本技術(shù)涉及芯片封裝，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中。其一般采用從晶圓切下單個(gè)芯片，然后封裝到一個(gè)載體晶圓上，主要優(yōu)勢(shì)為高密度集成，封裝產(chǎn)品尺寸小，產(chǎn)品性能優(yōu)越，信號(hào)傳輸頻率快等。在實(shí)際封裝時(shí)，通常需要布置多層再布線層，以將芯片上的功能焊盤與接地焊盤線路連接至外部，尤其隨著移動(dòng)通訊設(shè)備的興起，片上系統(tǒng)(soc)技術(shù)與存儲(chǔ)器技術(shù)的集成更幾乎成為高端產(chǎn)品的標(biāo)配。為了進(jìn)一步節(jié)省封裝空間、縮小封裝尺寸并簡(jiǎn)化互連等，整合扇出型疊層封裝也應(yīng)運(yùn)而生。但是，集成芯片越多，其散熱性能越差，熱量無法順利散出，會(huì)影響產(chǎn)品性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其能夠提升封裝產(chǎn)品的散熱性能，保證產(chǎn)品性能。

2、本實(shí)用新型的實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、第一方面，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括：

4、基底布線層；

5、第一芯片，所述第一芯片貼設(shè)在所述基底布線層上；

6、第一塑封層，所述第一塑封層設(shè)置在所述基底布線層上，并包覆在所述第一芯片外；

7、轉(zhuǎn)接布線層，所述轉(zhuǎn)接布線層設(shè)置在所述塑封層上；

8、基板，所述基板設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接布線層上；

9、第二芯片，所述第二芯片貼設(shè)在所述基板上；

10、第二塑封層，所述第二塑封層設(shè)置在所述基板上，并包覆在所述第二芯片外；

11、其中，所述基板的底部設(shè)置有焊球，所述焊球與所述轉(zhuǎn)接布線層連接，以使所述基板與所述轉(zhuǎn)接布線層相間隔，且所述基板和所述第一芯片之間還設(shè)置有散熱金屬柱，所述散熱金屬柱連接至所述基板和/或所述第一芯片。

12、在可選的實(shí)施方式中，所述轉(zhuǎn)接布線層上設(shè)置有貫通至所述第一塑封層的芯片開口，所述芯片開口與所述第一芯片對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述散熱金屬柱延伸至所述芯片開口。

13、在可選的實(shí)施方式中，所述散熱金屬柱設(shè)置在所述基板靠近所述第一芯片的一側(cè)，并朝向所述第一芯片延伸至所述芯片開口內(nèi)，且所述散熱金屬柱與所述第一塑封層間隔設(shè)置。

14、在可選的實(shí)施方式中，所述散熱金屬柱設(shè)置在所述第一芯片遠(yuǎn)離所述基底布線層的一側(cè)，并朝向所述基板延伸至所述芯片開口內(nèi)，且所述散熱金屬柱與所述基板間隔設(shè)置。

15、在可選的實(shí)施方式中，所述第一芯片遠(yuǎn)離所述基底布線層的一側(cè)表面設(shè)置有導(dǎo)熱金屬層，所述散熱金屬柱設(shè)置在所述導(dǎo)熱金屬層上。

16、在可選的實(shí)施方式中，所述散熱金屬柱包括第一金屬柱和第二金屬柱，所述第一金屬柱設(shè)置在所述基板靠近所述第一芯片的一側(cè)，并朝向所述第一芯片延伸至所述芯片開口內(nèi)，所述第二金屬柱設(shè)置在所述第一芯片遠(yuǎn)離所述基底布線層的一側(cè)，并朝向所述基板延伸至所述芯片開口內(nèi)，所述第一金屬柱和所述第二金屬柱對(duì)應(yīng)設(shè)置。

17、在可選的實(shí)施方式中，所述第一金屬柱靠近所述第一芯片的一端和所述第二金屬柱靠近所述基板的一端焊接在一起。

18、在可選的實(shí)施方式中，所述第一塑封層中設(shè)置有導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的兩端分別連接至所述基底布線層和所述轉(zhuǎn)接布線層，以使所述基底布線層和所述轉(zhuǎn)接布線層通過所述導(dǎo)電柱電連接。

19、在可選的實(shí)施方式中，所述第一芯片的底側(cè)設(shè)置有接合凸點(diǎn)，所述基底布線層上設(shè)置有基底焊盤，所述接合凸點(diǎn)連接至所述基底焊盤。

20、在可選的實(shí)施方式中，所述第一芯片的底側(cè)設(shè)置有填充膠層，所述填充膠層包覆在所述接合凸點(diǎn)周圍。

21、本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果包括：

22、本實(shí)用新型實(shí)施例提供的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，將第一芯片貼設(shè)在基底布線層上，在基底布線層上形成第一塑封層，其中第一塑封層包覆在第一芯片外，在第一塑封層上設(shè)置轉(zhuǎn)接布線層，在轉(zhuǎn)接布線層上設(shè)置基板，將第二芯片貼設(shè)在基板上，在基板上設(shè)置第二塑封層，該第二塑封層包覆在第二芯片外。其中，基板的底部通過焊球與轉(zhuǎn)接布線層連接，使得基板與轉(zhuǎn)接布線層相間隔，該間隔能夠形成散熱通道，且基板和第一芯片之間還設(shè)置有散熱金屬柱，通過散熱金屬柱來提升整體的散熱能力。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，通過額外設(shè)置散熱金屬柱，該散熱金屬柱連接至第一芯片和/或基板，能夠?qū)⒌谝恍酒?或第二芯片產(chǎn)生的熱量傳遞至散熱通道并帶走，大幅提升散熱能力，保證產(chǎn)品性能。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接布線層上設(shè)置有貫通至所述第一塑封層的芯片開口，所述芯片開口與所述第一芯片對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述散熱金屬柱延伸至所述芯片開口。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱金屬柱設(shè)置在所述基板靠近所述第一芯片的一側(cè)，并朝向所述第一芯片延伸至所述芯片開口內(nèi)，且所述散熱金屬柱與所述第一塑封層間隔設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱金屬柱設(shè)置在所述第一芯片遠(yuǎn)離所述基底布線層的一側(cè)，并朝向所述基板延伸至所述芯片開口內(nèi)，且所述散熱金屬柱與所述基板間隔設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片遠(yuǎn)離所述基底布線層的一側(cè)表面設(shè)置有導(dǎo)熱金屬層，所述散熱金屬柱設(shè)置在所述導(dǎo)熱金屬層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱金屬柱包括第一金屬柱和第二金屬柱，所述第一金屬柱設(shè)置在所述基板靠近所述第一芯片的一側(cè)，并朝向所述第一芯片延伸至所述芯片開口內(nèi)，所述第二金屬柱設(shè)置在所述第一芯片遠(yuǎn)離所述基底布線層的一側(cè)，并朝向所述基板延伸至所述芯片開口內(nèi)，所述第一金屬柱和所述第二金屬柱對(duì)應(yīng)設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬柱靠近所述第一芯片的一端和所述第二金屬柱靠近所述基板的一端焊接在一起。

8.根據(jù)權(quán)利要求2-7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一塑封層中設(shè)置有導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的兩端分別連接至所述基底布線層和所述轉(zhuǎn)接布線層，以使所述基底布線層和所述轉(zhuǎn)接布線層通過所述導(dǎo)電柱電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求2-7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片的底側(cè)設(shè)置有接合凸點(diǎn)，所述基底布線層上設(shè)置有基底焊盤，所述接合凸點(diǎn)連接至所述基底焊盤。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一芯片的底側(cè)設(shè)置有填充膠層，所述填充膠層包覆在所述接合凸點(diǎn)周圍。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，涉及芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括基底布線層、第一芯片、第一塑封層、轉(zhuǎn)接布線層、基板、第二芯片和第二塑封層，第一芯片貼設(shè)在基底布線層上；第一塑封層設(shè)置在基底布線層上，并包覆在第一芯片外；轉(zhuǎn)接布線層設(shè)置在塑封層上；基板設(shè)置在轉(zhuǎn)接布線層上；第二芯片貼設(shè)在基板上；第二塑封層設(shè)置在基板上，并包覆在第二芯片外；其中，基板和第一芯片之間還設(shè)置有散熱金屬柱，散熱金屬柱連接至基板。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)提供的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，通過額外設(shè)置散熱金屬柱，該散熱金屬柱連接至基板，能夠?qū)⒌诙酒a(chǎn)生的熱量傳遞至散熱通道并帶走，大幅提升散熱能力，保證產(chǎn)品性能。

技術(shù)研發(fā)人員：何正鴻,高瀅瀅,夏錦楓,陳澤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：甬矽半導(dǎo)體（寧波）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240104
技術(shù)公布日：2024/12/26