專利名稱：磁光記錄體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有特定金屬膜的磁光記錄體，尤其是記錄功率基本上不依賴于線速度的磁光記錄體，它具有優(yōu)良的機(jī)械性能，例如小的翹曲變形，并且有優(yōu)良的記錄靈敏度、寬的記錄功率范圍以及優(yōu)良的抹-讀-寫可循環(huán)性。
眾所周知，由包括過渡金屬如鐵、鈷以及稀土金屬元素如鋱(Tb)、釓(Gd)的合金構(gòu)成的磁光記錄膜具有垂直于膜面的易磁化軸，并能形成一個(gè)小的反向磁疇，該小的反向磁疇的磁化方向與膜的磁化強(qiáng)度方向反向平行;對(duì)應(yīng)于這種反向磁疇的存在或不存在，記為“1”或“0”，于是可以在上述的磁光記錄膜上記錄數(shù)字信號(hào)。
對(duì)于這種由過渡金屬及稀土元素構(gòu)成的磁光記錄膜，有已公開的含有15～30(原子)%Tb的Tb-Fe磁光記錄膜，例如日本專利公開特許20691，1982年;過去也有再加上第三種金屬元素的Tb-Fe的磁光記錄膜，例如Tb-Co或Tb-Fe-Co系磁光記錄膜。
通過在這些膜中加入第三種金屬元素以改善這些Tb-Fe、Tb-Co或類似系統(tǒng)的磁光記錄膜的抗氧化性，人們進(jìn)行了各種努力。
含有一基片以及在基片上載有上述磁光記錄膜的磁光記錄體要求具有優(yōu)良的機(jī)械性能例如小的翹曲變形。
含有一基片以及在基片上載有上述的磁光記錄膜的磁光記錄體一般來說缺乏抗氧化性，并有待于改善其記錄靈敏度(C/N比)。
因此，在上述磁光記錄體上寫入信息時(shí)，希望記錄功率范圍寬，以及記錄功率對(duì)線速度的依賴性小。此處的所謂“在寫入信息時(shí)記錄范圍寬”指的是當(dāng)使用激光束等在磁光記錄體上寫入信息時(shí)，即使作為寫入光束的激光束的功率在一定程度上變化時(shí)，也可以在磁光記錄體上精確地寫入信息。所謂“記錄功率對(duì)線速度的依賴性小”是指當(dāng)使用激光束等在磁光記錄體上寫入信息時(shí)，在記錄體的內(nèi)圓周和外圓周部分激光束的最佳記錄功率的變化小。
由前文可見，希望有一種具有翹曲變形小，優(yōu)良的抗氧化能力，高的C/N比，寬的記錄功率范圍以及記錄功率對(duì)線速度的依賴性小的磁光記錄體。
迄今為止，本發(fā)明人在上述現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上進(jìn)行了廣泛研究，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)具有至少一鋁合金膜和一鎳合金膜的磁光記錄體具有優(yōu)良的機(jī)械性能例如小的翹曲變形，記錄功率對(duì)線速度的依賴性小，記錄范圍寬、抗氧化性能優(yōu)良、以及記錄靈敏度高的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)這一發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明得以完成。
本發(fā)明的目的是提供具有優(yōu)良機(jī)械性能例如翹曲變形小的磁光記錄體，并且記錄功率范圍寬，優(yōu)良的抹-讀-寫可循環(huán)性，記錄功率對(duì)線速度的依賴性小，以及高的C/N比。
本發(fā)明的第一種磁光記錄體的特征在于一個(gè)保護(hù)膜、一個(gè)磁光記錄膜、一個(gè)鋁合金膜以及一個(gè)鎳合金膜被依次形成于一基片上。
本發(fā)明的第二種磁光記錄體的特征在于一個(gè)保護(hù)膜、一個(gè)磁光記錄膜、一個(gè)Ni合金膜，一個(gè)Al合金膜被依次形成于一個(gè)基片之上。
本發(fā)明的第三種磁光記錄體的特征在于一個(gè)保護(hù)膜、一個(gè)磁光記錄膜、一個(gè)保護(hù)膜、一個(gè)Al合金膜和一個(gè)Ni合金膜被依次形成于一基片上。
本發(fā)明的第四種磁光記錄體的特征在于一個(gè)保護(hù)膜、一個(gè)磁光記錄膜、一個(gè)保護(hù)膜、一個(gè)Ni合金膜及一個(gè)Al合金膜被依次形成于一個(gè)基片之上。
上述的本發(fā)明的磁光記錄體具有優(yōu)良的機(jī)械性能例如翹曲變形小、記錄功率對(duì)線速度的依賴性小、記錄功率范圍寬、優(yōu)良的抹一讀一寫可循環(huán)性、優(yōu)良的抗氧化性以及高的記錄靈敏度。
圖1是圖4所示為本發(fā)明的第一種至第四種磁光記錄體的截面圖。
本發(fā)明的磁光記錄體的具體說明如下;
在本發(fā)明的第一種磁光記錄體10a中，如圖1所示，一個(gè)保護(hù)膜2，一個(gè)磁光記錄膜3，一個(gè)Al合金膜4以及一個(gè)Ni合金膜5按圖示順序形成在基片1上。
在本發(fā)明的第二種磁光記錄體10b中，如圖2所示，一個(gè)保護(hù)膜2，一個(gè)磁光記錄膜3，一個(gè)Ni合金膜5以及一個(gè)Al合金膜4按圖示順序形成在基片1之上。
在本發(fā)明的第三種磁光記錄體10c中，如圖3所示，一個(gè)保護(hù)膜2a，一個(gè)磁光記錄膜3，一個(gè)保護(hù)膜2b，一個(gè)Al合金膜4以及一個(gè)Ni合金膜5按圖示的順序形成在基片1上。
本發(fā)明的第四種磁光記錄體10d中，如圖4所示，一個(gè)保護(hù)膜2a，一個(gè)磁光記錄膜3，一個(gè)保護(hù)膜2b，一個(gè)Ni合金膜5和一個(gè)鋁合金膜4按圖示的順序形成在基片1上。
下面對(duì)基片1，保護(hù)膜2，2a、2b，磁光記錄膜3，鋁合金膜4及鎳合金膜5逐一進(jìn)行說明。
基片用在本發(fā)明中的上述基片1的材料并不具體限定于一種特定的材料。不過，當(dāng)激光束從基片1射入時(shí)，所用材料應(yīng)為透明的。除去諸如玻璃、鋁之類的無機(jī)材料外，適用的透明材料包括例如有機(jī)物聚甲基甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯，聚苯乙烯與聚碳酸酯的聚合物合金、如美國(guó)專利4，614，778中公開的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物以及如下述的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物、聚4-甲基-1-戊烯、環(huán)氧樹脂、聚醚砜、聚砜、聚醚亞胺及諸如此類的物質(zhì)。在這些有機(jī)物中，優(yōu)先選用的是聚甲基甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、如美國(guó)專利4，614，778公開的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物以及下文中將要說明的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物。
從特別是對(duì)保護(hù)膜有良好的親和性、有小的雙重折射率以及磁光記錄體的抗氧化性能的觀點(diǎn)來看，在本發(fā)明中用作基片的尤其可取的材料是乙烯的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物以及由以下化學(xué)式[Ⅰ]和[Ⅱ]表示的環(huán)烯烴;
此處n是0或1;m是0或正整數(shù);k是0或1;R1～R18，Ra與Rb分別是從氫元素、鹵元素或烴基團(tuán)選取的一個(gè);R15～R18可以連接在一起形成含有一個(gè)雙鍵的單環(huán)或多環(huán);R15與R16或R17與R18一起可形成一亞烷基。
此處R是0或至少為1的整數(shù);δ、t是0、1或2是的之一;R1～R15分別是從氫元素、鹵元素、鏈烴基團(tuán)、芳香烴基團(tuán)和烷氧基團(tuán)中選取的一個(gè);R5(或R6)與R9(或R7)可通過1～3個(gè)碳原子的亞烴基連接在一起，或不通過任何基團(tuán)直接連在一起。
上述的化學(xué)式[Ⅰ]中，n是0或1，優(yōu)先取0;m是0或一正整數(shù)，優(yōu)先取0～3中的值;上述化學(xué)式[Ⅱ]中R為0或至少為1的整數(shù)，優(yōu)先選用0～3中的整數(shù)。
R1～R18、Ra和Rb(式[Ⅰ]，或R1～R15(式[Ⅱ])分別代表從氫元素、鹵元素以及烴基團(tuán)中選取的一個(gè)，其中鹵元素包括F、Cl、Br、I原子、烴基團(tuán)包括1～6個(gè)碳原子的烷基與3～6個(gè)碳原子的環(huán)烷基;烷基的具體例子包括甲基、乙基、異丙基、異丁基和戊基;環(huán)烷基包括環(huán)乙基、環(huán)丙基、環(huán)丁基和環(huán)戊基。
上述式[Ⅱ]中，R5(或R6)與R9(或R7)可通過1～3個(gè)碳原子的亞烴基連接在一起，或不通過任何基團(tuán)直接連接在一起。
上述式[Ⅰ]中，R15～R18連接在一起(組合)時(shí)可以形成具有一個(gè)雙鍵的單環(huán)或多環(huán);R15與R16或R17與R18可以形成2-4個(gè)碳原子的烷叉，其中具體例子包括乙叉(亞乙基)、丙叉、異丙叉和異丁叉。
上述式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的環(huán)烯烴可借助于通過Diels-Alder反應(yīng)，縮合環(huán)戊乙烯與其相應(yīng)的烯烴或環(huán)烯烴很容易地制備。
上述式[Ⅰ]或[Ⅱ]中表示的本發(fā)明使用的環(huán)烯烴化合物列表如下二環(huán)[2.2.1]庚-2-烯的衍生物如下所示二環(huán)[2.2.1]庚-2-烯6-甲基二環(huán)[2.2.1]庚-2-烯5，6-乙基二環(huán)[2.2.1]庚-2-烯1-甲基二環(huán)[2.2.1]庚-2-烯
6-乙基二環(huán)[2.2.1]庚-2-烯
6-n-丁基二環(huán)[2.2.1]庚-2-烯6-異丁基二環(huán)[2.2.1]庚-2-烯7-甲基二環(huán)[2.2.1]庚-2-烯四環(huán)[4.4.0.12，6.17，10]-3-十二烯的衍生物如下四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-甲基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-乙基四環(huán)-[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-丙基四環(huán)-[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-丁基四環(huán)-[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-異丁基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-乙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]
-3-十二烯8-環(huán)乙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-硬脂四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯5，10乙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯2，10乙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8，9-乙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯8-乙基-9-甲基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯11，12乙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯2，7，9-三甲基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-乙叉-9-乙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-乙叉-9-異丙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-乙叉-9-丁基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-n-丙叉四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-n-亞丙基-9-甲基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-n-亞丙基-9-乙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-n-亞丙基-9-異丙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-n-亞丙基-9-丁基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]-3-十二烯
8-異亞丙基四環(huán)[4.4.0.12，5.17，10]
15-乙基八環(huán)[8.8.0.12，9.14，7.111，18.
113，16.03，8.012，17]-5-二十二烯
五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六烯的衍生物如下五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六烯1，3-乙基五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六烯1，6-乙基五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六烯15，16-乙基五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六烯七環(huán)-5-二十烯衍生物或七環(huán)-5-二十二烯衍生物如下七環(huán)[8.8.0.12，9.14，7.111，17.03，8.012，16]-5-二十二烯七環(huán)[8.8.0.12，9.14，7.111，18.03，6.012，17]-5-二十二烯三環(huán)[4，3，0，12.6]-3-癸烯衍生物如下所示的這些三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯
2-甲基三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯
5-甲基三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯
三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-十一烯衍生物如如下提及的這些三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-十一烯10甲基-三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-十一烯五環(huán)[6.5.1.13，6.02，7.09，13]-4-十五烯衍生物如以下提及的這些五環(huán)[6.5.1.
13，6.02，7.09，13]-
4-十五烯1，3-乙基五環(huán)
6.5.1.13，6.
02，7.09，13]-4-十五烯1，6-乙基五環(huán)[6.5.1.13，6.
02，7.09，13]-4-十五烯14，15-乙基五環(huán)[6.5.1.13，6.
02，7.09，13]-4-十五烯三烯化合物如下五環(huán)[6.5.1.
13，6.02，7.09，13]-4，10-十五-二烯五環(huán)[4.7.0.12，5.08，13.09，12]-3-十五烯衍生物如以下提及的這些
五環(huán)[4.7.0.12，5.08，13.09，12]-3-十五烯甲基-五環(huán)[4.7.0.12，5.08，13.09，12]-3-十五烯七環(huán)[7，8，0，13.6，02.7，110.17，011.16，112.15]-4-二十烯的衍生物如以下所示這些七環(huán)[7，8，0，13.6，02.7，110.17，011.16，112.16]-4-二十烯乙基-七環(huán)[7，8，0，13.6，02.7，110.17，011.16，112.16]-4-二十烯九環(huán)[9.10.1.14，7.03，8.12，10.012，21.113，20014，19.115，18]-5-二十五烯衍生物列舉如下九環(huán)[9.10.1.14，7.03，8.12，10.012，10.012，21.
113，20014，19.115，18]-5-二十五烯
三甲基-九環(huán)[9.10.1.14，7.03，8.12，10.
012，21.113，20014，19.115，18]-5-二十五烯
五環(huán)[8.4.0.12，5.19，12.08，13]-3-十六烯衍生物列舉如下五環(huán)[8.4.0.12，5.19，12.08，13]-3-十六烯11-甲基五環(huán)[8.4.0.12，5.19，12.08，13]-3-十六烯11-乙基五環(huán)[8.4.0.12，5.19，12.08，13]-3-十六烯10，11-乙基五環(huán)[8.4.0.12，5.19，12.
08，13]-3-十六烯
七環(huán)[8.8.0.14，7.111，18.113，16.03，8.012，17]-5-二十二烯衍生物列舉如下七環(huán)[8.8.0.14，7.111，18.113，16.03，8.012，17]-5-二十二烯
15-甲基七環(huán)[8.8.0.14，7.111，18.113，16.
03，8.012，17]-5-二十二烯三甲基七環(huán)[8.8.0.14，7.111，18.113，16.
03，8.012，17]-5-二十二烯九環(huán)[10.10.1.16，8.114，21.116，19.02，11.04，9013，22.015，20]-6-二十六烯衍生物列舉如下
如上述通式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的，作為乙烯和環(huán)烯烴的共聚物，優(yōu)先取用環(huán)烯烴無規(guī)共聚物(以下稱環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A])它的特性粘度[η]為0.05～10dl/g，是在135℃的萘烷中測(cè)得的，其軟化溫度不低于70℃。如果需要的話，環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]可以與由通式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的乙烯與環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物(以下稱環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B])結(jié)合，它的特性粘度[η]為0.05～5dl/g，在135℃萘烷中測(cè)得，且軟化溫度不低于70℃。
環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]和含有乙烯單元與作為基本成分的前文提及的環(huán)烯烴單元的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]在需要時(shí)可以含有除去這兩種基本組分之外的其它可共聚的非飽和單體單元，其限度只要使得不妨礙本發(fā)明的目的即可。這種在環(huán)烯烴無規(guī)共聚物中可用的可共聚的非飽和單體單元可以從包括3～20個(gè)碳原子的α烯烴的單體中獲得，如丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-六烯、1-八烯、1-癸烯、1-十二烯、1-十四烯、1-十六烯、1-十八烯、1-二十烯，作為例子，這些非飽和的單體可使用的數(shù)量應(yīng)小于在所得到的無規(guī)共聚物中含有的乙烯單元的總分子量。
在上述環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]中，有40～80mul%的從乙烯得到的重復(fù)單元(a)，較可取的為50～70mul%;還有15～60mul%的從環(huán)烯烴得到的重復(fù)單元(b)，較可取的為25～50mul%，并且重復(fù)單元(a)與(b)基本上隨機(jī)地線性排列。所得到的乙烯單元和環(huán)烯烴單元的無規(guī)共聚物的成分由13C-NMB確定。這種無規(guī)共聚物基本上是線性的，沒有凝膠類交聯(lián)結(jié)構(gòu)，這一事實(shí)可以該聚合物在135℃萘烷中完全溶解的事實(shí)來證明。
環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]在135℃萘烷中測(cè)得的特性粘度[η]為0.05～10dl/g，較可取的是0.08～5dl/g。
用一種熱機(jī)械分析儀測(cè)得的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]的軟化溫度(TMA)至少為70℃，較可取的是90～250℃，最好為100～200℃。這一軟化溫度是通過使用一種熱機(jī)械分析儀(Du Pont制造的)觀察1mm厚的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物的薄板的熱變形行為確定的，即將一石英針在加載49g的情況下垂直插在薄板上，然后使薄板以5℃/mm的速度被加熱，當(dāng)針深入薄板的深度為0.635mm時(shí)，這時(shí)的加熱溫度可取作TMA。這種環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)Tg可取的是50～230℃，最好為70～120℃。
通過X射線衍射測(cè)得環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]的晶化率最好為0～10%。較可取的為0～7%，特別可取的為0～5%。
在本發(fā)明中，人們希望用一種環(huán)烯烴無規(guī)共聚物復(fù)合物形成基片。該共聚物復(fù)合物是通過使軟化溫度最低為70℃的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]與環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]結(jié)合制備的，環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]是由前面提到的式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的一種乙烯和環(huán)烯烴的共聚物，其特征粘度為0.05～5dl/g，軟化溫度小于70℃。
在軟化溫度小于70℃的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]中，從乙烯衍生物的重復(fù)單元[a]占60～98mul%，較可取的是69～95mul%，從環(huán)烯烴衍生的重復(fù)單元[b]占2～40mul%，較可取的是5～40mul%，并且重復(fù)單元(a)和(b)基本上線性無序排列。所得到的乙烯和環(huán)烯烴的無規(guī)共聚物的成分由13C-NMR確定。這種環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]基本上是線性的，且沒有凝膠類交聯(lián)結(jié)構(gòu)，這一結(jié)論可由該共聚物完全溶解于135℃萘烷中這一事實(shí)來證明。
在135℃的萘烷中測(cè)得環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]的特性粘度[η]為0.05～5dl/g優(yōu)取值為0.08～3dl/g。
用熱機(jī)械分析儀測(cè)得環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]的軟化溫度(TMA)小于70℃，優(yōu)取值為-10℃～60℃，最好為10～50℃;該無規(guī)共聚物[B]的玻璃化溫度一般為-30℃～60℃，優(yōu)取值為-20～50℃。
用X射線衍射法測(cè)得環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]℃;該無規(guī)共聚物[B]的玻璃化溫度一般為-30℃～60℃，優(yōu)取值為-20～50℃。
用X射線衍射法測(cè)得環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]的結(jié)晶率的優(yōu)取值為0～10%，較好的為0～7%，最好為0～5%。
在上述情況下，環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]和[B]用作本發(fā)明基片的原料，環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]與[B]的重量比為100/0.1～100/10，優(yōu)取值為100/0.3～100/7，最好為100/0.5～100/5。使用這種環(huán)烯烴無規(guī)共聚物復(fù)合物，其中組分[B]按上面給出的比例摻入到組分[A]中，這樣得到的基片具有這樣的效果，即與單獨(dú)使用組分[A]構(gòu)成的基片相比，在惡劣環(huán)境中，基片與本發(fā)明中使用的保護(hù)膜之間的親和性進(jìn)一步改善，而基片本身的優(yōu)良透光性和表面平滑性能也充分保留下來。當(dāng)含有[A]與[B]的混合物的上述的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物被用來制作基片時(shí)，所獲得的基片與本發(fā)明所使用的保護(hù)膜之間優(yōu)良的親合性具有這樣的特點(diǎn)，即縱然使承載保護(hù)膜的基片處于高溫和高濕環(huán)境中，其親合性也不會(huì)發(fā)生不希望的改變。
構(gòu)成本發(fā)明基片的上述環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]和[B]可通過選擇合適的條件來制備，在所選擇的條件下，按照本申請(qǐng)人在日本專利L-O-P Nos.168708/1985、120816/1986、115912/1986、271308/1986、272216/1986、252406/1987與252407/1987中提出的工藝過程來制備。
在上述環(huán)烯烴無規(guī)共聚物中，雖然從用上述式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的環(huán)烯烴中衍生的構(gòu)成單元(b)被認(rèn)為形成下面涉及的式[Ⅲ]和[Ⅳ]表示的結(jié)構(gòu)的重復(fù)單元，但構(gòu)成單元(b)有時(shí)也可以部分地由開環(huán)共聚作用結(jié)合，如果需要的話，它們也可以被氧化
此處K、M、N、及R1～R18‘R9‘Rb的定義同前文中的式[Ⅰ]。
此處r、s、t及R1-R15的定義同前面的式[Ⅱ]。
如上所述，代替上述的乙烯和環(huán)烯烴的無規(guī)共聚物，可以使用環(huán)烯烴開環(huán)聚合物或由開環(huán)共聚物或多種形式的環(huán)烯烴單體得到的共聚物，或者是聚合物或共聚物的氫化產(chǎn)物。上述的環(huán)烯烴開環(huán)聚合物、環(huán)烯烴開環(huán)共聚物及聚合物或共聚物的氫化產(chǎn)物用前述的式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴為例加以說明如下。式[Ⅰ]的環(huán)烯烴被認(rèn)為進(jìn)行如下所示的反應(yīng)以形成開環(huán)共聚物和一種氫化產(chǎn)物
這種聚合物的例子包括四環(huán)十二烯與降冰法或其衍生物的開環(huán)共聚物以及共聚物的氫化產(chǎn)物。
而且，在本發(fā)明中一部分開環(huán)聚合物，開環(huán)共聚物、氫化共聚物以及上述的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物可以用不飽和羧酸例如馬來酸來修正。這種修正產(chǎn)物可通過上述的環(huán)烯烴樹酯與不飽和羧酸或其衍生物為該酸酸酐或該酸的烷基醚起反應(yīng)來制備。此外，在這種情況下，由環(huán)烯烴樹酯修正產(chǎn)物得到的組成單元的含量通常不大于50～10mul%。這種環(huán)烯烴樹酯修正產(chǎn)物可以通過把修正物加入到環(huán)烯烯樹酯中來獲得一所需的修正率，或通過進(jìn)行移植聚合來制備，或者也可以制造一種有高的修正率的修正產(chǎn)物并把該修正產(chǎn)物與未被修正的環(huán)烯烴樹酯混合來制備。
在本發(fā)明中，可以單獨(dú)地或組合地使用上述的開環(huán)聚合物、開環(huán)共聚物及其氫化物、環(huán)烯烴無規(guī)共聚物及無規(guī)共聚物的修正產(chǎn)物。
而且，在本發(fā)明中，當(dāng)制備上述的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物時(shí)，不同于前面所述的式[Ⅰ]或[Ⅱ]所示的環(huán)烯烴也可以被聚合，只要這種聚合不妨害生成聚合物的物理性能即可。這種環(huán)烯烴的例子列舉如下環(huán)丁烯環(huán)戊烯環(huán)六烯3，4-乙烷六烯3-甲基環(huán)六烯2-(2-甲基丁基)-1-環(huán)六烯2，3，3a，7a-四氫化-4，7-亞甲基-1H-茚以及
3a，5，6，7a-四氫化-4，7-亞甲基-1H-茚上述的其余環(huán)烯烴可單獨(dú)或組合使用，其含量通常為0～50mul%。
除上述組分[A]和[B]外，本發(fā)明的磁光記錄體的基片可與各種添加劑結(jié)合使用，例如用來改善沖擊強(qiáng)度的橡膠成分、熱穩(wěn)定劑、氣候穩(wěn)定劑、抗靜電劑、光滑劑、抗凍劑、防霧劑、潤(rùn)滑劑、染料、色素、天然油、合成油和蠟。這些添加劑的比例可適當(dāng)選定。優(yōu)選的穩(wěn)定劑的具體例子包括酚抗氧化劑例如四[甲烯-3(3，5-雙-t-丁基-4-羥苯基)丙酸]甲烯、β-(3，5-雙-t-丁基-4-羥苯基)丙酸烷基醚與2，2′-草酰氨基(oxamidobis)[乙基-3-(3，5-雙-t-丁基-4-羥苯基]丙酸，脂肪酸金屬鹽例如鋅硬脂酸鹽、鈣硬脂酸鹽和鈣12-羥硬脂酸鹽以及多羥基乙醇的脂肪酸醚例如甘油-硬脂酸酯、甘油-月桂酸、甘油二硬脂酸、季戊四醇-硬脂酸、季戊四醇二硬脂酸及季戊四醇三硬脂酸。這些穩(wěn)定劑可以單獨(dú)使用，也可以結(jié)合起來使用，例如四[甲烯-3(3，5-雙-t-丁基-4-羥苯基)丙酸]甲烯與鋅硬脂酸鹽、甘油-硬脂酸一起使用。
本發(fā)明中希望將酚抗氧化劑與多羥基醇的脂肪酸酯一起使用。所述脂肪酸酯應(yīng)優(yōu)先選用這些多羥基醇脂肪酸酯，它們顯示至少三種醇功能，其中一部分羥基被酯化。
上述的這種多羥基醇的脂肪酸酯具體舉例如下甘油脂肪酸酯例如甘油-硬脂酸酯、甘油-月桂酸酯、甘油-十四酸酯、甘油-十六酸酯、甘油-二硬脂酸酯和甘油雙月桂酸酯，以及季戊四醇的脂肪酸酯例如季戊四醇單硬脂酸酯、季戊四醇單月桂酸酯、季戊四醇雙月桂酸酯、季戊四醇雙硬脂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯。
這些酚抗氧化劑使用的數(shù)量，根據(jù)上述組分[A]和[B]總重量為100分計(jì)，其重量應(yīng)為0～10分，較可取的為0～5分，更可取的為0～2分;這種多羥基醇的脂肪酸酯使用的數(shù)量，根據(jù)上述組分[A]和[B]總重量為100分計(jì)，應(yīng)為0～10分，可取的為0～5分。
本發(fā)明的磁光記錄體的基片可與填料結(jié)合使用，例如二氧化硅、硅藻土、氫化鋁、二氧化鈦、鎂氧化物、浮石球、鋁的氫氧化物、鎂的氫氧化物、堿性鎂碳化物、白云石、硫酸鈣、鉀鈦酸鹽、硫酸鋇、亞硫酸鈣、滑石、瓷土、云母、石棉、玻璃纖維、玻璃片、玻璃球、鈣硅酸鹽、蒙脫土、皂土、石墨、鋁粉、硫化鉬、硼纖維、碳化硅纖維、聚乙烯纖維、聚丙烯纖維、聚酯纖維、聚胺纖維。
此外，含有環(huán)烯烴無規(guī)共聚物或該含復(fù)合成分的該共聚物形成的基片對(duì)保護(hù)膜有良好的親合性，因而記錄膜有優(yōu)良的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，同時(shí)，能有效地阻止氧化。借助于在一由環(huán)烯烴無規(guī)共聚物形成的基片形成一記錄膜和保護(hù)膜而制成的磁光記錄體因而有優(yōu)良的記錄靈敏度、經(jīng)久耐用并長(zhǎng)期穩(wěn)定，而且無翹曲變形、不發(fā)生破裂。
雖然基片1的厚度不作具體限制，但可以選用的厚度為0.5～5mm，更可取的是1～2mm。
保護(hù)膜2，2a，2b本發(fā)明的第一至第四種磁光記錄體中使用的保護(hù)膜2或2a是化學(xué)式為SiNx、ZnS、ZnSe、CdS、Si、AlN等所示的物質(zhì)的膜，其中以SiNx膜為最佳選擇。
以分子式為SiNx的材料形成的保護(hù)膜中，優(yōu)先選用x在0＜x≤4/3的范圍內(nèi)的，優(yōu)先選用的保護(hù)膜的具體例子中包括分子式為Si3N4的氮化硅膜，或包含Si3N4和Si的混合物的膜，從而使x在0＜x≤4/3的范圍內(nèi)。分子式為SiNx的這種保護(hù)膜可以通過濺射Si3N4靶形成，或由N2氣和Si靶濺射形成。上述的由SiNx組成的這種保護(hù)膜2或2a以其折射率不少于2.0為最好。該保護(hù)膜2或2a可以使下面要說明的磁光記錄膜3防止氧化等，或者作為增強(qiáng)膜以增強(qiáng)磁光記錄膜的記錄性能，或者這兩種功能兼有，此外，分子式為SiNx的材料形成的保護(hù)膜在防止破裂方面尤其優(yōu)越。
在本發(fā)明中，保護(hù)膜2或2a的厚度為500～2000 ，以大約為800～1500 為最好。
借助形成一具有上述厚度的保護(hù)膜可以獲得具有良好C/N比的磁光記錄體。
在本發(fā)明的第三和第四種磁光記錄體中，保護(hù)膜2b形成于下文中將要說明的磁光記錄膜3上。
使用一類類似于保護(hù)膜2a的一種膜作為保護(hù)膜2b。
如上述的保護(hù)膜2b的厚度為100～1000 ，最好在150～500 之間。
在本發(fā)明中，通過形成厚度在上述范圍內(nèi)的保護(hù)膜，常?？梢垣@得具有較高C/N比和較寬記錄功率范圍的光磁記錄體。
磁光記錄膜3磁光記錄膜3包括ⅰ)至少?gòu)?d族過渡金屬中所選的一種金屬元素與ⅲ)至少?gòu)南⊥猎刂羞x取的一種元素;或者包括ⅰ)至少?gòu)?d族過渡金屬中選取的一種金屬元素，ⅱ)至少?gòu)目刮g性金屬中選取的一種元素，ⅲ)至少?gòu)南⊥猎刂羞x取的一種元素。
上述的磁光記錄膜中，較可取的是包括ⅰ)至少?gòu)?d族過渡金屬中選取的一種元素，ⅱ)至少?gòu)目刮g性金屬中選取的一種元素，ⅲ)至少?gòu)南⊥猎刂羞x取的一種元素。
可用來作為3d族過渡金屬元素(ⅰ)是Fe、Co、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn，其中更可取的是Fe或Co，或二者。
該3d族過渡金屬在磁光記錄膜3中的含量為20～90(原子)%，較可取的是30～80(原子)%，最好是35～80(原子)%。
借助于在磁光記錄膜中加入抗蝕金屬元素(ⅱ)，可獲得所述記錄膜的強(qiáng)抗氧化性能?？捎玫目刮g性金屬元素為Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、及Nb。其中較可取的是Pt、Pd、Ti，最好是Pt、Pd或它們二者。
在磁光記錄膜中，抗蝕性金屬元素的含量不大于30%(原子)，可取的為5～20(原子)%，較好的是10～25(原子)%，最好為10～20(原子)%。
所述的可包括于磁光記錄膜中的稀土元素(ⅲ)為Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm和Eu，其中尤為可取的是Gd、Tb、Dy、Ho、Nd、Sm和Pr。
從上述稀土元素中選取的至少一種元素在本發(fā)明所述的磁光記錄膜中的含量為5～50(原子)%。
在本發(fā)明中，所希望的磁光記錄膜有以下成分。
ⅰ)3d族過渡金屬本發(fā)明所用的磁光記錄膜應(yīng)含有Fe或Co，或含有它們二者作為3d族過渡金屬(ⅰ)，在記錄膜中Fe與/或Co的含量至少為40(原子)%，但不大于80(原子)%，較可取的是至少為40(原子)%，但小于70(原子)%，最好為40～59(原子)%。
在本發(fā)明的磁光記錄膜中，所需的Fe與/或Co的含量應(yīng)使得Co/(Fe+Co)之比值(原子比)至少為0，但不大于0.3，較好為0～0.2，最好為0.01～0.2。
當(dāng)在磁光記錄膜中使用的Fe與/或Co的含量在40～80(原子)%之間時(shí)，可以獲得這樣的優(yōu)點(diǎn)，即所得到的磁光記錄膜具有優(yōu)良的抗氧化性能，并且有一垂直于膜面的易磁化軸。
當(dāng)Co加入到磁光記錄膜中時(shí)，會(huì)觀察到這種現(xiàn)象(ⅰ)居里點(diǎn)提高(ⅱ)Kerr旋轉(zhuǎn)角(QK)增大，所以，可借助于調(diào)節(jié)在磁光記錄膜中加入的Co的數(shù)量來調(diào)節(jié)記錄類敏度。此外，通過加入Co到磁光記錄膜中，可增加重放信號(hào)的載波電平;從噪聲電平與C/N比的觀點(diǎn)看，在磁光記錄膜中的Co/(Fe+Co)(原子之比率)應(yīng)至少為0，但不大于0.3，較可取的是0～0.2，最好為0.01～0.2。
上面說明的用于本發(fā)明中的磁光記錄膜即使在重復(fù)進(jìn)行信息的記錄與抹去時(shí)也不會(huì)改變性能，例如，成分為Pt13Tb38Fe50Co9((原子)%)的磁光記錄膜，當(dāng)記錄與抹除信息以及反復(fù)100，000次時(shí)沒有發(fā)現(xiàn)C/N比的減少。
ⅱ)抗蝕性金屬作為本發(fā)明的磁光記錄膜的抗蝕性金屬(ⅱ)，較可取的是Pt或Pd，或二者兼有，并且磁光記錄膜中所需的Pt與/或Pd的含量為5～30(原子)%，較可取的為10～30(原子)%，尤其可取的是10～20(原子)%，最好為11～19(原子)%。
當(dāng)磁光記錄膜中Pt與/或Pd的含量至少為5(原子)%，特別是大于10(原子)%時(shí)，可獲得這樣的優(yōu)點(diǎn)，即所得到的記錄膜在抗氧化性能方面優(yōu)良，即使該記錄膜長(zhǎng)期使用也不發(fā)生腐蝕并且看不到C/N比變壞。
例如，成分為Pt13Tb28Fe50Co9(原子%)或者Ps12Tb28Fe53Co7(原子%)的本發(fā)明的磁光記錄膜中，即使將它們放在濕度為85%RH、溫度為80℃的環(huán)境下保存1000小時(shí)，也觀察不到C/N比的劣變;與上述磁光記錄膜對(duì)照，不含Pd或Pt，化學(xué)式為Tb25Fe28Co7(原子%)所示的磁光記錄膜，將它放在相對(duì)濕度為85%RH、溫度為80℃的環(huán)境中保持1000小時(shí)，則觀察到C/N比的明顯變壞。
當(dāng)在Pt與/或Pd為上面給定量的磁光記錄膜中記錄或讀取信息時(shí)，施加一小的偏磁場(chǎng)即可獲得足夠高的C/N比。如果用小的編磁場(chǎng)就可獲得一足夠高的C/N比，就可以使用簡(jiǎn)化的驅(qū)動(dòng)裝置來驅(qū)動(dòng)載承該磁光記錄膜的光盤，這是因?yàn)橛脕懋a(chǎn)生偏磁場(chǎng)的磁體的尺寸減小了，并且磁體發(fā)熱也減小了;由于用小的偏磁即可獲得足夠高的C/N比，使得設(shè)計(jì)一能夠重寫的用于磁場(chǎng)調(diào)制記錄的磁體也變得容易了。
ⅲ)稀土元素(RE)在本發(fā)明的磁光記錄膜中含有稀土元素(RE)，所使用的稀土元素包括Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho。
上面列舉的稀土元素中，較可取的是Nd、Pr、Gd、Tb和Dy，尤為可取為Tb，這些稀土元素可以兩種或多種一起使用，在這些元素中Tb的含量至少為50(原子)%。
從要獲得一具有垂直于膜面的易磁化軸的磁光記錄膜的觀點(diǎn)看來，在磁光記錄膜中稀土元素應(yīng)有這樣的含量，即若用x表示RE/(RE+Fe+Co)之比(原子比)，x的范圍為0.15≤x≤0.45，較好的為0.20≤x≤0.40。
在本發(fā)明中，借助于在磁光記錄膜中加入少量的不同的其它元素可以改善居里溫度、補(bǔ)償溫度、矯頑力Hc、或Kerr旋轉(zhuǎn)角(QR)，或可以減少生產(chǎn)成本。在這種磁光記錄膜中所含的這些元素在全部組成的10(原子)%。
在各種情況下可以應(yīng)用的這些元素列舉如下(Ⅰ)除Fe、Co之外的其它3d族元素，具體地說例如Se、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn。
上述的這些元素中，優(yōu)先取Ti、Ni、Cu、Zn。
(Ⅱ)除Pd之外的4d族過渡金屬，例如包括Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag和Cd。
上述的這些元素中，優(yōu)先取Zn和Nb。
(Ⅲ)除Pt之外的5d族過渡金屬，例如包括Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Au和Hg。
上面列舉的這些元素中，優(yōu)先取Ta。
(Ⅳ)屬于ⅢB中的元素。
具體可采用的是B、Al、Ga、In和Tl。
上面列舉的這些元素中，優(yōu)先使用B、Al、Ga。
(Ⅴ)屬于ⅣB組中的元素具體可用的元素是C、Si、Ge、Sn、Pb。
上面列舉的這些元素中，優(yōu)先使用Si、Ge、Sn、Pb。
(Ⅵ)屬于ⅤB組中的元素可用的元素是N、P、As、Sb、Bi。
上面列舉的這些元素中，優(yōu)先使用Sb。
(Ⅶ)屬于ⅥB組中的元素可用的元素具體為S、Se、Te和Po上面列舉的這些元素中，優(yōu)先使用Te。
借助于寬角度X射線折射或類似的方式，可以證實(shí)具有上面給定成分的磁光記錄膜是一種具有垂直于膜面的易磁化軸的非晶套膜，它的Kerr磁滯環(huán)在大多數(shù)情況下呈予希望的方形，且它能垂直磁化和進(jìn)行磁光記錄。
在本說明書中，所述的Kerr磁滯環(huán)呈所希望的方形這種說法在于強(qiáng)調(diào)這樣的事實(shí)，即在最大外磁場(chǎng)中，在飽和磁化時(shí)的Kerr旋轉(zhuǎn)角(QR1)與在O磁場(chǎng)中，在剩磁情況下的Kerr旋轉(zhuǎn)角(QR2)之比QR1/QR2大于0.8。
這種磁光記錄膜3的厚度為100～600 ，較可取的是100～400 ，特別可取的是150～300 。
鋁合金膜4在本發(fā)明的第一種磁光記錄體10a中，鋁合金膜4形成在上述磁光記錄膜3上。
在本發(fā)明的第二種磁光記錄體10b中，下面將要說明的鎳膜5形成在上述的磁光記錄膜3之上，鋁合金膜4形成在Ni合金膜上。
在本發(fā)明的第三種磁光記錄體10C中，上的保護(hù)膜2b形成在上述的磁光記錄膜中，Al合金膜4形成在保護(hù)膜2b上。
在本發(fā)明的第四種磁光記錄體10d中，上述的保護(hù)膜2b形成在上述的磁光記錄膜3上，下文中將要說明的Ni合金膜5形成在保護(hù)膜2b上，Al合金膜4形成在Ni合金膜上。
Al合金膜4包括Al和除Al之外的至少一種其它的元素。
這些Al合金膜的具體例子列舉如下
Al-Cr合金(Cr含量0.1～10(原子)%)Al-Cu合金(Cu含量0.1～10(原子)%)Al-Mn合金(Mn含量0.1～10(原子)%)Al-Hf合金(Hf含量0.1～10(原子)%)Al-Nb合金(Nb含量0.1～10(原子)%)Al-B合金(B含量0.1～10(原子)%)Al-Ti合金(Ti含量0.1～10(原子)%)Al-Ti-Nb合金(Ti0.1～5(原子)%、Nb0.1～5(原子)%)Al-Ti-Hf合金(Ti0.1～5(原子)%、Hf0.1～10(原子)%)Al-Cr-Hf合金(Cr0.1～5(原子)%、Hf0.1～10(原子)%)Al-Cr-Ti合金(Cr0.1～5(原子)%、Ti0.1～10(原子)%)Al-Cr-Zr合金(Cr0.1～5(原子)%、Zr0.1～10(原子)%)Al-Ti-Nb合金(Ti0.1～5(原子)%、Nb0.1～5(原子)%)Al-Ni合金(Ni0.1～10(原子)%)Al-Mg合金(Mg0.1～10(原子)%)Al-Mg-Ti合金(Mg0.1～10(原子)%、Ti0.1～10(原子)%)Al-Mg-Cr合金(Mg0.1～10(原子)%、Cr0.1～10(原子)%)Al-Mg-Zr合金(Mg0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%)Al-Se合金(Se0.1～10(原子)%)Al-Zr合金(Zr0.1～10(原子)%)Al-Ta合金(Ta0.1～10(原子)%)
Al-Ta-Hf合金(Ta0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%)Al-Si合金(Si0.1～10(原子)%)Al-Ag合金(Ag0.1～10(原子)%)Al-Pd合金(Pd0.1～10(原子)%)Al-Pt合金(Pt0.1～10(原子)%)上面列舉的這些Al合金中，以下這些是特別可取的，因?yàn)樗鼈冇袃?yōu)良的抗蝕性，且對(duì)含這些Al合金之一構(gòu)成的金屬膜的磁光記錄體來說，對(duì)線速度的依賴性小含Hf0.1～10(原子)%的Al合金，含Ni0.1～10(原子)%的Al合金，含Ti0.5～5(原子)%、Hf0.5～5(原子)%，所述Ti和Hf的總含量為1～5.5(原子)%的Al合金，含Cr0.1～5(原子)%、Ti0.1～9.5(原子)%，Cr和Ti的總含量不大于10(原子)%的Al合金;
含Cr0.1～5(原子)%、Ti0.1～9.5(原子)%，Hf0.1～9.5(原子)%且Cr、Ti、Hf的總含量不大于10(原子)%和Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Cr0.1～10(原子)%，且Mg和Cr的總含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Cr0.1～5(原子)%、Hf0.1～9.5(原子)%，Cr和Hf的總含量不大于10(原子)%的Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%，Mg和Hf的總含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Cr0.1～5(原子)%、Zr0.1～9.5(原子)%，且Cr和Zr的總含量不大于10(原子)%的Al合金;
含Ta0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%且Ta和Hf的總含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Ti0.5～5(原子)%，Ni0.5～5(原子)%、Ti和Ni的總含量不大于1～5.5(原子)%的Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Ti0.1～10(原子)%、Mg和Ti的總含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%，Ti0.1～10(原子)%，且Mg、Hf、Ti的總含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%、Cr含量不大于10(原子)%，且Mg、Hf、Cr的總含量不大于15(原子)%的Al合金;
含Mg0.1～10(原子)%、Ti0.1～10(原子)%、Cr不大于10(原子)%，且Mg、Ti、Cr的總含量不大于15(原子)%的Al合金;以及含Mg0.1～10(原子)%、Hf0.1～10(原子)%、Ti0.1～10(原子)%Cr含量不大于10(原子)%，且Mg、Hf、Ti、Cr的總含量不大于15(原子)%的Al合金。
除去構(gòu)成上述Al合金的金屬以外，Al合金膜還可含有一種、兩種或多種其它的金屬元素;這些金屬元素包括Ti、Ta、Cr、Si、Cu、W、Zr、Mn、Mg及V。這些可含的金屬元素的量一般不大于5(原子)%。最好不大于2(原子)%。(已經(jīng)含有上面列舉的金屬元素的Al合金膜不再含有所述按上面確定含量范圍的Al合金膜中已被包含的金屬元素，例如，當(dāng)構(gòu)成Al合金膜的Al合金是Al-Tl合金或Al-Tl-Hf合金時(shí)，上面所列舉的這些金屬元素中，Tl再不應(yīng)包含在這一鋁合金中了。)本發(fā)明中使用的Al合金膜4要求的厚度為100～5000 ，可取的是500～3000 ，最好為700～2000 。
本發(fā)明使用的Al合金膜4作為好的導(dǎo)熱層，磁光記錄體中由于有了這種Al合金膜，在記錄膜中被記錄的凹處的中心部分可防止由記錄光束引起的過熱，因此可以認(rèn)為，所用的記錄功率對(duì)線速度的依賴性變小了。
本發(fā)明的Al合金膜有良好的抗蝕性能，因此磁光記錄體有這樣的特點(diǎn)，即長(zhǎng)期使用后它們表現(xiàn)出對(duì)線速度幾乎沒有依賴性，并且Al合金膜表現(xiàn)出對(duì)記錄層有良好的保護(hù)作用。
鎳合金膜5在本發(fā)明的第一種磁光記錄體10a中，鎳合金膜5形成于上述的Al合金膜4之上。
在本發(fā)明的第二種磁光記錄體10b中，Ni合金膜5形成在上述的磁光記錄膜3上，上述的Al合金膜4形成在Ni合金膜5之上。
在本發(fā)明的第三種磁光記錄體10C上，Ni合金膜形成在上述的Al合金膜4之上。
在本發(fā)明的第四種磁光記錄體10d上，上述的保護(hù)膜2b形成在上述的磁光記錄膜3上，Ni合金膜5形成在保護(hù)膜2b之上，上述的Al合金膜4形成在Ni合金膜5之上。
Ni合金膜含有Ni和除Ni之外的至少一種元素。
這種Ni合金膜具體列舉如下Ni-Cr合金(30～99(原子)%Ni、1～70(原子)%Cr;最好為70～95(原子)%Ni、5～30(原子)%Cr);
Ni-Si合金(Ni85(原子)%、Si10(原子)%、Cu3(原子)%、Al2(原子)%);
Ni-Cu合金(Ni63(原子)%、Cu29-30(原子)%、Fe0.9～2(原子)%、Si0.1～4(原子)%、Al0～2.75(原子)%);
Ni-Mo-Fe合金(Ni60～65(原子)%、Mo25～30(原子)%、Fe5(原子)%);
Ni-Mo-Fe-Cr合金(Ni55～60(原子)%、Mo15～20(原子)%、Fe6(原子)%、Cr12-16(原子)%、W5(原子)%);
Ni-Mo-Fe-Cr-Cu合金(Ni60(原子)%、Mo5(原子)%、Fe8(原子)%、Cr21(原子)%、Cu3(原子)%、Si1(原子)%、Mn1(原子)%、W1(原子)%，或者Ni44-47(原子)%、Mo5.5-7.5(原子)%、Cr21～23(原子)%、Cu0.15(原子)%、Si1(原子)%、Mn1～2(原子)%、Co2.5(原子)%、W1(原子)%、Nb1.7～2.5(原子)%以及余量的Fe)。
在這些可用于Ni合金膜5的Ni合金中，優(yōu)取的是Ni-Cr合金。
這種Ni合金膜5的厚度為200～5000
，較好的是300～3000
，最可取的約為500～2000
。
具有上述Ni合金膜5的本發(fā)明的磁光記錄體具有優(yōu)良的機(jī)械性能例如小的翹曲變形。
在本發(fā)明的磁光記錄體中，在上述的Al合金膜4與Ni合金膜5之間，可提供一保護(hù)膜，可以使用與上述保護(hù)膜2b、2a相類似的保護(hù)膜。
在本發(fā)明中，在最外層上，即Ni合金膜或Al合金膜上，可以提供一外涂層。一種紫外線聚合樹脂例如丙烯?；妥贤饩€聚合樹脂就可用作外涂層物質(zhì)，形成的外涂層厚度一般為1～100μm。在基片與保護(hù)膜2相對(duì)的另一側(cè)也可以有一面涂層。
通過在基片上形成保護(hù)膜、磁光記錄膜、Al合金膜和Ni合金膜，來制成本發(fā)明所述的磁光記錄體，上述膜的形成可采取真空蒸發(fā)淀積、濺射或電子束蒸發(fā)淀積形成。
本發(fā)明的磁光記錄體具有優(yōu)良的機(jī)械性能，例如小的翹曲變形，記錄功率對(duì)線速度的依賴性小，記錄功率范圍寬、優(yōu)良的抹一讀一寫循環(huán)性能，還具有優(yōu)良的抗氧化性和記錄靈敏度。
下面將參照實(shí)施例來說明本發(fā)明，不過需強(qiáng)調(diào)的是本發(fā)明并不局限于這些例子。
實(shí)施例1用濺射方法在由乙烯與四環(huán)[4、4、0.12，5、17，10]-3-十二烯(結(jié)構(gòu)式為
，下面簡(jiǎn)略為TCD-3)的非晶態(tài)共聚物形成的基片上順序形成了厚度為1100
Si3N4保護(hù)膜、厚度為300
Pt10Tb28Fe60Co2的磁光記錄膜;所述共聚物中乙烯的含量為59(原子)%，是用13C-NMR分析測(cè)得的，TCD-3的含量為41(原子)%，特性粘度[η]為0.42dl/g，是在135℃的萘烷中測(cè)得的，軟化溫度為154℃。使用Al-Ti-Hf復(fù)合靶用濺射方法在記錄膜上形成了厚度為2000
的Al合金膜即Al-Ti-Hf，所述Al合金中，Al為97(原子)%，Ti為1(原子)%，Hf為2(原子)%。使用Ni-Cr復(fù)合靶用濺射方法在Al合金膜上形成了厚度為500
的Ni-Cr合金膜，所得到的Ni合金膜中Ni為90(原子)%、Cr為10(原子)%。
這樣獲得的磁光記錄體被置于溫度為70℃、相對(duì)濕度為85%的環(huán)境中達(dá)48小時(shí)，與膜形成前的基片相比，未觀察到磁光記錄體的翹曲變形。
此外，該磁光記錄體顯示出的最佳記錄功率在線速度為5.7m/sec時(shí)為4.1mw，在線速度為11.3m/sec時(shí)為6.5mw。
“功率范圍”這一術(shù)語(yǔ)指的是記錄功率的范圍，在這個(gè)范圍內(nèi)可獲得不小于C/Nmax-3dB的C/N比值。上述磁光記錄體的功率范圍在頻率為3.7MHz、效率因子為33.3%，線速度為5.7m/sec時(shí)為3.6mw，C/N為47.7dB。
此外，在本發(fā)明的說明書中，最佳記錄功率指的是當(dāng)寫入信號(hào)具有1MHz的頻率、效率因子為50%時(shí)，使得重放信號(hào)的二次諧波為最小的記錄功率。當(dāng)線速度之間的最佳記錄功率之差小時(shí)，說明最佳記錄功率對(duì)線速度的依賴性較小。
實(shí)施例2用濺射方法在與例1使用的基片類似的基片上順序地形成厚度為1000 Si3N4保護(hù)膜，厚度為300 Pt10Tb28Fe60Co2(原子)%磁光記錄膜;使用Ni-Cr復(fù)合靶用濺射方法在上述磁光記錄膜上形成厚度為500 的Ni-Cr合金膜，這樣得到的Ni合金膜中N為90(原子)%，Cr為10(原子)%;使用Al-Ti-Hf復(fù)合靶用濺射方法在上述Ni合金膜上再形成厚度為1000 的Al-Ti-Hf合金膜，這樣獲得的Al合金膜中Al為97(原子)%，Ti為1(原子)%，Hf為2(原子)%。
這樣獲得的磁光記錄體放置于溫度為70℃，相對(duì)濕度為85%的環(huán)境中達(dá)48小時(shí)，與膜形成前的基片比較未觀察到任何翹曲變形。
此外，該磁光記錄體顯示出的最佳記錄功率在線速度為5.7m/sec時(shí)為4.6mw，線速度為11.3m/sec時(shí)為6.8mw。
該磁光記錄體在頻率為3.7mHz、效率因子為33.3%、線速度為5.7m/sec條件下顯示出的功率范圍(Pm)為3.3mw，C/N為47.5dB。
實(shí)施例3用濺射方法在與例1所用基片類似的基片上順序?yàn)R射形成厚度為1100 Sis3N4保護(hù)膜，厚度為300 Pt10Tb28Fe60Co2[(原子)%組成的磁光記錄膜、厚度為250 Si3N4保護(hù)膜;使用Al-Ti-Hf復(fù)合靶用濺射法在上述保護(hù)膜上再形成厚度為2000 的Al-Ti-Hf合金膜，為此獲得的Al合金膜中Al為97(原子)%，Ti為1(原子)%，Hf為2(原子)%;使用Ni-Cr復(fù)合靶用濺射方法在上述Al合金膜上形成厚度為1000 的Ni-Cr合金膜，為此獲得的Ni合金膜中Ni為90(原子)%，Cr為10(原子)%。
這樣獲得的磁光記錄體放置于溫度為70℃、相對(duì)濕度為85%的環(huán)境中達(dá)48小時(shí)，與膜形成前的基片相比較未觀察到任何翹曲變形。
此外，當(dāng)頻率和效率因子分別為1mHz和50%時(shí)，磁光記錄體顯示出的最佳記錄功率在線速度為5.7m/sec時(shí)為4.3mw，線速度11.3m/sec時(shí)為6.0mw。
在頻率為3.7mHz、效率因子33.3%，線速度為5.7m/sec時(shí)，磁光記錄體顯示出的功率范圍(Pm)為4.5mw，C/N為48dB。
權(quán)利要求
1.一種磁光記錄體，其特征在于一保護(hù)膜，一磁光記錄膜，一鋁合金膜和一鎳合金膜按上述次序依次形成在一基片上。
2.一種磁光記錄體，其特征在于一保護(hù)膜、一磁光記錄膜、一鎳合金膜和一鋁合金膜按所述次序依次形成在一個(gè)基片上。
3.一種磁光記錄體，其特征在于一保護(hù)膜、一磁光記錄膜、一保護(hù)膜、一鋁合金膜和一鎳合金膜按所述次序依次形成在一基片上。
4.一種磁光記錄體，其特征在于一保護(hù)膜、一磁光記錄膜、一保護(hù)膜，一鎳合金膜和一鋁合金膜按所述次序依次形成在一基片上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1，2，3或4所述的磁光記錄體，其中的基片包括用式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的乙烯和環(huán)烯烴的共聚物
此處n為0或1，m為0或一正整數(shù)，k為0或1，R1-R18、R9和R6分別是氫元素、鹵族元素、烴基團(tuán)，R16-R18可以連接在一起，形成有一個(gè)雙鍵的單環(huán)或多環(huán)，R16與R16或R17與R18一起可形成一亞烷基。
此處r是0或至少為1的整數(shù)，s和t是0、1或2，R1～R16分別是從氫、鹵元素、鏈烴基、芳香烴基、烷氧基中選取的一個(gè)原子或一和基團(tuán)，R5(或R6)與R9(或R7)可通過1至3個(gè)碳原子的烯屬烴基連接在一起，或不通過任何基團(tuán)直接連在一起。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的磁光記錄體，其中基片包括由式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的乙烯和環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]，所述無規(guī)共聚物的軟化溫度(TMA)不小于70℃，在135℃萘烷中測(cè)得特性粘度[η]為0.05～10dl/g。
此處n為0或1，m是0或一正整數(shù)，k為0或1，R1～R18、Ra和Rb分別是氫原子、鹵素原子或烴基團(tuán)，R15～R18可以連在一起，形成有一個(gè)雙鍵的單環(huán)或多環(huán)，R15和R16或R17和R18可連在一起形成一亞烷基。
此處r是0或至少為1的整數(shù)，s和t是0、1或2，R1～R15分別是從氫原子、鹵族原子、鏈烴基、芳香烴基、烷氧基中選取的一個(gè)原子或基團(tuán)，R6(或R6)與R9(或R7)可通過1～3個(gè)碳原子的烯屬烴基連在一起，或不通過任何基團(tuán)直接連在一起。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4的磁光記錄體，其中所述基片包括由通式[Ⅰ]和[Ⅱ]表示的乙烯和環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]，所述無規(guī)共聚物具有不小于70℃二軟化溫度，在135℃萘粘中測(cè)得其特性粘度為0.05～10dl/g，以及由通式[Ⅰ]或[Ⅱ]表示的乙烯與環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]，所述共聚物的軟化溫度低于70℃，在135℃萘烷中測(cè)得特征粘度[η]為0.05～10dl/g。所述環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[A]與環(huán)烯烴無規(guī)共聚物[B]的重量比[A]/[B]為100/0.1～100/10;
此處n為0或1，m為0或一正整數(shù)，k為0或1，R1-R18、R9和Rb分別是氫原子、鹵素原子或烴基團(tuán)，R15～R18可以連在一起形成有一個(gè)雙鍵的單環(huán)或多環(huán)，R15和R16或R17和R18連在一起可形成一亞烷基;
此處r是0或至少為1的整數(shù)，s和t是0、1或2，R1～R15分別是從氫原子、鹵素原子、鏈烴基、芳香烴基、烷氧基中選取的一個(gè)原子或基團(tuán)，R5(或R6)與R9(或R7)可通過1～3個(gè)碳原子的烯屬烴基連在一起，或不通過任何基團(tuán)直接連在一起。
8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4的磁光記錄體，其中的保護(hù)膜由從SiNx(0＜x≤4/3)、Zns、ZnSe、Cds、Si、AlN中選取的一種物質(zhì)形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4的磁光記錄體，其中的保護(hù)膜由SiNx(0＜X≤4/3)形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4的磁光記錄體，其中磁光記錄膜包括ⅰ)從3d族過渡金屬中選取的至少一種金屬元素以及ⅲ)從稀土元素中選取的至少一種元素。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4的磁光記錄體，其中磁光記錄膜包括ⅰ)從3d族過渡金屬中選取的至少一種金屬元素，ⅱ)從抗蝕性金屬中選取的至少一種金屬元素以及ⅲ)從稀土元素中選取的至少一種元素。
12.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4的磁光記錄體，其中鋁合金膜是包括鋁以及從Cr、Cu、Mn、Hf、Ni、B、Ti、Ni、Mg、Se、Zr、Ta、Si、Ag、Pd、Pt中選取的至少一種元素形成的合金構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4的磁光記錄體，其中鎳合金膜是包括鎳以及從Cr、Si、Cu、Mo、Fe中選取的至少一種元素形成的合金構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或3的磁光記錄體，其特征在于有一外涂層形成在鎳合金膜之上。
15.根據(jù)權(quán)利要求2或4的磁光記錄體，其特征在于有一外涂層形成在鋁合金膜之上。
16.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4的磁光記錄體，其特征在于有一外涂層形成在基片與保護(hù)膜相對(duì)側(cè)的另一側(cè)上。
17.根據(jù)權(quán)利要求1或2的磁光記錄體，其中基片厚度為0.5～5mm，保護(hù)膜厚度為500～22000
、磁光記錄膜厚度為100～600 、鋁合金膜厚度為100～5000 ，鎳合金膜厚度為200～5000 。
18.根據(jù)權(quán)利要求3或4的磁光記錄體，其中基片厚度為0.5～5mm，形成在基片上的保護(hù)膜厚度為500～2000 ，磁光記錄膜的厚度為100～600 ，形成在磁光記錄膜上的保護(hù)膜厚度為100～1000 ，鋁合金膜厚度為100～5000 ，鎳合金膜厚度為200～5000 。
全文摘要
本發(fā)明的磁光記錄體包括一個(gè)基片、一個(gè)保護(hù)膜、一個(gè)磁光記錄膜、一個(gè)鋁合金膜和一個(gè)鎳合金膜。這種磁光記錄體具有優(yōu)良的機(jī)械性能例如翹曲變形小，記錄功率對(duì)線速度的依賴性小、記錄功率范圍寬、優(yōu)良的株－讀－寫循環(huán)性能以及優(yōu)良的抗氧化性能和記錄靈敏度。
文檔編號(hào)H01F10/12GK1056944SQ9110349
公開日1991年12月11日 申請(qǐng)日期1991年4月24日 優(yōu)先權(quán)日1990年4月24日
發(fā)明者進(jìn)藤清孝, 大久保敦, 水本邦彥 申請(qǐng)人:三井石油化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社