低電子的注入勢壘，提高電子注入效率，電子傳輸材料摻雜層由電子傳輸材料和二氧化鈦組成，電子傳輸材料可進一步提高電子的傳輸速率，同時，由于電子傳輸材料的LUMO能級較高，可降低陰極與電子傳輸材料摻雜層之間的電子注入勢壘，提高注入效率，二氧化鈦比表面積大，孔隙率高，可使光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間底部出射，從而加強反射效率從而提高發(fā)光效率。
[0034]可以理解，該有機電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0035]一實施例的有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0036]步驟S110、在陽極10表面依次形成空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50及電子注入層60。
[0037]陽極10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0，厚度為130nm。
[0038]本實施方式中，在陽極10表面形成空穴注入層20之前先對陽極10進行前處理，前處理包括:將陽極10進行光刻處理，裁成所需要的大小，采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽極10表面的有機污染物。
[0039]空穴注入層20形成于陽極10的表面?？昭ㄗ⑷雽?0由蒸鍍制備?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nm?80nm,優(yōu)選為30nm。蒸鍍在真空壓力為5X 1(Γ3?2X ICT4Pa下進行,蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0040]空穴傳輸層30形成于空穴注入層20的表面?？昭ň彌_層30由蒸鍍制備。空穴傳輸層30的材料選自1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N’ - (1-萘基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為TCTA。空穴傳輸層30的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為28nm。蒸鍍在真空壓力為5X 1(Γ3?2Χ KT4Pa下進行,蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0041]發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40由蒸鍍制備。發(fā)光層40的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-聯(lián)苯(BCzVBi)及八羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為BCzVBi。發(fā)光層40的厚度為0.5nm?40nm,優(yōu)選為35nm。蒸鍍在真空壓力為5X 1(Γ3?2Χ KT4Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s ?lnm/sο
[0042]電子傳輸層50形成于發(fā)光層40的表面。電子傳輸層50的材料選自4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為Bphen。電子傳輸層50的厚度為40nm?300nm,優(yōu)選為130nm。蒸鍍在真空壓力為5X ICT3?2X ICT4Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0043]步驟S120、電子注入層60形成于電子傳輸層50表面。電子注入層60由金屬層601，銣的化合物層602和電子傳輸材料摻雜層603組成。在電子注入層60表面通過熱阻蒸鍍方式制備金屬層601，所述金屬層601材料功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV,具體選自鎂(Mg)、鍶(Sr)、鈣(Ca)及鐿(Yb)中至少一種，再所述金屬層601表面通過熱阻蒸鍍方式制備銣的化合物層，所述銣的化合物層602材料選自碳酸銣(Rb2CO3)、氯化銣(RbCl)、硝酸銣(RbNO3)及硫酸銣(Rb2SO4)中至少一種，最后再所述銣的化合物層602表面通過電子束蒸鍍制備所述電子傳輸材料摻雜層603,所述電子傳輸材料摻雜層603包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的二氧化鈦，所述電子傳輸材料層材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2- (4，-叔丁苯基)~5~ (4，-聯(lián)苯基)-1，3，4-惡二唑(PBD)、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)及N-芳基苯并咪唑(TPBi)中至少一種，所述二氧化鈦的粒徑為 20nm ?40nm。
[0044]所述電子傳輸材料摻雜層603中所述電子傳輸材料與所述二氧化鈦的質(zhì)量比為10:1 ?30:1。
[0045]所述金屬層601厚度為Inm?5nm,銣的化合物層602厚度為Inm?1nm,所述電子傳輸材料摻雜層603厚度為20nm?50nm。
[0046]所述熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X 10_3Pa?5X 10_5Pa，工作電流為IA?5A,有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s ?1nm/s ;
[0047]所述電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X KT3Pa?5X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2，有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0048]步驟S130、在電子注入層表面制備陰極70，陰極層70材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中至少一種，厚度為80nm?250nm,優(yōu)選為Ag,厚度為90nm,蒸鍍在真空壓力為5X ICT3?2X ICT4Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0049]上述有機電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡單，制備的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
[0050]以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法進行詳細說明。
[0051]本發(fā)明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學性能。。
[0052]實施例1
[0053]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/NPB/Alq3/Bphen/Mg/Rb2C03/PBD:Ti02/Ag 的有機電致發(fā)光器件。
[0054]先將ITO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；清洗干凈后對導電基底進行合適的處理:氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ;蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3，厚度為60nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為NPB，厚度為50nm ;蒸鍍發(fā)光層，材料為BCzVBi，厚度為30nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為160nm ;蒸鍍電子注入層，電子注入層由金屬層，銣的化合物層和電子傳輸材料摻雜層組成，通過熱阻蒸鍍在電子傳輸層表面制備金屬層，材料為Mg，厚度為2nm ;通過熱阻蒸鍍在金屬層表面制備銣的化合物層，材料為Rb2CO3,厚度為5nm,接著通過電子束蒸鍍方式在銣的化合物層表面制備電子傳輸材料摻雜層,材料為PBD:Ti02，PBD:與T12的質(zhì)量比為25:1，二氧化鈦粒徑為25nm，厚度為35nm，接著蒸鍍制備陰極，材料為Ag,厚度為90nm。
[0055]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為8X10_5Pa，工作電流為3A，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為3nm/s ；
[0056]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為8X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為30W/cm2，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為3nm/s ；
[0057]請參閱圖3，所示為實施例1中制備的結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/NPB/Alq3/Bphen/Mg/Rb2C03/PBD:T12Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為ΙΤ0/Μο03/ΝΡΒ/Alq3/Bphen/LiF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線2)的電流密度與電流效率的關(guān)系。對比例制備的有機電致發(fā)光器件中各層厚度與實施例1制備的有機電致發(fā)光器件中各層厚度相同。
[0058]從圖上可以看到，在不同的電流密度下，實施例1的電流效率都比對比例的要大，實施例1的最大流明效率為8.9cd/A，而對比例的僅為8.lcd/A，而且對比例的電流效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，本發(fā)明專利通過制備多層結(jié)構(gòu)的電子注入層結(jié)構(gòu)，該電子注入層結(jié)構(gòu)層由金屬層，銣的化合物層和電子傳輸材料摻雜層組成，金屬層為低功能函數(shù)金屬層，有效降低注入勢壘，提高電子的注入效率，同時加強有機電致發(fā)光器件的導電性能，銣的化合物層中的銣的化合物，其熔點較低，容易蒸鍍，有金屬離子的存在功函數(shù)較低，有利于電子的注入，降低電子的注入勢魚，提高電子注入效率，電子傳輸材料摻雜層由電子傳輸材料和二氧化鈦組成，電子傳輸材料可進一步提高電子的傳輸速率，同時，由于電子傳輸材料的LUMO能級較高，可降低陰極與電子傳輸材料摻雜層之間的電子注入勢壘，提高注入效率，二氧化鈦比表面積大，孔隙率高，可使光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間底部出射，從而加強反射效率從而提高發(fā)光效率。
[0059]以下各個實施例制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0060]實施例2
[0061 ]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為 AZ0/Mo03/TCTA/ADN/Bphen/CsF/Sr/RbCl/Bphen: Ti02/Al的有機電致發(fā)光器件。
[0062]先將AZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為MoO3,厚度為SOnm ;蒸鍍空穴