本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體封裝，具體涉及一種細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、在重布線(xiàn)層(redistribution?layer，rdl)的細(xì)線(xiàn)路生產(chǎn)流程中，需要精確控制各種參數(shù)和條件。首先，在載體上形成一層種子層；然后，使用經(jīng)過(guò)圖案化的光刻膠作為模板，通過(guò)電鍍構(gòu)建出細(xì)線(xiàn)路的結(jié)構(gòu)；最后，在完成細(xì)線(xiàn)路的結(jié)構(gòu)構(gòu)建后，采用濕蝕刻法去除光刻膠以完成生產(chǎn)流程。

2、然而，在濕蝕刻過(guò)程中，由于蝕刻液對(duì)細(xì)線(xiàn)路材料表面的侵蝕作用，其頂部會(huì)產(chǎn)生明顯的蝕刻現(xiàn)象。由于細(xì)線(xiàn)路頂部表面的外觀(guān)變化，在自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(automated?opticalinspection，aoi)過(guò)程中，本來(lái)并無(wú)斷開(kāi)的細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)可能會(huì)被誤判為斷線(xiàn)，進(jìn)而可能導(dǎo)致生產(chǎn)線(xiàn)上的不必要停頓和調(diào)整，降低生產(chǎn)效率。此時(shí)，如果針對(duì)誤判重新調(diào)整aoi參數(shù)，防止斷線(xiàn)誤判，又可能導(dǎo)致斷線(xiàn)缺陷被遺漏，影響產(chǎn)品的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)。

2、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┘?xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，所述細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)設(shè)置于載體上方，包括：

3、種子層，所述種子層形成于所述載體的上表面；

4、線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體，所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體形成于所述種子層的上表面；

5、辨識(shí)結(jié)構(gòu)，所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)形成于所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的上半部分，用于辨識(shí)所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的分布范圍和分布狀態(tài)。

6、作為一種可能的實(shí)施方式，所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)的抗蝕刻度大于所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

7、作為一種可能的實(shí)施方式，所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)覆蓋所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的上表面和部分側(cè)表面。

8、作為一種可能的實(shí)施方式，所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)覆蓋所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的上表面。

9、作為一種可能的實(shí)施方式，所述細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)還包括：

10、第一強(qiáng)化層，所述第一強(qiáng)化層包覆所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的部分側(cè)表面。

11、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第一強(qiáng)化層覆蓋所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體至少1/2的側(cè)表面。

12、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第一強(qiáng)化層至多覆蓋所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體3/4的側(cè)表面。

13、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第一強(qiáng)化層的楊氏系數(shù)大于所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

14、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第一強(qiáng)化層的電遷移效應(yīng)小于所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

15、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第一強(qiáng)化層與所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)材質(zhì)相同。

16、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第一強(qiáng)化層包覆的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的寬度大于未被所述第一強(qiáng)化層包覆的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

17、作為一種可能的實(shí)施方式，所述細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)還包括：

18、第二強(qiáng)化層，所述第二強(qiáng)化層包覆未被所述第一強(qiáng)化層包覆的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的側(cè)表面。

19、作為一種可能的實(shí)施方式，所述細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)還包括：

20、第二強(qiáng)化層，所述第二強(qiáng)化層包覆未被所述第一強(qiáng)化層包覆的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的側(cè)表面、所述第一強(qiáng)化層和所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)。

21、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第二強(qiáng)化層與所述第一強(qiáng)化層的材質(zhì)相同。

22、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第二強(qiáng)化層和所述第一強(qiáng)化層的材質(zhì)不同。

23、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第一強(qiáng)化層的厚度自上而下逐漸減小。

24、作為一種可能的實(shí)施方式，所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)的表面粗糙度低于未被所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)覆蓋的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

25、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第二強(qiáng)化層的楊氏系數(shù)大于所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

26、作為一種可能的實(shí)施方式，所述第二強(qiáng)化層的電遷移效應(yīng)小于所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

27、為了解決目前由于細(xì)線(xiàn)路頂部表面的外觀(guān)變化而導(dǎo)致的斷線(xiàn)誤判問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，通過(guò)在細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體上形成辨識(shí)結(jié)構(gòu)，由于辨識(shí)結(jié)構(gòu)不易因蝕刻改變表面性狀，后續(xù)可通過(guò)辨識(shí)結(jié)構(gòu)來(lái)辨識(shí)所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的分布范圍和分布狀態(tài)，從而，有利于自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)辨識(shí)出細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的分布范圍和分布狀態(tài)，減少自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)斷線(xiàn)誤判的幾率。

技術(shù)特征：

1.一種細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)設(shè)置于載體上方，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)的抗蝕刻度大于所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)覆蓋所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的上表面和部分側(cè)表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一強(qiáng)化層覆蓋所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體至少1/2的側(cè)表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一強(qiáng)化層的楊氏系數(shù)大于所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一強(qiáng)化層的電遷移效應(yīng)小于所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一強(qiáng)化層包覆的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的寬度大于未被所述第一強(qiáng)化層包覆的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一強(qiáng)化層的厚度自上而下逐漸減小。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，所述細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)設(shè)置于載體上方，包括種子層，所述種子層形成于所述載體的上表面；線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體，所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體形成于所述種子層的上表面；辨識(shí)結(jié)構(gòu)，所述辨識(shí)結(jié)構(gòu)形成于所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的上半部分，用于辨識(shí)所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的分布范圍和分布狀態(tài)。這樣，通過(guò)在細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體上形成辨識(shí)結(jié)構(gòu)，由于辨識(shí)結(jié)構(gòu)不易因蝕刻改變表面性狀，后續(xù)可通過(guò)辨識(shí)結(jié)構(gòu)來(lái)辨識(shí)所述線(xiàn)路結(jié)構(gòu)本體的分布范圍和分布狀態(tài)，從而，有利于自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)辨識(shí)出細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的分布范圍和分布狀態(tài)，減少自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)斷線(xiàn)誤判的幾率。

技術(shù)研發(fā)人員：陳昭丞,張皇賢
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240410
技術(shù)公布日：2024/12/12