專利名稱:用于制造半導(dǎo)體器件的裝置的制作方法
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的裝置。
在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造技術(shù)中，半導(dǎo)體元件(或稱芯片)的電極層和外引線之間是靠一根金制焊線連通的。但是，當(dāng)采用金絲時(shí)，會(huì)出現(xiàn)如下一些問題。
(1) 當(dāng)金制焊線在高溫下被壓焊時(shí)，在鋁電極層和金制焊線之間會(huì)形成一種金和鋁的金屬間化合物。由于這種原因，該壓焊區(qū)的導(dǎo)電性能降低。
(2) 即使該金制焊線本身不被氧化，但由于壓焊區(qū)的電性能下降，該半導(dǎo)體器件的可靠性也會(huì)受到影響。
(3) 由于在壓焊處理后形成了一種金和鋁的金屬間化合物，這樣就不可能制造出具有穩(wěn)定電性能的半導(dǎo)體器件。
(4) 昂貴的金制焊絲會(huì)增加半導(dǎo)體器件的制造成本。
為解決上述問題，日本專利申請(qǐng)№55-88318中所提出的方法是，使預(yù)期的壓焊區(qū)部分活化，以便在電極層和銅引線框之間能用銅焊絲連通。但是，根據(jù)該技術(shù)，由于在銅焊絲上形成了一種氧化物，所以會(huì)發(fā)生壓焊失效現(xiàn)象。同時(shí)，難以在銅焊絲的末端形成預(yù)定大小的球狀體，從而導(dǎo)致虛焊。另外，每進(jìn)行一次壓焊，都需對(duì)預(yù)定壓焊區(qū)進(jìn)行活化，這樣勢(shì)必降低生產(chǎn)效率。
在日本專利申請(qǐng)№57-51237中，壓焊絲穿過一根毛細(xì)管，該毛細(xì)管的末端被引入裝在罩中的還原氣體里，以期形成理想的球狀體。同時(shí)，防止了金屬壓焊絲的氧化從而完成了壓焊。根據(jù)這種常規(guī)技術(shù)，需要一種包括用來容納還原氣體的外罩的復(fù)雜裝置。而且當(dāng)壓焊速度在1秒或更短時(shí)，常常發(fā)生壓焊失效，因此操作不便。此外，在引線框上的氧化物不能被清除，所以銅焊線與銅引線框之間的壓焊不能達(dá)到較高的可靠性。
本發(fā)明的目的是提供一種制造半導(dǎo)體器件的裝置，由其制造的半導(dǎo)體器件的金屬焊線壓焊可靠性高，成本低，壓焊區(qū)強(qiáng)度高。
為達(dá)到本發(fā)明之上述目的，特提供一種制造半導(dǎo)體器件的裝置。其中，半導(dǎo)體芯片電極層和引線框的外引線之間用壓焊絲連通。該裝置包括一個(gè)用于沿傳送方向傳送引線框的傳送通道，該通道具有一個(gè)金屬焊線壓焊位置和一個(gè)后步壓焊位置，這兩個(gè)位置沿傳送方向是相互分離開的。
球狀體形成裝置;它在金屬絲壓焊位置加熱銅或銅合金的壓焊絲，并在該壓焊絲的兩端形成球狀體。
壓焊金屬絲的進(jìn)料裝置;它用于將壓焊金屬絲的球狀體壓焊到電極層上。
壓焊裝置，它在后部壓焊位置把該壓焊金屬絲的球狀體壓焊在外引線上。
氣體供給裝置;它向金屬絲壓焊位置提供一種還原性氣體或惰性氣體，并且使上述氣體包圍該壓焊金屬絲和球狀體。
根據(jù)本發(fā)明，通過一種簡(jiǎn)便的裝置，便可將銅或銅合金的焊絲壓焊到半導(dǎo)體器件的電極層和引線框的外引線而且不會(huì)導(dǎo)致虛焊。因此可制造出一種在熱循環(huán)試驗(yàn)或高溫輻射試驗(yàn)中具有高耐用性的半導(dǎo)體器件。由于低成本的銅合金可用來作為壓焊金屬絲和引線框的材料，因而，這種半導(dǎo)體器件有可能做到低價(jià)高效。進(jìn)而，一種具有高可靠性的塑料封裝的大功率半導(dǎo)體器件也就容易制造了。
圖1表示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種制造半導(dǎo)體器件的裝置全貌圖。
圖2至6是分別表示制造半導(dǎo)體器件各個(gè)步驟的縱向剖視圖。
圖7是裝配半導(dǎo)體器件的平面圖。
圖8是一個(gè)燃燒器的結(jié)構(gòu)剖視圖。
圖9A表示一根壓焊金屬絲的壓焊區(qū)。
圖9B是一個(gè)坐標(biāo)圖，它表示出壓焊區(qū)直徑與半導(dǎo)體器件失效率之間的關(guān)系。
圖10A和10B表示壓焊金屬絲延伸到電極層中的深度。
圖10C是一個(gè)坐標(biāo)圖，它表示延伸到電極層中的壓焊金屬絲長(zhǎng)度與半導(dǎo)體器件產(chǎn)品失效率之間的關(guān)系。
圖11是一個(gè)坐標(biāo)圖，它表示電極層厚度與半導(dǎo)體器件失效率之間的關(guān)系。
圖12是一個(gè)坐標(biāo)圖，它表示高溫輻射試驗(yàn)的結(jié)果。
圖1所示為本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件制造裝置的全貌圖。圖2至9分別是本發(fā)明各階段局部放大剖視圖。引線框40的傳送通道10由一個(gè)大體上為園柱形的外罩20所構(gòu)成。示于圖1的僅僅是外罩20的上板。管芯燒結(jié)位置12，金屬絲壓焊位置14，后步壓焊位置16以及后步燒結(jié)位置18沿引線框40的傳送方向(用箭頭2表示)在傳送通道10中按所述順序依次排列。窗口22，24和26開設(shè)在外罩20的上板上，分別對(duì)應(yīng)位置12，14和16。用于加熱引線框40的加熱臺(tái)28，30，32和34分別在對(duì)應(yīng)12，14，16和18的位置上提供傳送通道10。向傳送通道10提供還原性氣體通道(見圖2中的氣體通道31)，設(shè)立在每個(gè)加熱臺(tái)228，30，32和34之中。還原性氣體可以是體積為1∶9的H2氣和N2氣體混合而成。還原性氣體是通過氣體通道提供給傳送通道110的。
氣體引入部件36是安置在通道10的外罩20的上板上，位于位置14和16之間。另一個(gè)氣體引入部件38設(shè)置在通道10的外罩20的上板上，對(duì)應(yīng)位置18，圖4、5、6中詳細(xì)表示出，氣體通道37和39分別設(shè)在部件36和38中。由H3和N2氣相混合的還原性氣體分別經(jīng)過部件36和38中的氣體通道37和39提供給傳送通道10。以此方式，傳送通道10的內(nèi)部就被一種還原性氣體(例如N2+10%H2)所充滿。
在對(duì)應(yīng)位置12的地方，提供了一個(gè)可夾持半導(dǎo)體芯片(半導(dǎo)體元件)50的夾頭52。它可從向傳送通道10送進(jìn)和撤出。夾頭52可以在位置12穿過窗口22插入傳送通道10。芯片50是通過夾頭52提供給傳送通道10的。一個(gè)可夾持壓焊金屬絲80的毛細(xì)管60，安置在位置14附近，它可以送進(jìn)和撤出傳送通道10。毛細(xì)管60可以在位置14穿過窗口24插入傳送通道10。壓焊金屬絲是靠毛細(xì)管60提供給傳送通道的。壓焊絲80是銅制的，例如無氧銅，無氧磷銅或者象Cu-20%Au那樣的銅合金。壓焊金屬絲80熱壓焊到引線框40的外引線上，它被安置在對(duì)應(yīng)位置16的地方，壓焊部件70可以在位置16上穿過窗口26插入或撤出傳送通道10。
一個(gè)導(dǎo)軌(末表示出)沿箭頭2的指向布設(shè)在傳送通道10的底部。引線框40沿著箭頭2的指向在導(dǎo)軌上傳送。引線框40是銅制的，例如無氧銅，無氧磷銅，或某種銅合金。如圖7所詳細(xì)表示的那樣，在引線框40上形成了安裝半導(dǎo)體元件芯片46和外引線44的位置。同時(shí)，氣體通道31設(shè)置在加熱臺(tái)30之中，以接收從氣體源送來的還原性氣體。還原性氣體通過間隙42排出到傳送通道10，間隙42位于引線框40上形成的半導(dǎo)體芯片的裝片位置46和引出線之間，其余的加熱臺(tái)28，32和34與加熱臺(tái)30有類似的結(jié)構(gòu)。在加28，32和34中，還原性氣體直接從氣體通道31進(jìn)入或通過間隙42進(jìn)入到傳送通道中。
正如圖2中詳細(xì)表示的那樣，燃燒器90設(shè)置在外罩20外部接近窗口24的地方，毛細(xì)管60在位置14處通過窗口插入。如圖8詳細(xì)表示的，燃燒器90包括一個(gè)內(nèi)管92和一個(gè)與其同軸的外套管94。外管94的末端比內(nèi)管92的稍長(zhǎng)。H2氣和O2氣的混合氣體100加熱(如加熱到100℃或更高的溫度)然后被熔化，從而形成一個(gè)球狀體82。O2氣和N2氣的混合氣體從管94和92之間的空隙96中排出形成一個(gè)包圍火焰100的氣罩。如圖2所示，限定窗口24的外罩20的園柱形表面部分是可活動(dòng)的，以便能改變窗口24的開口面積。當(dāng)活動(dòng)部分36被移動(dòng)以減小窗口24的開口面積時(shí)，僅僅是靠近壓焊絲80末端的部位被活動(dòng)部分36所環(huán)繞。當(dāng)還原性氣體通過加熱臺(tái)30中的氣體通道31供給傳送通道10的時(shí)候，還原性氣體按箭頭4的指向流動(dòng)，穿過具有小開口面積的窗口24，使得金屬絲80下端的周圍空間被置于還原性氣體氣氛中。
下面將敘述具有上述結(jié)構(gòu)的裝置的工作過程。如圖1所示，引線框40是沿著箭頭2所指示的方向在導(dǎo)軌(未標(biāo)出)上傳送的，并且停在位置12處。引線框40被加熱臺(tái)28加熱至400℃左右。當(dāng)夾頭52向下移動(dòng)，由夾頭52所夾持的半導(dǎo)體芯片50通過窗口22送入傳送通道10。焊料由一個(gè)適當(dāng)?shù)奈恢眉拥叫酒?0的下表面，于是，芯片50就靠焊料層54固定在引線框40的裝片位置。然后引線框40沿箭頭2的指向移動(dòng)，并停在圖2所示的位置14處。引線框40被加熱臺(tái)30加熱至300℃左右。在引線框40上的芯片50有一電極層56。這個(gè)電極層56也被加熱臺(tái)加熱至300℃左右。金屬絲80隨同毛細(xì)管60一起向下移動(dòng)進(jìn)入在窗口24附近的傳送通道10的入口處。H2氣和O2氣的混合氣體從燃燒器90的管子92中噴射出來，形成了火焰100。O2氣和N2氣的混合氣體從管94和92之間的空隙中噴射出來，形成了包圍火焰100的氣罩102。由H2氣和N2氣的混合而產(chǎn)生的還原性氣體通過加熱臺(tái)30中的氣體通道31提供給傳送通道10。該還原氣由加熱臺(tái)30加熱到200℃或更高的溫度?；顒?dòng)部位36被移動(dòng)以減小窗口24的開口面積。在傳送通道10中的還原性氣體沿箭頭4的指向流動(dòng)以包圍金屬絲80的下端和火焰100。按這種方式，在一種高溫還原性氣體環(huán)境中，金屬絲的下部被火焰100加熱熔化形成球狀體82。這樣，銅不會(huì)被氧化，因而避免了壓焊失敗。
還原性氣體的H2氣和N2氣的混合比最好是分別選擇為5～20%和95～80%(按體積)。為了增加還原能力.H2氣的量可以增加，但當(dāng)H2氣量增加到20%或更高的時(shí)候，可能發(fā)生爆炸。當(dāng)H2氣量減少到低于5%時(shí)，還原能力將減弱。因此，混合比最好選擇上述范圍。為了進(jìn)一步增加還原能力，可以分別在加熱臺(tái)30，32和34的位置14，16和18附近提供排氣口48。還原性氣體可以通過每個(gè)排氣口48提供給傳送通道10。
從管92中噴出而形成火焰100的H2氣和O2氣的混合氣體其體積比以2∶1為好。同時(shí)，從管92和94之間的空隙中噴射出來的O2氣和N2氣的混合氣體形成了氣罩102。形成氣罩102是為了避免火焰100被位置14的還原性氣體所撲滅。氣罩102的氣體混合比以選擇20%至100%的O2氣和80%至0%的N2氣為好。如果O2氣過多，位置14(即金屬絲80的下端周圍)就不能保持在還原性氣體環(huán)境中。
在球狀體82形成后，如圖3所示，毛細(xì)管60下降以使球狀體82與電極層56接觸，進(jìn)而熱壓金屬絲。在此過程中，電極層56以及球狀體82的壓焊區(qū)直徑是金屬絲80橫截面直徑的二倍或二倍以上。圖9B是一個(gè)坐標(biāo)圖，它表示當(dāng)產(chǎn)品經(jīng)受溫度循環(huán)試驗(yàn)時(shí)所測(cè)出的壓焊失效率。在圖9B中，壓焊區(qū)直徑D(見圖9A)作為橫坐標(biāo)，壓焊失效率作為縱坐標(biāo)，參考符號(hào)d表示金屬絲80的橫截面直徑。從圖9A和圖9B可以看出，當(dāng)壓焊區(qū)直徑為2.0d或更大時(shí)，器件失效率基本為零。因此，必須使壓焊區(qū)直徑是金屬絲80直徑的2倍或2倍以上。
在金屬絲壓焊過程中，球狀體82的平面端面部分延伸到電極層56中的深度最好是0.4至3μm。參考圖10A，符號(hào)×表示球狀體82延伸到厚度為Y的電極層56中的深度。圖10C是一個(gè)坐標(biāo)圖，它表示產(chǎn)品經(jīng)受溫度循環(huán)試驗(yàn)時(shí)所得的球狀體82的延伸深度X與產(chǎn)品失效率之間的關(guān)系。正如圖10C所表示的，當(dāng)深度X為0.4μm或0.4μm以上時(shí)，產(chǎn)品失效率基本為零。因此，將球狀體82的平面端面部分延伸到電極層56中的深度必須為0.4μm或0.4μm以上。當(dāng)電極層是一個(gè)厚度為1至3μm的鋁層，金屬絲80是一根直徑為25μm的銅絲時(shí)。向金屬絲施加50至100g的負(fù)荷，深度X即可達(dá)到0.5至2.5μm。
銅或銅合金壓焊絲的硬度是金絲硬度的2倍左右。因此，如果電極層56較薄，其表面就容易發(fā)生斷裂。圖11是一個(gè)坐標(biāo)圖，它表示電極層厚度與產(chǎn)品失效率之間的關(guān)系。在圖11中，電極層56的厚度為橫坐標(biāo)，產(chǎn)品失效率為縱坐標(biāo)。如圖11所表示的，當(dāng)電極層56的厚度為1μm或1μm以上時(shí)，產(chǎn)品失效率基本可以降到零。
接下來，如圖3所示，金屬絲80在預(yù)定長(zhǎng)度處被燃燒器90的氫氧焰所熔斷。在這個(gè)過程中，就分別在與電極層56連接的金屬絲81的末端以及留在毛細(xì)管60中的金屬絲80的末端形成了球狀體84和82。在此熔斷過程中，金屬絲80和81被還原性氣體所包圍。
如圖4所示，金屬絲81是由一種適當(dāng)?shù)难b置(未表示出)將其彎曲到引線框40的外引線44一邊。然后，引線框40從位置14移至位置16。在此過程中。傳送通道10中的還原性氣體溫度保持在200至300℃，從而保持金屬絲81在還原性氣氛中。
然后，如圖5所示，引線框停留在位置16，加熱臺(tái)32將引線框40加熱至300℃或更高的溫度。壓桿70降下，穿過窗口26插入傳送通道10。壓桿70將金屬絲81的球狀體84熱壓在銅制的或銅合金制的外引線44上。如圖10B所示，當(dāng)金屬絲87的直徑為25μm時(shí)，最好向它施加300至500克的負(fù)荷以使球狀體84向外引線44中的延伸深度為20至50μm(在圖10B中用Z表示)。如果按照上述深度把金屬絲81上的球狀體84熱壓到外引線上，則產(chǎn)品失效率基本上可降到零。在這個(gè)后部過程中金屬絲81，球狀體84和壓桿70均處于還原性氣氛中。
其后，如圖6所示，引線框40被傳送到位置18，加熱臺(tái)34將其加熱至300℃左右或更高的溫度。完成燒結(jié)。在此過程中，還原性氣體是通過加熱臺(tái)34中的氣體通道35提供給傳送通道10的，與此同時(shí)，還原性氣體還通過氣體引入部件38中的通道39被收入傳送通道10。以此種方式，在位置18處，半導(dǎo)體芯片50、金屬絲81和引線框40也被保持在還原性氣氛中。
按此方式，如圖7所示，金屬絲80被連接在芯片50的電極層56和引線框40的外引線44之間。雖然在圖1至圖6中所表示的是單根金屬絲，但實(shí)際上如圖7所示有兩根壓焊金屬絲被連結(jié)。按照本發(fā)明，使用 或銅合金制做的金屬絲能避免用金屬絲在壓焊過程中的前述各種特有缺點(diǎn)另外，該金屬絲能夠有可靠的接觸，在接觸區(qū)的電性能的衰減可以被降到最小。熔斷金屬絲不僅可以采用上述裝置中的氫氧焰，也可采用激光或電火花。在壓焊金屬絲的每個(gè)切斷端，不僅可以通過球?qū)η虻姆椒?，而且還可通過利用毛細(xì)管的楔形體切割壓焊金屬絲的方法來形成球狀體。
對(duì)用上述方法制造的半導(dǎo)體器件施行了高溫輻射試驗(yàn)。試驗(yàn)結(jié)果示于圖12。圖12是一個(gè)坐標(biāo)圖，它同時(shí)表示了根據(jù)本發(fā)明裝置制造的器件和傳統(tǒng)裝置制造的器件產(chǎn)品失效率。在圖12中，輻射時(shí)間為橫坐標(biāo)，產(chǎn)品失效率為縱坐標(biāo)。在傳統(tǒng)方法中，壓焊金屬絲是金制的，并且球狀體和電極層的壓焊區(qū)直徑是壓焊金屬絲橫截面直徑的 1/2 。其余條件與本發(fā)明設(shè)備相同。采用傳統(tǒng)裝置，25%的產(chǎn)品在100小時(shí)后即告失效，在200小時(shí)后，幾乎50%的產(chǎn)品失效，其試驗(yàn)結(jié)果如圖12中曲線C所示。與此相比較，采用本發(fā)明設(shè)備，即使在200小時(shí)以后，產(chǎn)品失效率基本上為零，其試驗(yàn)結(jié)果如圖12中曲線E所示。
對(duì)本發(fā)明設(shè)備和傳統(tǒng)方法制造的半導(dǎo)體器件同時(shí)施行溫度循環(huán)試檢。另外還同時(shí)對(duì)這兩種設(shè)備制造的器件的金屬絲連線進(jìn)行機(jī)械強(qiáng)度試驗(yàn)，在溫度循環(huán)試驗(yàn)中，根據(jù)本發(fā)明制造出的半導(dǎo)體器件大大優(yōu)于作為比較對(duì)象的傳統(tǒng)工藝器件。在機(jī)械強(qiáng)度(抗拉強(qiáng)度)試驗(yàn)中，本發(fā)明中的銅合金壓焊絲的強(qiáng)度是作為比較對(duì)象的金壓焊絲強(qiáng)度的2至2.5倍。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的裝置，其壓焊金屬絲連結(jié)在半導(dǎo)體元件的電極層和引線框的外引線之間，該裝置包括球狀體形成裝置，它在金屬絲壓焊位置加熱銅和銅合金壓焊絲，并在該壓焊金屬絲的兩端形成球狀體；金屬絲的進(jìn)料裝置，它用來向所述的金屬絲壓焊位置提供壓焊金屬絲，并把金屬絲上的球狀體壓焊在電極上；壓焊裝置，它在后步壓焊位置將壓焊金屬絲的球狀體壓焊在外引線上；其特征包括一個(gè)傳送通道，它用來沿一個(gè)傳送方向傳送引線框，該傳送通道提供有金屬絲壓焊位置和后步壓焊位置，這兩個(gè)位置是沿傳送方向相互分離開的；氣體供給裝置，它用來向所述的金屬絲壓焊位置和后部壓焊位置提供還原性氣體或惰性氣體，并使該還原性氣體或惰性氣體包圍金屬絲和球狀體。
2.一種依照權(quán)利要求
1的裝置，還包括加熱裝置，位于所述的金屬絲壓焊位置和后步壓焊位置處，用來加熱引線框。
3.一種依照權(quán)利要求
2的裝置，其特征在于，所述的加熱裝置將引線框加熱至300℃左右。
4.一種依照權(quán)利要求
1的裝置，其特征在于，該還原性氣體的溫度保持在不低于200℃。
5.一種依照權(quán)利要求
4的裝置，其特征在于，該還原性氣體是由5%至20%的H2氣和95%至80%的N2氣混合組成的。
6.一種依照權(quán)利要求
1的裝置，其特征在于，所述的壓焊金屬絲進(jìn)料裝置把壓焊金屬絲的球狀體壓焊到電極層上，以使球狀體和電極層的壓焊區(qū)直徑不小于壓焊金屬絲直徑的二倍。
7.一種依照權(quán)利要求
6的裝置，其特征在于，所述的壓焊金屬絲進(jìn)料裝置把壓焊金屬絲的球狀體壓焊到電極層上，以使球狀體的一部分延伸到電極層內(nèi)，其深度為0.4至3μm。
8.一種依照權(quán)利要求
7的裝置，其特征在于，所述的壓焊金屬絲進(jìn)料裝置對(duì)該金屬絲施加50至100克的負(fù)荷。
9.一種依照權(quán)利要求
1的裝置，其特征在于，所述的壓焊裝置將壓焊金屬絲的球狀體壓焊在外引線上以使球狀體的一部分延伸到外引線內(nèi)，其延伸深度為20至50μm。
10.一種依照權(quán)利要求
9的裝置，其特征在于，所述的壓焊裝置對(duì)該金屬絲施加300至500克的負(fù)荷。
11.一種依照權(quán)利要求
1的裝置，其特征在于，在沿傳送方向上的金屬絲壓焊位置之前，所述傳送通道包含有一個(gè)管芯焊接位置。
12.一種依照權(quán)利要求
11的裝置，還包括一個(gè)半導(dǎo)體元件的裝片裝置，它用來向所述管芯焊接位置提供半導(dǎo)體元件，并將該元件裝在引線框上。
13.一種依照權(quán)利要求
1的裝置，其特征在于，所述的球狀體形成裝置包括一個(gè)雙重結(jié)構(gòu)的燃燒器，該燃燒器有一個(gè)內(nèi)管和一個(gè)置于該內(nèi)管外部的外管，N2氣和O2氣的混合氣體以2∶1的混合比從內(nèi)管中噴出，形成了氫氧焰，而O2氣和N2氣的混合氣體以20%至100%∶80%至0%的比例相混合，從外管和內(nèi)管空間的空隙中噴出，以形成包圍氫氧焰的氣罩。
14.一種依照權(quán)利要求
13的裝置，其特征在于，所述的傳送通道是由一個(gè)大體上為長(zhǎng)矩形和園柱形的外罩所構(gòu)成，在對(duì)應(yīng)金屬絲壓焊位置的外罩部位上有一個(gè)窗口，以使金屬絲能穿過它進(jìn)入該傳送通道。
15.一種依照權(quán)利要求
14的裝置，其特征在于，所述窗口的開口面積是可變的，而且當(dāng)燃燒器熔化金屬絲而形成球狀體時(shí)，開口面積縮小，以使該球狀體被還原性氣體所包圍。
專利摘要
一個(gè)引線框在充滿還原性氣體的傳送通道中沿傳送方向傳送。在芯片焊接位置，將半導(dǎo)體芯片放在引線框上。銅或銅合金制做的金屬絲提供給相鄰的下一個(gè)金屬絲壓焊位置。用氣罩包圍的氫氧焰來熔化金屬絲的下部末端，以形成一個(gè)球狀體。金屬絲由一根毛細(xì)管送入到傳送通道內(nèi)。球狀體被熱壓到半導(dǎo)體芯片的電極層上。金屬絲的另一端被熔斷并在后步壓焊位置被熱壓到引線框的外引線上，從而金屬絲被連接在半導(dǎo)體芯片和外引線之間。
文檔編號(hào)H01L21/603GK85106110SQ85106110
公開日1986年10月1日 申請(qǐng)日期1985年8月13日
發(fā)明者小林三男, 薄田修, 佐野芳彥, 渥美幸一郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan