專利名稱：具透明遮罩式晶片透孔加工法的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種晶片加工方法，尤其涉及一種具透明遮罩式晶片透孔加工法。
在目前晶片加工法的技術上，透孔的形成方法嚴重影響晶片加工法的優(yōu)良率與成本，因此，如何改進透孔加工法，即成為工程師們重要課題，在目前使用的技術中有數種方法，其缺點分別列舉如下(a)超音波透孔加工法在加工過程中晶片容易斷裂，且不易提高產品的優(yōu)良率。
(b)計算機定位噴砂加工法因需逐一穿孔，所以透孔加工時間長，且精密噴頭耗損快速，導致成本提高。
(c)激光加工法所使用的激光裝置昂貴，且使用效率低，以到透孔加工時間長。
縮合以上三種方法，分別有透孔加工時間長與機器設備成本高等缺點。
本發(fā)明的主要目的是提供一種具透明遮罩式晶片透孔加工法，它提出一種低成本高效率的對位方式，不僅保護晶片不斷裂，并且縮短了整體制程時間。
本發(fā)明的目的是這樣實現的一種具透明遮罩式晶片透孔加工法，其特點是，當一晶片具有一第一面與一第二面，其中該第一面具有至少一個集成電路構造，而該集成電路構造中具有至少一個設置于特定位置的欲加工構造，該第二面對應于該特定位置處具相同數目的相對位置，應用該具透明遮罩式晶片透孔加工法，由該第二面的該相對位置處形成透孔，其步驟包含(1)提供一透明遮罩，該透明遮罩的材料為一高分子聚合物，而該高分子聚合物系選自一聚酯物質為之；(2)用一激光加工技術在該透明遮罩上形成該鏤空區(qū)域；(3)將該透明遮罩的該鏤空區(qū)域對準該特定位置；(4)該透明遮罩具有一點膠面，它以該粘膠面將該透明遮罩固定在該晶片上的第二面上；以及(5)以一噴砂機噴出的多數個砂粒所形成的一快速移動的粒子群撞擊該透明遮罩，使得該晶片在該相對位置處形成透孔。
在上述的具透明遮罩式晶片透孔加工法中，其中，所述的將該透明遮罩的該鏤空區(qū)域對準該相對位置的步驟更包含(a)提供大于該晶片面積的一透明遮罩；(b)以一激光加工技術在該透明遮罩上且在晶片面積范圍外，形成一第一對位記號；(c)提供大于該晶片面積的一正片，該正片為一照相用底片；(d)以照相技術在該正片上形成一相同于該特定位置的一基準圖形；(e)以照相技術在該正片上且晶片面積范圍外，形成一第二對位記號；(f)以一光學顯微鏡(Microscope)將該晶片上的特定位置與正片上的基準圖形對準；以及(g)將該透明遮罩的第一對位記號與該正片的第二對位記號對準。
在上述的具透明遮罩式晶片透孔加工法中，其中，在第(4)步驟后還包括(a)提供一承載基面，該承載基面包含一托盤，用以承載該晶片；以及一隔離物，其為一紙制材質，用以隔離托盤與保護層；(b)放置該晶片在該承載基面上；以及(c)在該承載基面與該晶片之間，涂抹一層水溶性的膠狀物，該水溶性的膠狀物為一IPS(IMAGE PRO SUPER)接著劑，將其置于80℃至120℃的溫度下，烘烤一分鐘至五分鐘，則形成一反射透過穿孔的粒子群的保護層。
本發(fā)明由于用IPS(IMAGE PRO SUPER)保護層以保護晶片，使晶片不易斷裂，提高了晶片的質量與優(yōu)良率；同時，由于正片能重復使用，所以用正片對位達到低成本高效率的效果；并且，由于透孔加工法使用一般噴砂機，不需精密噴頭，所以不僅降低機器設備的成本，且能于同時對一晶片上多數個特定位置加工，大幅縮短加工的時間，因此同時減少固定成本與整體制程時間。
通過以下對本發(fā)明具透明遮罩式晶片透孔加工法的一實施例結合其附圖的描述，可更具體理解本發(fā)明的目的、結構特點和優(yōu)點。其中，附圖為

圖1是依據本發(fā)明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法中鏤空區(qū)域的透明遮罩的俯視結構示意圖。
圖2是依據本發(fā)明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法中具有集成電路構造的晶片第一面的俯視結構示意圖。
圖3是依據本發(fā)明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法中對位的正片俯視結構示意圖。
圖4(a)是依據本發(fā)明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法中透明遮罩對位的側視結構示意圖。
圖4(b)是依據本發(fā)明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法中透明遮罩對位的側視結構示意圖。
圖5是依據本發(fā)明提出的具透明遮罩式晶片透孔加工法的側視結構示意圖。
請參見圖2，它表示為一具有集成電路構造(21)的晶片(41)，該集成電路構造(21)設于該晶片(41)的第一面(22)。該集成電路構造(21)內設有欲加工的構造(例如透孔)，該欲加工構造的位置為特定位置(23)。請參見圖1，以激光技術在一大于晶片面積范圍(12)的透明遮罩(13)上，形成對應于第二圖中特定位置(23)的鏤空區(qū)域(14)，因特定位置(23)間相對的距離皆固定，所以用此特定位置(23)的圖形特性，在晶片面積范圍(12)以外的透明遮罩(13)面積內繼續(xù)形成鏤空區(qū)域，而成為第一對位記號(11)。
請參見圖3，以照相技術在一大于晶片面積范圍(33)的正片(34)上形成相同于第二圖中該特定位置(23)的基準圖形(32)，因該特定位置間相對的距離皆固定，所以用此特定位置的圖形特性，在晶片面積范圍(33)以外且在正片(34)面積內繼續(xù)形成與基準圖形(32)相同的圖形，而成為第二對位記號(31)。
請參見圖4(a〕，將正片(34)置于晶片(41)的第一面(22)上，然后利用光學顯微鏡(Microscope)(43)將基準圖形(32)與晶片的第一面(22)的特定位置(23)對準，用特殊夾具(圖示未顯示)將正片(34)與晶片(41)固定。而轉該正片(34)與晶片(41)，使晶片(41)在上，正片(34)在下。
請參見圖4(b)，將透明遮罩(13)置于晶片(41)的第二面(42)上，利用光學顯微鏡(Microscope)(43)將透明遮罩(13)上的第一對位記號(11)對準正片(34)的第二對位記號(31)后，移去正片(34)。
請參見圖5，施加適當壓力將已對準的透明遮罩(13)粘貼在晶片(41)的第二面(42)上，再將IPS(IMAGE PRO SUPER)接著劑涂于晶片的第一面(22)上，把上述該等置在80℃至120℃的溫度下，烘烤一分鐘至五分鐘后形成一IPS(IMAGEPRO SUPER)保護層(52)，將一紙(53)覆蓋于IPS(IMAGE PRO SUPER)保護層(52)上，再將該等置于一拖盤(54)上，然后以一般噴砂機(55)噴出的一快速移動的粒子群(51)撞擊該透明遮罩(13)，以一次完成該晶片上所有的透孔。
根據上述最佳實施例的說明，由于用IPS(IMAGE PRO SUPER)保護層以保護晶片，并因正片能重復利用，所以能達到低成本高質量與效率的效果；同時，由于透孔加工法使用一般噴砂機，它能于同時對一晶片上多數個特定位置加工，減少了整體制程時間。
權利要求
1．一種具透明遮罩式晶片孔孔加工法，其特征在于，當一晶片具有一第一面與一第二面，其中該第一面具有至少一個集成電路構造，而該集成電路構造具有至少一個特定位置的欲加工構造，該第二面對應于該特定位置處具相同數目的相對位置，應用該具透明遮罩式晶片透孔加工法，由該第二面的該相對位置處形成透孔，其步驟包含(1)提供一透明遮罩；(2)在該透明遮罩上，形成對應于該特定位置的鏤空區(qū)域；(3)將該透明遮罩的該鏤空區(qū)域對準該特定位置；(4)將該透明遮罩固定于該第二面上；以及(5)以一快速移動的粒子群撞擊該透明遮罩，使得該晶片在該相對位置處，形成透孔。
2．如權利要求1所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的透明遮罩的材料為一高分子聚合物。
3．如權利要求1項所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的透明遮罩具有一粘膠面，該粘膠面將透明遮罩固定于該晶片上的第二面。
4．如權利要求1所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的透明遮罩的鏤空區(qū)域對準該相對位置的步驟還包含(a)提供大于該晶片面積的一透明遮罩；(b)在該透明遮罩上的晶片面積范圍外，形成一第一對位記號；(c)提供大于該晶片面積的一正片；(d)在該正片上形成一相同于該特定位置的一基準圖形；(e)在該正片上的晶片面積范圍外，形成一第二對位記號；(f)將該晶片上的特定位置與正片上的基準圖形對準；以及(g)將該透明遮罩的第一封位記號與該正片的第二對位記號對準；
5．如權利要求4所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的正片為一照相用底片。
6．如權利要求4所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，在所述的正片上用照相技術形成一相同于該特定位置的基準圖形與該第二對位記號。
7．如權利要求1所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，其中在所述的第(4)步驟后還包括(a)提供一承載基面；(b)放置該晶片在該承載基面上；以及(c)在該承載基面與該晶片之間，形成一反射透過穿孔的粒子群的保護層。
8．如權利要求7所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的承載基面包含一托盤，用以承載該晶片；以及一隔離物，用以隔離該托盤與該保護層，該隔離物為一紙制材質。
9．如權利要求7所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的保護層為一水溶性的膠狀物，該水溶性的膠狀物為一IPS(IMAGE PRO SUPER)接著劑，它將IPS(IMAGE PRO SUPER)接著劑置于80℃至120℃的溫度下，烘烤一分鐘至五分鐘，形成該保護層。
10．如權利要求1所述的具透明遮罩式晶片透孔加工法，所述的快速移動的粒子群，由一噴砂機噴出的多數個砂粒所形成。
全文摘要
一種具透明遮罩式晶片透孔加工法,其特點是,晶片的第一面具有至少一個集成電路構造,它具有至少一個特定位置,晶片的第二面對應于特定位置處具有相同數目的相對位置,在該相對位置處形成透孔,其步驟包含:(1)提供一透明遮罩;(2)在透明遮罩上形成對應于特定位置的鏤空區(qū)域;(3)將該鏤空區(qū)域對準該特定位置;(4)將該透明遮罩固定在第二面上;(5)以一快速移動的粒子群撞擊該透明遮罩,使晶片在相對位置處形成透孔。
文檔編號H01L21/304GK1214988SQ97121348
公開日1999年4月28日 申請日期1997年10月21日 優(yōu)先權日1997年10月21日
發(fā)明者莫自治, 鄭香京, 周沁怡, 楊長謀 申請人:研能科技股份有限公司