例2
[0067]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/ΑΙ/LiF: DCJTB: 1T_NATA/AZ0/V205/TAPC/ADN/Bphen/CsN3/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0068]玻璃基底為N-LAF36，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層由金屬材料層和三元摻雜層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備金屬材料層，材料為Al，厚度為20nm，在金屬材料層表面采用熱阻蒸鍍制備三元摻雜層，材料為LiF:DCJTB:1T-NATA，LiF:DCJTB:1T-NATA。的質(zhì)量比為3:2:0.1，厚度200nm。然后在散射層上制備ΑΖ0，厚度為80nm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍空穴注入層，材料為V2O5，厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN,厚度為8nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為65nm ;蒸鍍電子注入層、材料為CsN3，厚度為1nm ;蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為80nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0069]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬化合物的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬的蒸鍍速率為lOnm/s。磁控濺射的加速電壓:300V，磁場(chǎng)約:50G，功率密度:40W/cm2。
[0070]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X10_3Pa，工作電流為1A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0071]實(shí)施例3
[0072]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/AZO/LiCl:ADN: 2T-NATA/IZ0/Mo03/NPB/DCJTB/TPBi/Cs2C03/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0073]玻璃基底為N-LASF31A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上；在玻璃基底上制備散射層，散射層由金屬材料層和三元摻雜層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備金屬材料層，材料為Ag，厚度為30nm，在金屬材料層表面采用熱阻蒸鍍制備三元摻雜層，材料為LiCl:ADN:2T-NATA，LiCl, AND與2T-NATA的質(zhì)量比為10:10:0.1，厚50nm。然后在散射層上制備IZO，厚度為80nm，采用磁控濺射的方法制備。蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為1nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為200nm ;蒸鍍電子注入層、材料為Cs2CO3，厚度為0.5nm ;蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為10nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0074]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬的蒸鍍速率為lnm/s。磁控濺射的加速電壓:800V，磁場(chǎng)約:200G，功率密度:lW/cm2。
[0075]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X10_5Pa，工作電流為1A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0076]實(shí)施例4
[0077]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/IZO/Lifc: BCzVB1: 1T_NATA/IT0/W03/TCTA/BCzVBi/TAZ/LiF/Pt的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0078]玻璃基底為N-LASF41A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層由金屬材料層和三元摻雜層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備金屬材料層，材料為Ag，厚度為30nm，在金屬材料層表面采用熱阻蒸鍍制備三元摻雜層，材料為LiBr:BCzVB1: 1T-NATA，LiBr，BCzVBi與IT-NATA的質(zhì)量比為8:7:0.1，厚度lOOnm。然后在散射層上制備ΙΤ0，厚度為180nm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍空穴注入層，材料為WO3，厚度為SOnm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為60nm ；蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為35nm ；蒸鍍電子注入層、材料為LiF，厚度為Inm ;蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0079]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為0.6nm/s,金屬的蒸鍍速率為6nm/s。磁控派射的加速電壓:600V,磁場(chǎng)約:100G，功率密度:30W/cm2。
[0080]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X10_4Pa，工作電流為2.5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為6nm/s。
[0081]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由金屬材料層和三元摻雜層組成，所述金屬材料功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV，所述三元摻雜層包括鋰鹽材料，發(fā)光材料和空穴客體材料，所述發(fā)光材料選自4- (二臆甲基)-2_ 丁基_6_(1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述鋰鹽材料選自氧化鋰、氟化鋰、氯化鋰及溴化鋰中至少一種，所述空穴客體材料選自2，3，5,6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對(duì)苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺及二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺中至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬材料層的厚度為20nm?50nm,所述三兀摻雜層的厚度為20nm?80nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述三元摻雜層中所述鋰鹽材料，發(fā)光材料和空穴客體材料的質(zhì)量比為(3?10): (2?10):0.1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層，所述散射層由金屬材料層和三元摻雜層組成，在所述玻璃基底表面采用熱阻蒸鍍制備金屬材料層，所述金屬材料功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV,在所述金屬材料層表面通過熱阻蒸鍍制備三元摻雜層，所述三元摻雜層包括鋰鹽材料，發(fā)光材料和空穴客體材料，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I ’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述鋰鹽材料選自氧化鋰、氟化鋰、氯化鋰及溴化鋰中至少一種，所述空穴客體材料選自2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對(duì)苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺及二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺中至少一種； 在所述散射層表面磁控濺射制備陽極，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物 '及 在所述陽極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于所述金屬材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述金屬材料層的厚度為20nm?50nm,所述三元摻雜層的厚度為20nm?80nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述三元摻雜層中所述鋰鹽材料，發(fā)光材料和空穴客體材料的質(zhì)量比為(3?10): (2?10):0.1。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10_3?5X10_5Pa，工作電流為IA?5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由金屬材料層和三元摻雜層組成，所述金屬材料功函數(shù)為-4.0eV～-5.5eV，所述三元摻雜層包括鋰鹽材料，發(fā)光材料和空穴客體材料，所述鋰鹽材料選自氧化鋰、氟化鋰、氯化鋰及溴化鋰中至少一種，所述空穴客體材料選自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-對(duì)苯二醌二甲烷、4,4,4-三（萘基-1-苯基-銨）三苯胺及二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-聯(lián)苯二胺中至少一種。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51-52, H01L51-56, H01L51-54
【公開號(hào)】CN104659259
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310601917
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 張振華, 王平
【申請(qǐng)人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2013年11月25日