本申請涉及太陽能，特別是涉及一種太陽能電池及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、太陽能電池的制備過程中，采用激光開槽工藝對多晶硅摻雜材料層進(jìn)行圖形化處理，去除預(yù)設(shè)區(qū)的多晶硅摻雜材料層，形成由剩余多晶硅摻雜材料層構(gòu)成的多晶硅摻雜層；在預(yù)設(shè)區(qū)的占比比較大的情況下，通過增加光斑的尺寸可以提高去除多晶硅摻雜材料層的速度，提高產(chǎn)能，但光斑尺寸的增加需要提高激光器的激光功率，增加了設(shè)備成本，提高了太陽能電池的制備成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，提供一種太陽能電池及其制備方法，在激光功率不變的情況下增加光斑尺寸，降低太陽能電池的制備成本。

2、一種太陽能電池的制備方法，包括：

3、提供表面形成有預(yù)設(shè)材料層的基底，所述預(yù)設(shè)材料層遠(yuǎn)離所述基底的頂表面具有第一粗糙度，所述基底包括鄰接的第一區(qū)和第二區(qū)；

4、對第一區(qū)的所述預(yù)設(shè)材料層遠(yuǎn)離所述基底的頂表面進(jìn)行處理，使其具有第二粗糙度；

5、采用第一激光工藝去除所述第一區(qū)的所述預(yù)設(shè)材料層，形成由第二區(qū)的所述預(yù)設(shè)材料層構(gòu)成的預(yù)設(shè)層；

6、其中，所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度。

7、在其中一個實(shí)施例中，采用第二激光工藝對所述第一區(qū)的所述預(yù)設(shè)材料層遠(yuǎn)離所述基底的頂表面進(jìn)行處理。

8、在其中一個實(shí)施例中，采用連續(xù)波激光器進(jìn)行所述第二激光工藝；

9、或者采用脈寬大于1微秒的準(zhǔn)連續(xù)波激光器進(jìn)行所述第二激光工藝。

10、在其中一個實(shí)施例中，所述第二激光工藝的激光功率大于或等于所述第一激光工藝的激光功率。

11、在其中一個實(shí)施例中，所述第二激光工藝的光束波長大于或等于所述第一激光工藝的光束波長。

12、在其中一個實(shí)施例中，所述第二激光工藝的光束波長包括532納米-1064納米，激光功率包括100瓦-500瓦，光斑尺寸大于或等于100微米。

13、在其中一個實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)層包括第一摻雜層，所述基底包括位于第一區(qū)且鄰接的第一柵極區(qū)和隔離區(qū)，及位于第二區(qū)的第二柵極區(qū)，所述隔離區(qū)位于所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)之間以隔離所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)，所述太陽能電池的制備方法還包括：

14、于所述第一柵極區(qū)的所述基底上形成第二摻雜材料層，所述第二摻雜材料層延伸覆蓋所述隔離區(qū)和所述預(yù)設(shè)層，所述第二摻雜材料層遠(yuǎn)離所述基底的頂表面具有第三粗糙度；

15、對所述隔離區(qū)和所述第二柵極區(qū)的所述第二摻雜材料層遠(yuǎn)離所述基底的頂表面進(jìn)行處理，使其具有第四粗糙度；

16、采用第三激光工藝去除所述隔離區(qū)和所述第二柵極區(qū)的所述第二摻雜材料層，形成由第一柵極區(qū)的所述第二摻雜材料層構(gòu)成的第二摻雜層；

17、其中，所述第四粗糙度大于所述第三粗糙度，所述第二摻雜層和所述第一摻雜層的導(dǎo)電類型相反。

18、在其中一個實(shí)施例中，所述第一摻雜層包括一體連接的主柵極和多個細(xì)柵極。

19、在其中一個實(shí)施例中，還包括：

20、于所述預(yù)設(shè)層上形成電極，所述電極與所述預(yù)設(shè)層連接。

21、一種太陽能電池，采用上述的制備方法制成。

22、上述太陽能電池及其制備方法中，采用第一激光工藝去除第一區(qū)的預(yù)設(shè)材料層之前，對第一區(qū)的預(yù)設(shè)材料層的頂表面進(jìn)行處理，使其從第一粗糙度增加到第二粗糙度，提高了第一激光工藝去除第一區(qū)的預(yù)設(shè)材料層的過程中預(yù)設(shè)材料層對激光的吸收率，提高了第一激光工藝的加工效率，降低第一激光工藝的激光功率，提高了第一激光工藝的光斑的穩(wěn)定性，提高了產(chǎn)能，使得第一激光工藝的工藝穩(wěn)定性更強(qiáng)，提高了第一激光工藝的工藝良率。

技術(shù)特征：

1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用第二激光工藝對所述第一區(qū)的所述預(yù)設(shè)材料層遠(yuǎn)離所述基底的頂表面進(jìn)行處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，采用連續(xù)波激光器進(jìn)行所述第二激光工藝；

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第二激光工藝的激光功率大于或等于所述第一激光工藝的激光功率。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第二激光工藝的光束波長大于或等于所述第一激光工藝的光束波長。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二激光工藝的光束波長包括532納米-1064納米，激光功率包括100瓦-500瓦，光斑尺寸大于或等于100微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)層包括第一摻雜層，所述基底包括位于第一區(qū)且鄰接的第一柵極區(qū)和隔離區(qū)，及位于第二區(qū)的第二柵極區(qū)，所述隔離區(qū)位于所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)之間以隔離所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)，所述太陽能電池的制備方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜層包括一體連接的主柵極和多個細(xì)柵極。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，還包括：

10.一種太陽能電池，其特征在于，采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的制備方法制成。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及一種太陽能電池及其制備方法。該方法包括：提供表面形成有預(yù)設(shè)材料層的基底，預(yù)設(shè)材料層遠(yuǎn)離基底的頂表面具有第一粗糙度，基底包括鄰接的第一區(qū)和第二區(qū)；對第一區(qū)的預(yù)設(shè)材料層遠(yuǎn)離基底的頂表面進(jìn)行處理，使其具有第二粗糙度；采用第一激光工藝去除第一區(qū)的預(yù)設(shè)材料層，形成由第二區(qū)的預(yù)設(shè)材料層構(gòu)成的預(yù)設(shè)層；其中，第二粗糙度大于第一粗糙度。提高了第一激光工藝的光斑的穩(wěn)定性，提高了產(chǎn)能，使得第一激光工藝的工藝穩(wěn)定性更強(qiáng)，提高了第一激光工藝的工藝良率。

技術(shù)研發(fā)人員：吳魁藝,王子港,陳達(dá)明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天合光能股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23