專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，特別涉及能有效地適用于兩半導(dǎo)體芯片一個疊置于一個上面并用樹脂模制的半導(dǎo)體器件的技術(shù)。
在構(gòu)成DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的半導(dǎo)體芯片用樹脂模制的半導(dǎo)體器件中，采用了能適于消除引線框架的管芯焊盤(也可稱為薄片)的大尺寸的半導(dǎo)體芯片的LOC(芯片上引線)結(jié)構(gòu)。采用LOC結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件已經(jīng)在例如日本專利特許公開No.2-246125/1990(于1990年10月1日特許公開)中公開了。
為了實(shí)現(xiàn)大容量，已經(jīng)研制了采用LOC結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，即構(gòu)成相同容量的DRAM的兩半導(dǎo)體芯片一個疊置在另一個上面并用相同樹脂模制。
上述半導(dǎo)體器件的構(gòu)成如下樹脂模(resin mould)；位于樹脂模內(nèi)并在電路形成表面上具有外部端子的兩半導(dǎo)體芯片，其中電路形成表面是前表面和后表面以外的前表面；從樹脂模的內(nèi)部延伸到外部的引線。兩半導(dǎo)體芯片以電路形成表面彼此相對的狀態(tài)，一個疊置在另一個上面。每個引線具有在樹脂模中在上和下方向上分支的兩分支引線。一個分支引線經(jīng)過絕緣膜被粘接并固定到一個半導(dǎo)體芯片的電路形成表面，并經(jīng)過電線電連接到電路形成表面的外部端子上。另一分支引線經(jīng)過絕緣膜被粘接并固定到另一半導(dǎo)體芯片的電路形成表面上，并經(jīng)過電線電連接到電路形成表面的外部端子上。
兩分支引線由分離部件構(gòu)成。一個分支引線引到樹脂模的外面并與以預(yù)定形狀形成的外部引線成一體，另一分支引線與該一個分支引線在樹脂模中連接并與之電氣和機(jī)械連接。也即，從樹脂模的內(nèi)部延伸到外部的引線由引到樹脂模外面的外部引線、與外部引線成一體的所述一個分支引線、和連接到所述一個分支引線的另一個分支引線構(gòu)成。
上述半導(dǎo)體器件已經(jīng)在例如日本專利特許公開7-58281/1995(于1995年3月3日特許公開)中公開了。
在上述半導(dǎo)體器件中，兩半導(dǎo)體芯片以電路形成表面彼此相對的狀態(tài)一個疊置在另一個上面。因此，在上和下方向上分支的兩分支引線在樹脂模中位于兩半導(dǎo)體芯片之間。兩分支引線通過電線連到彼此相對的表面(鍵合表面)，因此彼此隔開一段距離。所以兩半導(dǎo)體芯片之間間隙增加了對應(yīng)于兩分支引線之間的間隙(距離)的量，結(jié)果樹脂模的厚度增加了，并且半導(dǎo)體器件的厚度也增加了。
再者，兩分支引線位于兩半導(dǎo)體芯片之間。因此，相對于一個半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的寄生電容(芯片-引線電容)和相對于另一個半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的寄生電容(芯片-引線電容)被加到兩分支引線上。因而，增加的寄生電容被加到從樹脂模內(nèi)部延伸到外部的引線上，結(jié)果通過引線的信號傳播速度降低了，半導(dǎo)體器件的電特性降低了。
本發(fā)明的目的是提供能減少半導(dǎo)體器件厚度的技術(shù)。
本發(fā)明另一目的是提供能提高半導(dǎo)體器件電特性的技術(shù)。
通過對說明書和附圖的描述使本發(fā)明上述及其它目的、新的特點(diǎn)更明顯。
下面簡要說明本申請中公開的本發(fā)明的方案。(1)一種半導(dǎo)體器件包括樹脂模；兩半導(dǎo)體芯片，位于所述樹脂模內(nèi)部并具有形成在其前表面和后表面以外的前表面(電路形成表面)上的外部端子；和從所述樹脂模內(nèi)部延伸到外部的引線；其中，每個所述引線在至少所述樹脂模中被分支成兩條引線；所述一個分支引線固定到所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上，并電連接到其表面上的外部端子上；所述另一分支引線固定到所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上并電連接到其表面上的外部端子上；所述兩半導(dǎo)體芯片以它們的后表面彼此相對的方式一個疊置在另一個上面。
一個分支引線通過導(dǎo)線電連接到所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上的外部端子上，另一分支引線通過導(dǎo)線電連接到所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上的外部端子上。
而且，一個分支引線經(jīng)過絕緣膜或絕緣粘合劑被粘接并固定到所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上，另一分支引線經(jīng)過絕緣膜或絕緣粘合劑被粘接并固定到所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上。(2)在上面(1)中所述半導(dǎo)體器件中，兩半導(dǎo)體芯片的后表面彼此接觸。(3)在上面(1)中所述半導(dǎo)體器件中，一個分支引線的與所述一個半導(dǎo)體芯片的表面相對的一部分厚度比另一部分小，另一分支引線的與所述另一半導(dǎo)體芯片的表面相對的一部分厚度比另一部分小。(4)一種半導(dǎo)體器件包括樹脂模，兩半導(dǎo)體芯片，位于所述樹脂模內(nèi)部并具有形成在其前表面和后表面以外的前表面上的多個外部端子；和第一引線和第二引線，從所述樹脂模內(nèi)部延伸到外部；其中，所述兩半導(dǎo)體芯片以它們的后表面彼此相對的狀態(tài)，一個疊置在另一個上面；所述第一引線電連接到所述兩半導(dǎo)體芯片的外部端子上；所述第二引線電連接到所述兩半導(dǎo)體芯片之一的外部端子上；每個所述第一引線在所述樹脂模中分支成兩條引線；所述一個分支引線固定到所述兩個半導(dǎo)體芯片以外的所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上，并通過導(dǎo)線電連接到形成在其表面上的外部端子上；所述另一分支引線固定到所述兩半導(dǎo)體芯片以外的所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上，并通過導(dǎo)線電連接到形成在其表面上的外部端子上；所述第二引線固定到所述兩半導(dǎo)體芯片之一的表面上并通過所述樹脂模內(nèi)的導(dǎo)線電連接到形成在其表面上的外部端子上。
一個分支引線經(jīng)過絕緣膜或絕緣粘合劑粘接并固定到所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上，另一分支引線經(jīng)過絕緣膜或絕緣粘合劑粘接并固定到所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上，第二引線經(jīng)過絕緣膜或絕緣粘合劑粘接并固定到所述兩半導(dǎo)體芯片之一的表面上。
通過上述方案(1)，兩半導(dǎo)體芯片以它們的背面彼此相對的狀態(tài)一個疊置在另一個上。因此沒有分支引線存在于兩半導(dǎo)體芯片之間，兩半導(dǎo)體芯片之間的內(nèi)隙減小了，樹脂模的厚度也相應(yīng)減小了。這就使減小半導(dǎo)體器件的厚度成為可能。
除此之外，兩分支引線不存在于兩半導(dǎo)體芯片之間。因此，相對于另一半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的寄生電容能基本上從加到一個分支引線上的寄生電容(芯片-引線電容)被消除，相對于一個半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的寄生電容能基本上從加到另一分支引線上的寄生電容(芯片-引線電容)被消除。因而，加到從樹脂模內(nèi)部延伸到外部的引線上的寄生電容量減小了。這就使增加通過引線的信號傳播速度和提供半導(dǎo)體器件的電特性成為可能。
通過上述方案(2)，兩半導(dǎo)體芯片在它們的背面彼此接觸，兩半導(dǎo)體芯片之間沒有空隙。因此，樹脂模厚度減小了，從而使進(jìn)一步減小半導(dǎo)體器件厚度成為可能。
通過上述方案(3)，可以減少一個半導(dǎo)體芯片表面上的樹脂模的樹脂厚度，并可以減少另一半導(dǎo)體芯片表面上樹脂模的樹脂厚度。因此，樹脂模厚度相應(yīng)減小，半導(dǎo)體器件的厚度也進(jìn)一步減小了。
通過上述方案(4)，第二引線固定到兩半導(dǎo)體芯片之一的表面上并通過樹脂模中的導(dǎo)線電連接到形成在其表面上的外部端子上。因此，加到第二引線的寄生電容(芯片-引線電容)小于加到第一引線的寄生電容(芯片-引線電容)。因而，第二引線的信號傳播速度提高了，結(jié)果提高了半導(dǎo)體器件的電特性。


圖1是表示上部分從本發(fā)明實(shí)施例1的半導(dǎo)體器件的樹脂模去掉的狀態(tài)的平面圖；圖2是表示下部分從半導(dǎo)體器件的樹脂模中去掉的狀態(tài)的俯視圖；圖3是沿著圖1中線A-A截取的剖面圖；圖4是用在制造半導(dǎo)體器件工藝中的引線框架的平面圖；圖5是用在制造半導(dǎo)體器件工藝中的引線框架的平面圖；圖6是表明制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖7是主要部分的截面圖，用于表示制造半導(dǎo)體器件的方法；圖8是主要部分的透視圖，用于表示制造半導(dǎo)體器件的方法；圖9是安裝有半導(dǎo)體器件的電子裝置的平面圖；圖10是本發(fā)明實(shí)施例1的修改的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖11是表示上部分從本發(fā)明實(shí)施例2的半導(dǎo)體器件樹脂模去掉狀態(tài)的平面圖；圖12是表示下部分從半導(dǎo)體器件樹脂模去掉的狀態(tài)的俯視圖；圖13是沿著圖11中線B-B截取的截面圖；圖14是用在制造半導(dǎo)體器件工藝中的引線框架的平面圖；圖15是用在制造半導(dǎo)體器件工藝中的引線框架的平面圖；圖16是本發(fā)明實(shí)施例3的半導(dǎo)體器件截面圖；圖17是表示半導(dǎo)體器件主要部分的透視圖；圖18是表示在用制造半導(dǎo)體器件工藝中的引線框架的主要部分的平面圖；圖19是表示用在制造半導(dǎo)體器件工藝中的引線框架的主要部分的平面圖；圖20是表示上部分從本發(fā)明實(shí)施例4半導(dǎo)體器件的樹脂模中去掉狀態(tài)的平面圖；圖21是表示下部分從半導(dǎo)體器件樹脂模中去掉的狀態(tài)的俯視圖；圖22是沿圖20中線C-C截取的截面圖；圖23是沿圖20中線D-D截取的截面圖；圖24是半導(dǎo)體器件的方框圖；圖25是本發(fā)明實(shí)施例4修改的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的方框圖；圖26是本發(fā)明實(shí)施例4修改的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖27是本發(fā)明實(shí)施例5電子裝置的平面圖；圖28是上述電子裝置的截面圖。
下面參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。在表示本發(fā)明實(shí)施例的附圖中，具有相同功能的部分用相同參考標(biāo)記表示，并且它們的說明不再重復(fù)。實(shí)施例1在本例中，本發(fā)明適用于具有雙向引線排列結(jié)構(gòu)的TSOP(薄型小外廓封裝)型的半導(dǎo)體器件。
圖1是表示上部分從本發(fā)明實(shí)施例1半導(dǎo)體器件的樹脂模中去掉狀態(tài)的平面圖，圖2是表示下部分從半導(dǎo)體器件的樹脂模中去掉的狀態(tài)的俯視圖，圖3是沿圖1中線A-A截取的截面圖。
如圖1,2,3所示，本例的半導(dǎo)體器件10具有用樹脂8模制的且一個疊置在另一個上的兩半導(dǎo)體芯片1。兩半導(dǎo)體芯片1以它們的后表面彼此相對的方式一個疊置在另一個上。
兩半導(dǎo)體芯片1具有相同的外部尺寸。兩半導(dǎo)體芯片1具有例如矩形平面形狀，但它們不限于此。
兩半導(dǎo)體芯片1每個主要由單晶硅的半導(dǎo)體襯底和形成在前和后表面以外的前表面上的多層布線層構(gòu)成。構(gòu)成例如64兆位的DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)作為兩半導(dǎo)體芯片1的每個中的存儲器電路系統(tǒng)。
在電路形成表面1A1的中心部分形成多個外部端子BP(鍵合焊盤)，其中電路形成表面1A1是沿著其矩形的長邊兩半導(dǎo)體芯片1以外的一個半導(dǎo)體芯片1A的前表面(見圖1)。在半導(dǎo)體芯片1A的多重布線層中最上層布線層上形成多個外部端子BP。最上層布線層用形成在其上表面上的表面保護(hù)膜(最后保護(hù)膜)覆蓋。在表面保護(hù)膜中形成鍵合開口，以便暴露外部端子BP的表面。
多個外部端子BP形成在是沿著其矩形的長邊兩半導(dǎo)體芯片以外的另一半導(dǎo)體芯片1B的前表面的電路形成表面1B1的中心部分(見圖2)。該多個外部端子BP形成在半導(dǎo)體芯片1B的多重布線層中最上層布線層上。最上層布線層用形成在其上表面上的表面保護(hù)膜(最后保護(hù)膜)覆蓋。在表面保護(hù)膜中形成鍵合開口，以便暴露外部端子BP的表面。
形成在一個半導(dǎo)體芯片1A中的DRAM的電路圖形與形成在另一半導(dǎo)體芯片1B中的DRAM的電路圖形相同。而且，形成在一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上的外部端子BP排列圖形與形成在另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上的外部端子BP排列圖形相同。即，兩半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)相同。
雖然沒有特別限制，但是樹脂模8是例如矩形平面形狀。沿著其長邊在樹脂模8的兩相對長邊的外邊上設(shè)置多個引線2。多個引線2從樹脂模8內(nèi)部延伸到外部。圖1中所示右側(cè)一組引線對應(yīng)于圖2中所示左側(cè)一組引線，圖1中所示左側(cè)一組引線對應(yīng)圖2中右側(cè)一組引線。
端子名稱給了多個引線2。端子Vcc是固定到電源電位(例如5V)的電源電位端。端子Vss是固定到參考電位(例如0V)的參考電位端。IO/0A端子、IO/0B端子、IO/1A端子、IO/1B端子、IO/2A端子、IO/2B端子、IO/3A端子和IO/3B端子是數(shù)據(jù)輸入/輸出端。端子Q0到端子A12是地址輸入信號。端子RAS是行地址選通端。端子CAS是列地址選通端。端子WE是讀/寫允許端。端子OE是輸出允許端。端子NC是自由端。
在上述多個引線2當(dāng)中，作為地址輸入端的引線2、作為行地址選通端的引線2、作為列地址選通端的引線2、作為讀/寫允許端的引線2和作為輸出允許端的引線2在樹脂模8中在上和下方向芯片被疊置的方向被分支，并彎曲以具有兩分支引線(3A,4A)。一個分支引線3A經(jīng)過絕緣膜6粘接并固定到一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上，并經(jīng)過導(dǎo)線7電連接到電路形成表面1A1的外部端子BP上。另一分支引線4A經(jīng)過絕緣膜6粘接并固定到另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上，并經(jīng)過導(dǎo)線7電連接到電路形成表面1B1的外部端子BP上。
也就是，作為地址輸入端的引線2、作為行地址選通端的引線2、作為列地址選通端的引線2、作為讀/寫允許端的引線2、和作為輸出允許端的引線2電連接到兩半導(dǎo)體芯片1的各個外部端子BP上。
在多個引線2中，作為電源電位端的引線2和作為參考電位端的引線2在樹脂模8中在上和下方向(芯片疊置在其中)被分支并彎曲以具有兩分支引線(3A,4A)。
一個分支引線3A在外部端子BP排列的方向上在半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上延伸，并與設(shè)置在另一分支引線3A的端部和外部端子BP之間的母線引線5結(jié)合在一起。母線引線5與經(jīng)過絕緣膜6粘接并固定到半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1的固定引線成一體，并且固定引線經(jīng)過導(dǎo)線7電連接到半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP上。
另一分支引線4A在外部端子BP排列的方向在半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上延伸，并與設(shè)置在另一分支引線4A的端部和外部端子BP之間的母線引線5結(jié)合在一起。母線引線5與經(jīng)過絕緣膜6粘接并固定到半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上的固定引線成一體，并且固定引線經(jīng)過導(dǎo)線7電連接到半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP上。
也就是，作為電源電勢端的引線2和作為參考電位端的引線2分別與兩半導(dǎo)體芯片1的外部端子電連接。
另外，所構(gòu)成的本例的半導(dǎo)體器件10具有具有LOC(芯片上引線)結(jié)構(gòu)，在其中，分支引線3A和母線引線5設(shè)置在半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上，分支引線4A和母線引線5設(shè)置在半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上。
在作為數(shù)據(jù)輸入/輸出端的引線2中，作為端子IO/0A、IO/1A、IO/2A、IO/3A的引線2被彎曲以在樹脂模8中具有分支引線3A。分支引線3A經(jīng)過絕緣膜6粘接并固定到半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上，并經(jīng)過電線7電連接到電路形成表面1A1的外部端子BP上。即，作為端子IO/0A,IO/1A,IO/2A和IO/3A的引線2沒有與半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP電連接。
在作為數(shù)據(jù)輸入/輸出端的引線2中，作為端子IO/0B,IO/1B,IO/2B和IO/3B的引線2被彎曲以在樹脂模8中具有分支引線4A。分支引線4A經(jīng)過絕緣膜6粘接并固定到半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上，并經(jīng)過導(dǎo)線7電連接到電路形成表面1B1的外部端子BP上。即，作為端子IO/0B,IO/1B,IO/2B和IO/3B的引線2沒有與半導(dǎo)體芯片1A的外部端子電連接。
參照圖3，一個分支引線3A由第一部分3A1、第二部分3A2和第三部分3A3構(gòu)成，其中第一部分3A1橫過一半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1的一邊并在一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上延伸，第二部分3A2從第一部分3A1彎向一個半導(dǎo)體芯片1A的后表面一邊，第三部分3A3從第二部分3A2彎向一個半導(dǎo)體芯片1A的外側(cè)。第一部分3A1經(jīng)過絕緣膜6粘接并固定到半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上。第一部分3A1的端部設(shè)置在形成在半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1的中心部分上的外部端子BP的附近。導(dǎo)線7與第一部分3A1的端部連接。
另一分支引線4A由第一部分4A1、第二部分4A2、和第三部分4A3構(gòu)成，其中，第一部分4A1橫過另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1的一邊并在另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上延伸，第二部分4A2從第一部分4A1彎向另一半導(dǎo)體芯片1B的后表面一邊，第三部分4A3從第二部分4A2如此彎曲以便使一個分支引線3A的第三部分3A3疊在其上。第一部分4A1經(jīng)過絕緣膜6粘接并固定到半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上。第一部分4A1的端部設(shè)置在形成在半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1中心部分上的外部端子BP附近。導(dǎo)線7與第一部分4A1的端部連接。
分支引線3A的第三部分3A1與從樹脂模8導(dǎo)入外邊的外部引線3B結(jié)合。外部引線3B形成表面安裝形狀，即鷗翼形狀。分支引線4A的第三部分4A3在其端部Y連接到外部引線3B的根部3B1，并與之電氣和機(jī)械連接。即，兩分支引線(3A,4A)由分離部件構(gòu)成。
雖然沒有特別限制，但分支引線4A的第三部分4A3的端部通過例如利用激光光束的接縫焊接連接到外部引線3B的根部3B1，這是為了增加接合強(qiáng)度。在本例中，接縫焊接是在已經(jīng)形成樹脂模8之后進(jìn)行的。
外部引線3B如此彎曲以使與根部3B1連續(xù)的引線部分位于另一分支引線4A一側(cè)上。
所使用的絕緣膜6是由例如通過在聚酰亞胺樹脂的樹脂襯底兩表面(前表面和后表面)上形成聚酰亞胺樹脂的粘合層得到的絕緣膜制成的。作為導(dǎo)線7，所使用的是由金(Au)導(dǎo)線制成的。而且，導(dǎo)線7通過，例如使用超聲波振動的熱壓鍵合被鍵合。
支撐引線9A設(shè)置在半導(dǎo)體芯片1A的兩相對短邊的外側(cè)上的樹脂模8中。支撐引線9B設(shè)置在半導(dǎo)體芯片1B的兩相對短邊的外側(cè)上的樹脂模8中。在制造半導(dǎo)體器件10的工藝中，支撐引線9A和9B是用于通過引線框架支撐樹脂模8的。
為減小應(yīng)力，樹脂模8是由例如其中加有酚(phenol)固化劑、硅橡膠和填加劑的聯(lián)苯樹脂(biphenyl resin)形成。樹脂模8是通過適于大批生產(chǎn)的傳送模制方法形成的。傳送模制方法使用配備有容器(pot)、流道、澆口和模腔的金屬模，并通過加壓將樹脂從容器經(jīng)過流通和澆口注入模腔內(nèi)而形成樹脂模。
在半導(dǎo)體器件10中，一個分支引線3A通過絕緣膜6粘接和固定到一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面上，另一分支引線4A通過絕緣膜6粘接和固定到另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上。另外，一個半導(dǎo)體芯片1A和另一半導(dǎo)體芯片1B以它們的指向彼此相對的狀態(tài)一個疊置在另一個上。因此，分支引線(3A,4A)不存在于兩半導(dǎo)體芯片1之間，從而可以減小兩半導(dǎo)體芯片1之間的間隙，并因此減小了樹脂模8的厚度。
由于兩分支引線(3A,4A)不存在于兩半導(dǎo)體芯片1之間，則相對于另一半導(dǎo)體芯片1B產(chǎn)生的寄生電容基本上從加到另一分支引線3A的寄生電容(芯片-引線電容)中被消除了，相對于一個半導(dǎo)體芯片1A產(chǎn)生的寄生電容基本上從加到另一分支引線4A上的寄生電容(芯片-引線電容)中被消除了。因而，加到在樹脂模8中分支的引線2、通過絕緣膜6粘接并固定到一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上的一個分支引線3A，和通過絕緣膜6粘接并固定到另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上的另一分支引線4A上的寄生電容減小了。
而且，一個半導(dǎo)體芯片1A和另一半導(dǎo)體芯片1B以它們的背面彼此接觸的狀態(tài)一個疊置在另一個上。因此，在兩半導(dǎo)體芯片1之間無間隙，并且樹脂模8的厚度也相應(yīng)地進(jìn)一步減小了。
下面說明在制造半導(dǎo)體器件10中使用的引線框架的結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體器件10是使用圖4(平面圖)中所示引線框架LF1和圖5(平面圖)中所示引線框架LF2制造的。
參照圖4，引線框架LF1包括設(shè)置在由框架12確定的區(qū)域中的多個引線3，四個母線引線5和兩支撐引線9A。多條引線3被分成兩組引線。一組的引線3設(shè)置在與半導(dǎo)體芯片(1A)的一個長邊相對的框架12的延伸的方向上，并與框架12成一體。另一組的引線3設(shè)置在與半導(dǎo)體芯片(1A)的另一長邊相對的框架12的延伸的方向上，并與框架12成一體。四條母線引線5在半導(dǎo)體芯片(1A)的長邊方向上延伸，并與設(shè)置在引線分布的第一級(stage)、中間級和最后級的引線3結(jié)合在一起。兩支撐引線9A與對著半導(dǎo)體芯片(1A)的短邊的框架12結(jié)合在一起。
多條引線3是由用樹脂8模制的內(nèi)部引線和導(dǎo)向樹脂模(8)外邊的外部引線構(gòu)成的，并通過連桿(tie bars)11連接在一起。在多條引線3中，大部分引線3都是作為分支引線3A構(gòu)成的。每個分支引線3A是以與圖3中所示相同方法構(gòu)成的，即由第一部分3A1、第二部分3A2，第三部分3A3構(gòu)成。分支引線3A如此彎曲以使第一部分3A1橫過半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1，并位于半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面上，而且第三部分3A3的后表面如此設(shè)置，以便與半導(dǎo)體芯片1A的后表面齊平。
引線框架LF1是由以下方法形成的通過處理，例如鐵(Fe)-鎳(Ni)合金或銅(Cu)或銅合金的平板，以腐蝕或沖壓成形，以便形成預(yù)定引線圖形，然后對引線3的內(nèi)部引線部分進(jìn)行沖壓成形。
絕緣膜6粘附到分支引線3A的第一部分3A1的后表面上。另外，母線引線5與固定到半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面的固定引線結(jié)合起來，并且絕緣膜6粘附到固定引線的后表面上。
參見圖5，引線框架LF2包括設(shè)置在由框架12確定的區(qū)域中的多條引線4、四母線引線5和兩支撐引線9B。多條引線4被分成兩組引線。一組引線4設(shè)置在與半導(dǎo)體芯片(1B)的一個長邊相對的框架12延伸的方向上。另一組引線4設(shè)置在與半導(dǎo)體芯片(1B)的另一長邊相對的框架12延伸的方向上。四條母線引線5在半導(dǎo)體芯片(1B)的長邊的向上延伸，并與設(shè)置在引線布置的第一級、中間級和最后級上的引線4結(jié)合起來。兩支撐引線9B與對著半導(dǎo)體芯片(1B)的短邊的框架12結(jié)合起來。
多條引線4是由用樹脂8模制的內(nèi)部引線和導(dǎo)向樹脂模8外邊的外部引線構(gòu)成的，并通過連桿11連接在一起。多條引線4通過連桿11與框架12結(jié)合起來。
多條引線4的外部引線以不具有超出連桿11以外的前端部分的形狀形成，并且比上述引線3的外部引線3B短。在多條引線4中，大多數(shù)引線4是作為分支引線4A構(gòu)成的。每個分支引線4A以與圖3中所示的相同方式構(gòu)成，即由第一部分4A1，第二部分4A2，第三部分4A3構(gòu)成。分支引線4A彎曲得使第一部分4A1橫過半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1并位于半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上，第三部分3B3的后表面設(shè)置成與半導(dǎo)體芯片1B的后表面齊平。
引線框架LF2的形成如下通過處理，例如鐵(Fe)-鎳(Ni)合金或銅(Cu)或銅合金的平板，以腐蝕或沖壓成型，以便形成預(yù)定引線圖形，然后對引線4的內(nèi)部引線部分進(jìn)行沖壓成型。
絕緣膜6粘附到分支引線4A第一部分4A1的后表面上。另外，母線引線5與固定到半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面上的固定引線結(jié)合起來，并且絕緣膜6粘附到固定引線的后表面。
在半導(dǎo)體芯片的外部端子和引線通過導(dǎo)線連接在一起后，引線框架LF1和LF2以后表面彼此配合的狀態(tài)使用，這將在后面詳細(xì)描述。因此，圖4中左邊上的引線3設(shè)置得使連桿附近的部分(疊加部分)疊加在圖5中右邊引線4的連桿附近的部分(疊加部分)上，圖4右邊的引線3設(shè)置得使連桿附近的部分(疊加部分)疊加在圖5中左邊引線4的連桿附近的部分上。
下面將參照圖6(截面圖)、圖7(主要部分的截面圖)和圖8(主要部分的透視圖)說明制造半導(dǎo)體器件10的方法。
首先，制備相同結(jié)構(gòu)的兩半導(dǎo)體芯片(1A,1B)1，制備圖4中所示的引線框架LF1和圖5中所示的引線框架LF2。
接著，一個半導(dǎo)體芯片1A固定到引線框架LF1上，另一半導(dǎo)體芯片1B固定到引線框架LF2。半導(dǎo)體芯片1A通過用絕緣膜6將作為引線3的內(nèi)部引線的分支引線3A和與母線引線5成一體的固定引線粘接和固定到電路形成表面1A1上而固定到引線框架LF1上，該表面是半導(dǎo)體芯片1A的前表面和后表面以外的前表面。半導(dǎo)體芯片1B通過用絕緣膜6將作為引線4的內(nèi)部引線的分支引線4A第一部分4A1和與母線引線5成一體的固定引線粘接和固定到電路形成表面1B1上而固定到引線框架LF2上，其中電路形成表面1B1是半導(dǎo)體芯片1B的前表面和后表面以外的前表面。
在本步驟中，半導(dǎo)體芯片1A通過將分支引線3A的第一部分3A1和母線分支引線5的固定引線粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面上而固定到引線框架LF1上。因此，半導(dǎo)體芯片1A由引線框架LF1穩(wěn)固地固定。而且，半導(dǎo)體芯片1B通過將分支引線4A的第一部分4A1和母線引線5的固定引線粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上而固定到引線框架LF2上。因此，半導(dǎo)體芯片1B由引線框架LF2穩(wěn)固地固定。
接著，在引線框架LF1中，半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP通過導(dǎo)線7電連接到分支引線3A的第一部分3A1的端部和母線引線5的固定引線。在引線框架LF2中，半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP通過導(dǎo)線7電連接到分支引線4A第一部分4A1的端部和母線引線5的固定引線。作為導(dǎo)線7，使用的是由例如金(Au)導(dǎo)線制成。導(dǎo)線通過例如使用超聲振動的熱壓鍵合被鍵合。
在本步驟中，引線框架LF1的引線3彎曲得使內(nèi)部引線的分支引線3A的第一部分3A1設(shè)置在半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面上，并且內(nèi)部引線的分支引線3A的第三部分3A3與半導(dǎo)體芯片1A的后表面齊平。如圖6(A)所示，因此，半導(dǎo)體芯片1A的后表面和分支引線3A第三部分3A3的后表面能夠通過加熱階段(heat stage)HS進(jìn)行直接接觸。因而，加熱階段HS的熱量有效地傳送到半導(dǎo)體芯片1A并到分支引線3A，使半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP通過導(dǎo)線7可靠地連接到引線框架LF1的引線3。
在本步驟中，引線框架LF2的引線4彎曲以使內(nèi)部引線的分支引線4A的第一部分4A1位于半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面上并且內(nèi)部引線的分支引線4A的第三部分4A3的后表面與半導(dǎo)體芯片1B的后表面齊平。因此，如圖6(B)所示，半導(dǎo)體芯片1B的后表面和分支引線3B的第三部分的后表面能夠通過加熱階段HS進(jìn)行直接接觸。因而，加熱階段HS的熱量有效地傳送到半導(dǎo)體芯片1B并到分支引線3B，使半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP通過導(dǎo)線7可靠地連接到引線4上。
另外，在本步驟中，分支引線3A的第一部分3A1的端部設(shè)置在半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1中部的外部端子BP附近。因此，與在設(shè)置在半導(dǎo)體芯片外邊的引線的端部通過導(dǎo)線7與形成在半導(dǎo)體芯片電路形成表面中部的外部端子相連接時的情況相比，導(dǎo)線7的長度縮短了。
另外，在本步驟中，分支引線4A第一部分4A1的端部設(shè)置在形成在半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1中部的外部端子BP附近。因此，與在設(shè)置在半導(dǎo)體芯片外邊上的引線端部通過導(dǎo)線與形成在半導(dǎo)體芯片的電路形成表面中部的外部端子相連接的情況相比，導(dǎo)線7的長度縮短了。
半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP通過跳過母線引線5的導(dǎo)線7連接到分支引線3A。
另外，半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP通過跳過母線引線5的導(dǎo)線7連接到分支引線4A上。
半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP通過導(dǎo)線7利用以導(dǎo)線7相對于半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP與分支引線4A的連接橫向翻轉(zhuǎn)(reversed)的方式的反向鍵合連接到分支引線3A上。
然后，引線框架LF1和LF2的后表面彼此配合，以使一個半導(dǎo)體芯片1A和另一半導(dǎo)體芯片1B的后表面彼此配合。在本例中，一個半導(dǎo)體芯片1A和另一半導(dǎo)體芯片1B的后表面彼此接觸。由于分支引線4A(引線4)和分支引線3A(引線3)的有彈性的作用力，半導(dǎo)體芯片1A和半導(dǎo)體芯片1B的后表面保持彼此接觸。另外，在本例中，引線4的外部引線3B比引線3的外部引線3B短。因此，外部引線3B的后表面(鄰接表面)暴露在分支引線4A的第三部分4A3的端部Y以外。
參見圖7，引線框架LF1和LF2以引線框架LF1和LF2一個疊在另一個上的狀態(tài)，設(shè)置在模(mold)20的上模(top force)20A和下模20B之間。半導(dǎo)體芯片1A、半導(dǎo)體芯片1B、分支引線3A、分支引線4A、支撐引線9A、9B和導(dǎo)線7設(shè)置在由模20的上模20A和下模20B形成的腔21內(nèi)。在本步驟中，分支引線4A第三部分4A3的端部Y設(shè)置在腔21的外邊。
然后，樹脂在壓力下從模20的容器通過流道和澆口注入到腔21中，由此形成樹脂模8。在本步驟中，與設(shè)置在半導(dǎo)體芯片外邊上的引線的端部通過導(dǎo)線連接到在半導(dǎo)體芯片的電路形成表面中部形成的外部端子上時的情況相比，導(dǎo)線7的長度已經(jīng)縮短了。因此，即使在壓力下注入樹脂，也能抑制引線變形。而且，半導(dǎo)體芯片1A由引線框架LF1穩(wěn)固地固定，半導(dǎo)體芯片LF2由引線框架LF2穩(wěn)固地固定。因此，即使在壓力下將樹脂注入腔21也能防止兩半導(dǎo)體芯片1的位置偏離。
另外，在本步驟中，兩引線框架(LF1,LF2)以它們的后表面彼此配合的狀態(tài)由樹脂8固定。
然后，從模20中取出引線框架LF1、LF2，如圖8所示，由此暴露的分支引線4A第三部分4A3的端部Y和外部端子3B的根部連在一起。這種接合是通過，例如使用激光光束的接縫焊接進(jìn)行的。
接著，切掉與引線4連接的連桿11和與引線3連接的連桿11。此時，引線4，即分支引線4A從引線框架LF2的框架12分離出來。
然后，進(jìn)行鍍敷，并從引線框架LF1的框架12切掉引線3。之后，引線3的外部引線3B形成表面安裝形狀，即形成鷗翼形狀。外部端子3B彎曲以使與根部(3B1)連續(xù)的引線部分位于分支引線4A一側(cè)上。
然后從引線框架LF1的框架12切掉支撐引線9A，從引線框架LF2的框架12切掉支撐引線9B。接著，形成具有在樹脂模8中在上和下方向上分支且從樹脂模8內(nèi)部延伸到外部的兩分支引線(3A,4A)。進(jìn)一步形成了如圖1,2和3中所示的半導(dǎo)體器件10。
在安裝襯底16上安裝多個如此構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，作為構(gòu)成電路系統(tǒng)的電子裝置15的元件，如圖9所示(平面圖)。
通過上述的實(shí)施例，得到如下效果。(1)兩半導(dǎo)體芯片以它們的后表面彼此相對的狀態(tài)，一個疊置在另一個上，并且在兩半導(dǎo)體芯片1之間不存在分支引線(3A,3B)。因此，兩半導(dǎo)體芯片1之間的間隙減小了，樹脂模8的厚度也相應(yīng)減小了。因此可以減小半導(dǎo)體器件10的厚度。
而且，在兩半導(dǎo)體芯片1之間不存在兩分支引線(3A,4A)。因此，相對于另一半導(dǎo)體芯片1B產(chǎn)生的寄生電容基本上從加到一個分支引線3A上的寄生電容(芯片-引線電容)被消除了，而相對于一個半導(dǎo)體芯片1A產(chǎn)生的寄生電容基本上從加到另一引線4A的寄生電容(芯片-引線電容)被消除了。因此，加到在樹脂模8中分支的引線、通過絕緣膜6粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1A的表面上的一個分支引線3A和通過絕緣膜6粘接并固定到另一半導(dǎo)體芯片1B的表面上的另一分支引線3B上的寄生電容減小了。因而，引線2的信號傳播速度增加了，半導(dǎo)體器件10的電特性提高了。在外部端子BP設(shè)置在其表面上的中部的半導(dǎo)體芯片1的情況下，分支引線或引線2的端部必須接近于半導(dǎo)體芯片1的中部延伸，結(jié)果引線2與半導(dǎo)體芯片1的表面相對的面積增加了。因此，在采用LOC結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件10中，兩半導(dǎo)體芯片1以兩半導(dǎo)體芯片1的后表面彼此相對的狀態(tài)一個疊置在另一個上是很重要的。(2)用于一個半導(dǎo)體芯片1A和另一半導(dǎo)體芯片以其后表面彼此接觸的狀態(tài)一個疊置在另一個上，在兩半導(dǎo)體芯片1之間不存在間隙，并且樹脂模8的厚度也相應(yīng)地進(jìn)一步減小了。結(jié)果，半導(dǎo)體器件10的厚度也進(jìn)一步減小了。(3)引線2具有在樹脂模8中在上和下方向分支的兩分支引線(3A,4A)，一個分支引線3A是由第一部分3A1、第二部分3A2，和第三部分3A3構(gòu)成的，其中，第一部分3A1在一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面上延伸橫過其一個邊并且導(dǎo)線7與之連接，第二部分3A2從第一部分3A1彎向一個半導(dǎo)體芯片1A的后表面，第三部分3A3從第二部分3A2彎向一個半導(dǎo)體芯片1A的外邊，另一分支引線4A是由第一部分3B1、第二部分3B2和第三部分3B3構(gòu)成的，其中，第一部分3B1在另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面上延伸橫過其一個邊并且導(dǎo)線7與之連接，第二部分3B2從第一部分3B1彎向另一半導(dǎo)體芯片1B的后表面上，第三部分3B3從第二部分3B2彎曲以便疊加在一個分支引線3A的第三部分3A3上。一個分支引線3A的第三部分3A3與導(dǎo)向樹脂模8外邊的外部引線3B結(jié)構(gòu)起來，另一分支引線4A的第三部分4A3在其端部Y連接到外部引線3B的根部。因此可以將引線2電連接到以其后表面彼此相對的狀態(tài)一個疊置在另一個上的兩半導(dǎo)體芯片1的外部端子BP上。(4)外部引線3B具有與根部3B1連續(xù)并彎向另一分支引線4A的引線部分，這就可以抑制分支引線4A第三部分4A3的端部Y與外部引線3B的根部3B1連接的接合部分變壞。(5)一個分支引線3A的第一部分3A1的端部設(shè)置在形成在一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面中部的外部端子BP附近，另一分支引線4A的第一部分的端部設(shè)置在形成在另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面中部的外部端子附近。因此，與在設(shè)置在半導(dǎo)體芯片外邊上的引線端部通過導(dǎo)線與形成在半導(dǎo)體芯片的電路形成表面中部的外部端子相連接時的情況相比，導(dǎo)線7的長度可以縮短了。在通過壓力下將樹脂注入模20的腔21中形成樹脂模8的時候，雖然在壓力下注入樹脂但還是防止了導(dǎo)線的變形。這就防止了相互鄰接的導(dǎo)線7短路，從而能以高生產(chǎn)率生產(chǎn)半導(dǎo)體器件10。(6)在制造半導(dǎo)體器件10的工藝中，通過將分支引線3A的第一部分3A1和母線引線5的固定引線粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面上，而將半導(dǎo)體芯片1A固定到引線框架LF1上。因此，半導(dǎo)體芯片1A由引線框架LF1穩(wěn)定地固定。另外，通過將分支引線4A的第一部分4A1和母線引線5的固定引線粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面上而將半導(dǎo)體芯片1B固定到引線框架LF2上。因此，半導(dǎo)體芯片1B由引線框架LF2穩(wěn)固地固定。結(jié)果，可以在鍵合步驟中防止半導(dǎo)體芯片的位置偏離，并在引線框架運(yùn)輸時防止半導(dǎo)體芯片脫落，這就使以高生產(chǎn)率生產(chǎn)半導(dǎo)體器件10成為可能。(7)通過將半導(dǎo)體器件10安裝在電子裝置15的安裝襯底上，在不增加安裝襯底16面積的情況下，可以使電子裝置15的存儲器容量增加一倍。
雖然上述實(shí)施例涉及分支引線4A的第三部分4A3連接到外部引線3B的根部3B1的例子，但是如圖10中所示(截面圖)，也可以將分支引線4A的第三部分4A3的端部Y在樹脂模中連接到分支引線3A的第三部分3A3。在此情況下，在鍵合導(dǎo)線的步驟之后，分支引線3A的第三部分3A3和分支引線4A的第三部分4A3一個疊加在另一個上，切除連桿的邊的部分以使分支引線4A的第三部分4A3比分支引線3A的第三部分3A3短，然后，在形成樹脂模8的步驟之前，分支引線4A的第三部分4A3的端部連接到分支引線3A的第三部分3A3上。如上所述，在樹脂模8中分支引線4A的第三部分4A3的端部連接到分支引線3A的第三部分3A3上。即，分支引線4A的第三部分4A3的端部存在于樹脂模8中，這就可以減少樹脂模8和從樹脂模8導(dǎo)出的引線2之間的界面區(qū)域，并因此減小了濕度路徑的面積。因而，增強(qiáng)了半導(dǎo)體器件20的抗?jié)裥浴?br> 本實(shí)施例涉及的是分支引線3A和分支引線4A通過絕緣膜6粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1A和半導(dǎo)體芯片1B的表面上的例子。但是，分支引線3A和4A可以使用絕緣粘合劑粘接和固定。在此情況下，半導(dǎo)體芯片1A表面和分支引線3A之間以及半導(dǎo)體芯片1B表面和分支引線4A之間的間隙減小了。因而樹脂模8厚度相應(yīng)減小了，半導(dǎo)體器件10的厚度也進(jìn)一步減小了。
本實(shí)例涉及的是在形成樹脂模8之后引線框架LF1的外部引線3B和引線框架LF2的分支引線4A連接在一起的情況的例子。但是，可以在鍵合導(dǎo)線的步驟之后進(jìn)行連接。在此情況下，在鍵合導(dǎo)線的步驟之后很容易運(yùn)輸引線框架。
另外，本實(shí)例涉及兩半導(dǎo)體芯片1的后表面彼此接觸的例子。但是，兩半導(dǎo)體芯片1的后表面可以用粘合劑粘接和固定在一起。此時，由于兩半導(dǎo)體芯片彼此固定，所以在生產(chǎn)過程中很容易運(yùn)輸引線框架。實(shí)施例2圖11是表示上部分從本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件樹脂模去掉的狀態(tài)的平面圖，圖12是表示下部分從半導(dǎo)體器件的樹脂模去掉的狀態(tài)的俯視圖，圖13是沿著圖11中線B-B截取的截面圖。
如圖11,12和13所示，本例的半導(dǎo)體器件30具有與上述實(shí)施例1的接近相同的結(jié)構(gòu)。本例的結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例不同的地方如下。即，分支引線3A的末端面對(tip facing portion)部分，面對半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1，具有比其它部分小的厚度。除此之外，與分支引線3A集成的母線引線5具有類似于面對芯片的分支引線3A的末端面對部分的減小了的厚度。另外，面對半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1的分支引線4B的末端面對部分具有比其它部分小的厚度。而且，與分支引線4A集成的母線引線5具有類似于分支引線4A的末端面對部分的減小了的厚度。
另外，本例不同于上述實(shí)施例1后的地方是母線引線5的位置偏移(offset)，從而使半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1和母線引線與之間的間隙比半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1和分支引線3A之間的間隙小了。而且，母線引線5的位置偏移，使半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1和母線引線5之間的間隙比半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1和分支引線4A之間的間隙小了。
面對芯片的分支引線3A的厚度和與分支引線3A集成的母線引線5的厚度通過將其后表面在引線框架階段半腐蝕而減小了。圖14是用在制造本例的半導(dǎo)體器件的工藝中的引線框架的平面圖，其中進(jìn)行半腐蝕的引線部分用點(diǎn)表示。
面對芯片的分支引線4A厚度和與分支引線4A集成的母線引線5厚度通過在引線框架階段將其后表面半腐蝕而減小了。圖15是用在制造本例半導(dǎo)體器件30的工藝中的引線框架的平面圖，其中進(jìn)行半腐蝕的引線部分用點(diǎn)表示。
通過彎曲分支引線3A和母線引線5結(jié)合在一起的部分和彎曲母線引線5和與其結(jié)合在一起的固定引線結(jié)合在一起的部分而將與分支引線3A結(jié)合的母線引線5偏離。另外，通過彎曲分支引線4A和母線引線5結(jié)合在一起的部分和彎曲母線引線5和與之結(jié)合的固定引線結(jié)合在一起的部分而將與分支線4A結(jié)合的母線引線5偏移。彎曲是在上述半腐蝕之后進(jìn)行的。
為了防止半導(dǎo)體芯片1A的端部和分支引線3A之間短路和防止半導(dǎo)體芯片1B的端部和分支引線4A之間短路，分支引線3A和4A被半腐蝕，以使用半腐蝕形成的步驟可以位于半導(dǎo)體芯片1A和1B的端部外邊。
在上述本例的半導(dǎo)體器件30中，分支引線3A和4A的后表面被半腐蝕，分支引線3A的末端面對部分，面對半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1，其厚度與其它部分相比減小了，面對分支引線4A的部分，面對半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1末端厚度與其它部分相比減小了，這是為了減小半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上的樹脂模8的厚度和減小半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上的樹脂模厚度。因此可以減小樹脂模8的厚度。結(jié)果，半導(dǎo)體器件30的厚度進(jìn)一步減小了。
另外，母線引線5的位置偏離了，從而使半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1和母線引線5之間的間隙小于半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1和分支引線3A之間的間隙，除此之外，母線引線5的位置偏離了，使半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1和母線引線5之間的間隙小于半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1和分支引線4A之間的間隙。因而，母線引線5的表面(上表面)位置降低了，因此跳過母線引線5的導(dǎo)線7的環(huán)路的高度降低了，從而使樹脂模8的厚度減小了。結(jié)果，半導(dǎo)體器件的厚度也能進(jìn)一步減小了。
與分支引線3A結(jié)合的母線引線5和與分支引線4A結(jié)合的母線引線5的后表面(下表面)被進(jìn)行半腐蝕，以減小母線引線5的厚度，因此增加了母線引線5的偏離量。相應(yīng)地，母線引線5的位置進(jìn)一步下降了，跳過母線引線5的導(dǎo)線7的環(huán)路的高度下降了，因此半導(dǎo)體器件30的厚度進(jìn)一步減小了。
雖然本實(shí)施例是分支引線(3A,4A)的后表面和母線引線5的后表面被進(jìn)行了半腐蝕的例子，但是也將分支引線(3A,4A)的前表面和母線引線5的前表面進(jìn)行半腐蝕。
此外，雖然本例是將分支引線(3A,4A)的后表面和母線引線的后表面半腐蝕的例子，但是腐蝕不僅限于半腐蝕。實(shí)施例3圖16是本發(fā)明實(shí)施例3的半導(dǎo)體器件的截面圖，圖17是表示半導(dǎo)體器件主要部分的透視圖。
參見圖16和17，本例的半導(dǎo)體器件40是由樹脂模8、位于樹脂模8中并具有設(shè)置在是前表面的電路形成表面上的外部端子BP的兩半導(dǎo)體芯片1、和從樹脂模8內(nèi)部延伸到外部的引線2。每個引線2在樹脂模8中在上和下方向分支并具有彎曲的兩分支引線(3A,4A)。一個分支引線3A通過絕緣膜6粘附和固定到是一個半導(dǎo)體芯片1A的前表面的電路形成表面1A1上，并與電路形成表面1A1上的外部端子BP電連接。另一分支引線4A通過絕緣膜6粘接和固定到另一個半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上并與電路形成表面1B1上的外部端子BP電連接。
一個分支引線3A和另一分支引線4A在樹脂模中在上和下方向疊加在一起。
一個分支引線3A引到樹脂模8的外邊并與形成為表面安裝形狀，例如鷗翼狀的外部引線3B成一體。另一分支引線4A引到樹脂模8的外邊并與形成為表面安裝形狀例如鷗翼狀的外部引線4B成一體。外部引線3B和4B在它們以鷗翼形狀彎曲的區(qū)域中在引線的寬度方向平行排列。這樣，與分支引線3A成一體的外部引線3B和與分支引線4A成一體的外部引線4B在引線寬度的向平行排列，由此構(gòu)成引線2的外部引線。因此，在將半導(dǎo)體器件40安裝到安裝襯底上時，外部引線3B和4B通過焊料連接。因此，在制造半導(dǎo)體器件40的工藝中，可以省去連接外部引線3B和4B的步驟，因而制造半導(dǎo)體器件40的步驟數(shù)量相應(yīng)減少了。
半導(dǎo)體器件40是通過使用圖18(主要部分的平面圖)所示引線框架LF1和圖19(主要部分的平面圖)所示引線框架LF2的工藝制造的。引線框架LF1的外部引線3B和引線框架LF2的外部引線4B具有窄的寬度，從而在引線框架LF1和LF2的后表面彼此配合時它們不會彼此疊在一起。通過將引線框架LF1和LF2的后表面彼此疊在一起和通過用使它們在彎曲區(qū)域中在引線寬度方向平行排列的方法彎曲外部引線3B和4B，形成由在引線寬度方向平行排列的外部引線3B和4B構(gòu)成的引線2。
在如上述實(shí)施例2的本例引線框架LF1中，母線引線5的位置偏離了，使半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1和母線引線5之間的間隙可以小于半導(dǎo)體芯片1A1的電路形成表面1A1和分支引線3A之間的間隙。在如上述實(shí)施例2的本例引線框架LF2中，母線引線5位置偏離了，從而使半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1和母線引線5之間的間隙可以小于半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1和分支引線4A之間的間隙。
在如上述實(shí)施例1的本例中，分支引線3A和4A具有不變的厚度。但是象上述實(shí)施例2一樣，分支引線3A和分支引線4A的后表面或前表面可以進(jìn)行半腐蝕，以使分支引線3A的末端面對部分、面對半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面，將具有比其它部分小的厚度，分支引線4A的末端面對部分，面對半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1，將具有比其它部分小的厚度。而且，母線引線5的后表面或前表面可以進(jìn)行半腐蝕，使母線引線5將具有減小了的厚度，就象分支引線(3A,4A)的末端面對部分一樣。實(shí)施例4下面描述本發(fā)明適于具有雙向引線排列結(jié)構(gòu)的TSOP型的半導(dǎo)體器件的例子。
圖20是表示上部分從本發(fā)明實(shí)施例4的半導(dǎo)體器件的樹脂模去掉的狀態(tài)的平面圖，圖21是表示下部分從半導(dǎo)體器件的樹脂模去掉的狀態(tài)的俯視圖，圖22是沿著圖20中線C-C截取的截面圖，圖23是沿著圖19中的線D-D截取的截面圖。為了更易理解附圖，圖20和21中省去了絕緣膜6。
如圖20,21,22所示，本例的半導(dǎo)體器件50是由兩半導(dǎo)體芯片1一個疊置在另一個上并用樹脂模制而構(gòu)成的。兩半導(dǎo)體芯片1以它們的后表面彼此相對的狀態(tài)疊在一起。
所形成的兩半導(dǎo)體芯片具有相同的外部尺寸。雖然沒有特別限制，兩半導(dǎo)體芯片1是，例如矩形平面形狀。
在兩半導(dǎo)體芯片1的每個構(gòu)成64兆位的同步DRAM(以后簡單稱為SDRAM)時，作為存儲器電路系統(tǒng)，信號以與時鐘信號同步的方式輸入/輸出到其中。
在兩半導(dǎo)體芯片1以外，在是一個半導(dǎo)體芯片1A的前表面的電路形成表面1A1的中部沿著矩形的長邊形成多個外部端子(鍵合焊盤)BP。另外，在兩半導(dǎo)體芯片1以外，在是另一半導(dǎo)體芯片1B的前表面的電路形成表面1B1的中部沿著矩形長邊形成多個外部端子BP。
在一個半導(dǎo)體芯片1A中構(gòu)成的SDRAM的電路圖形與在另一半導(dǎo)體芯片1B中構(gòu)成的SDRAM的電路圖形相同。而且，外部端子BP以與設(shè)置在另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上的外部端子BP一樣的圖形設(shè)置在一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上。即，兩半導(dǎo)體芯片具有相同的結(jié)構(gòu)。
雖然沒有特別限制，但樹脂模8具有，例如矩形平面形狀。沿著長邊，在樹脂模8的兩長的相對邊的外邊上設(shè)置多個引線51和多個引線52。多個引線51和多個引線52從樹脂模8內(nèi)部延伸到外部。圖20中所示右邊上的一組引線對應(yīng)于圖21中所示左邊的一組引線，圖20中所示左邊上的一組引線對應(yīng)于圖21中所示右邊一組引線。
給多個引線51和多個引線52起名為端子。端Vcc和端子VccQ是固定到電源電位(例如5V)的電源電位端子。端子Vss和端子VssQ是固定到參考電位(例如0V)的參考電位端子。
端子DQ0到端子DQ15是數(shù)據(jù)輸入/輸出端子。端子A0到端子A13是地址輸入端子。端子RAS是行地址選通端。CAS是列地址選通端。端子WE是讀/寫允許端。端子DQMU和端子DQML是輸入/輸出遮蔽端。端子CLK是時鐘輸入端。瑞子CKE是時鐘允許端。端子NC是自由端。
作為端子CLK的引線51和作為端子CAS的引線51在樹脂模中在上和下方向(芯片疊置方向)分支，如圖22所示，并分別具有彎曲的兩分支引線(53A,54A)。
一個分支引線53A是由第一部分53A1、第二部分53A2、第三部分53A3構(gòu)成，其中，第一部分53A1在一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上延伸并橫過一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1的一邊，第二部分53A2從第一部分53A1彎向一個半導(dǎo)體芯片1A的后表面，第三部分53A3從第二部分53A2彎向一個半導(dǎo)體芯片1A的外邊。第一部分53A1通過絕緣膜6粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上。第一部分53A1的端部設(shè)置在形成在半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1的中部的外部端子BP的附近，并通過導(dǎo)線7電連接到半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP上。
另一分支引線54A是由第一部分54A1、第二部分54A2和第三部分54A3構(gòu)成，其中，第一部分54A1在另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上延伸并橫過另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1，第二部分54A2從第一部分54A1彎向另一半導(dǎo)體芯片1B的后表面，第三部分54A3從第二部分54A2彎曲以便疊加在一個分支引線53A的第三部分53A3上。第一部分54A1通過絕緣膜6粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上。第一部分54A1的端部設(shè)置在形成在半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面中部的外部端子BP(見圖21)附近，并通過導(dǎo)線7電連接到半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP上。
分支引線53A的第三部分53A1從樹脂模8引到外邊并與外部端子53B結(jié)合在一起。分支引線54A的第三部分54A3在其端部Y連接到外部端子53B的根部53Ba并與之電氣和機(jī)械連接。即，作為端子CLK的引線51和作為端子CAS的引線51分別電連接到兩半導(dǎo)體芯片1的外部端子BP。
作為端子Vcc的引線51、作為端子Vss的端子51、作為端子A0到A15的引線51、作為端子CS的引線51、作為端子RAS的引線51、作為端子WE的引線51、和作為端子CKE的引線51的構(gòu)成與作為端子CLK的引線51的相同，并電連接到兩半導(dǎo)體芯片1的外部端子BP。
參見圖23，作為端子DQ11的引線52在樹脂模8中在上和下方向(芯片疊置方向)分支，以便具有彎曲的兩分支引線(55A,56A)。
一個分支引線55A由第一部分55A1、第二部分55A2、第三部分55A3構(gòu)成，其中，第一部分55A1在一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上延伸并橫過一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1，第二部分55A2從第一部分55A1彎向半導(dǎo)體芯片1A的后表面，第三部分55A3從第二部分55A2彎向半導(dǎo)體芯片1A的外邊。第一部分55A1通過絕緣膜6粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1。第一部分55A1的端部設(shè)置在形成在半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1中部的外部端子BP(見圖20)附近，并通過導(dǎo)線7電連接到半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP。
不象圖22中所示引線51的另一分支引線54A，所形成的另一分支引線56A的形狀為已經(jīng)從中去掉了在半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上延伸的第一部分。即，分支引線56A主要由引線部分56A2和引線部分56A3構(gòu)成，其中，引線部分56A2從另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1一面向其后表面延伸，引線部分56A3從引線56A2彎曲以便疊加在一個分支引線55A的第三部分55A3上。
分支引線55A的第三部分55A3與從樹脂模8引出到外邊的外部引線55B成一體。分支引線56A的引線部分56A3在其端部連接到外部端子55B的根部55B1，并與之電氣和機(jī)械連接。即，作為端子DQ11的引線52沒有與另一半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP電連接。
作為端子DQ8-DQ10的引線52、作為端子DQ12-DQ15的引線52、和作為端子DQMU的引線52的構(gòu)成與作為端子DQ11的引線52相似，但沒有電連接到另一半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP。另外，在端子VccQ和VssQ中，在圖20中左邊的引線排列中作為端子VccQ的引線52和在圖20中左邊的引線排列中作為端子VssQ的引線52的構(gòu)成與作為端子DQ11的引線52相似，但沒有電連接到半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP上。
參見圖23，作為端子DQ4的引線52在樹脂模8中在上和下方向(芯片疊置方向)分支，以便具有兩彎曲分支引線(57A,58A)。
不象圖22中所示引線51的一個分支引線53A那樣，一個分支引線57A形成為去掉在半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1上延伸的第一部分的形狀。即，分支引線57A主要由引線部分57A2和引線部分57A3構(gòu)成，其中，引線部分57A2從一個半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1的一邊向其后表面一邊延伸，引線部分57A3從引線57A2策一個半導(dǎo)體芯片1A的外邊彎曲。
另一分支引線58A由第一部分58A1、第二部分58A2、和第三部分58A3構(gòu)成，其中，第一部分58A1，在另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上延伸并橫過另一半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1的一邊，第二部分58A2從第一部分58A1彎向另一半導(dǎo)體芯片1B的后表面一邊，第三部分58A3從第二部分58A2彎曲以便疊加在一個分支引線57A的引線部分57A3上。第一部分58A1通過絕緣膜6粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上。第一部分58A1的端部設(shè)置在形成在半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1中部的外部端子BP附近，并通過導(dǎo)線7電連接到半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP(見圖21)上。
分支引線57A的引線部分57A1與從樹脂模8引到外邊的外部引線57B結(jié)合在一起。分支引線58A的第三部分58A3在其端部連接到外部引線57B的根部57B1，并與之電氣和機(jī)械連接。即，作為端子Q4的引線52沒有與一個半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP電連接。
作為端子DQ0-DQ3的引線52、作為端子DQ5-DQ7的引線、和作為端子DQMU的引線52的構(gòu)成與作為端子DQ4的引線52相似，但沒有與半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP電連接。在端子VccQ和VssQ中，在圖19中右邊引線排列中作為端子VccQ的引線52和在圖19中右邊引線排列中作為端子VssQ的引線的構(gòu)成與作為端子DQ4的引線52的相似，但沒有與另一半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP電連接。
作為端子Vcc的引線51的一個分支引線53A和作為端子Vss的引線51的一個分支引線53A在外部端子BP排列的方向在半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面上延伸，并與設(shè)置在另一分支引線3A的端部和外部端子BP之間的母線引線5成一體。母線引線5與經(jīng)過絕緣膜6粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1A的電路形成表面1A1的固定引線成一體。固定引線通過導(dǎo)線7與半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP電連接。
作為端子Vcc的引線51的另一分支引線54A和作為端子Vss的引線51的另一分支引線54A在外部端子BP排列的方向在半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上延伸，并與設(shè)置在另一分支引線4A的端部和外部端子BP之間的母線引線5成一體。母線引線5與經(jīng)過絕緣膜6粘接和固定到半導(dǎo)體芯片1B的電路形成表面1B1上的固定引線成一體。固定引線經(jīng)過導(dǎo)線7與半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP電連接。
參見圖24(方框圖)，端子CK、CKE、CS、RAS、CAS、WE和A0-A13電連接到兩半導(dǎo)體芯片(1A,1B)。端子DQMU和DQ8-DQ15電連接到一個半導(dǎo)體芯片1A，端子DQML和DQ0-DQ7電連接到另一半導(dǎo)體芯片1B。即，在本例的半導(dǎo)體器件50中，形成在兩半導(dǎo)體芯片1中的SDRAM同時工作。
在半導(dǎo)體器件50中，與兩半導(dǎo)體芯片1的外部端子BP電連接的引線(端子CLK、CKE、CS、RAS、CAS、WE和A0-A13)，其每個具有在樹脂模8中在上和下方向分支且在兩半導(dǎo)體芯片1的電路形成表面上延伸的兩分支引線，并且粘接和固定到電路形成表面上。
同時，與兩半導(dǎo)體芯片1之一的外部端子BP電連接的引線(端子DQMU、DQML、DQ0-DQ15)，在兩半導(dǎo)體芯片1之一的電路形成表面上延伸，并粘接和固定到電路形成表面上。
因此，加到引線52上的寄生電容(芯片-引線電容)比加到引線51上的寄生電容(芯片-引線電容)小了。因而，引線52的信號傳播速度增加了，半導(dǎo)體器件50表現(xiàn)為提高了的電特性。
在外部端子BP設(shè)置在電路形成表面的中部的半導(dǎo)體芯片1情況下，特別是，引線的端部必須接近于半導(dǎo)體芯片1的中部延伸，結(jié)果在引線與半導(dǎo)體芯片1的電路形成表面相對的區(qū)域增加了。因此，在采用LOC結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件50中，形成使與兩半導(dǎo)體芯片1之一的外部端子BP電連接的單個引線的引線是很重要的。
雖然本例是關(guān)于所構(gòu)成的半導(dǎo)體器件50使形成在兩半導(dǎo)體芯片1中的SDRAM同步工作的例子，如圖25所示(方框圖)，還可以共同形成端子CS、RAS、CAS、WE、DQM、A0-A13,DQ0-DQ15，并獨(dú)立形成CLK和CLE端子。在此情況下，可以獨(dú)立控制形成在兩半導(dǎo)體芯片1中的SDRAM，從而使由半導(dǎo)體器件50產(chǎn)生的熱量減少，并減少了由結(jié)合半導(dǎo)體器件50的整個系統(tǒng)消耗的電功率的量。
在如圖23所示的本例中，一分支引線57A由在沒有與二個半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP電連接的引線中的引線部分57A2和引線部分57A3構(gòu)成，另一分支引線56A由在沒有與另一半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP電連接的引線52中的引線部分56A2和引線56A3構(gòu)成。但是，如圖26所示，沒有與一個半導(dǎo)體芯片1A的外部端子BP電連接的引線52可以由部分引到樹脂模8外邊的引線部件59A和由部分導(dǎo)入樹脂模8的引線部件59B構(gòu)成，沒有與另一半導(dǎo)體芯片1B的外部端子BP電連接的引線52可以由在樹脂模8內(nèi)部延伸的單個引線構(gòu)成。在此情況下，加到引線52上的寄生電容(芯片-引線電容)進(jìn)一步減少了，半導(dǎo)體器件5的電特性提高了。實(shí)施例5圖27是本發(fā)明實(shí)施例5的存儲器模件(電子器件)的平面圖，圖28是該存儲器模件的截面圖。
如圖27和28所示，存儲器模件60是通過將兩半導(dǎo)體器件63和一個半導(dǎo)體器件62安裝在布線板的前表面和后表面以外的前表面上、并將兩半導(dǎo)體器件62安裝在布線板61的前表面和后表面以外的后表面上構(gòu)成的。例如，SDRAM作為存儲器電路系統(tǒng)安裝在四個半導(dǎo)體器件63中。控制電路系統(tǒng)安裝在一個半導(dǎo)體器件62上，以控制四個半導(dǎo)體器件63的存儲器電路系統(tǒng)。
四個半導(dǎo)體器件63以每對半導(dǎo)體芯片1的后表面彼此相對的狀態(tài)疊加在一起并用樹脂8模制。基本上，四個半導(dǎo)體器件63的構(gòu)成與上述實(shí)施例4的半導(dǎo)體器件50近似相同。
在四個半導(dǎo)體器件63中，一對半導(dǎo)體器件63A安裝在布線板61的前表面上，另一對半導(dǎo)體器件63B安裝在布線板61的后表面上。
參照圖28，半導(dǎo)體器件63A具有作為端子DQ11的、從樹脂模8的兩相對面表面以外的一個側(cè)表面8a引出的引線64A，并具有作為端子DQ4的、從另一側(cè)表面8b引出的引線64A。另外，參見圖28，半導(dǎo)體器件63B具有作為端子DQ11并從樹脂模8的兩相對面表面以外的一個側(cè)表面8a引出的引線64B，并具有作為端子DQ4、并從另一側(cè)表面8b引出的引線64B。作為半導(dǎo)體器件63B的端子DQ4的引線64B與作為半導(dǎo)體器件64A的端子DQ4的引線64A相對，并且，作為半導(dǎo)體器件63B的端子DQ11的引線64B與作為半導(dǎo)體器件64A的端子DQ11的引線64A相對。通常，當(dāng)在布線板的兩表面上安裝相同結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件時，具有不同功能的引線彼此相對。但是，通橫向反接導(dǎo)線7，半導(dǎo)體器件63可以以具有相同功能的引線彼此相對的狀態(tài)安裝在布線板61的兩表面上。
由于半導(dǎo)體器件63可以以具有相同結(jié)構(gòu)的引線彼此相對的狀態(tài)安裝在布線板61的兩表面上，所以可以減少布線板61上的布線層的數(shù)量，并因此可以減小存儲器模件60的厚度。
通過疊加在其中構(gòu)成相同容量的SDRAM的兩半導(dǎo)體芯片1，和通過在布線板61上安裝由樹脂8模制兩半導(dǎo)體芯片1形成的半導(dǎo)體器件63，還可以在不增加安裝板61面積的情況下使存儲器模件60的容量加倍。
當(dāng)通過橫向反接導(dǎo)線7而使具有相同功能的引線彼此相對時，使用具有沿著其一邊在電路組成表面中部形成的多個外部端子是很有效的。
另外，為了使具有相同功能的引線彼此相對，可以通過反向形成引線而制造具有在不同方向彎曲的引線的兩種半導(dǎo)體器件。
在前面已經(jīng)利用實(shí)施例具體描述了由本發(fā)明人完成的本發(fā)明。但是，應(yīng)該注意，本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍情況下，可以以各種方式做修改。
例如，本發(fā)明可以適用于具有單向引線排列結(jié)構(gòu)的SIP(單列直插式封裝)型半導(dǎo)體器件、ZIP(曲折排線直插式封裝)型半導(dǎo)體器件、和類似器件。
本發(fā)明還適用于具有雙向引線排列結(jié)構(gòu)的SOJ(小外廓J形引線封裝)型半導(dǎo)體器件、SOP(小外廓封裝)型半導(dǎo)體器件和類似器件。
本發(fā)明還適用于具有四向引線排列結(jié)構(gòu)的QFP(四方扁平封裝)型半導(dǎo)體器件、QFJ(四方扁平J形引線封裝)型半導(dǎo)體器件和類似器件。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體器件，包括樹脂模；兩半導(dǎo)體芯片，配置在所述樹脂模中，并具有形成在其前表面和后表面以外的前表面上的外部端子；和引線，從所述樹脂模內(nèi)部延伸到外部；其中，所述兩半導(dǎo)體芯片以它們的后表面彼此相對的狀態(tài)一個疊置在另一個上；每個所述引線在至少所述樹脂模中分支成兩個；所述一個分支引線固定到所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上并通過導(dǎo)線在該表面上與外部端子電連接；所述另一分支引線固定到所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上并通過導(dǎo)線在該表面上與外部端子電連接；所述一個分支引線橫過所述一個半導(dǎo)體芯片表面的一邊而在所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上延伸，并且由所述導(dǎo)線與之連接的第一部分、從所述第一部分彎向所述一個半導(dǎo)體芯片的后表面一邊的第二部分和從所述第二部分彎向所述一個半導(dǎo)體芯片外邊的第三部分構(gòu)成；所述另一分支引線橫過所述另一半導(dǎo)體芯片的表面的一邊而在所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上延伸，并且由所述導(dǎo)線與之連接的第一部分、從所述第一部分彎向所述另一半導(dǎo)體芯片的后表面一邊的第二部分和從所述第二部分彎曲以便疊加在所述一個分支引線的第三部分上的第三部分構(gòu)成；所述一個分支引線的第三部分與從所述樹脂模引到外邊的外部引線成一體；和所述另一分支引線的第三部分在所述樹脂模中在其端部連接到所述一個分支引線的第三部分。
2．一種半導(dǎo)體器件，包括樹脂模；兩半導(dǎo)體芯片，配置在所述樹脂模中并具有形成在其前表面和后表面以外的前表面上的外部端子；和引線，從所述樹脂模內(nèi)部延伸到外部；其中，所述兩半導(dǎo)體芯片以它們的后表面彼此相對的狀態(tài)一個疊置在另一個上；每個所述引線在至少所述樹脂模中分支為兩個；所述一個分支引線固定到所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上并通過導(dǎo)線與其表面上的外部端子電連接；所述另一分支引線固定到所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上并通過導(dǎo)線與其表面上的外部端子電連接；所述一個分支引線橫過所述一個半導(dǎo)體芯片的表面的一邊而在所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上延伸，并且由所述導(dǎo)線與之連接的第一部分、從所述第一部分彎向所述一個半導(dǎo)體芯片的后表面一邊的第二部分和從所述第二部分彎向所述一個半導(dǎo)體芯片的外邊的第三部分構(gòu)成；所述另一分支引線橫過所述另一半導(dǎo)體芯片的表面的一邊而在所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上延伸，并且由所述導(dǎo)線與之連接的第一部分、從所述第一部分彎向所述另一半導(dǎo)體芯片的后表面一邊的第二部分和從所述第二部分彎曲以便疊加在所述一個分支引線的第三部分上的第三部分構(gòu)成；所述一個分支引線的第三部分與從所述樹脂模引到外邊的外部引線成一體；所述另一分支引線的第三部分在其端部連接到所述外部引線的根部。
3．如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，其特征在于，與根部連續(xù)的所述外部引線的引線部分彎向所述另一分支引線一邊。
4．如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述一個分支引線的第一部分經(jīng)過絕緣膜或絕緣粘合劑粘接和固定到所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上，所述另一分支引線的第一部分經(jīng)過絕緣膜或絕緣粘合劑粘接和固定到所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上。
5．如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述一個半導(dǎo)體芯片的外部端子形成在其前表面上的中部，所述一個分支引線的第一部分設(shè)置成使其端部靠近所述一個半導(dǎo)體芯片的外部端子，所述另一半導(dǎo)體芯片的外部端子形成在其前表面上的中部，所述另一分支引線的第一部分設(shè)置成其端部靠近另一半導(dǎo)體芯片的外部端子。
6．一種半導(dǎo)體器件，包括樹脂模；兩半導(dǎo)體芯片，配置在所述樹脂模內(nèi)部并具有形成在其前表面和后表面以外的前表面上的多個外部端子；和第一引線和第二引線，從所述樹脂模內(nèi)部延伸到外部；其特征在于，所述兩半導(dǎo)體芯片以它們的后表面彼此相對的狀態(tài)，一個疊置在另一個上；所述第一引線電連接到所述兩半導(dǎo)體芯片的外部端子上；所述第二引線電連接到所述兩半導(dǎo)體芯片任何一個的外部端子上；每個所述第一引線在所述樹脂模中分支成兩個；所述一個分支引線固定到所述兩半導(dǎo)體芯片以外的所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上并通過導(dǎo)線與其表面上的外部端子電連接；所述另一分支引線固定到所述兩半導(dǎo)體芯片以外的所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上并通過導(dǎo)線在其表面上與外部端子電連接；和所述第二引線固定到所述兩半導(dǎo)體芯片任何一個的表面上并在所述樹脂模內(nèi)部通過導(dǎo)線與其表面上的外部端子電連接。
7．如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述一個分支引線經(jīng)過絕緣膜或絕緣粘合劑粘接和固定到所述一個半導(dǎo)體芯片的表面上，所述另一分支引線經(jīng)過絕緣膜或絕緣粘合劑粘接和固定到所述另一半導(dǎo)體芯片的表面上，所述第二引線經(jīng)過絕緣膜或絕緣粘合劑粘接和固定到所述兩半導(dǎo)體芯片任何一個的表面上。
8．一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括將與第一引線框架的框架成一體的引線的內(nèi)部引線粘接和固定到第一半導(dǎo)體芯片的前表面和后表面以外的前表面上，將與第二引線框架的框架成一體的引線的內(nèi)部引線粘接和固定到第二半導(dǎo)體芯片的前表面和后表面以外的前表面上；將所述第一引線框架的引線的內(nèi)部引線通過導(dǎo)線電連接到形成在所述第一半導(dǎo)體芯片表面上的外部端子上，將所述第二引線框架的引線的內(nèi)部引線通過導(dǎo)線電連接到形成在所述第二半導(dǎo)體芯片表面上的外部端子上；和形成樹脂模，用于以所述第一半導(dǎo)體芯片的后表面和所述第二半導(dǎo)體芯片的后表面彼此相對的狀態(tài)密封所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片，和用于密封所述引線的內(nèi)部引線和所述導(dǎo)線。
9．如權(quán)利要求8的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述樹脂模以所述第一半導(dǎo)體芯片的后表面和所述第二半導(dǎo)體芯片的后表面彼此接觸的狀態(tài)形成。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件,包括:樹脂模,配置在所述樹脂模中并具有形成其前表面和后表面以外的前表面上的外部端子的兩半導(dǎo)體芯片,和從樹脂模內(nèi)部延伸到外邊的引線,其中,每個所述引線在至少樹脂模中分支為兩個,一個分支引線固定到一個半導(dǎo)體芯片表面上并通過導(dǎo)線與其表面上的外部端子電連接,另一分支引線固定到另一半導(dǎo)體芯片的表面上并通過導(dǎo)線與其表面上的外部端子電連接,兩半導(dǎo)體芯片以它們的后表面彼此相對的狀態(tài)一個疊置在另一個上。
文檔編號H01L25/065GK1213175SQ9811959
公開日1999年4月7日 申請日期1998年9月25日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月29日
發(fā)明者增田正規(guī), 和田環(huán), 杉山道昭, 西澤裕孝, 管野利夫, 高橋康, 川村昌靖 申請人:株式會社日立制作所, 日立超愛爾愛斯愛系統(tǒng)股份有限公司