，同時(shí)，與陰極的金屬功函數(shù)接近，可降低注入勢壘從而提聞發(fā)光效率。
[0060]以下各個(gè)實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的電流效率，在下面不再贅述。
[0061]實(shí)施例2
[0062]本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為AZ0/V205/TAPC/DCJTB/TAZ/RbCl:Cu1:Al/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0063]先將AZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5，厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為Snm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為65nm;采用電子束蒸鍍電子注入層，材料為RbCl:Cu1:Al，RbCl, CuI與Al之間的質(zhì)量比為2:0.1:1，厚度為60nm蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為80nm。
[0064]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0065]磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10_3?5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為Iff/cm2 ?40W/cm2。
[0066]實(shí)施例3
[0067]本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為IZ0/W03/TCTA/ADN/Bphen/RbN03:Cu20:Pt/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0068]先將IZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為WO3,厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為60nm;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN,厚度為1nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen,厚度為200nm ;采用電子束蒸鍍電子注入層，材料為RbNO3: Cu2O: Pt，RbNO3, Cu2O與Pt之間的質(zhì)量比為10:0.3:1，厚度為70nm，蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為lOOnm。
[0069]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0070]磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10_3?5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為Iff/cm2 ?40W/cm2
[0071]實(shí)施例4
[0072]本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為IZ0/W03/NPB/BCzVBi/TPBi/Rb2SO4:CuO:Au/Pt 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0073]先將IZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為WO3,厚度為SOnm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為35nm ;采用電子束蒸鍍電子注入層，材料為為Rb2SO4: CuO: Au, Rb2SO4, CuO與Au之間的質(zhì)量比為4:0.15:0.1，厚度為50nm，蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為250nm。
[0074]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X 10_4Pa，電子束蒸鍍的能量密度為50W/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為5nm/s。
[0075]磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10_3?5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為Iff/cm2 ?40W/cm2。
[0076]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由銣的化合物材料，銅的化物材料和金屬材料組成，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述銅的化物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，所述金屬材料的功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層中所述銣的化合物材料，銅的化物材料和金屬材料的質(zhì)量比為(2?10): (0.1?0.3):1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層厚度為15nm ?60nmo
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬材料選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 通過磁控濺射的方式在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層; 在電子傳輸層表面通過電子束蒸鍍的方法制備電子注入層，所述電子注入層由銣的化合物材料，銅的化物材料和金屬材料組成，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述銅的化物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，所述金屬材料的功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV，及， 在所述電子注入層表面通過磁控濺射的方式形成陰極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述電子注入層中所述銣的化合物材料，銅的化物材料和金屬材料的質(zhì)量比為(2?10):(0.1?0.3):1o
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述電子注入層層厚度為15nm?60nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬材料選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10—3?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為1W/cm2?100W/cm2,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s ?10nm/so
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3?5X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為lW/cm2?40W/cm2。
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由銣的化合物材料，銅的化物材料和金屬材料組成，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述銅的化物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，所述金屬材料的功函數(shù)為-4.0eV～-5.5eV。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51-52, H01L51-56, H01L51-54
【公開號(hào)】CN104659251
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310585637
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 張振華, 王平
【申請(qǐng)人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2013年11月19日