專利名稱：高壓用電阻及其電阻值調(diào)整方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于高壓電源、TV顯像器、CRT顯示器等高壓電路的高壓用電阻。
以往這種高壓用電阻形成如下，在氧化鋁等絕緣性基片上形成多個(gè)端子電極，在這些端子電極間通過(guò)印刷、燒結(jié)形成電阻膜。然后，為了得到希望的電阻值，通過(guò)噴砂器法和激光調(diào)整法除去(調(diào)整)形成電阻膜的電阻值調(diào)整部的一部分，調(diào)整電阻值。
噴砂器法是用高壓噴射氧化鋁粉除去電阻膜的一部分的方法。能夠形成寬幅調(diào)整槽。以往的激光調(diào)整法是邊測(cè)定電阻值，邊向電阻膜照射激光以除去電阻膜的一部分的方法。在達(dá)到目標(biāo)電阻值時(shí)，結(jié)束調(diào)整。通過(guò)這種激光調(diào)整法形成非常窄的調(diào)整槽，寬度為0.05～0.3mm，在形成多個(gè)調(diào)整槽時(shí)，形成不同的調(diào)整槽長(zhǎng)度。
為了使這樣的高壓用電阻應(yīng)用于數(shù)KV～數(shù)十KV的高電壓，向電阻值調(diào)整部施加的電位差也高達(dá)數(shù)百V～數(shù)KV，對(duì)電阻值調(diào)整部實(shí)施的調(diào)整，重要的是具有耐高電壓的高絕緣性。因此，這種高壓用電阻能夠形成寬幅調(diào)整槽，多用于由能得到高絕緣性的噴砂器法的調(diào)整。但是，用噴砂器法由于調(diào)整時(shí)間長(zhǎng)，需要調(diào)整后的清洗工作等，存在制造成本高、不能進(jìn)一步高精度調(diào)整電阻值的問(wèn)題。
另外，用以往的激光調(diào)整法能夠縮短調(diào)整時(shí)間和高精度調(diào)整電阻值，但是用激光調(diào)整法調(diào)整了電阻值的以往高壓用電阻存在由于調(diào)整槽的寬度窄，不能得到高絕緣性這樣的問(wèn)題。也就是說(shuō)，通過(guò)以往的激光調(diào)整法形成了一個(gè)直線狀的調(diào)整槽時(shí)，在施加了實(shí)際使用時(shí)的高電壓狀態(tài)下，存在當(dāng)漏電流流進(jìn)調(diào)整槽時(shí)，電阻值大幅度降低，特性差的問(wèn)題。并且，在形成了多個(gè)調(diào)整槽時(shí)，如圖3所示，由于調(diào)整槽13的長(zhǎng)度不同，由于高電壓集中在長(zhǎng)度較長(zhǎng)的調(diào)整槽的終點(diǎn)部分(圖3中A部分)，漏電流流進(jìn)該部分，特性變差。在圖3中，11是基片，12是電阻膜的電阻值調(diào)整部，13是調(diào)整槽。
本發(fā)明的目的是提供一種通過(guò)激光調(diào)整法能夠在短時(shí)間高精度調(diào)整電阻值，能夠用電阻值調(diào)整部得到高絕緣性的高壓用電阻及其電阻值調(diào)整方法。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明1的高壓用電阻包括基片和在所述基片上形成的電阻膜，其特征在于由所述基片上的電阻膜的非形成部開(kāi)始覆蓋電阻膜，通過(guò)激光調(diào)整所形成的多個(gè)直線狀調(diào)整槽是平行的，并且位于電阻膜內(nèi)的一端是位于與調(diào)整槽互相垂直方向的同一直線上所形成的。
本發(fā)明2的高壓用電阻的電阻值調(diào)整方法是包括基片和在所述基片上形成的電阻膜的高壓用電阻的電阻值調(diào)整方法，其特征在于由所述基片上的電阻膜的非形成部開(kāi)始覆蓋電阻膜，通過(guò)激光調(diào)整，根據(jù)由初始電阻值算出的調(diào)整長(zhǎng)度用同樣的長(zhǎng)度形成多個(gè)調(diào)整槽。
如按照上述構(gòu)成，通過(guò)激光調(diào)整形成的調(diào)整槽是各自一端與電阻膜內(nèi)的調(diào)整槽呈垂直方向的同一線上那樣形成多個(gè)直線狀，特定的調(diào)整槽高電壓不集中增加，并且使各調(diào)整槽增加的電壓減少，能夠用電阻值調(diào)整部得到高絕緣性。調(diào)整槽數(shù)是根據(jù)電阻值調(diào)整部增加的電壓設(shè)定的。即，按照對(duì)電阻值調(diào)整部增加的電壓的增高，形成多個(gè)調(diào)整槽。也就是說(shuō)，即使是被施加高電壓的高壓用電阻，也可用在短時(shí)間高精度調(diào)整電阻值的激光調(diào)整法，進(jìn)行耐高壓的電阻值調(diào)整。
下面，簡(jiǎn)要說(shuō)明附圖。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例1的高壓用電阻的俯視圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的高壓用電阻的電阻值調(diào)整部的俯視圖。
圖3是已往的高壓用電阻的電阻值調(diào)整部的俯視圖。
圖中，1-基片；2-端子電極；3-電阻膜；3a-電阻值調(diào)整部；4-玻璃敷層；5-引線端子；7-調(diào)整槽。
實(shí)施例下面，按照?qǐng)D1及圖2說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例1的高壓用電阻。圖1是高壓用電阻的俯視圖、圖2是電阻值調(diào)整部的部分放大俯視圖。
本實(shí)施例的高壓用電阻具有由氧化鋁等的陶瓷構(gòu)成的矩形狀的絕緣性基片1。在基片1的兩端部形成將Ag系列導(dǎo)體漿料印刷·燒結(jié)形成的端子電極2、2，在端子電極2、2之間形成將以氧化釕為主體的電阻漿料印刷·燒結(jié)形成的電阻膜3，在電阻膜3的形成區(qū)域象覆蓋電阻膜3那樣，被覆玻璃敷層4，通過(guò)焊接等對(duì)端子電極2，2固定引線端子5、5。還有，玻璃敷層4是根據(jù)需要而形成的，所以也有不形成的場(chǎng)合。還有，通常是將基片1全體被覆外裝樹(shù)脂(省略圖示)。然后，該高壓用電阻通過(guò)可在短時(shí)間高精度調(diào)整電阻值的激光調(diào)整法，調(diào)整其電阻值。
電阻膜3是由窄幅呈蛇行狀的部分和大致呈矩形形狀的大面積的電阻值調(diào)整部構(gòu)成。在電阻值調(diào)整部3a通過(guò)激光調(diào)整直線狀去除電阻膜3形成多個(gè)(本實(shí)施例是4個(gè))為了調(diào)整電阻值所形成的調(diào)整槽7。各調(diào)整槽7是由玻璃敷層4形成基片1的基體。
在與基片1的短邊平行并且一端位于電阻膜3的非形成部，另一端位于在電阻膜3內(nèi)形成各調(diào)整槽7，它們的兩端由基片1的長(zhǎng)邊從同一位置開(kāi)始形成同樣的長(zhǎng)度。也就是說(shuō)，各調(diào)整槽7位于電阻膜3內(nèi)的一端均在同一條與調(diào)整槽7垂直的直線上。
該結(jié)構(gòu)是各自的一端與電阻膜內(nèi)的同一位置那樣直線狀形成多個(gè)通過(guò)激光調(diào)整形成的調(diào)整槽，由于特定的調(diào)整槽高電壓不集中增加，并且使各調(diào)整槽增加的電壓減少，能夠得到電阻值調(diào)整部的高絕緣性。
通過(guò)本實(shí)施例的高壓用電阻的激光調(diào)整的電阻值調(diào)整方法如下。首先，使端子電極2，2接觸電阻值測(cè)定用的測(cè)頭測(cè)定全部電阻值。接著如果由測(cè)定的電阻值設(shè)定調(diào)整數(shù)以及調(diào)整長(zhǎng)度，需要算出得到的電阻值。這時(shí)，調(diào)整數(shù)是按照電阻值調(diào)整部增加和設(shè)想的電壓以及激光調(diào)整裝置的調(diào)整幅度，預(yù)先設(shè)定其最小的數(shù)(2個(gè)以上)。然后，用算出的調(diào)整數(shù)以及調(diào)整長(zhǎng)度直線狀激光調(diào)整電阻膜3，對(duì)電阻膜3形成同樣長(zhǎng)度的多個(gè)調(diào)整槽7。設(shè)定激光調(diào)整的起始點(diǎn)位于由各基片1的一方的長(zhǎng)邊開(kāi)始不形成同一位置的電阻膜3部分的位置，設(shè)定其終點(diǎn)位于電阻膜3內(nèi)。還有，調(diào)整間的間距是按照預(yù)先設(shè)定的每個(gè)高壓用電阻的種類來(lái)調(diào)整的。
這樣，本實(shí)施例不是使用以往那樣的邊測(cè)定電阻值邊進(jìn)行調(diào)整，在電阻值達(dá)到規(guī)定值時(shí)結(jié)束調(diào)整的方法，而是在調(diào)整開(kāi)始之前測(cè)定其初始電阻值，根據(jù)該初始電阻值決定調(diào)整數(shù)以及調(diào)整長(zhǎng)度進(jìn)行激光調(diào)整。
還有，高壓用電阻的構(gòu)成，不僅限于上述實(shí)施例，例如也可構(gòu)成如下，形成了3個(gè)以上端子電極或增加上述實(shí)施例的電阻值調(diào)整部，對(duì)電阻膜的一部分形成梯子狀的短線，切斷該短線以粗略調(diào)整電阻值。
如以上說(shuō)明的那樣，如按照本發(fā)明的高壓用電阻，通過(guò)激光調(diào)整形成的調(diào)整槽是各自一端與電阻膜內(nèi)的調(diào)整槽呈垂直方向的同一線上那樣形成多個(gè)直線狀，在特定的調(diào)整槽高電壓不集中增加，并且使各調(diào)整槽增加的電壓減少，能夠得到電阻值調(diào)整部的高絕緣性。
并且，如按照本發(fā)明的高壓用電阻的電阻值調(diào)整方法，可使用在短時(shí)間高精度調(diào)整電阻值的激光調(diào)整法，進(jìn)行耐高壓的電阻值調(diào)整。
權(quán)利要求
1.一種高壓用電阻，包括基片和在所述基片上形成的電阻膜，其特征在于，由所述基片上的電阻膜的非形成部開(kāi)始覆蓋電阻膜，通過(guò)激光調(diào)整所形成的多個(gè)直線狀調(diào)整槽是平行的，并且形成位于電阻膜內(nèi)的一端使位于與調(diào)整槽互相垂直的一條直線上。
2.一種高壓用電阻的電阻值調(diào)整方法，包括基片和在所述基片上形成的電阻膜，其特征在于由所述基片上的電阻膜的非形成部開(kāi)始覆蓋電阻膜，通過(guò)激光調(diào)整，根據(jù)由初始電阻值算出的調(diào)整長(zhǎng)度用同樣的長(zhǎng)度形成多個(gè)調(diào)整槽。
全文摘要
一種高壓用電阻及其電阻值調(diào)整方法,由基片1上的電阻膜3的非形成部開(kāi)始覆蓋含有電阻值調(diào)整部3a的電阻膜3,通過(guò)激光調(diào)整直線狀去除電阻膜3,形成4個(gè)調(diào)整槽7。各調(diào)整槽7形成相同的長(zhǎng)度。該調(diào)整方法能夠在短時(shí)間高精度進(jìn)行電阻值調(diào)整,能夠在電阻值調(diào)整部得到高絕緣性。
文檔編號(hào)H01C7/00GK1262516SQ99126058
公開(kāi)日2000年8月9日 申請(qǐng)日期1999年12月14日 優(yōu)先權(quán)日1999年1月26日
發(fā)明者東茂樹(shù) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所