傳輸層:材料為TCTA，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN,厚度為5nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為200nm ;蒸鍍電子注入層，電子注入層由金屬層，銣的化合物層和電子傳輸材料摻雜層組成，通過熱阻蒸鍍在電子傳輸層表面制備金屬層，材料為Sr，厚度為2nm ;通過熱阻蒸鍍在金屬層表面制備銣的化合物層，材料為RbCl，厚度為10nm，接著通過電子束蒸鍍方式在銣的化合物層表面制備電子傳輸材料摻雜層，材料為Bphen:T12,Bphen與T12的質(zhì)量比為10:1，二氧化鈦粒徑為20nm,厚度為50nm,接著蒸鍍制備陰極,材料為Al,厚度為80nm。
[0063]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X10_3Pa，工作電流為1A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0064]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0065]實(shí)施例3
[0066]本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為IZ0/W03/TAPC/Alq3/TAZ/Ca/RbN03/BCP:Ti02/Pt/ 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0067]先將IZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為WO3,厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為30nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為Alq3,厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為60nm ;蒸鍍電子注入層，電子注入層由金屬層，銣的化合物層和電子傳輸材料摻雜層組成，通過熱阻蒸鍍在電子傳輸層表面制備金屬層，材料為Mg，厚度為2nm ;通過熱阻蒸鍍在金屬層表面制備銣的化合物層，材料為RbNO3，厚度為lnm，接著通過電子束蒸鍍方式在銣的化合物層表面制備電子傳輸材料摻雜層，材料為BCP: T12, BCP與T12的質(zhì)量比為30:1，二氧化鈦粒徑為40nm，厚度為20nm，接著蒸鍍制備陰極，材料為Pt，厚度為lOOnm。
[0068]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X10_5Pa，工作電流為2A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0069]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0070]實(shí)施例4
[0071]本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為IZ0/V205/TCTA/DCJTB/Bphen/Yb/Rb2S04/TPB1:Ti02/Al 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0072]先將IZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5，厚度為30nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為50nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為5nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen，厚度為40nm;蒸鍍電子注入層，電子注入層由金屬層，銣的化合物層和電子傳輸材料摻雜層組成，通過熱阻蒸鍍在電子傳輸層表面制備金屬層，材料為Yb，厚度為3nm ;通過熱阻蒸鍍在金屬層表面制備銣的化合物層，材料為Rb2SO4，厚度為8nm，接著通過電子束蒸鍍方式在銣的化合物層表面制備電子傳輸材料摻雜層，材料為TPB1: T12, TPBi與T12的質(zhì)量比為18:1，二氧化鈦粒徑為30nm,厚度為40nm,接著蒸鍍制備陰極,材料為Al,厚度為250nm。
[0073]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X10_4Pa，工作電流為5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為5nm/s。
[0074]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X 10_4Pa，電子束蒸鍍的能量密度為60W/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為5nm/s。
[0075]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由金屬層，銣的化合物層和電子傳輸材料摻雜層組成，所述金屬層材料功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV，所述銣的化合物層材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述電子傳輸材料摻雜層包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的二氧化鈦，所述電子傳輸材料層材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、2- (4’ -叔丁苯基)-5- (4’ -聯(lián)苯基)-1, 3，4-惡二唑、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲及N-芳基苯并咪唑中至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸材料摻雜層中所述電子傳輸材料與所述二氧化鈦的質(zhì)量比為10:1?30:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬層材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬層厚度為Inm?5nm,銣的化合物層厚度為Inm?1nm,所述電子傳輸材料摻雜層厚度為20nm?50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種，所述空穴注入層的材料選自三氧化鑰、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述空穴傳輸層的材料選自1，1_ 二 [4-[Ν，Ν, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺中的至少一種，所述電子傳輸層的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種，所述陰極選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層； 在電子注入層表面制備電子注入層，所述電子注入層由金屬層，銣的化合物層和電子傳輸材料摻雜層組成，通過熱阻蒸鍍的方法在所述電子注入層表面制備金屬層，所述金屬層材料功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV,接著在所述金屬層表面通過熱阻蒸鍍方式制備銣的化合物層，所述銣的化合物層材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，通過電子束蒸鍍的方式在所述銣的化合物層表面蒸鍍制備所述電子傳輸材料摻雜層層，所述電子傳輸材料摻雜層包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的二氧化鈦，所述電子傳輸材料層材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、2-(4’ -叔丁苯基)-5-(4’ -聯(lián)苯基)-1, 3，4-惡二唑、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲及N-芳基苯并咪唑中至少一種，及， 在所述電子注入層表面制備陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述電子傳輸材料摻雜層中所述電子傳輸材料與所述二氧化鈦的質(zhì)量比為10:1?30:1。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述金屬層材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述金屬層厚度為Inm?5nm,銣的化合物層厚度為Inm?1nm,所述電子傳輸材料摻雜層厚度為20nm?50nmo
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X10_3Pa?5X10_5Pa，工作電流為IA?5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s,所述電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa?5X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為10W/cm2?100W/cm2,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由金屬層，銣的化合物層和電子傳輸材料摻雜層組成，金屬層材料功函數(shù)為-2.0eV～-3.5eV，所述銣的化合物層材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，電子傳輸材料摻雜層包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的二氧化鈦，所述電子傳輸材料層材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯(lián)苯基)-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲及N-芳基苯并咪唑中至少一種。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51-52, H01L51-56, H01L51-54
【公開號】CN104659247
【申請?zhí)枴緾N201310585539
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 張振華, 王平
【申請人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月19日