專利名稱：浮式金屬氧化物半導體場效應晶體管的制作方法
技術領域：
本實用新型屬由在一共用基片內形成的多個PN結組成的器件，具體涉及金屬氧化物半導體場效應晶體管即MOSFET的組件。
現(xiàn)有的MOSFET的柵極電位VC、襯底電位VB為定值且與由源-漏極所構成的信號傳輸線上的傳輸信號Vin無關，且Vin要滿足
本實用新型的目的是要提供一種浮式MOSFET，它所允許傳輸?shù)男盘朧in的幅值將不再受VC、VB的限制，從而使其Vin將比現(xiàn)有的MOSFET拓寬。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的將MOSFET的柵極經(jīng)電容與MOSFET的源極或漏極相連，并給其電容適當充電，柵極就能保持適當?shù)碾娢?，并且此電位將能隨輸入信號Vin的變化而相關波動，以使允許的輸入信號變化范圍不再受到柵極電位的限制。
本實用新型的目的也可以這樣實現(xiàn)的將MOSFET的襯底可經(jīng)電容和源極或漏極相連，并給此電容適當充電，襯底就能保持適當?shù)碾娢?，并且此電位將能隨輸入信號的變化而相關波動，以使允許的輸入信號變化范圍不再受到襯底電位的限制。
本實用新型的優(yōu)點是拓寬了傳輸信號Vin的適用范圍，克服了MOSFET傳輸信號Vin的幅值要受到其柵極電位或襯底電位的限制所造成的困難。無論是N溝還是P溝MOSFET都可實現(xiàn)浮式MOSFET。浮式MOSFET溝道的動態(tài)電阻和靜態(tài)電阻也較小，這對于器件來說又是一個重要優(yōu)點。


圖1為現(xiàn)有N溝MOSFET的結構圖；圖2為現(xiàn)有P溝MOSFET的結構圖；圖3為當柵極電容接于in端時，N溝浮式MOSFET的結溝圖；圖4為當柵極電容接于in端時，P溝浮式MOSFET的結溝圖；圖5為當柵極電容接于out端時，N溝浮式MOSFET的結溝圖；圖6為當柵極電容接于out端時，P溝浮式MOSFET的結溝圖；圖7在當柵極電容和輸入端之間串入一個電阻的N溝浮式MOSFET的結溝圖；圖8在當柵極電容和輸出端之間串入一個電阻的P溝浮式MOSFET的結溝圖。
實施例有時為了使浮式MOSFET的柵極電位個GS能反映信號電源IDS的作用，在輸入信號的通路上，在柵極電容與MOSFET的源極或漏極之間，可以串入一個電阻作為信號電流的反饋電阻。
權利要求1.一種浮式金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于將金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極經(jīng)電容與金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極或漏極相連。
2.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于將金屬氧化物半導體場效應晶體管的襯底可經(jīng)電容和源極或漏極相連。
3.如權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于在輸入信號的通路上，在柵極電容與金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極或漏極之間，可以串入一個電阻作為信號電流的反饋電阻。
專利摘要本實用新型屬由在一共用基片內形成的多個PN結組成的器件,具體涉及金屬氧化物半導體場效應晶體管即MOSFET的組件。本實用新型是將MOSFET的柵極或襯底經(jīng)電容與MOSFET的源或漏極相連。本實用新型的優(yōu)點是拓寬了傳輸信號V
文檔編號H01L29/788GK2289302SQ96207488
公開日1998年8月26日 申請日期1996年4月8日 優(yōu)先權日1996年4月8日
發(fā)明者黃群 申請人:黃群