本發(fā)明涉及晶圓加工設(shè)備,具體涉及一種低溫去膠設(shè)備。
背景技術(shù):
1、芯片是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其用途廣泛,在芯片制造過程中會涉及涂膠、金屬鍍膜、銦柱生長、剝離去膠工序。其中,剝離去膠的目的為剝離去掉不需要的金屬薄層與光刻膠,使得金屬圖形化。
2、現(xiàn)有技術(shù)中,低溫去膠設(shè)備是進(jìn)行剝離去膠工序的一種設(shè)備,其通過線圈對工藝氣體進(jìn)行電離,使工藝氣體被電離成等離子體,并通過導(dǎo)向環(huán)將等離子體導(dǎo)向至放置晶圓的腔體內(nèi),從而使得等離子體與晶圓表面的光刻膠接觸,進(jìn)而對光刻膠進(jìn)行刻蝕,另外,低溫去膠設(shè)備中還設(shè)置有冷卻系統(tǒng)和偏置電源,從而使得冷卻系統(tǒng)對放置晶圓的腔體內(nèi)的溫度進(jìn)行控制,使腔體內(nèi)的溫度控制在低溫范圍,而偏置電源則能夠改善等離子體的低溫工藝能力,進(jìn)而使得等離子體刻蝕晶圓表面的光刻膠的速率能夠提高。
3、但是,現(xiàn)有的低溫去膠設(shè)備,其通過導(dǎo)向環(huán)將等離子體導(dǎo)向至放置晶圓的腔體內(nèi),從而使得等離子體在導(dǎo)向環(huán)出口處聚集較多,進(jìn)而使得腔體內(nèi)的晶圓的刻蝕速率不同,導(dǎo)致晶圓表面去膠的均勻性較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、因此,本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有的低溫去膠設(shè)備的效率和安全性無法滿足在復(fù)雜和變化的施工環(huán)境下的懸索橋的施工的缺陷。
2、為此,本發(fā)明提供一種低溫去膠設(shè)備,包括:
3、本體,所述本體具有工藝腔以及與所述工藝腔連通設(shè)置的進(jìn)口和出口,所述進(jìn)口和所述出口相對設(shè)置,工藝氣體適于通過所述進(jìn)口流入所述工藝腔內(nèi),且適于通過所述出口流出所述工藝腔;
4、阻擋組件,設(shè)置在所述工藝腔內(nèi)、且設(shè)置在所述進(jìn)口和所述出口之間,以將所述工藝腔分隔為工作腔和流出腔,所述阻擋組件上開設(shè)有若干連通部,任一所述連通部連通所述工作腔和所述流出腔;
5、其中,所述進(jìn)口與所述工作腔連通,所述出口與所述流出腔連通,且所述工作腔內(nèi)適于放置待加工件,所述阻擋組件適于阻擋工藝氣體的流動,以在工藝氣體從所述工作腔向所述流出腔流動時,所述阻擋組件阻擋工藝氣體的流動,且使工藝氣體通過所有的所述連通部流入所述流出腔內(nèi)。
6、可選地,上述的低溫去膠設(shè)備,所述阻擋組件包括阻擋件和導(dǎo)流件,所述導(dǎo)流件設(shè)置在所述阻擋件上、且設(shè)置在所述流出腔內(nèi),所有的所述連通部均對應(yīng)所述導(dǎo)流件開設(shè)在所述阻擋件上;
7、所述導(dǎo)流件上開設(shè)有若干導(dǎo)流部,任一所述導(dǎo)流部與一所述連通部對應(yīng)連通設(shè)置,且所述導(dǎo)流部的軸線與所述連通部的軸線垂直設(shè)置。
8、可選地,上述的低溫去膠設(shè)備,還包括電離件,所述電離件設(shè)置在所述工作腔內(nèi),在電力作用下,所述電離件適于將工藝氣體電離成等離子體,所述等離子體適于刻蝕所述待加工件。
9、可選地,上述的低溫去膠設(shè)備,還包括導(dǎo)向件,所述導(dǎo)向件設(shè)置在所述工作腔內(nèi),且設(shè)置在所述電離件和所述阻擋件之間,所述導(dǎo)向件適于導(dǎo)向所述等離子體。
10、可選地,上述的低溫去膠設(shè)備,所述阻擋件上開設(shè)有安裝部,所述安裝部避讓所有的所述連通部;
11、還包括冷卻件,所述冷卻件設(shè)置在所述安裝部內(nèi),且在電力作用下,所述冷卻件適于冷卻所述等離子體,所述待加工件適于設(shè)置在所述冷卻件上。
12、可選地,上述的低溫去膠設(shè)備,還包括電源件,所述電源件設(shè)置在所述本體上,在電力作用下,所述電源件適于向所述工作腔內(nèi)的所述待加工件提供偏壓。
13、可選地,上述的低溫去膠設(shè)備,所述本體具有至少兩個所述工藝腔,兩個所述工藝腔間隔設(shè)置,且任一所述工藝腔內(nèi)對應(yīng)設(shè)置有所述阻擋組件、所述電離件、所述導(dǎo)向件和所述電源件。
14、可選地,上述的低溫去膠設(shè)備,所述本體包括分隔件,所述分隔件設(shè)置在兩個所述工藝腔之間,以分隔兩個所述工藝腔,且使兩個所述工藝腔間隔設(shè)置。
15、可選地,上述的低溫去膠設(shè)備,所述分隔件的一側(cè)開設(shè)有讓位部,所述讓位部連通兩個所述工藝腔,且所述讓位部適于為外界機(jī)械手提供工作空間。
16、可選地,上述的低溫去膠設(shè)備,還包括至少兩個隔檔件,兩個所述隔檔件分別設(shè)置在所述讓位部的兩側(cè),且任一隔檔件的一端與所述分隔件連接,且另一端伸向一所述工作腔內(nèi)。
17、本發(fā)明提供的技術(shù)方案,具有如下優(yōu)點(diǎn):
18、1.本發(fā)明提供的低溫去膠設(shè)備,通過設(shè)置在本體內(nèi)的阻擋組件,其中,本體具有工藝腔以及與工藝腔連通設(shè)置的進(jìn)口和出口,且進(jìn)口和出口之間為相對設(shè)置,而工藝氣體則能夠通過進(jìn)口流入工藝腔內(nèi),且還能夠通過出口流出工藝腔,阻擋組件則具體設(shè)置在工藝腔內(nèi)、且設(shè)置在進(jìn)口和出口之間,從而將工藝腔分隔為工作腔和流出腔,且進(jìn)口與工作腔連通,出口與流出腔連通,同時,阻擋組件上開設(shè)有若干連通部,每個連通部都能夠連通工作腔和流出腔,從而使得通過進(jìn)口流入工作腔內(nèi)的工藝氣體在向出口流動時,必須通過阻擋組件上的連通部才能夠從工作腔流入至流出腔內(nèi),之后工藝氣體才能夠通過出口流出流出腔,另外,工作腔內(nèi)能夠放置待加工件,在工藝氣體通過進(jìn)口流入工作腔內(nèi)時,工藝氣體會與待加工件的表面接觸,從而對待加工件進(jìn)行加工,而由于阻擋組件的阻擋,使得工藝氣體的大部分在工作腔內(nèi)堆積,小部分通過連通部流入至流出腔內(nèi),使得工作腔內(nèi)的工藝氣體的分布較為均勻,從而使得待加工件的表面散布的工藝氣體的量較為平均,進(jìn)而使得待加工件表面的加工均勻性得到提高。
1.一種低溫去膠設(shè)備,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫去膠設(shè)備,其特征在于,所述阻擋組件(2)包括阻擋件(21)和導(dǎo)流件(22),所述導(dǎo)流件(22)設(shè)置在所述阻擋件(21)上、且設(shè)置在所述流出腔(112)內(nèi),所有的所述連通部(211)均對應(yīng)所述導(dǎo)流件(22)開設(shè)在所述阻擋件(21)上;
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低溫去膠設(shè)備,其特征在于,還包括電離件(3),所述電離件(3)設(shè)置在所述工作腔(111)內(nèi),在電力作用下,所述電離件(3)適于將工藝氣體電離成等離子體,所述等離子體適于刻蝕所述待加工件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫去膠設(shè)備,其特征在于,還包括導(dǎo)向件(4),所述導(dǎo)向件(4)設(shè)置在所述工作腔(111)內(nèi),且設(shè)置在所述電離件(3)和所述阻擋件(21)之間,所述導(dǎo)向件(4)適于導(dǎo)向所述等離子體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫去膠設(shè)備,其特征在于,所述阻擋件(21)上開設(shè)有安裝部(212),所述安裝部(212)避讓所有的所述連通部(211);
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低溫去膠設(shè)備,其特征在于,還包括電源件(6),所述電源件(6)設(shè)置在所述本體(1)上,在電力作用下,所述電源件(6)適于向所述工作腔(111)內(nèi)的所述待加工件提供偏壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低溫去膠設(shè)備,其特征在于,所述本體(1)具有至少兩個所述工藝腔(11),兩個所述工藝腔(11)間隔設(shè)置,且任一所述工藝腔(11)內(nèi)對應(yīng)設(shè)置有所述阻擋組件(2)、所述電離件(3)、所述導(dǎo)向件(4)和所述電源件(6)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的低溫去膠設(shè)備,其特征在于,所述本體(1)包括分隔件(14),所述分隔件(14)設(shè)置在兩個所述工藝腔(11)之間,以分隔兩個所述工藝腔(11),且使兩個所述工藝腔(11)間隔設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低溫去膠設(shè)備,其特征在于,所述分隔件(14)的一側(cè)開設(shè)有讓位部,所述讓位部連通兩個所述工藝腔(11),且所述讓位部適于為外界機(jī)械手提供工作空間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低溫去膠設(shè)備,其特征在于,還包括至少兩個隔檔件(7),兩個所述隔檔件(7)分別設(shè)置在所述讓位部的兩側(cè),且任一隔檔件(7)的一端與所述分隔件(14)連接,且另一端伸向一所述工作腔(111)內(nèi)。