一種固封極柱的極部件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及中高壓開關(guān)設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域，特別是涉及一種固封極柱的極部件。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的固封極柱，一般由真空滅弧室、上出線端子、下出線端子、軟連接、拉桿、和環(huán)氧樹脂殼體構(gòu)成。目前所述的上出線端子通常采用螺釘與真空滅弧室靜端導(dǎo)體固定連接，下出線端子固定在模具上，再整體由環(huán)氧樹脂等絕緣材料通過真空澆注或壓力凝膠(APG)工藝成型，但此種制造出的固封極柱普遍整體較大，材料多，且由于導(dǎo)電體與絕緣材料及絕緣氣體(通常為空氣，氮?dú)饣蚴橇?的三介質(zhì)交點(diǎn)場強(qiáng)較大，極柱內(nèi)腔由于軟連接等金屬尖端和三交點(diǎn)的存在也容易產(chǎn)生局部場強(qiáng)偏大導(dǎo)致局放問題。
[0003]申請?zhí)朇N 201380007680.3公開了一種具有真空滅弧室的嵌入式或者組裝式極部件及其制造方法，所述的嵌入式極部件具有真空滅弧室、上端子、下端子，其中上端子表面覆蓋有阻尼層，真空滅弧室的極柱動端通過軟連接與下出線端子及絕緣拉桿連接在一起，上端子由于覆蓋有阻尼層再通過絕緣材料澆注成一體，不利于導(dǎo)體的散熱且導(dǎo)體與絕緣材料及外部氣體間的三介質(zhì)交點(diǎn)場強(qiáng)較高，同時(shí)在滅弧室下端與環(huán)氧及空氣的三介質(zhì)交界處場強(qiáng)較高，滅弧室與軟連接的連接處及下出線端子的端部也容易產(chǎn)生場強(qiáng)集中的問題，由于上述原因?qū)е聵O柱的電場分布不均，不利于產(chǎn)品整體小型化同時(shí)影響固封極柱整體的絕緣性能。
[0004]申請?zhí)朇N 201220468759.9公開了一種固封極柱，包括有上出線端子以及與所述上出線端子相連接的上出線桿，由于在上端結(jié)合部外設(shè)置有罩體來解決連接處的場強(qiáng)不均勻問題，但是在上下端導(dǎo)體與環(huán)氧樹脂及內(nèi)部氣體三介質(zhì)交界處的場強(qiáng)集中問題仍得不到改善，且不能解決下端軟連接尖端導(dǎo)致的電場集中問題，同時(shí)由于導(dǎo)體由絕緣材料包覆因此不利于產(chǎn)品散熱。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決了上述技術(shù)問題，提供一種固封極柱的極部件。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種固封極柱的極部件，包括上屏蔽、下屏蔽和真空滅弧室組件，所述的上屏蔽與下屏蔽通過澆注絕緣材料嵌入固定在固封極柱的殼體內(nèi)，所述的真空滅弧室組件平行或者垂直于上下屏蔽的軸向固定在固封極柱的殼體內(nèi)。
[0007]進(jìn)一步的，所述的上屏蔽和下屏蔽采用兩個(gè)環(huán)形體軸向垂直相交結(jié)構(gòu)，相交部分采用圓角過度，環(huán)形體的端部采用圓角過度，所述的環(huán)形體表面陣列排列多個(gè)通孔。
[0008]進(jìn)一步的，所述的環(huán)形體采用金屬板、金屬網(wǎng)、內(nèi)含導(dǎo)電材料的聚酰胺或者表面噴涂導(dǎo)電材料的聚酰胺。
[0009]進(jìn)一步的，所述的上屏蔽與固封極柱的上端高壓導(dǎo)體通過機(jī)械連接或者澆注一體，所述的下屏蔽與固封極柱的下端高壓導(dǎo)體通過機(jī)械連接或者澆注一體。
[0010]進(jìn)一步的，所述的絕緣材料采用環(huán)氧樹脂、聚酰胺、聚乙烯或者其他合成樹脂。
[0011]采用本發(fā)明的技術(shù)方案，通過設(shè)置極部件的上下端屏蔽將高電場轉(zhuǎn)移到絕緣層內(nèi)部，從而屏蔽極柱上下側(cè)的電場分布不均的問題，主要是三介質(zhì)交界處及導(dǎo)電體的尖端導(dǎo)致電場值超標(biāo)的問題。優(yōu)化了極柱整體的電場分布，充分利用固體絕緣材料較高的耐受場強(qiáng)使得整個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)更加簡單避免了氣隙放電，同時(shí)避免導(dǎo)電體等直接全部包覆在絕緣材料內(nèi)部導(dǎo)致散熱較差，由于溫度升高降低了產(chǎn)品的可靠性，同時(shí)產(chǎn)品生產(chǎn)成本也會較低。采用屏蔽后，還可以提高對地的耐壓水平，從而可以降低爬距，使得整個(gè)設(shè)備尺寸得以減小，設(shè)備更為緊湊，并且具有更高的可靠性。解決現(xiàn)有產(chǎn)品絕緣薄弱環(huán)節(jié)方面和固體絕緣設(shè)備的小型化方面，具有非常重要作用，經(jīng)濟(jì)效益客觀。絕緣材料選用熱塑性材料有利于提高產(chǎn)品生產(chǎn)率同時(shí)減少對環(huán)境的影響。
【附圖說明】
[0012]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0013]圖1是本發(fā)明真空滅弧室組件平行安裝的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本發(fā)明真空滅弧室組件后裝的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3是本發(fā)明上下屏蔽結(jié)構(gòu)示意圖一；
圖4是本發(fā)明上下屏蔽結(jié)構(gòu)示意圖二。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】，對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
[0015]實(shí)施例一如圖1所不，一種固封極柱的極部件，包括上屏蔽1、下屏蔽3和真空滅弧室組件4，所述的上屏蔽I與下屏蔽3通過澆注絕緣材料2嵌入固定在固封極柱的殼體內(nèi)，所述的真空滅弧室組件4平行于上屏蔽I和下屏蔽3的軸向，固定在固封極柱的殼體內(nèi)，所述的絕緣材，2采用環(huán)氧樹脂、聚酰胺、聚乙烯或者其他合成樹脂，所述的上屏蔽I與固封極柱的上端高壓導(dǎo)體通過機(jī)械連接或者澆注一體，所述的下屏蔽3與固封極柱的下端高壓導(dǎo)體通過機(jī)械連接或者澆注一體。通過上下屏蔽的引入，將高壓引入絕緣強(qiáng)度較高的絕緣材料內(nèi)部，從而屏蔽三介質(zhì)交點(diǎn)的場強(qiáng)集中問題，和內(nèi)腔的氣體放電，有效的提供產(chǎn)品的可靠性同時(shí)減少絕緣材料用量減小相間距離要求，有利于開關(guān)設(shè)備的小型化。
[0016]圖2所示實(shí)施例二，與實(shí)施例一的區(qū)別在于真空滅弧室組件4垂直于上下屏蔽的軸向固定在固封極柱的殼體內(nèi)，即真空滅弧室組件后裝。
[0017]圖3、圖4所示的上下屏蔽結(jié)構(gòu)，兩個(gè)環(huán)形體軸向垂直相交結(jié)構(gòu)，相交部分采用圓角過度，環(huán)形體的端部采用圓角過度，所述的環(huán)形體表面陣列排列多個(gè)通孔，保證澆注性能，此種結(jié)構(gòu)使其內(nèi)部嵌入相關(guān)導(dǎo)電嵌件使其與滅弧室下觸座及下端導(dǎo)體形成等電位，該屏蔽也可根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)需要與內(nèi)部導(dǎo)電端子外形相匹配，因此也可為矩形與環(huán)形相交的薄壁結(jié)構(gòu)，真空滅弧室上下端的連接處置于該屏蔽的內(nèi)腔中，下端如有軟連接等相關(guān)尖端高壓部分也應(yīng)置于屏蔽的范圍內(nèi)，屏蔽內(nèi)壁部分可以與絕緣材料面貼平也可整體包覆于絕緣材料中。
[0018]盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上對本發(fā)明做出各種變化，均為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種固封極柱的極部件，其特征在于:包括上屏蔽、下屏蔽和真空滅弧室組件，所述的上屏蔽與下屏蔽通過澆注絕緣材料嵌入固定在固封極柱的殼體內(nèi)，所述的真空滅弧室組件平行或者垂直于上下屏蔽的軸向固定在固封極柱的殼體內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種固封極柱的極部件，其特征在于:所述的上屏蔽和下屏蔽采用兩個(gè)環(huán)形體軸向垂直相交結(jié)構(gòu)，相交部分采用圓角過度，環(huán)形體的端部采用圓角過度，所述的環(huán)形體表面陣列排列多個(gè)通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種固封極柱的極部件，其特征在于:所述的環(huán)形體采用金屬板、金屬網(wǎng)、內(nèi)含導(dǎo)電材料的聚酰胺或者表面噴涂導(dǎo)電材料的聚酰胺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種固封極柱的極部件，其特征在于:所述的上屏蔽與固封極柱的上端高壓導(dǎo)體通過機(jī)械連接或者澆注一體，所述的下屏蔽與固封極柱的下端高壓導(dǎo)體通過機(jī)械連接或者饒注一體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種固封極柱的極部件，其特征在于:所述的絕緣材料采用環(huán)氧樹脂、聚酰胺或者聚乙烯。
【專利摘要】一種固封極柱的極部件，包括上屏蔽、下屏蔽和真空滅弧室組件，所述的上屏蔽與下屏蔽通過澆注絕緣材料嵌入固定在固封極柱的殼體內(nèi)，所述的真空滅弧室組件平行或者垂直于上下屏蔽的軸向固定在固封極柱的殼體內(nèi)。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，通過設(shè)置極部件的上下端屏蔽將高電場轉(zhuǎn)移到絕緣層內(nèi)部，從而屏蔽極柱上下側(cè)的電場分布不均的問題，主要是三介質(zhì)交界處及導(dǎo)電體的尖端導(dǎo)致電場值超標(biāo)的問題。
【IPC分類】H01H33-66
【公開號】CN104658811
【申請?zhí)枴緾N201510121202
【發(fā)明人】王振良, 張建宏, 吳廣軍, 肖陽
【申請人】麥克奧迪（廈門）電氣股份有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2015年3月19日