料和空穴客體材料組成，鋰鹽材料的功函數(shù)較高，可阻擋電子的穿越，有效避免電子到達(dá)陽(yáng)極發(fā)生淬滅現(xiàn)象。發(fā)光材料為突光發(fā)光材料與發(fā)光層的材料一致，可對(duì)發(fā)光光色進(jìn)行補(bǔ)充，提高光色純度，提高發(fā)光效率使發(fā)光顏色穩(wěn)定，衰減速度降低，空穴客體材料可提高空穴的注入能力以及傳輸速率，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長(zhǎng)。
[0036]可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0037]一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0038]步驟S110、在玻璃基底10表面電子束蒸鍍制備散射層20。
[0039]散射層20形成于玻璃基底10的一側(cè)表面。散射層20由金屬材料層201和三元摻雜層202組成，在所述玻璃基底10表面采用熱阻蒸鍍制備金屬材料層201，所述金屬材料功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV，在所述金屬材料層201表面通過熱阻蒸鍍制備三元摻雜層202，所述三元摻雜層202包括鋰鹽材料，發(fā)光材料和空穴客體材料，所述發(fā)光材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中至少一種，所述鋰鹽材料選自氧化鋰(Li20)、氟化鋰(LiF)、氯化鋰(LiCl)及溴化鋰(LiBr)中至少一種，所述空穴客體材料選自2，3，5,6-四氟_7，7，8，8，-四氰基-對(duì)苯二醌二甲烷F4-TCNQ、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(IT-NATA)和二萘基-N, N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺(2T-NATA)中至少一種。
[0040]所述金屬材料選自銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中至少一種。
[0041]所述金屬材料層201的厚度為20nm?50nm，所述三元摻雜層202的厚度為20nm?80nm。
[0042]所述三元摻雜層202中所述鋰鹽材料，發(fā)光材料和空穴客體材料的質(zhì)量比為(3?10): (2 ?10):0.1。
[0043]本實(shí)施例中，玻璃基底10在使用前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡I小時(shí)?10小時(shí)。
[0044]本實(shí)施例中，所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3?5X 10_5Pa，工作電流為IA?5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為 lnm/s ?10nm/so
[0045]步驟S120、在散射層20表面磁控濺射制備陽(yáng)極30。
[0046]陽(yáng)極30形成于散射層20的表面。陽(yáng)極30的材料為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽(yáng)極30的厚度為80nm?300nm，厚度優(yōu)選為10nm0
[0047]本實(shí)施方式中，磁控濺射的加速電壓:300V?800V，磁場(chǎng)約:50G?200G，功率密度:lW/cm2?40W/cm2,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬陰極的蒸鍍速率為lnm/s ?10nm/so
[0048]步驟S130、在陽(yáng)極30的表面依次蒸鍍形成空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0049]空穴注入層40形成于陽(yáng)極30的表面?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03。空穴注入層40的厚度為20nm?80nm,優(yōu)選為30nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X 10_3Pa?5 X 10_5Pa下進(jìn)行,蒸鍍速率為0.lnm/s ?lnm/sο
[0050]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1，1_ 二[4-[N, N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為50nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0051]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為20nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X ICT3Pa?5X ICT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0052]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層70的厚度為40nm?250nm,優(yōu)選為60nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0053]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nm?1nm,優(yōu)選為lnm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X KT3Pa?5X KT5Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0054]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Au。陰極90的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選為200nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X 10_3Pa?5X 10_5Pa下進(jìn)行,蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0055]上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡(jiǎn)單；制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。
[0056]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試電流密度和色度。
[0058]實(shí)施例1
[0059]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Ag/Li20:Alq3:F4-TCNQ/IT0/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件，本實(shí)施例及以下實(shí)施例中“/”表示層，“:”表示摻雜。
[0060]玻璃基底為N-LASF44，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃基底上制備散射層，散射層由金屬材料層和三元摻雜層組成，在玻璃基板表面采用熱阻蒸鍍制備金屬材料層，材料為Ag，厚度為30nm，在金屬材料層表面采用熱阻蒸鍍制備三元摻雜層，材料為L(zhǎng)i2O:Alq3:F4_TCNQ，Li2O, Alq3與F4-TCNQ的質(zhì)量比為6:5:0.1，厚度lOOnm。然后在散射層上制備ΙΤ0，厚度為lOOnm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍制備空穴注入層:材料為MoO3,厚度為40nm ;蒸鍍制備空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為40nm ;蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為Alq3,厚度為1nm ;蒸鍍制備電子傳輸層,材料為TAZ,厚度為10nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsF,厚度為1.5nm ;蒸鍍制備陰極,材料為Ag,厚度為140nm;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0061]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為8X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為0.3nm/s，金屬的蒸鍍速率為2nm/s。磁控濺射的加速電壓:700V，磁場(chǎng)約:120G，功率密度:250W/cm2。
[0062]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為8X10_5Pa，工作電流為3A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為2nm/s。
[0063]請(qǐng)參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Ag/Li20:Alq3:F4-TCNQ/ITO/M0O3/NPB/AIq3/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對(duì)比例制備的結(jié)構(gòu)為ITO玻璃/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的電流密度與流明效率的關(guān)系。對(duì)比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0064]從圖上可以看到，實(shí)施例1的流明效率都比對(duì)比例的要大，實(shí)施例1的流明效率為8.51m/W，而對(duì)比例的僅為7.61m/W，而且對(duì)比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，在陽(yáng)極與高折射率玻璃基板之間制備的散射層，散射層由金屬材料層和三元摻雜層組成，金屬材料層的金屬材料的功函數(shù)較高，可提高空穴的注入能力，金屬材料中的自由電子濃度高，可提高有機(jī)電致發(fā)光器件的導(dǎo)電性，三元摻雜層由鋰鹽材料，發(fā)光材料和空穴客體材料組成，鋰鹽材料的功函數(shù)較高，可阻擋電子的穿越，有效避免電子到達(dá)陽(yáng)極發(fā)生淬滅現(xiàn)象。發(fā)光材料為突光發(fā)光材料與發(fā)光層的材料一致，可對(duì)發(fā)光光色進(jìn)行補(bǔ)充，提高光色純度，提高發(fā)光效率使發(fā)光顏色穩(wěn)定，衰減速度降低，空穴客體材料可提高空穴的注入能力以及傳輸速率，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長(zhǎng)。
[0065]以下各個(gè)實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0066]實(shí)施