本申請涉及晶圓加工，具體而言，涉及一種真空吸附裝置及晶圓加工設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在晶圓加工過程中，為滿足不同形變的晶圓的工藝需求，通常需要采用吸附卡盤來對晶圓進行吸附固定。常見的吸附卡盤有靜電吸盤和真空吸盤。靜電吸盤雖具有較大的晶圓翹曲處理能力，但隨著晶圓背面薄膜類型的復(fù)雜化或工藝溫度的變化，解除吸附可能存在一定困難，容易導(dǎo)致晶圓破片。而真空吸盤對于翹曲較大的晶圓則無法滿足吸附需求。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請的目的在于，針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種真空吸附裝置及晶圓加工設(shè)備，其對大翹曲待固定件具有較強的吸附能力。

2、為實現(xiàn)上述目的，本申請實施例采用的技術(shù)方案如下：

3、本申請實施例的一方面，提供一種真空吸附裝置，包括：基座、設(shè)置在基座上的真空吸盤和角度調(diào)節(jié)組件，真空吸盤包括多個子吸盤，子吸盤具有相對的第一表面和第二表面，第一表面用于吸附待固定件，角度調(diào)節(jié)組件用于分別驅(qū)動多個子吸盤相對于基座轉(zhuǎn)動，以調(diào)整子吸盤的角度，第一表面設(shè)有吸附孔，吸附孔用于與真空組件連通，多個子吸盤的第一表面能夠在所述角度調(diào)節(jié)組件的驅(qū)動下位于同一平面內(nèi)。

4、可選地，角度調(diào)節(jié)組件包括多個第一磁體和多個第二磁體，多個第一磁體分別設(shè)置在多個子吸盤上，多個第二磁體分別位于多個子吸盤的第二表面一側(cè)，并與多個第一磁體一一對應(yīng)，第二磁體用于吸引或排斥第一磁體，以調(diào)整子吸盤的角度。

5、可選地，第一磁體為永磁體，第二磁體為電磁體，第二磁體用于與電源連接。

6、可選地，真空吸盤朝向第二磁體的一側(cè)劃分有多個吸附區(qū)域，真空吸附裝置還包括多個壓力傳感器，多個壓力傳感器與多個吸附區(qū)域一一對應(yīng)，壓力傳感器用于檢測與其對應(yīng)的吸附區(qū)域內(nèi)的子吸盤的抽氣壓力。

7、可選地，第一磁體的磁極方向平行于第一表面。

8、可選地，多個子吸盤組成的真空吸盤呈圓形。

9、可選地，子吸盤的材料為多孔陶瓷。

10、可選地，還包括真空組件，真空組件的抽氣端與子吸盤上的吸附孔連通。

11、可選地，還包括電源，電源與第二磁體連接，電源用于改變第二磁體的磁極方向和磁場強度。

12、本申請實施例的另一方面，提供一種晶圓加工設(shè)備，包括如上任一項的真空吸附裝置。

13、本申請的有益效果包括：

14、本申請?zhí)峁┝艘环N真空吸附裝置，包括：基座、設(shè)置在基座上的真空吸盤和角度調(diào)節(jié)組件，真空吸盤包括多個子吸盤，子吸盤具有相對的第一表面和第二表面，第一表面用于吸附待固定件，角度調(diào)節(jié)組件用于分別驅(qū)動多個子吸盤相對于基座轉(zhuǎn)動，以調(diào)整子吸盤的角度，第一表面設(shè)有吸附孔，吸附孔用于與真空組件連通，多個子吸盤的第一表面能夠在所述角度調(diào)節(jié)組件的驅(qū)動下位于同一平面內(nèi)。該真空吸附裝置將真空吸盤分為多個獨立的子吸盤，并通過角度調(diào)節(jié)組件分別調(diào)整每個子吸盤的角度，從而使真空吸盤的吸附面能夠呈現(xiàn)為多種形態(tài)的曲面，而非單一的平面。在吸附待固定件時，能夠根據(jù)待固定件的下表面的形狀進行適應(yīng)性調(diào)整，以更好地與待固定件的下表面相適配，從而對翹曲較大的待固定件也具備較強的吸附能力。此外，在吸附待固定件之后，通過再次調(diào)整多個子吸盤的角度，還可以使待固定件加工過程中的翹曲變小。

技術(shù)特征：

1.一種真空吸附裝置，其特征在于，包括：基座、設(shè)置在所述基座上的真空吸盤和角度調(diào)節(jié)組件，所述真空吸盤包括多個子吸盤，所述子吸盤具有相對的第一表面和第二表面，所述第一表面用于吸附待固定件，所述角度調(diào)節(jié)組件用于分別驅(qū)動多個所述子吸盤相對于所述基座轉(zhuǎn)動，以調(diào)整所述子吸盤的角度，所述第一表面設(shè)有吸附孔，所述吸附孔用于與真空組件連通，多個所述子吸盤的第一表面能夠在所述角度調(diào)節(jié)組件的驅(qū)動下位于同一平面內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的真空吸附裝置，其特征在于，所述角度調(diào)節(jié)組件包括多個第一磁體和多個第二磁體，多個所述第一磁體分別設(shè)置在多個所述子吸盤上，多個所述第二磁體分別位于多個所述子吸盤的所述第二表面一側(cè)，并與多個所述第一磁體一一對應(yīng)，所述第二磁體用于吸引或排斥所述第一磁體，以調(diào)整所述子吸盤的角度。

3.如權(quán)利要求2所述的真空吸附裝置，其特征在于，所述第一磁體為永磁體，所述第二磁體為電磁體，所述第二磁體用于與電源連接。

4.如權(quán)利要求1所述的真空吸附裝置，其特征在于，所述真空吸盤上劃分有多個吸附區(qū)域，所述真空吸附裝置還包括多個壓力傳感器，多個所述壓力傳感器與多個所述吸附區(qū)域一一對應(yīng)，所述壓力傳感器用于檢測與其對應(yīng)的所述吸附區(qū)域內(nèi)的所述子吸盤的抽氣壓力。

5.如權(quán)利要求2所述的真空吸附裝置，其特征在于，所述第一磁體的磁極方向平行于所述第一表面。

6.如權(quán)利要求1所述的真空吸附裝置，其特征在于，多個所述子吸盤組成的所述真空吸盤呈圓形。

7.如權(quán)利要求1所述的真空吸附裝置，其特征在于，所述子吸盤的材料為多孔陶瓷。

8.如權(quán)利要求1至7任一項所述的真空吸附裝置，其特征在于，還包括真空組件，所述真空組件的抽氣端與所述子吸盤上的所述吸附孔連通。

9.如權(quán)利要求3所述的真空吸附裝置，其特征在于，還包括電源，所述電源與所述第二磁體連接，所述電源用于改變所述第二磁體的磁極方向和磁場強度。

10.一種晶圓加工設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任一項所述的真空吸附裝置。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N真空吸附裝置及晶圓加工設(shè)備，涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域。該真空吸附裝置包括：基座、設(shè)置在基座上的真空吸盤和角度調(diào)節(jié)組件，真空吸盤包括多個子吸盤，子吸盤具有相對的第一表面和第二表面，第一表面用于吸附待固定件，角度調(diào)節(jié)組件用于分別驅(qū)動多個子吸盤相對于基座轉(zhuǎn)動，以調(diào)整子吸盤的角度，第一表面設(shè)有吸附孔，吸附孔用于與真空組件連通，多個子吸盤的第一表面能夠在所述角度調(diào)節(jié)組件的驅(qū)動下位于同一平面內(nèi)。該真空吸附裝置能夠根據(jù)待固定件的形狀進行適應(yīng)性調(diào)整，以更好地與待固定件的下表面相適配，從而對翹曲較大的待固定件具備較強的吸附能力。通過調(diào)整子吸盤的角度，還可以使待固定件加工過程中的翹曲變小。

技術(shù)研發(fā)人員：楊道虹,張戈權(quán),胡文超
受保護的技術(shù)使用者：湖北星辰技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23