專利名稱：一種鈀柵場效應(yīng)晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種鈀柵MOS器件的結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)有鈀柵MOS器件的氫敏鈀層是復(fù)蓋在柵區(qū)氧化層上的金屬柵極，由于鈀層與氧化層的粘著不夠牢固，往往會(huì)從柵區(qū)脫落，造成器件失效。
本實(shí)用新型的目的是為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，避免鈀柵脫落，提高器件的可靠性。
本實(shí)用新型鈀柵MOS器件結(jié)構(gòu)的特征在于，在器件的漏、源兩區(qū)金屬電極(1，2)與柵區(qū)(3)之間的絕緣層(4)上粘附一種與絕緣層和鈀層均能牢固粘著的粘結(jié)層(5)，并使金屬柵鈀層(6)的邊緣擴(kuò)展至此粘結(jié)層上，在柵外邊緣處形成鈀層一粘結(jié)層一絕緣層的牢固粘結(jié)結(jié)構(gòu)。
由于鈀柵的邊緣與器件整體粘結(jié)牢固，就可以避免鈀柵的脫落。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有更高可靠性的積極效果。


附圖為本實(shí)用新型鈀柵MOS器件結(jié)構(gòu)一項(xiàng)實(shí)施例的剖面示意圖。其中1為漏區(qū)金屬電極，2為源區(qū)金屬電極，3為柵區(qū)，4為SiO2層，5為多晶硅層，6為金屬柵鈀層。
本實(shí)用新型鈀柵MOS器件一項(xiàng)實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意于附圖。該項(xiàng)實(shí)施例在器件的漏、源兩區(qū)金屬電極(1，2)與柵區(qū)(3)之間的絕緣層為SiO2層(4)，用多晶硅層(5)作為與SiO2層和鈀層均能牢固粘著的粘結(jié)層。
權(quán)利要求1.一種鈀柵MOS器件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，在器件的漏、源兩區(qū)金屬電極與柵區(qū)之間的絕緣層上粘附一種與絕緣層和鈀層均能牢固粘著的粘結(jié)層，并使金屬柵鈀層的邊緣擴(kuò)展至此粘結(jié)層上，在柵外邊緣形成鈀層一粘結(jié)層一絕緣層的牢固粘結(jié)結(jié)構(gòu)。
2.按照權(quán)利要求1所述鈀柵MOS器件的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述在器件的漏、源兩區(qū)金屬電極與柵區(qū)之間的絕緣層為SiO2層，所述一種與絕緣層和鈀層均能牢固粘著的粘結(jié)層是多晶硅層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種鈀柵MOS器件的結(jié)構(gòu)，它在鈀柵的周邊有“鈀層—粘結(jié)層—絕緣層”的牢固粘結(jié)結(jié)構(gòu)，避免了鈀層從柵區(qū)脫落，提高了器件的可靠性。
文檔編號(hào)H01L23/00GK2107066SQ91222970
公開日1992年6月10日 申請(qǐng)日期1991年12月11日 優(yōu)先權(quán)日1991年12月11日
發(fā)明者徐永祥 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所