專利名稱:正溫度系數(shù)陶瓷熱敏電阻的制備工藝的制作方法
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體陶瓷熱敏電阻的制備工藝。
目前國內(nèi)生產(chǎn)正溫度系數(shù)陶瓷熱敏電阻是采用搪瓷工業(yè)用TiO2和分析純BaCO3為主要原料以〔(Ba1-xMx)Ti1+δ+0.15-0.3mol%M′〕+SiO2，Al2O3，MnO2，Sb2O3，Li2CO3等摻雜加入物中的一種或多種作配方，(式中MPb、Sr等二價元素，M′Nb、Ta或Y、Ce、La等稀土元素)。國際上，日本特許公報昭53-31554，昭56-6124，美國專利4.096.098，松岡富造等National Tech，Rept.21.329(1975)均報道過采取〔(Ba1-xMx)Ti1+δO3+0.15-0.3mol%M′〕主配方先行合成，而后再引入其它摻雜加入物的常規(guī)工藝來制備正溫用系數(shù)陶瓷熱敏電阻。該工藝路線的缺點是當(dāng)其原料中受主雜質(zhì)稍高時，所產(chǎn)生的瓷料難于半導(dǎo)化，有時甚至不能半導(dǎo)化，嚴(yán)重影響產(chǎn)品性能，成品率低，工藝難于掌握。
本發(fā)明的目的是克服已有工藝生產(chǎn)的正溫度系數(shù)陶瓷熱敏電阻存在的難于半導(dǎo)化，產(chǎn)品的成品率低，工藝難于掌握的缺點。
本發(fā)明采用SiO2或SiO2+Al2O3在合成主配方前引入的工藝，可以實現(xiàn)受主雜質(zhì)稍高時正溫度系數(shù)陶瓷熱敏電阻瓷料良好半導(dǎo)化，把原料適用性的范圍大大拉寬。如下例經(jīng)光譜分析1＃和2＃TiO2的Fe，Mg等受主雜質(zhì)的含量不同原料 Fe(PPm) Mg(PPm)1＃ TiO237 642＃ TiO253 82
按同一配方〔(Ba0.75Sr0.25)Ti1.01O3+0.11mol%Nb3O5〕+1.5mol%SiO3+0.5mol%Al2O3+0.05mol%MnO2+0.04mol%Sb2O3+0.1mol%Li2CO3，用已有常規(guī)工藝和將SiO2或SiO2+Al2O3在合成主配方前先行引入的本發(fā)明工藝，在其他工藝條件相同的情況下制備正溫度系數(shù)陶瓷熱敏電阻資料其性能如下已有常規(guī)工藝 本發(fā)明工藝ρ(Ω·cm) ρ180/ρ ρ(Ω·cm) ρ180/ρ1＃ TiO3142 5.1×1052400 2.4×1042＃ TiO29700 7.0×103194 3.5×105其中ρ室溫下的電阻率。ρ180180℃下的電阻率往1＃TiO2中引入0.001wt%Fe3O4和0.002wt%Mg(OH)2·4MgCO3·6H2O，按配方〔(Ba0.75Sr0.25Ti1.01O3+0.11mol%Nb2O3〕+1.5mol%SiO2+0.5mol%Al2O3+0.05mol%MnO2+0.04mol%Sb2O3+0.1mol%Li2CO3，用兩種工藝制備正溫度系數(shù)陶瓷熱敏電阻資料其性能如下性能指標(biāo) 已有常規(guī)工藝 本發(fā)明工藝ρ(Ω·cm) 5600 978ρ180/ρ 1.2×1046.9×104采用工業(yè)純TiO2和含F(xiàn)e量0.0023wt%-0.0027wt%的工業(yè)純BaCO3為原料，結(jié)果如下已有常規(guī)工藝 本發(fā)明工藝發(fā)熱體資料編號 R(K·Ω) 表面溫度 R(Ω) 表面溫度A 10K 68℃ 68Ω 96℃
S870K 106℃ 760Ω 150℃可見對Fe、Mg雜質(zhì)含量較高的原料，本發(fā)明工藝有利于資料的半導(dǎo)化，其性能有很大改善。
本發(fā)明工藝在生產(chǎn)中容易實現(xiàn)，只要將SiO2或SiO3+Al2O3在合成主配方前引入工藝，不需增加設(shè)備，流程。
權(quán)利要求
一種正溫度系數(shù)陶瓷熱敏電阻的制備工藝，其特征在于采用Sio2或Sio2+Al2O3在合成主配方前引入的工藝。
專利摘要
一種半導(dǎo)體陶瓷熱敏電阻的制備工藝，本發(fā)明采用SiO
文檔編號H01C7/02GK85100019SQ85100019
公開日1986年2月10日 申請日期1985年4月1日
發(fā)明者方春行, 劉維躍, 沈繼耀, 談家琪, 徐庭獻(xiàn), 曲遠(yuǎn)方 申請人:天津大學(xué)導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan