專(zhuān)利名稱(chēng)：片式半導(dǎo)體封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種片式半導(dǎo)體封裝及其制造方法，特別涉及一種改進(jìn)的片式半導(dǎo)體封裝其及制造方法，能將半導(dǎo)體封裝的尺寸減小到接近半導(dǎo)體芯片的尺寸，并能通過(guò)形成能傳輸芯片焊盤(pán)電信號(hào)的最短電通道來(lái)增強(qiáng)電特性。
關(guān)于常規(guī)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，一般半導(dǎo)體芯片固定地附著于引線框的墊片上，半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)和內(nèi)引線由導(dǎo)線電連接，然后由模制樹(shù)脂密封整個(gè)結(jié)構(gòu)。最后，根據(jù)其應(yīng)用，將外引線形成一定形狀。


圖1是展示SOJ(J形引線小外形)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖，該封裝中，外引線形成為字母“J”形。如該圖所示，引線框的內(nèi)引線3通過(guò)膠帶2的粘合力被粘在半導(dǎo)體芯片上，半導(dǎo)體芯片1上表面中心部位形成的芯片焊盤(pán)6通過(guò)超聲熱壓焊使導(dǎo)線與內(nèi)引線3連接。然后用模制樹(shù)脂6包圍并模制半導(dǎo)體芯片1和內(nèi)引線3，而外引線7除外，再根據(jù)用戶(hù)的需要將外引線7成形。圖1中的外引線為“J”引線。
然而，常規(guī)半導(dǎo)體封裝是利用引線框?qū)㈦娦盘?hào)從半導(dǎo)體芯片上形成的芯片焊盤(pán)6傳輸?shù)桨雽?dǎo)體封裝之外這樣一種結(jié)構(gòu)。由于這種封裝的尺寸比半導(dǎo)體芯片的尺寸大，所以芯片焊盤(pán)到外引線的電通道較長(zhǎng)，易導(dǎo)致電特性退化，而且很難制備多管腳半導(dǎo)體封裝。
因此，為了克服利用引線框的常規(guī)半導(dǎo)體封裝的上述缺點(diǎn)，已研制了各種半導(dǎo)體封裝，片式半導(dǎo)體封裝就是其中的一種。
圖2是一種做了作了局部剖開(kāi)的PMEB(模塑延伸凸點(diǎn))型片式半導(dǎo)體封裝的透視圖。如該圖所示，形成金屬布線圖形13，用于連接半導(dǎo)體芯片11上形成的多個(gè)芯片焊盤(pán)12和內(nèi)凸點(diǎn)鍵合焊盤(pán)17，將上表面上貼有載帶(未示出)的導(dǎo)電內(nèi)凸點(diǎn)16安裝到內(nèi)凸點(diǎn)鍵合焊盤(pán)17上。然后，用模制樹(shù)脂14包圍并模制半導(dǎo)體芯片11，除去載帶，暴露內(nèi)凸點(diǎn)16的上表面。在內(nèi)凸點(diǎn)16上施加焊膏，放上外電極凸點(diǎn)15，通過(guò)紅外再流焊工藝將外凸點(diǎn)15與內(nèi)凸點(diǎn)16連接在一起，從而完成PMEB型片式半導(dǎo)體封裝，對(duì)此的詳細(xì)說(shuō)明見(jiàn)日本三菱株式會(huì)社在(日本半導(dǎo)體94年會(huì))中的公開(kāi)。
圖3是圖2所示凸點(diǎn)電極的剖面圖。下面，將詳細(xì)說(shuō)明常規(guī)PMEB型片式半導(dǎo)體封裝。
如圖3所示，芯片焊盤(pán)12形成于半導(dǎo)體芯片11的上表面上，保護(hù)芯片的鈍化膜18形成于半導(dǎo)體芯片11上除芯片焊盤(pán)12上表面之外的地方，金屬布線圖形13形成于芯片鈍化膜18上，其中金屬布線圖形13的一端與芯片焊盤(pán)12相連，其另一端與內(nèi)凸點(diǎn)鍵合焊盤(pán)17相連。聚酰亞膜10形成在除內(nèi)凸點(diǎn)鍵合焊盤(pán)17之錢(qián)的結(jié)構(gòu)上，內(nèi)凸點(diǎn)16通過(guò)含Pb或Sn的焊料粘合劑20固定到這樣暴露出的內(nèi)凸點(diǎn)連接焊盤(pán)17上。然后，包圍上述結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面，只是內(nèi)凸點(diǎn)16的上表面除外，用模制樹(shù)脂14密封半導(dǎo)體芯片11，將外凸點(diǎn)1 5固定到內(nèi)凸點(diǎn)16上，完成整個(gè)工藝。
如上所述，日本三菱株式會(huì)社在(日本半導(dǎo)體94年會(huì))中公開(kāi)的PMEB型片式半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)中，傳輸芯片焊盤(pán)12的電信號(hào)的凸點(diǎn)鍵合圖形通過(guò)形成金屬布線圖形的分開(kāi)工藝來(lái)形成(所公開(kāi)資料中的預(yù)組裝工藝)。即，在半導(dǎo)體芯片11的芯片焊盤(pán)12和內(nèi)凸點(diǎn)連接焊盤(pán)17間形成分別與之電連接的金屬布線圖形13，并將導(dǎo)電內(nèi)凸點(diǎn)16固定于內(nèi)凸點(diǎn)連接焊盤(pán)17上。模制樹(shù)脂14包圍并密封上述整個(gè)結(jié)構(gòu)，將用作外引線的外凸點(diǎn)15固定到內(nèi)凸點(diǎn)16上，最后制成完成的片式半導(dǎo)體封裝。
對(duì)于PMEB型片式半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)，與常規(guī)半導(dǎo)體封裝相比，其最大的優(yōu)點(diǎn)是整個(gè)半導(dǎo)體封的尺寸相對(duì)芯片的尺寸來(lái)說(shuō)較小。但需要分開(kāi)的形成金屬布線圖形工藝(所公開(kāi)資料中的預(yù)組裝工藝)和內(nèi)外凸點(diǎn)鍵合工藝。而且，缺點(diǎn)是其制造工藝復(fù)雜，制造成本較高。
因此，本發(fā)明的目的是使半導(dǎo)體封裝的尺寸最小化，從而容易制備多管腳封裝，去掉內(nèi)凸點(diǎn)鍵合工藝，簡(jiǎn)化制造工藝。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種片式半導(dǎo)體封裝，該封裝包括其上形成有多個(gè)芯片焊盤(pán)的半導(dǎo)體芯片；所形成的使芯片焊盤(pán)暴露的鈍化膜；形成于半導(dǎo)體芯片上部的多根金屬布線，其一端與一個(gè)芯片焊盤(pán)相連；與金屬布線電連接的外焊料球；及形成于半導(dǎo)體芯片上部的模制樹(shù)脂層，它使外焊料球的上表面突出其外。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種改進(jìn)的制造片式半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括下列步驟在形成有多個(gè)芯片焊盤(pán)的晶片上表面形成金屬布線層，然后，形成光刻膠圖形，腐蝕并去膠，形成連接芯片焊盤(pán)的金屬布線層；在金屬布線層上印制焊膏，并安裝焊料球，此后，進(jìn)行紅外再流焊工藝，形成外焊料球；進(jìn)行將晶片切成分立的半導(dǎo)體芯片的鋸切工藝；及模制半導(dǎo)體芯片，但使焊料球的上部暴露于外。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一改進(jìn)的制造片式半導(dǎo)體封裝的方法，該方法包括進(jìn)行鋸切工藝，把晶片切成分立的其上形成有多個(gè)芯片焊盤(pán)的半導(dǎo)體芯片；用膠粘劑把分離的金屬布線層貼在每個(gè)半導(dǎo)體芯片上；進(jìn)行金屬淀積工藝，分別電連接芯片焊盤(pán)和金屬布線；把焊線的內(nèi)端固定到金屬布線層上，并切割焊線，使之有預(yù)定長(zhǎng)度；模制半導(dǎo)體芯片，使焊線的外端突出來(lái)；及進(jìn)行再流焊工藝，把焊線外端形成球形。
通過(guò)下面的詳細(xì)說(shuō)明和只是說(shuō)明性的各附圖，會(huì)更充分地理解本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于此，其中圖1是展示現(xiàn)有技術(shù)的SOJ半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2是展示現(xiàn)有技術(shù)的作了作了局部切除的PMEB型片式半導(dǎo)體封裝的透視圖；圖3是展示圖2中現(xiàn)有技術(shù)的凸點(diǎn)電極的一部分的剖面圖；圖4是展示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的作了局部切除的片式半導(dǎo)體封裝的透視圖；圖5A和5B是圖4的縱剖圖，其中圖5A是芯片焊盤(pán)的縱剖圖，圖5B是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的外焊料球的縱剖圖；圖6是圖4中本發(fā)明另一實(shí)施例的作了局部切除的片式半導(dǎo)體封裝的透視圖；圖7是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的片式半導(dǎo)體封裝的制造方法的流程圖；圖8是展示本發(fā)明另一實(shí)施例的作了局部切除的片式半導(dǎo)體封裝的透視圖9A和9B是圖8的縱剖圖，圖9A是是芯片焊盤(pán)的縱剖圖，圖9B是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的外焊料球的縱剖圖；圖10是展示根據(jù)圖8的本發(fā)明另一實(shí)施例的作了局部切除的片式半導(dǎo)體封裝的透視圖；及圖11是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例制造片式半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖。
下面參照各附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖4是展示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的作了局部剖切的片式半導(dǎo)體封裝的透視圖。如該圖所示，在其上形成有多個(gè)芯片焊盤(pán)32的半導(dǎo)體芯片上表面上形成鈍化膜33，使芯片焊盤(pán)暴露出來(lái)。在鈍化膜上形成多根分別與芯片焊盤(pán)32連接的金屬布線34。在金屬布線上，外焊料球36分別與金屬布線電連接。在半導(dǎo)體芯片31的上表面上，形成模制樹(shù)脂層35，但外焊料球36的上部突出于其外。合乎要求的金屬布線34材料是銅(Cu)或金(Au)。
圖5A和5B是展示圖4的局部縱剖圖，其中圖5A是芯片焊盤(pán)的縱剖圖，圖5B是外焊料球的縱剖圖。
如這些圖所示，形成鈍化膜33，但使形成于半導(dǎo)體芯片31上表面的芯片焊盤(pán)32暴露出來(lái)，在鈍化膜33上形成與芯片焊盤(pán)32連接的金屬布線34，將外焊料球36固定于金屬布線34上。在半導(dǎo)體芯片31的上部，形成保護(hù)金屬布線34和芯片焊盤(pán)31的模制樹(shù)脂層35，其厚度約為外焊料球36高度的一半。
圖6是圖4中本發(fā)明另一實(shí)施例的作了局部切除的片式半導(dǎo)體封裝的透視圖。如該圖所示，將半導(dǎo)體芯片31固定到空腔形外保護(hù)板38的內(nèi)底表面上，填充樹(shù)脂，密封半導(dǎo)體芯片31側(cè)面與外保護(hù)板38間的間隙。外保護(hù)板38給半導(dǎo)體芯片31的底表面和側(cè)面以安全的保護(hù)。元件的其它結(jié)構(gòu)與圖4所示的相同。
圖7是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的片式半導(dǎo)體封裝的制造方法的流程圖。首先，制備其上形成有鈍化膜而且露出多個(gè)芯片焊盤(pán)的晶片，用于測(cè)試。
然后，在晶片上表面上形成金屬布線層，再在其上形成構(gòu)圖的光刻膠層。用光刻膠層作掩膜，腐蝕金屬布線層，然后去除光刻膠層，從而形成構(gòu)圖的金屬布線，電連接每個(gè)芯片焊盤(pán)。
接著，在每根金屬布線上印制焊膏，以安裝焊料球(外焊料球)，并進(jìn)行紅外再流焊工藝。然后，洗掉殘余的焊膏，將作外焊料球的焊料球固定到每根金屬布線上。
然后，進(jìn)行樹(shù)脂第一模制工藝，形成模制樹(shù)脂層，其厚為焊料球高度的一半。接著，在晶片底上貼上金屬箔，并進(jìn)行把晶片切成分立的半導(dǎo)體芯片的鋸切工藝。最后，去除金屬箔，完成如圖4所示的片式半導(dǎo)體封裝。在進(jìn)行了鋸切工藝，把晶片切成分立的半導(dǎo)體芯片后，可以進(jìn)行第二模制工藝。
圖4所示的片式半導(dǎo)體封裝可用于不需要熱敏特性的許多應(yīng)用。
鋸切工藝后，進(jìn)行管芯接合工藝，把每個(gè)半導(dǎo)體芯片的底表面貼到空腔形外保護(hù)板的內(nèi)底表面上，進(jìn)行第二模制工藝，用模制樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片側(cè)面和外保護(hù)板間的間隙，從而制成圖6的片式半導(dǎo)體封裝。第一模制工藝可以與第二模制工藝一起進(jìn)行。
由于對(duì)半導(dǎo)體芯片表面的安全保護(hù)，可以增強(qiáng)封裝的可靠性，所以圖6所示片式半導(dǎo)體封裝的熱特性得到了改善。
圖8是展示本發(fā)明另一實(shí)施例的作了局部切除的片式半導(dǎo)體封裝的透視圖。如該圖所示，形成鈍化膜45，使形成于半導(dǎo)體芯片41上表面上的多個(gè)芯片焊盤(pán)42暴露出來(lái)，用膠粘劑46，把與每個(gè)芯片焊盤(pán)42連接的金屬布線44貼到鈍化膜45上。在金屬布線44上，形成與之電連接的外焊料球48，在半導(dǎo)體芯片41的上部形成模制樹(shù)脂層43，使外焊料球48的上部突出于外。
將金屬布線44構(gòu)圖，形成分離的金屬布線圖，其材料包括銅(Cu)或金(Au)。
圖9A和9B是圖8的縱剖圖，圖9A是是芯片焊盤(pán)的縱剖圖，圖9B是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的外焊料球的縱剖圖。
如這些圖所示，形成鈍化膜45，使形成于半導(dǎo)體芯片41上表面上的多個(gè)芯片焊盤(pán)42暴露出來(lái)，用膠粘劑46，把金屬布線44貼到鈍化膜45上。在鈍化膜45上，金屬布線44與膠粘劑46貼在一起，金屬布線和芯片焊盤(pán)42通過(guò)連接金屬50電連接。外焊料球48的內(nèi)端與電連接芯片焊盤(pán)42的金屬布線44固定在一起，形成模制樹(shù)脂層43，以保護(hù)金屬布線44和芯片焊盤(pán)42，并使外焊料球48的上部突出于模制樹(shù)脂層43外。
圖10是展示根據(jù)圖8的本發(fā)明另一實(shí)施例的作了局部切除的片式半導(dǎo)體封裝的透視圖。如該圖所示，用膠粘劑49把半導(dǎo)體芯片41貼到空腔形外保護(hù)板47的底表面上，填充模制樹(shù)脂，密封半導(dǎo)體芯片41的側(cè)面和外保護(hù)板47間的間隙，以封閉半導(dǎo)體芯片41的底表面和側(cè)面，使之得到保護(hù)。其它結(jié)構(gòu)與圖8所示的相同。
圖11是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例制造片式半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖。
首先，制備其上形成有鈍化膜(鈍化+PIQ或只鈍化)并使多個(gè)芯片焊盤(pán)暴露出來(lái)的晶片。然后，在晶片的底表面上貼上金屬箔，并進(jìn)行鋸切工藝，把晶片切成分立半導(dǎo)體芯片。用膠粘劑把分離的金屬布線層貼到半導(dǎo)體芯片上，然后進(jìn)行金屬淀積工藝，連接每根金屬布線與形成于半導(dǎo)體芯片上的芯片焊盤(pán)。
然后，將焊線的內(nèi)端固定于金屬布線上，切割焊線，使之有預(yù)定長(zhǎng)度。然后，進(jìn)行第一模制工藝，用模制樹(shù)脂模制半導(dǎo)體芯片的上表面。這里焊線被模制，但其外端突出于外。
進(jìn)行紅外再流焊工藝，使外焊線形成球形，去除殘余的焊料膏，進(jìn)行最后的檢測(cè)，制成圖8所示的片式半導(dǎo)體封裝。這種片式半導(dǎo)體封裝可用于不需要熱敏特性的許多應(yīng)用。
在去除了殘余的焊料膏后，進(jìn)行管芯接合工藝，將半導(dǎo)體芯片的底表面貼到空腔形外保護(hù)板的內(nèi)底表面上，進(jìn)行第二模制工藝，用模制樹(shù)脂完全密封外保護(hù)板和半導(dǎo)體芯片間間隙。最后，進(jìn)行終測(cè)，完成圖10所示的片式半導(dǎo)體封裝。
由于半導(dǎo)體芯片表面得以安全保護(hù)，相應(yīng)地改善了熱特性，所以，可以增強(qiáng)圖10所示的半導(dǎo)體封裝的可靠性。
如上所述，本發(fā)明實(shí)施例的片式半導(dǎo)體封裝及其制造方法的優(yōu)點(diǎn)如下由于外焊料球直接固定于金屬布線上，不需要常規(guī)PMEB封裝中的內(nèi)凸點(diǎn)，所以可簡(jiǎn)化制造方法，而且，由于可以不管芯片焊盤(pán)的位置來(lái)設(shè)置外焊料球，所以封裝的設(shè)計(jì)較容易做。而且，由于可以制造接近芯片尺寸的半導(dǎo)體封裝，所以可以將安裝速度提高到最大，并能有效地形成多個(gè)外焊料球。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的片式半導(dǎo)體封裝及其制造方法具有上述所有優(yōu)點(diǎn)，此外，由于可以用膠粘劑把構(gòu)圖的金屬布線貼到半導(dǎo)體芯片上，而不需要分開(kāi)的形成金屬布線工藝，(常規(guī)PMEB中的預(yù)-ASSY工藝)，所以可以簡(jiǎn)化制造工藝。
而且，本發(fā)明不需要常規(guī)PMEB封裝中形成內(nèi)凸點(diǎn)的分離底座框。
盡管為了說(shuō)明而公開(kāi)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明范圍的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以作出各種改型、附加和替換。
權(quán)利要求
1.一種片式半導(dǎo)體封裝，包括其上形成有多個(gè)芯片焊盤(pán)的半導(dǎo)體芯片；所形成的使芯片焊盤(pán)暴露的鈍化膜；在鈍化膜上表面連接芯片焊盤(pán)的多根金屬布線；與金屬布線電連接的外焊料球；及形成于半導(dǎo)體芯片上部的模制樹(shù)脂層，它使外焊料球的上表面突出來(lái)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的封裝，其特征為，金屬布線的材料包括銅(Cu)或金(Au)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的封裝，其特征為，外焊料球材料由焊料構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的封裝，其特征為，還具有封閉半導(dǎo)體芯片的底表面和側(cè)面的外保護(hù)板，及密封半導(dǎo)體芯片和外保護(hù)板間間隙的樹(shù)脂。
5.一種制造片式半導(dǎo)體封裝的方法，包括下列步驟在其上形成有鈍化膜(鈍化+PIQ或只是鈍化)并有多個(gè)暴露出來(lái)的芯片焊盤(pán)的晶片上表面形成金屬層；在金屬層上形成已構(gòu)圖的光刻膠層，用該光刻膠層作掩模蝕刻金屬層，除去光刻膠層并形成已構(gòu)圖的電連接于每個(gè)芯片焊盤(pán)金屬布線；在每根金屬布線上印制焊膏，安裝焊料球(外焊料球)，并進(jìn)行紅外再流焊工藝，去掉殘余的焊膏，把用作外焊料球的焊料球固定到每根金屬布線上；進(jìn)行第一模制工藝，用樹(shù)脂在晶片上表面形成模制樹(shù)脂層，但暴露出焊料球的上部；及在晶片底表面貼上金屬箔，然后進(jìn)行鋸切工藝，把晶片切割成分立半導(dǎo)體芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其特征為，在鋸切工藝后，還要進(jìn)行管芯接合工藝和第二模制工藝，用于使每個(gè)半導(dǎo)體芯片的底表面與空腔形外保護(hù)板的內(nèi)底表面接合，并用模制樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片側(cè)面和外保護(hù)板間的間隙。
7.一種片式半導(dǎo)體封裝，包括其上形成有多個(gè)芯片焊盤(pán)的半導(dǎo)體芯片；所形成的使形成于半導(dǎo)體芯片上表面上的芯片焊盤(pán)暴露的鈍化膜；由膠粘劑貼到鈍化膜上表面的金屬布線層；電連接每根金屬布線和芯片焊盤(pán)的金屬連線；安裝到每根金屬布線上表面的多個(gè)外焊料球；及形成于半導(dǎo)體芯片上部的模制樹(shù)脂層，它使外焊料球的上表面突出于其外。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的封裝，其特征為，金屬布線層的材料包括銅(Cu)或金(Au)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的封裝，其特征為，外焊料球材料由焊料構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的封裝，其特征為，還具有封閉半導(dǎo)體芯片的底表面和側(cè)面的外保護(hù)板，及密封半導(dǎo)體芯片和外保護(hù)板間間隙的樹(shù)脂。
11.一種制造片式半導(dǎo)體封裝的方法，包括下列步驟在其上形成有鈍化膜(鈍化+PIQ或只是鈍化)并有多個(gè)暴露于鈍化膜外的芯片焊盤(pán)的晶片底表面上貼上金屬箔，然后進(jìn)行鋸切工藝，把半導(dǎo)體芯片切成分立的半導(dǎo)體芯片；用膠粘劑把分離的金屬布線層貼到半導(dǎo)體芯片上；電連接金屬布線層的每根金屬布線與形成于半導(dǎo)體芯片上的每個(gè)芯片焊盤(pán)；把焊線的內(nèi)端固定于每根金屬布線上，切割焊線，使之有預(yù)定長(zhǎng)度；進(jìn)行第一模制工藝，用模制樹(shù)脂模制半導(dǎo)體芯片的上部，但使焊線的外端暴露于外；進(jìn)行紅外再流焊工藝，把焊線外端形成球形；及去掉殘余的焊膏。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其特征為，在鋸切工藝后，還要進(jìn)行管芯接合工藝和第二模制工藝，用于使每個(gè)半導(dǎo)體芯片的底表面與空腔形外保護(hù)板的內(nèi)底表面接合，并用模制樹(shù)脂密封半導(dǎo)體芯片側(cè)面和外保護(hù)板間的間隙。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的片式半導(dǎo)體封裝,包括:其上形成有多個(gè)芯片焊盤(pán)的半導(dǎo)體芯片;所形成的使芯片焊盤(pán)暴露的鈍化膜;形成于鈍化膜上表面與每個(gè)芯片焊盤(pán)相連的多根金屬布線;電連接金屬布線的外焊料球;及形成于半導(dǎo)體芯片上部的模制樹(shù)脂層,它使外焊料球的上表面突出來(lái)。
文檔編號(hào)H01L21/56GK1176492SQ9710198
公開(kāi)日1998年3月18日 申請(qǐng)日期1997年2月21日 優(yōu)先權(quán)日1996年9月11日
發(fā)明者柳仲夏 申請(qǐng)人:Lg半導(dǎo)體株式會(huì)社