn)麻坑，芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求，電極圖案是否完整；
d、對(duì)芯片進(jìn)行擴(kuò)晶操作，采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)黏結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，使LED芯片的間距拉伸到約0.6mm ；
e、對(duì)膠水進(jìn)行解凍和攪拌，采用針筒式銀膠和絕緣膠，針筒式銀膠和絕緣膠的解凍膠水量均為10g，解凍時(shí)間不小于I小時(shí)，解凍溫度為18°C到26°C，絕緣膠解凍次數(shù)不能多余3次，銀膠解凍次數(shù)不能多余2次；
f、固晶生產(chǎn)，在LED支架的相應(yīng)位置點(diǎn)上銀膠或絕緣膠，將擴(kuò)張后LED芯片安置在刺片臺(tái)的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED芯片刺到相應(yīng)的位置上；
g、對(duì)固晶膠進(jìn)行烘烤燒結(jié)，銀膠燒結(jié)的溫度控制在150°C，燒結(jié)時(shí)間2小時(shí)；
h、對(duì)固定好的芯片進(jìn)行推力測(cè)試；
1、焊線生產(chǎn)，用鋁絲或金絲焊機(jī)將電極連接到LED管芯上，其中:鍵合功率為70mw到IlOmw ;鍵合壓力為60 gms到90gms ;鍵合時(shí)間為1ms到20ms ;鍵合溫度為130°C到160°C;
j、焊接完成后對(duì)焊接好的金屬絲進(jìn)行拉力測(cè)試； k、對(duì)焊接好的整個(gè)材料做除濕處理；
1、配膠后進(jìn)行點(diǎn)膠；
m、對(duì)點(diǎn)膠后的材料進(jìn)行烘烤；
η、對(duì)供烤后的材料進(jìn)彳丁檢驗(yàn)，檢驗(yàn)后進(jìn)彳丁剝料處理；
O、對(duì)剝料后的成品進(jìn)行分光； P、對(duì)分光后的成品進(jìn)行除濕，除濕溫度為120°c，除濕時(shí)間為6小時(shí)； q、將成品進(jìn)行裝袋；
r、裝袋完成后，再次進(jìn)行除濕，除濕溫度為70°C，除濕時(shí)間為10小時(shí)；
S、對(duì)除濕后的產(chǎn)品進(jìn)行最后的檢驗(yàn)，然后包裝入庫(kù)。
[0005]從固晶到進(jìn)烤時(shí)間控制在2小時(shí)。
[0006]材料在每站的作業(yè)時(shí)間不超過(guò)24小時(shí)。
[0007]銀膠燒結(jié)烘箱必須隔2小時(shí)打開(kāi)更換燒結(jié)的產(chǎn)品，中間不得隨意打開(kāi)。
[0008]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的有益效果是:
本發(fā)明適用于0.5W以下功率的燈珠，使用鐵材質(zhì)基板代替銅材質(zhì)基板支架，鐵材質(zhì)基板可滿足LED芯片的散熱要求，節(jié)約材料成本，降低資金消耗，提高產(chǎn)品的收益；通過(guò)在鐵基板表面鍍鎳，提高本身的機(jī)械性能；通過(guò)在鐵基板表面鍍銀，提到其導(dǎo)電性、抗腐蝕性和反光性能，實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的廣品品質(zhì)。
【附圖說(shuō)明】
[0009]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0010]圖1為本發(fā)明的封裝流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]實(shí)施例一:
如圖1所示，本發(fā)明一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，包括以下步驟:
a、采用超聲波清洗LED支架，LED支架采用鐵為基本材料，表面鍍鎳后再鍍銀；
b、對(duì)LED支架進(jìn)行烘干除濕，除濕溫度為150°C，除濕時(shí)間2小時(shí)；
C、對(duì)芯片進(jìn)行檢驗(yàn)，材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點(diǎn)麻坑，芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求，電極圖案是否完整；
d、對(duì)芯片進(jìn)行擴(kuò)晶操作，采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)黏結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，使LED芯片的間距拉伸到約0.6mm ；
e、對(duì)膠水進(jìn)行解凍和攪拌，采用針筒式銀膠和絕緣膠，針筒式銀膠和絕緣膠的解凍膠水量均為10g，解凍時(shí)間不小于I小時(shí)，解凍溫度為18°C到26°C，絕緣膠解凍次數(shù)不能多余3次，銀膠解凍次數(shù)不能多余2次；
f、固晶生產(chǎn)，在LED支架的相應(yīng)位置點(diǎn)上銀膠或絕緣膠，將擴(kuò)張后LED芯片安置在刺片臺(tái)的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED芯片刺到相應(yīng)的位置上；
g、對(duì)固晶膠進(jìn)行烘烤燒結(jié)，銀膠燒結(jié)的溫度控制在150°C，燒結(jié)時(shí)間2小時(shí)；
h、對(duì)固定好的芯片進(jìn)行推力測(cè)試；
1、焊線生產(chǎn)，用鋁絲或金絲焊機(jī)將電極連接到LED管芯上，其中:鍵合功率為90mw;鍵合壓力為80gms ;鍵合時(shí)間為20ms ;鍵合溫度為140°C ；
j、焊接完成后對(duì)焊接好的金屬絲進(jìn)行拉力測(cè)試； k、對(duì)焊接好的整個(gè)材料做除濕處理；
1、配膠后進(jìn)行點(diǎn)膠；
m、對(duì)點(diǎn)膠后的材料進(jìn)行烘烤； η、對(duì)供烤后的材料進(jìn)彳丁檢驗(yàn)，檢驗(yàn)后進(jìn)彳丁剝料處理；
O、對(duì)剝料后的成品進(jìn)行分光；
P、對(duì)分光后的成品進(jìn)行除濕，除濕溫度為120°C，除濕時(shí)間為6小時(shí)； q、將成品進(jìn)行裝袋；
r、裝袋完成后，再次進(jìn)行除濕，除濕溫度為70°C，除濕時(shí)間為10小時(shí)；
S、對(duì)除濕后的產(chǎn)品進(jìn)行最后的檢驗(yàn)，然后包裝入庫(kù)。
[0012]從固晶到進(jìn)烤時(shí)間控制在2小時(shí)。
[0013]材料在每站的作業(yè)時(shí)間不超過(guò)24小時(shí)。
[0014]銀膠燒結(jié)烘箱必須隔2小時(shí)打開(kāi)更換燒結(jié)的產(chǎn)品，中間不得隨意打開(kāi)，燒結(jié)烘箱不得再其他用途，防止污染。
[0015]實(shí)施例二:
在步驟i中，鍵合功率為70mw ;鍵合壓力為60gms ;鍵合時(shí)間為20ms ;鍵合溫度為130°C，其他步驟均與實(shí)施例一相同。
[0016]實(shí)施例三:
在步驟i中，鍵合功率為IlOmw;鍵合壓力為90gms ;鍵合時(shí)間為1ms ;鍵合溫度為150°C，其他步驟均與實(shí)施例一相同。
[0017]上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作了詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下作出各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，其特征在于，包括以下步驟: a、采用超聲波清洗LED支架，LED支架采用鐵為基本材料，表面鍍鎳后再鍍銀； b、對(duì)LED支架進(jìn)行烘干除濕，除濕溫度為150°C，除濕時(shí)間2小時(shí)； C、對(duì)芯片進(jìn)行檢驗(yàn)，材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點(diǎn)麻坑，芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求，電極圖案是否完整； d、對(duì)芯片進(jìn)行擴(kuò)晶操作，采用擴(kuò)片機(jī)對(duì)黏結(jié)芯片的膜進(jìn)行擴(kuò)張，使LED芯片的間距拉伸到約0.6mm ； e、對(duì)膠水進(jìn)行解凍和攪拌，采用針筒式銀膠和絕緣膠，針筒式銀膠和絕緣膠的解凍膠水量均為10g，解凍時(shí)間不小于I小時(shí)，解凍溫度為18°C到26°C，絕緣膠解凍次數(shù)不能多余3次，銀膠解凍次數(shù)不能多余2次； f、固晶生產(chǎn)，在LED支架的相應(yīng)位置點(diǎn)上銀膠或絕緣膠，將擴(kuò)張后LED芯片安置在刺片臺(tái)的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED芯片刺到相應(yīng)的位置上； g、對(duì)固晶膠進(jìn)行烘烤燒結(jié)，銀膠燒結(jié)的溫度控制在150°C，燒結(jié)時(shí)間2小時(shí)； h、對(duì)固定好的芯片進(jìn)行推力測(cè)試； 1、焊線生產(chǎn)，用鋁絲或金絲焊機(jī)將電極連接到LED管芯上，其中:鍵合功率為70mw到IlOmw ;鍵合壓力為60 gms到90gms ;鍵合時(shí)間為1ms到20ms ;鍵合溫度為130°C到160°C; j、焊接完成后對(duì)焊接好的金屬絲進(jìn)行拉力測(cè)試； k、對(duì)焊接好的整個(gè)材料做除濕處理； 1.配膠后進(jìn)行點(diǎn)膠； m、對(duì)點(diǎn)膠后的材料進(jìn)行烘烤； η、對(duì)供烤后的材料進(jìn)彳丁檢驗(yàn)，檢驗(yàn)后進(jìn)彳丁剝料處理； O、對(duì)剝料后的成品進(jìn)行分光； P、對(duì)分光后的成品進(jìn)行除濕，除濕溫度為120°C，除濕時(shí)間為6小時(shí)； q、將成品進(jìn)行裝袋； r、裝袋完成后，再次進(jìn)行除濕，除濕溫度為70°C，除濕時(shí)間為10小時(shí)； S、對(duì)除濕后的產(chǎn)品進(jìn)行最后的檢驗(yàn)，然后包裝入庫(kù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，其特征在于:從固晶到進(jìn)烤時(shí)間控制在2小時(shí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，其特征在于:材料在每站的作業(yè)時(shí)間不超過(guò)24小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，其特征在于:銀膠燒結(jié)烘箱必須隔2小時(shí)打開(kāi)更換燒結(jié)的產(chǎn)品，中間不得隨意打開(kāi)。
【專利摘要】本發(fā)明一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，屬于LED封裝流程技術(shù)領(lǐng)域；解決的技術(shù)問(wèn)題是提供了一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，對(duì)于0.5W以下功率的燈珠，使用鐵材質(zhì)基板代替銅材質(zhì)基板支架，即滿足散熱要求，又可降低材料成本，提高經(jīng)濟(jì)效益，在鐵基板表面鍍鎳后鍍銀以保持產(chǎn)品的優(yōu)良性能；采用的技術(shù)方案為：一種基于鐵基板的LED封裝工藝流程，包括擴(kuò)晶、固晶、烘烤、焊線、點(diǎn)膠、剝料、分光、除濕、裝袋、檢驗(yàn)和包裝的步驟，基于鐵為原料制作的基板上進(jìn)行上述步驟的LED封裝流程；本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于LED封裝流程技術(shù)領(lǐng)域。
【IPC分類】H01L33-64, H01L33-48
【公開(kāi)號(hào)】CN104821362
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510147541
【發(fā)明人】徐龍飛
【申請(qǐng)人】長(zhǎng)治虹源光電科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月5日
【申請(qǐng)日】2015年3月31日